JPS61106768A - 基体処理装置 - Google Patents
基体処理装置Info
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- JPS61106768A JPS61106768A JP59227928A JP22792884A JPS61106768A JP S61106768 A JPS61106768 A JP S61106768A JP 59227928 A JP59227928 A JP 59227928A JP 22792884 A JP22792884 A JP 22792884A JP S61106768 A JPS61106768 A JP S61106768A
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Classifications
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリングにより同−形状の多数の板状基
体に次々と自動的に薄膜を形成するスノ（ツタ装置等に
適用して好適な基体処理装置に関する０ 〔従来の技術〕 本発明の具体的応用分野の一例はシリコンのモノリシッ
クＩＣ製造工程に於る薄膜作製過程である。そこでは例
えば直径約１２５ｍｍ、厚み約０．５ｍ程度の大量のシ
リコンウエノ１の上に厚み１ミクロン程度の金属薄膜や
絶縁物薄膜を形成することが行われている。作製すべき
薄膜に必要とされる電気的・機械的・物理的緒特性は一
般的に真空容器内の不純物ガス分圧が低いほど優れたも
のが得られるので、スパッタリングを行うべき真空容器
は可能な限シ大気に晒す時間を短かくすることが好まし
い。また、大量にシリコンウエノ・を処理するためにウ
ェハの装置への供給・排出と真空に排気するための時間
の全工程に占める割合を小さくすることが望ましい。他
方大量のウエノ・を均質な薄膜作製を能率よく行うため
には、作業者ができる限シウエハに直接子を触れずにウ
エノ・を自動搬送して自動的に処理することが望ましい
。更にウェハの上には所定の材質の薄膜のみを均一な厚
みで被覆することが必要であり、極めて微細な塵埃が混
入したシあるいは膜の付着しないピンホール等が生ずる
ことさえ嫌われ、そのために仮に塵埃が発生してもウェ
ハの表面に堆積しないように膜付最中はウェハを鉛直に
保持することが好ましい。
体に次々と自動的に薄膜を形成するスノ（ツタ装置等に
適用して好適な基体処理装置に関する０ 〔従来の技術〕 本発明の具体的応用分野の一例はシリコンのモノリシッ
クＩＣ製造工程に於る薄膜作製過程である。そこでは例
えば直径約１２５ｍｍ、厚み約０．５ｍ程度の大量のシ
リコンウエノ１の上に厚み１ミクロン程度の金属薄膜や
絶縁物薄膜を形成することが行われている。作製すべき
薄膜に必要とされる電気的・機械的・物理的緒特性は一
般的に真空容器内の不純物ガス分圧が低いほど優れたも
のが得られるので、スパッタリングを行うべき真空容器
は可能な限シ大気に晒す時間を短かくすることが好まし
い。また、大量にシリコンウエノ・を処理するためにウ
ェハの装置への供給・排出と真空に排気するための時間
の全工程に占める割合を小さくすることが望ましい。他
方大量のウエノ・を均質な薄膜作製を能率よく行うため
には、作業者ができる限シウエハに直接子を触れずにウ
エノ・を自動搬送して自動的に処理することが望ましい
。更にウェハの上には所定の材質の薄膜のみを均一な厚
みで被覆することが必要であり、極めて微細な塵埃が混
入したシあるいは膜の付着しないピンホール等が生ずる
ことさえ嫌われ、そのために仮に塵埃が発生してもウェ
ハの表面に堆積しないように膜付最中はウェハを鉛直に
保持することが好ましい。
このようなスパッタ装置の構成については従来各種の方
式のものが知られるが、本発明に先行する形式のスパッ
タ装置として例えば特開昭５７−４１３６９号および特
開昭５７−６３６７８号がある。
式のものが知られるが、本発明に先行する形式のスパッ
タ装置として例えば特開昭５７−４１３６９号および特
開昭５７−６３６７８号がある。
それらの方式においては通常カセットに水平に収容され
たウェハはベルト搬送機構により一枚づつ水平に搬送さ
れ必要に応じて加熱あるいはスパンタエツチングなどの
前処理を施された後に膜付の・１ ために
スパッタ室に送り込まれ、ウェハの水平と鉛直の姿勢制
御はアームを用いた立ち上げ機構によって行っている。
たウェハはベルト搬送機構により一枚づつ水平に搬送さ
れ必要に応じて加熱あるいはスパンタエツチングなどの
前処理を施された後に膜付の・１ ために
スパッタ室に送り込まれ、ウェハの水平と鉛直の姿勢制
御はアームを用いた立ち上げ機構によって行っている。
しかし、それらの方式においてはウェハのベルト搬送機
構と膜付処理中のウェハホルダーであるアームとの相互
受は渡しの信頼性が低くウェハを確実に保持して処理す
ることが回顧てあった。更に１個の立ち上げ機構が一枚
のウェハを保持している間に次に処理されるべきウェハ
は処理が完了する迄待機することが必要で、これが装置
の生産性の隘路のひとつとなっていた。
構と膜付処理中のウェハホルダーであるアームとの相互
受は渡しの信頼性が低くウェハを確実に保持して処理す
ることが回顧てあった。更に１個の立ち上げ機構が一枚
のウェハを保持している間に次に処理されるべきウェハ
は処理が完了する迄待機することが必要で、これが装置
の生産性の隘路のひとつとなっていた。
また膜処理室においては１つの水平または鉛直のいずれ
かの姿勢をとることのできる立ち上げアームが１個のカ
ソードと組になって配置されておシ、従ってこの機構で
は１個の膜処理室内で１つの材質の膜付処理ができるだ
けであった。もし従来方式で２種類以上の膜付処理を同
一のウェハに対して行うとすれば水平または鉛直のいず
れかの姿勢制御をとることができる別個の立ち上げアー
ムとカソードの組合わせを備えた系に再びウェハを搬送
しなければならず、これは装置の構成を複雑かつ大型に
するという難点がある。
かの姿勢をとることのできる立ち上げアームが１個のカ
ソードと組になって配置されておシ、従ってこの機構で
は１個の膜処理室内で１つの材質の膜付処理ができるだ
けであった。もし従来方式で２種類以上の膜付処理を同
一のウェハに対して行うとすれば水平または鉛直のいず
れかの姿勢制御をとることができる別個の立ち上げアー
ムとカソードの組合わせを備えた系に再びウェハを搬送
しなければならず、これは装置の構成を複雑かつ大型に
するという難点がある。
本発明に係る基体処理装置は上述したような点に鑑みて
なされたもので、基体をほぼ水平に移送する基体搬送機
構と、基体を鉛直に保持した状態で基体処理を施すため
の基体ホルダーとを備え、基体ホルダーは基体着脱ステ
ージに於てほぼ鉛直姿勢とほぼ水平姿勢を交互に繰返し
てとることができ、ほぼ水平姿勢で処理済み基体を基体
搬送機構に送り出しかつ未処理基体を基体搬送機構から
受け取り、更に該ホルダーが公転機構により基体着脱ス
テージよ°り基体処理ステージに移動されて基体の処理
を施された後再び基体着脱ステージに戻されるように構
成したものである。
なされたもので、基体をほぼ水平に移送する基体搬送機
構と、基体を鉛直に保持した状態で基体処理を施すため
の基体ホルダーとを備え、基体ホルダーは基体着脱ステ
ージに於てほぼ鉛直姿勢とほぼ水平姿勢を交互に繰返し
てとることができ、ほぼ水平姿勢で処理済み基体を基体
搬送機構に送り出しかつ未処理基体を基体搬送機構から
受け取り、更に該ホルダーが公転機構により基体着脱ス
テージよ°り基体処理ステージに移動されて基体の処理
を施された後再び基体着脱ステージに戻されるように構
成したものである。
本発明においては公転機構により基体ホルダーを基体着
脱ステージより基体処理ステージに移動させ、基体処理
後再び元の基体着脱ステージに戻すから、基体ホルダー
が基体を保持しながら複数の処理ステージを通過し、同
一基体に対して異る種類の処理を行う０ 〔実施例〕 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
脱ステージより基体処理ステージに移動させ、基体処理
後再び元の基体着脱ステージに戻すから、基体ホルダー
が基体を保持しながら複数の処理ステージを通過し、同
一基体に対して異る種類の処理を行う０ 〔実施例〕 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
第２図は本発明に係る基体処理装置をスパッタ装置に適
用した場合の一実施例を示す概略構成図である。図にお
いてスパッタ装置１は、一連に連結されてはいるが相互
にバルブ２を介在して独立に排気することができる４個
の真空室、すなわちロードロック室３、バッファ室４、
エツチング処理室５およびスパッタ室６とを備え、それ
ぞれの真空室は図示を省略した真空ポンプにより独立に
排気される。
用した場合の一実施例を示す概略構成図である。図にお
いてスパッタ装置１は、一連に連結されてはいるが相互
にバルブ２を介在して独立に排気することができる４個
の真空室、すなわちロードロック室３、バッファ室４、
エツチング処理室５およびスパッタ室６とを備え、それ
ぞれの真空室は図示を省略した真空ポンプにより独立に
排気される。
ロードロック室３内のカセット７に水平に収容された複
数枚の未処理ウェハＡは１枚づつ順次矢印×１方向に基
体搬送機構により搬送され、バッファ室４内の第１カセ
ツト８の中に一度収容される。更に矢印Ｘ２１Ｃ従いス
パッタ室５のエツチングステージ１０に送られ、その上
でエツチングの前処理を行い、次いで矢印×３に従いス
パッタ室６に送り込まれ後述する基体着脱ステージ１１
における機構によりウエハホルダーに保持せしめられ、
該ステージ１１で鉛直姿勢をとった後公転機構（後述す
る）により矢印×４に従い加熱ステージ１２に送られ、
加熱ランプ１５により熱線照射を受けて加熱処理せしめ
られる。次いで、矢印×５に従い第１の膜付処理ステー
ジ１３に送られ第１カソード１６に対向しながら膜付処
理せしめられ、一定時間抜矢印×６に従い第２の膜付処
理ステージ１４に送られ、第２カソード１７に対向しな
がら膜付処理せしめられ、更に矢印×７に従い再び基体
着脱ステージ１１を経て鉛直状態から水平に戻された膜
付処理済みウェハＡはエツチング処理室５内の後処理ス
テージ１Ｂに送られる。そして、矢印×８に従いバッフ
ァ室４内の第２カセツト１９の中に一度収容される。最
後に処理済みウェハＡは矢印×９方向に移送され最初の
カセット７に戻される。なお、ロードロック室３、バッ
ファ室４およびエツチング処理室５におけるウェハＡの
水平搬送の方法については前述の２つの特ｊ（開昭（５
７−４１３６９，５７−６３６７８）および特願昭５９
−１０４４２９ 号に詳細に述べられている如きベルト
搬送機構が使用されるため１．ここではその説明を省略
する。
数枚の未処理ウェハＡは１枚づつ順次矢印×１方向に基
体搬送機構により搬送され、バッファ室４内の第１カセ
ツト８の中に一度収容される。更に矢印Ｘ２１Ｃ従いス
パッタ室５のエツチングステージ１０に送られ、その上
でエツチングの前処理を行い、次いで矢印×３に従いス
パッタ室６に送り込まれ後述する基体着脱ステージ１１
における機構によりウエハホルダーに保持せしめられ、
該ステージ１１で鉛直姿勢をとった後公転機構（後述す
る）により矢印×４に従い加熱ステージ１２に送られ、
加熱ランプ１５により熱線照射を受けて加熱処理せしめ
られる。次いで、矢印×５に従い第１の膜付処理ステー
ジ１３に送られ第１カソード１６に対向しながら膜付処
理せしめられ、一定時間抜矢印×６に従い第２の膜付処
理ステージ１４に送られ、第２カソード１７に対向しな
がら膜付処理せしめられ、更に矢印×７に従い再び基体
着脱ステージ１１を経て鉛直状態から水平に戻された膜
付処理済みウェハＡはエツチング処理室５内の後処理ス
テージ１Ｂに送られる。そして、矢印×８に従いバッフ
ァ室４内の第２カセツト１９の中に一度収容される。最
後に処理済みウェハＡは矢印×９方向に移送され最初の
カセット７に戻される。なお、ロードロック室３、バッ
ファ室４およびエツチング処理室５におけるウェハＡの
水平搬送の方法については前述の２つの特ｊ（開昭（５
７−４１３６９，５７−６３６７８）および特願昭５９
−１０４４２９ 号に詳細に述べられている如きベルト
搬送機構が使用されるため１．ここではその説明を省略
する。
次に、スパッタ室６内部におけるウエノ・ホルダーを含
むウェハＡの搬送機構について詳述する。
むウェハＡの搬送機構について詳述する。
第１図（ａ） ｐ （ｂｔは搬送機構ウェハホルダーお
よび公転機構の一実施例を示す平面図およびＩ−Ｔ線断
面図である。図において、２組のベルト搬送機構２０．
２１を図示されていないエツチング処理室に設けられた
ベルト搬送機構と共に駆動することによりウェハＡを水
平状態で矢印×３方向に移送し、エツチング処理室から
スパッタ室６内に導き、このウェハＡをウェハホルダー
３０によって保持する。
よび公転機構の一実施例を示す平面図およびＩ−Ｔ線断
面図である。図において、２組のベルト搬送機構２０．
２１を図示されていないエツチング処理室に設けられた
ベルト搬送機構と共に駆動することによりウェハＡを水
平状態で矢印×３方向に移送し、エツチング処理室から
スパッタ室６内に導き、このウェハＡをウェハホルダー
３０によって保持する。
ウェハホルダー３０は後に詳細に述べるような機構と動
作により基体着脱ステージ１１にほぼ水平姿勢に保持さ
れ、その上に２点鎖線で示すようにウェハＡ１Ｆ！：載
せると”とができる。ウェハホルダ−３０の水平姿勢は
、その両側に設けられた一対のイヤリング３１ｍ、３１
ｂをそれぞれ一対の押付ア ′ニーム３２，
３３により押えつけることにより維持されている。基体
着脱ステージ１１の付近にはウェハホルダー３０が水平
姿勢をとるときこれを両側から挾むような位置に一対の
アーム機構４Ｑ。
作により基体着脱ステージ１１にほぼ水平姿勢に保持さ
れ、その上に２点鎖線で示すようにウェハＡ１Ｆ！：載
せると”とができる。ウェハホルダ−３０の水平姿勢は
、その両側に設けられた一対のイヤリング３１ｍ、３１
ｂをそれぞれ一対の押付ア ′ニーム３２，
３３により押えつけることにより維持されている。基体
着脱ステージ１１の付近にはウェハホルダー３０が水平
姿勢をとるときこれを両側から挾むような位置に一対の
アーム機構４Ｑ。
４１が配設されており、それぞれ回転駆動軸４２゜４３
の周りに水平に回転駆動することができる０ウエハホル
ダー３０は、後述する公転機構５０に取付けられている
。
の周りに水平に回転駆動することができる０ウエハホル
ダー３０は、後述する公転機構５０に取付けられている
。
ウェハホルダー３０、公転機構５０１ア一ム機構４０，
４１、押付アーム３２．３３およびベルト搬送ｍ栴２０
、２１はいずれもこれらがある定められた運動をする
ことにより基体着脱ステージ１１においてウェハホルダ
ー３０上に水平な状態でウェハＡを受け取り、次いで鉛
直に保持し、更に処理ステージに移送し処理を行った後
、再び基体着脱ステージ１１にウニ・・Ａを戻し、水平
な状態に戻した後ベルト搬送機構２０．２１に送り出す
ことができる。その具体的構成と駆動方式が本発明の特
徴とするところで、それを以下に詳述する０ 公転機構５０は第１図に示すように回転軸５１と、リン
グ状の公転ペースプレート５２と、回転軸５１と公転ペ
ースプレート５２とを連結する連結杆５３等で構成され
て図示されていない駆動源により回転軸５１の周シに矢
印×１０で示す如く第１図（ａ）反時計方向に断続的に
回転しあらかじめ定められた位置で静止するように構成
されておシ、これによりウエハホルダー３０を基体着脱
ステージ１１から第２図において説明した加熱ステージ
１２、第１の膜付処理ステージ１３および第２の膜付処
理ステージ１４に順次移送し、再び元の基体着脱ステー
ジ１１に戻すようにしている。このためウェハホルダー
３０は公転ベースプレート５２上に配設されている。
４１、押付アーム３２．３３およびベルト搬送ｍ栴２０
、２１はいずれもこれらがある定められた運動をする
ことにより基体着脱ステージ１１においてウェハホルダ
ー３０上に水平な状態でウェハＡを受け取り、次いで鉛
直に保持し、更に処理ステージに移送し処理を行った後
、再び基体着脱ステージ１１にウニ・・Ａを戻し、水平
な状態に戻した後ベルト搬送機構２０．２１に送り出す
ことができる。その具体的構成と駆動方式が本発明の特
徴とするところで、それを以下に詳述する０ 公転機構５０は第１図に示すように回転軸５１と、リン
グ状の公転ペースプレート５２と、回転軸５１と公転ペ
ースプレート５２とを連結する連結杆５３等で構成され
て図示されていない駆動源により回転軸５１の周シに矢
印×１０で示す如く第１図（ａ）反時計方向に断続的に
回転しあらかじめ定められた位置で静止するように構成
されておシ、これによりウエハホルダー３０を基体着脱
ステージ１１から第２図において説明した加熱ステージ
１２、第１の膜付処理ステージ１３および第２の膜付処
理ステージ１４に順次移送し、再び元の基体着脱ステー
ジ１１に戻すようにしている。このためウェハホルダー
３０は公転ベースプレート５２上に配設されている。
押付アーム３２．３３はそれぞれその一端が軸３４．３
５によって上下方向に一定角度回転運動可能に軸支され
ておυ、該アームが第１図（ｂ）実線位置に倒れるとイ
ヤリング３１ｍ、３１ｂを押圧し、これによってウェハ
ホルダー３０を回動させて完全に水平に保持することが
できる０他方、押付アーム３２．３３が第１図（ｂ）反
時計方向に回動して鎖線３１ ｍ’、 ３ ｌ ｂ’位
置に起立すると、ウェハホルダー３０は鎖線３０′で示
すように、後述するばねの働きによりほぼ鉛直に自立す
る。なお、ウェハホルダー：３０が基体着脱ステージ１
１に於て水平姿勢をとったときに、ウェハホルダー３０
の中央の空間３６内にはベルト搬送系２１が位置する。
５によって上下方向に一定角度回転運動可能に軸支され
ておυ、該アームが第１図（ｂ）実線位置に倒れるとイ
ヤリング３１ｍ、３１ｂを押圧し、これによってウェハ
ホルダー３０を回動させて完全に水平に保持することが
できる０他方、押付アーム３２．３３が第１図（ｂ）反
時計方向に回動して鎖線３１ ｍ’、 ３ ｌ ｂ’位
置に起立すると、ウェハホルダー３０は鎖線３０′で示
すように、後述するばねの働きによりほぼ鉛直に自立す
る。なお、ウェハホルダー：３０が基体着脱ステージ１
１に於て水平姿勢をとったときに、ウェハホルダー３０
の中央の空間３６内にはベルト搬送系２１が位置する。
２組のベルト搬送機＆２０．２１はブー’Ｊ２２ａ。
２２ｂ、２３ａ、２３ｂ を図示しない機構により回
転駆動することによりベルト２５ａ、２５１ｙ、２６ｍ
、２６ｂ上にほぼ水平に載せられたウェハを矢印×３も
しくは×７方向に移送することができる。
転駆動することによりベルト２５ａ、２５１ｙ、２６ｍ
、２６ｂ上にほぼ水平に載せられたウェハを矢印×３も
しくは×７方向に移送することができる。
アーム機構４０は、回転駆動軸４２によって水平方向に
回動自在に支持され定められた位置で静止するストッパ
ーアーム４０Ａと、同じく回転駆動軸４２によって水平
方向に回動自在に支持され定められた位置で静止する押
出しアーム４０Ｂとで構成されている。回転駆動軸４２
が回転するときに押出しアーム４０Ｂと該軸４２の相対
的位置関係は戸（固定されておシ・従ってこの′つの部
材の回転角度は常に一定である。これに対してストッパ
アーム４０Ａは回転駆動４２と完全には固定されていな
くて、ストッパアーム４０Ａを停止させる外力が働いて
も駆動軸４２は回転できるように構成されている。この
ような動作を可能にするメカニズムは本発明の主題から
外れるので説明を省略する。アーム機構４１はベルト搬
送系２１をはさんで前述のアーム機構４０とほぼ対称な
位置に配置され、やはシ回転駆動軸４３を共有するスト
ッパアーム４１Ａと押出しアーム４１Ｂより構成されて
いる。そして、これら一対のアーム機構４０．４１は第
１図（＆）実線で示すように通常はウェハホルダー３０
から離れて開いた状態を維持しているが、ウェハホルダ
ー３０を水平姿勢にしてウェハＡを受けるるときと送り
出すときに次に述べるような動作をする。
回動自在に支持され定められた位置で静止するストッパ
ーアーム４０Ａと、同じく回転駆動軸４２によって水平
方向に回動自在に支持され定められた位置で静止する押
出しアーム４０Ｂとで構成されている。回転駆動軸４２
が回転するときに押出しアーム４０Ｂと該軸４２の相対
的位置関係は戸（固定されておシ・従ってこの′つの部
材の回転角度は常に一定である。これに対してストッパ
アーム４０Ａは回転駆動４２と完全には固定されていな
くて、ストッパアーム４０Ａを停止させる外力が働いて
も駆動軸４２は回転できるように構成されている。この
ような動作を可能にするメカニズムは本発明の主題から
外れるので説明を省略する。アーム機構４１はベルト搬
送系２１をはさんで前述のアーム機構４０とほぼ対称な
位置に配置され、やはシ回転駆動軸４３を共有するスト
ッパアーム４１Ａと押出しアーム４１Ｂより構成されて
いる。そして、これら一対のアーム機構４０．４１は第
１図（＆）実線で示すように通常はウェハホルダー３０
から離れて開いた状態を維持しているが、ウェハホルダ
ー３０を水平姿勢にしてウェハＡを受けるるときと送り
出すときに次に述べるような動作をする。
すなわち、ウニへムを受けるときにはストッパアーム４
０Ａ、４１Ａは矢印χ１１．Ｘ１２で示すように時計お
よび反時計方向に回動して図示していない停止板に突き
当シ、そこで停止する。このときぺ （ルト
搬送機構２１に近い側の外周縁４７ｍ、４７ｂはウェハ
Ａの外周面（線）に当る。このためベルト搬送機構２１
によって矢印×３方向に送られてきたウェハＡはもはや
ベルト２６ｍ、２６ｂによってはそれ以上進まず、ウェ
ハホルダー３０の適切な位置で停止するので、一定時間
後にベルト搬送機構２１の駆動を停止することができる
。もしストッパアーム４０Ａ、４１Ａが存在しないとす
れば、ウェハホルダー３０に対して適切な位置に再現性
よく短時間で配置することは極めて困難になる。一方、
押出しアーム４０Ｂ、４１Ｂはウェハホルダー３０１Ｃ
保持されて膜付処理された処理済みウェハＡをウェハホ
ルダー３０からベルト搬送機構２１および２０によって
矢印×７方向に送り出すときに使用される。押出しアー
ム４０Ｂ、４１Ｂを駆動してウェハＡを水平に押すとき
に前述した通シストツバアーム４０Ａ、４１Ａは図示し
ない停止板に突き当）第１図（Ａ）鎖線位置に停止して
いるが、回転駆動軸４２゜４３はなおも回転するため、
一対の押出しアーム４０Ｂ、４１ＢとウェハＡの接する
点は、前記ストッパアーム４０Ａ、４０Ｂが接する面よ
りずつとベルト搬送機構２１に近くなシ、ウェハＡを矢
印×７方向に押し出す。ここで、押出しアーム４０Ｂ、
４１Ｂは仮シになくても、ウェハＡはウェハホルダー３
０より離れてベルト搬送機構２１の駆動で移送されるの
で、ストッパアーム４０Ａ、４１Ａ？’！ど必要不可欠
な構成要素ではないが、例えばスパッタ膜が付着するこ
とによりウエハＡとウェハホルダー３０が密着したよう
な場合にベルト搬送機構２１のベル） ２６ｍ、２６ｂ
とウェハ裏面の摩擦だけではウェハＡの送り出しが困難
になることがあるので、確実にウェハＡを送り出すため
の機能として実用上１を要な役割を果す。以上の説明か
ら分かることでおるが、一対のアーム機構４０．４１は
ウェハホルダー３０がウェハＡを受は取る際にも、ウェ
ハＡを送り出す際にもベルト搬送機構２１を挾んでほぼ
対称な運動を行う。
０Ａ、４１Ａは矢印χ１１．Ｘ１２で示すように時計お
よび反時計方向に回動して図示していない停止板に突き
当シ、そこで停止する。このときぺ （ルト
搬送機構２１に近い側の外周縁４７ｍ、４７ｂはウェハ
Ａの外周面（線）に当る。このためベルト搬送機構２１
によって矢印×３方向に送られてきたウェハＡはもはや
ベルト２６ｍ、２６ｂによってはそれ以上進まず、ウェ
ハホルダー３０の適切な位置で停止するので、一定時間
後にベルト搬送機構２１の駆動を停止することができる
。もしストッパアーム４０Ａ、４１Ａが存在しないとす
れば、ウェハホルダー３０に対して適切な位置に再現性
よく短時間で配置することは極めて困難になる。一方、
押出しアーム４０Ｂ、４１Ｂはウェハホルダー３０１Ｃ
保持されて膜付処理された処理済みウェハＡをウェハホ
ルダー３０からベルト搬送機構２１および２０によって
矢印×７方向に送り出すときに使用される。押出しアー
ム４０Ｂ、４１Ｂを駆動してウェハＡを水平に押すとき
に前述した通シストツバアーム４０Ａ、４１Ａは図示し
ない停止板に突き当）第１図（Ａ）鎖線位置に停止して
いるが、回転駆動軸４２゜４３はなおも回転するため、
一対の押出しアーム４０Ｂ、４１ＢとウェハＡの接する
点は、前記ストッパアーム４０Ａ、４０Ｂが接する面よ
りずつとベルト搬送機構２１に近くなシ、ウェハＡを矢
印×７方向に押し出す。ここで、押出しアーム４０Ｂ、
４１Ｂは仮シになくても、ウェハＡはウェハホルダー３
０より離れてベルト搬送機構２１の駆動で移送されるの
で、ストッパアーム４０Ａ、４１Ａ？’！ど必要不可欠
な構成要素ではないが、例えばスパッタ膜が付着するこ
とによりウエハＡとウェハホルダー３０が密着したよう
な場合にベルト搬送機構２１のベル） ２６ｍ、２６ｂ
とウェハ裏面の摩擦だけではウェハＡの送り出しが困難
になることがあるので、確実にウェハＡを送り出すため
の機能として実用上１を要な役割を果す。以上の説明か
ら分かることでおるが、一対のアーム機構４０．４１は
ウェハホルダー３０がウェハＡを受は取る際にも、ウェ
ハＡを送り出す際にもベルト搬送機構２１を挾んでほぼ
対称な運動を行う。
第３図および第４図は第１図に示したウェハホルダー３
０の構成を更に詳細に説明するための図で、第３図はウ
ェハホルダの分解斜視図、第４図は第３図ｆｆ−ＩＶ線
断面図である。これらの図において、６０はホルダ裏板
７１に形成されたねじ孔８１ｍ、８１ｂにねじ込まれる
止めねじ８２，８２によつて該裏板１１の上面に固定さ
れるホルダ表板で、このホルダ表板６０は中心部分にウ
ェハＡの大きさよりいくらか小さめの円形の穴６１が設
けられたｔｌぼ円環状板からなシ、前記穴６１に沿って
表面側に環状突起６２が一体に突設され、この環状突起
６２の上にウェハＡの周縁部裏面が載置される。ホルダ
表板６０の裏面には一対のウェハチャッキングばね６３
，６４が対称な位置に配設されウェハ挾持ビン６８．６
９をそれぞれ下方に付勢している。前記ウェハ挾持ビン
６８．６９は前記各ばね６３，６４の下方に配設された
プレート６５Ａ、６５Ｂ上に植設されて前記ホルダ表板
６０に形成された小孔６６．６６よりそれぞれ該表板６
０の表面側に突出し、かつその突出端がホルダ表板６０
の中心方向に折曲されて前記環状突起６２の上方に延在
することにより折曲部６８ａ、６９ｍを構ｌ・）
成し、これによって該ピン６８．６９およびウェハ
チャッキングばね６３，６４のホルダ表板６０からの脱
落を防止している。そして前記折曲部６８ａ、６９ａは
ウェハチャッキングばね６３．６４のばね力によってウ
ェハＡを前記環状突起６２の上端面に圧接固定する。前
記環状突起６２には２つの切欠き６７＆、６７ｂが前記
押出しアーム４０Ｂ。
０の構成を更に詳細に説明するための図で、第３図はウ
ェハホルダの分解斜視図、第４図は第３図ｆｆ−ＩＶ線
断面図である。これらの図において、６０はホルダ裏板
７１に形成されたねじ孔８１ｍ、８１ｂにねじ込まれる
止めねじ８２，８２によつて該裏板１１の上面に固定さ
れるホルダ表板で、このホルダ表板６０は中心部分にウ
ェハＡの大きさよりいくらか小さめの円形の穴６１が設
けられたｔｌぼ円環状板からなシ、前記穴６１に沿って
表面側に環状突起６２が一体に突設され、この環状突起
６２の上にウェハＡの周縁部裏面が載置される。ホルダ
表板６０の裏面には一対のウェハチャッキングばね６３
，６４が対称な位置に配設されウェハ挾持ビン６８．６
９をそれぞれ下方に付勢している。前記ウェハ挾持ビン
６８．６９は前記各ばね６３，６４の下方に配設された
プレート６５Ａ、６５Ｂ上に植設されて前記ホルダ表板
６０に形成された小孔６６．６６よりそれぞれ該表板６
０の表面側に突出し、かつその突出端がホルダ表板６０
の中心方向に折曲されて前記環状突起６２の上方に延在
することにより折曲部６８ａ、６９ｍを構ｌ・）
成し、これによって該ピン６８．６９およびウェハ
チャッキングばね６３，６４のホルダ表板６０からの脱
落を防止している。そして前記折曲部６８ａ、６９ａは
ウェハチャッキングばね６３．６４のばね力によってウ
ェハＡを前記環状突起６２の上端面に圧接固定する。前
記環状突起６２には２つの切欠き６７＆、６７ｂが前記
押出しアーム４０Ｂ。
４１Ｂ に対応して設けられておシ、これによって該
アーム４０１．４１Ｂの先端部に設けた押出しビン（図
示せず）がウェハＡを押し出すときに環状突起６２の外
周面にぶつからずにベルト搬送機構２１の近くまで十分
長い距離を動くことができるようにしている。
アーム４０１．４１Ｂの先端部に設けた押出しビン（図
示せず）がウェハＡを押し出すときに環状突起６２の外
周面にぶつからずにベルト搬送機構２１の近くまで十分
長い距離を動くことができるようにしている。
前記一対のグレー）６５Ａ、６５Ｂ は前記裏板７１の
下方に位置し、これらグレート６５Ａ、６５Ｂに対応し
て装置固定部側には水平な台７０．７０が配設されてお
シ、これにより前記ウェハチャッキングばね８３，６４
の圧縮を可能にしている。すなワチ、押付アーム３２．
３３によってイヤリング３１ｍ、３１ｂを押圧してホル
ダ表板６０を水平状態に係止すると、ウェハチャッキン
グばね６３，６４は前記プレート６５Ａ、６５Ｂ が
台ｒａ、ｒａに当接することにより圧縮される。つまシ
ホルダ表板６０は台７０．７０にプレート６５Ａ、６５
Ｂが当接した後もウェハチャッキングばね６３，６４に
抗して下降して水平姿勢に係止されるもので、これによ
って前記ウェハ挾持ビン６８．６９の折曲部６８ｍ、６
９ｍと環状突起６Ｇとの間隔が広がる。したがって、ウ
ェハＡは前記折曲部８８ｍ、８９ｍから解放され環状突
起６６上を滑って容易に移動することができ、またベル
ト搬送機構２１よυ送られてきたウェハＡは環状突起６
２と折曲部６８ｍ、６９息との間に該突起６２上を滑っ
て挿入される。他方、ウェハホルダ３０上昇回動して自
立すると一対のウェハチャッキングばね６３，６４が完
全に伸びているので、前述した通シ前記りエハ挾持ピン
６８．６９が該ばね６３．６４のばね力により前記つェ
八Ａを環状突起６６に押付は固定する。
下方に位置し、これらグレート６５Ａ、６５Ｂに対応し
て装置固定部側には水平な台７０．７０が配設されてお
シ、これにより前記ウェハチャッキングばね８３，６４
の圧縮を可能にしている。すなワチ、押付アーム３２．
３３によってイヤリング３１ｍ、３１ｂを押圧してホル
ダ表板６０を水平状態に係止すると、ウェハチャッキン
グばね６３，６４は前記プレート６５Ａ、６５Ｂ が
台ｒａ、ｒａに当接することにより圧縮される。つまシ
ホルダ表板６０は台７０．７０にプレート６５Ａ、６５
Ｂが当接した後もウェハチャッキングばね６３，６４に
抗して下降して水平姿勢に係止されるもので、これによ
って前記ウェハ挾持ビン６８．６９の折曲部６８ｍ、６
９ｍと環状突起６Ｇとの間隔が広がる。したがって、ウ
ェハＡは前記折曲部８８ｍ、８９ｍから解放され環状突
起６６上を滑って容易に移動することができ、またベル
ト搬送機構２１よυ送られてきたウェハＡは環状突起６
２と折曲部６８ｍ、６９息との間に該突起６２上を滑っ
て挿入される。他方、ウェハホルダ３０上昇回動して自
立すると一対のウェハチャッキングばね６３，６４が完
全に伸びているので、前述した通シ前記りエハ挾持ピン
６８．６９が該ばね６３．６４のばね力により前記つェ
八Ａを環状突起６６に押付は固定する。
もしばね６３．６４の力を適切に選ぶならばウェハホル
ダー３０を鉛直にしてもばね６３，６４はウェハＡを十
分強くホルダ表板６０に固定保持することができる。
ダー３０を鉛直にしてもばね６３，６４はウェハＡを十
分強くホルダ表板６０に固定保持することができる。
前記ホルダ裏板Ｔ１は一対のアームγ３．γ４の先端部
間に配設されている。これらのアームＴ３．７４とホル
ダ裏板γ１とは溶接等によって一体的に接合され相対的
位置関係は変らない。前記アーム７３．７４の先端部外
側面には前述したイアリング３１ｍ、３１ｂがそれぞれ
軸７２．７２を介して回転回部に取付けられている。ア
ーム７３゜７４の基部は公転ベースプレート５２上に止
めねじ７６によって固定されたブラケット７５に軸７７
．７８を介して上下方向に回動自在に連結されている。
間に配設されている。これらのアームＴ３．７４とホル
ダ裏板γ１とは溶接等によって一体的に接合され相対的
位置関係は変らない。前記アーム７３．７４の先端部外
側面には前述したイアリング３１ｍ、３１ｂがそれぞれ
軸７２．７２を介して回転回部に取付けられている。ア
ーム７３゜７４の基部は公転ベースプレート５２上に止
めねじ７６によって固定されたブラケット７５に軸７７
．７８を介して上下方向に回動自在に連結されている。
前記アーム７３．７４とブラケットγ５との間の軸７７
．７８の周υにはそれぞれねじりコイルはね７９．８０
が配設されており、これらのばねγ９，８０により前記
アーム７３．７４に起立する方向の回動習性を付与して
いる。ねじ９コイルばね７９，８Ｇのばね定数を適切に
選ぶことにより、イヤリング３１ａ、３１ｂが下方に押
圧されたときには前記アーム７３，７４をばね７９゜８
０に抗してほぼ水平姿勢をとるように倒すことができ、
かつ外力を取シ除くとげね７８．７９の力で押付アーム
γ３，７４を回動復帰させ公転ベースプレート５２上に
自立させることができる。
．７８の周υにはそれぞれねじりコイルはね７９．８０
が配設されており、これらのばねγ９，８０により前記
アーム７３．７４に起立する方向の回動習性を付与して
いる。ねじ９コイルばね７９，８Ｇのばね定数を適切に
選ぶことにより、イヤリング３１ａ、３１ｂが下方に押
圧されたときには前記アーム７３，７４をばね７９゜８
０に抗してほぼ水平姿勢をとるように倒すことができ、
かつ外力を取シ除くとげね７８．７９の力で押付アーム
γ３，７４を回動復帰させ公転ベースプレート５２上に
自立させることができる。
これまで述べてきたところにより第１図、第３図および
第４図において、基体着脱ステージ１１におけるウェハ
Ａのベルト搬送機構２０．２１からウェハホルダー３０
への移送、ウェハＡの固定保持、ウェハホルダー３０か
らベルト搬送機構２０゜るであろう。
第４図において、基体着脱ステージ１１におけるウェハ
Ａのベルト搬送機構２０．２１からウェハホルダー３０
への移送、ウェハＡの固定保持、ウェハホルダー３０か
らベルト搬送機構２０゜るであろう。
次に、第１図および第２図により鉛直状態のウェハホル
ダー３０が公転機構５０により回転運動により搬送され
る様子を説明する。第１図（ｂｌ鎖線３０′で示すよう
にウェハホルダ３ｏを鉛直状態にして回転軸５１を矢印
×１０の方向に約９０’回転させると、連結杆５３によ
り該軸５１と結合している公転ペースプレート５２も回
転し、ウェハホルダ３０は加熱処理スｉ゛−ジ１２に移
動し停止す−る。第２図に示す如く、ここにおいてはウ
ェハＡは１′（ ランプヒーター１５より熱線照射を受け、膜付前のウェ
ハ温度をあらかじめ予定した値にまで上昇せしめる。次
いで再び回転軸７１を約９０回転せしめウェハホルダ３
０を第１の膜付ステージ１３に移動せしめる。第２図に
示す如くとこにおいてはウェハＡは第１カソード１６に
対向して膜付処理が行われる。次に更に回転軸５１を約
９０ 回転してウェハＡを第２の膜付ステージ１４ま
で移動し停止させる。ここにおいてはウェハＡは第２カ
ソード１７に対向して膜付処理が行われる。最後に回転
軸５１を約９０ 回転し、ウェハホルダ３゜を基体着脱
ステージ１１に戻す。ここにおいてつれたウェハＡはベ
ルト搬送機構２１にょクエッチング室５に移送され、新
らたに未処理ウェハＡがエツチング室５からスパッタ室
６に移送されウェハホルダ３０に装着される。このよう
にして公転機構５０を約９０°ステツプで断続的に１回
転させるとスパッタ室６において１枚のウェハＡへの膜
付処理が行われる。このような部分の繰返しにより多数
のウェハＡが１枚づつ膜付処理されていく。
ダー３０が公転機構５０により回転運動により搬送され
る様子を説明する。第１図（ｂｌ鎖線３０′で示すよう
にウェハホルダ３ｏを鉛直状態にして回転軸５１を矢印
×１０の方向に約９０’回転させると、連結杆５３によ
り該軸５１と結合している公転ペースプレート５２も回
転し、ウェハホルダ３０は加熱処理スｉ゛−ジ１２に移
動し停止す−る。第２図に示す如く、ここにおいてはウ
ェハＡは１′（ ランプヒーター１５より熱線照射を受け、膜付前のウェ
ハ温度をあらかじめ予定した値にまで上昇せしめる。次
いで再び回転軸７１を約９０回転せしめウェハホルダ３
０を第１の膜付ステージ１３に移動せしめる。第２図に
示す如くとこにおいてはウェハＡは第１カソード１６に
対向して膜付処理が行われる。次に更に回転軸５１を約
９０ 回転してウェハＡを第２の膜付ステージ１４ま
で移動し停止させる。ここにおいてはウェハＡは第２カ
ソード１７に対向して膜付処理が行われる。最後に回転
軸５１を約９０ 回転し、ウェハホルダ３゜を基体着脱
ステージ１１に戻す。ここにおいてつれたウェハＡはベ
ルト搬送機構２１にょクエッチング室５に移送され、新
らたに未処理ウェハＡがエツチング室５からスパッタ室
６に移送されウェハホルダ３０に装着される。このよう
にして公転機構５０を約９０°ステツプで断続的に１回
転させるとスパッタ室６において１枚のウェハＡへの膜
付処理が行われる。このような部分の繰返しにより多数
のウェハＡが１枚づつ膜付処理されていく。
第５図は本発明の他の実施例を示すスパッタ室内のウェ
ハの搬送機構の平面図である。第１図実施例においては
１個の公転機構５０に１個のウェハホルダー３０が取付
けられていたが、本実施例においては公転機構５０に４
個のウェハホルダー３０Ａ〜３００が取付けられている
。基体着脱ステージ１１に配置されウェハＡを載せたウ
ェハホルダー３ＯＡは第１図実施例と全く同一構造かつ
同一機能を果す。加熱処理ステージ１２に配置され公転
ペースプレート５２の上に既に述べてきたねじクコイル
ばねの働きにより＃デぼ鉛直に起立したウェハホルダー
３０Ｂ はその表面に保持したウェハＡｌ をこの場
所で加熱昇温させることかできる。
ハの搬送機構の平面図である。第１図実施例においては
１個の公転機構５０に１個のウェハホルダー３０が取付
けられていたが、本実施例においては公転機構５０に４
個のウェハホルダー３０Ａ〜３００が取付けられている
。基体着脱ステージ１１に配置されウェハＡを載せたウ
ェハホルダー３ＯＡは第１図実施例と全く同一構造かつ
同一機能を果す。加熱処理ステージ１２に配置され公転
ペースプレート５２の上に既に述べてきたねじクコイル
ばねの働きにより＃デぼ鉛直に起立したウェハホルダー
３０Ｂ はその表面に保持したウェハＡｌ をこの場
所で加熱昇温させることかできる。
第１の膜付ステージ１３に配置され公転ペースプレート
５２上にほぼ鉛直に起立したウェハホルダー ３０Ｃは
その表面に保持したウェハＡ２をこの場所で第１カソー
ドに対向せしめ膜付処理することができる。第２の膜付
ステージ１４に配置され公転ペースプレート５２上にほ
ぼ鉛直に起立したウェハホルダー３０Ｄはその表面に保
持したウェハＡ３をこの場所で第２カノードに対向せし
め膜付処理することができる。基体着脱ステージ１１に
おけるウェハＡのベルト搬送機構２０．２１とウェハホ
ルダー３ＯＡの間の相互移送と、残シ３個のステージ１
２，１３．１４における各ウェハＡｌ、Ａ２゜Ａ３の処
理は同時に行うことができる。またすべてのウェハホル
ダ３０Ａ〜３００をほぼ鉛直状態にして回転軸５１を反
時計方向に約９０ 回転させることにより、公転ペー
スグレート５２が回転し、これによりウエハホルダー３
ＯＡは加熱ステージ１２に移動して停止する。また、同
時にウェハホルダー ３０Ｂ、３０Ｃ，３０Ｄ はそれ
ぞれ９０移動して第１の膜付ステージ１３、第２の膜付
ステージ１４および基体着脱ステージ１１にてそれぞれ
静止する。
５２上にほぼ鉛直に起立したウェハホルダー ３０Ｃは
その表面に保持したウェハＡ２をこの場所で第１カソー
ドに対向せしめ膜付処理することができる。第２の膜付
ステージ１４に配置され公転ペースプレート５２上にほ
ぼ鉛直に起立したウェハホルダー３０Ｄはその表面に保
持したウェハＡ３をこの場所で第２カノードに対向せし
め膜付処理することができる。基体着脱ステージ１１に
おけるウェハＡのベルト搬送機構２０．２１とウェハホ
ルダー３ＯＡの間の相互移送と、残シ３個のステージ１
２，１３．１４における各ウェハＡｌ、Ａ２゜Ａ３の処
理は同時に行うことができる。またすべてのウェハホル
ダ３０Ａ〜３００をほぼ鉛直状態にして回転軸５１を反
時計方向に約９０ 回転させることにより、公転ペー
スグレート５２が回転し、これによりウエハホルダー３
ＯＡは加熱ステージ１２に移動して停止する。また、同
時にウェハホルダー ３０Ｂ、３０Ｃ，３０Ｄ はそれ
ぞれ９０移動して第１の膜付ステージ１３、第２の膜付
ステージ１４および基体着脱ステージ１１にてそれぞれ
静止する。
以上述べたように本実施例ではスパッタ室内に最大４個
のウェハを収容してそれぞれ独立して処理ま九は搬送を
行うことにより、第１図実施例に比べれば同じ時間で約
４倍の数量のウェハの膜付処理が可能である。
のウェハを収容してそれぞれ独立して処理ま九は搬送を
行うことにより、第１図実施例に比べれば同じ時間で約
４倍の数量のウェハの膜付処理が可能である。
以上説明したように本発明に係る基体処理装置は、基体
ホルダーを公転機構に配設し、この公転機構の回転によ
り前記ホルダーを基体着脱ステージより基体処理ステー
ジに移動して基体の処理を行った後再び基体着脱ステー
ジに戻すように構成したので、多数の基体を次々と自動
的に処理することができ、生産性を向上させることがで
きる。
ホルダーを公転機構に配設し、この公転機構の回転によ
り前記ホルダーを基体着脱ステージより基体処理ステー
ジに移動して基体の処理を行った後再び基体着脱ステー
ジに戻すように構成したので、多数の基体を次々と自動
的に処理することができ、生産性を向上させることがで
きる。
また、基体ホルダーにより基体を鉛直に保持した状態で
膜付処理するため、塵埃等の付着を防止し、信頼性を向
上させることができる。なお、本発明においてはスパッ
タリングによる膜付処理に適用した場合について述べた
が、本発明はほかの薄膜処理を行うために例えばドライ
エツチング装置、プラズマ促進ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｌｔ １ｏｎ）装置、真
空蒸着装置に適用することができる。またこれらの薄膜
処理技術を組合わせた複合装置にも適用することができ
る。また、実施例に）：４！ おいてはシリ
コンウェハを基体として処理する場合について説明した
が、基体の形状、材質、寸法等に関しては本発明は特定
な限定をもつものではないＯ
膜付処理するため、塵埃等の付着を防止し、信頼性を向
上させることができる。なお、本発明においてはスパッ
タリングによる膜付処理に適用した場合について述べた
が、本発明はほかの薄膜処理を行うために例えばドライ
エツチング装置、プラズマ促進ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｌｔ １ｏｎ）装置、真
空蒸着装置に適用することができる。またこれらの薄膜
処理技術を組合わせた複合装置にも適用することができ
る。また、実施例に）：４！ おいてはシリ
コンウェハを基体として処理する場合について説明した
が、基体の形状、材質、寸法等に関しては本発明は特定
な限定をもつものではないＯ
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明装置におけるスパッ
タ室内部のウェハの搬送機構を示す平面図およびｌ−Ｉ
線断面図、第２図は本発明をスパッタ装置に適用した場
合の一実施例を示す概略構成図、第３図はウェハホルダ
ーの分解斜視図、第４図は、第３図ＴＶ−ＩＴ線断面図
、第５図は本発明の他の実施例を示すスパッタ室内部の
ウェハの搬送機構の平面図である。 ３拳拳・・ロードロック室、４ｅ・・・バッファ室）５
・９・・エツチング処理室、６・・ゆ・スパッタ室、１
１・會ｅＩ基体着脱ステージ、１２・・―・加熱処理ス
テージ、１３・・・・第１の膜付処理ステージ、１４吻
φ・・第２の膜付処理ステージ、２０．２１−・・・ベ
ルト搬送機構、３０．３０Ａ〜３００＠・・・ウェハホ
ルダー、３２゜３３・・・ｅ押付アーム、４０．４１−
−・・ア １−ムｍ構、ＡｌＡｌへＡ３・・
・・ウェハ。 特許出願人 日電アネルバ株式会社代理人 山
川数！Ｉ４（ほか２名） 第４図 第５図 ２Ａ１ 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第２２７９２８号２、発明の名
称 基体処理装置 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人名称（氏名
） 日電アネルパ株式会社 ５・補正の対象 ６・補正の内容 −゛第１図（ａ）
、第３図および第５図を別紙の通り補正する。 第１図 （ａ） 第３図
タ室内部のウェハの搬送機構を示す平面図およびｌ−Ｉ
線断面図、第２図は本発明をスパッタ装置に適用した場
合の一実施例を示す概略構成図、第３図はウェハホルダ
ーの分解斜視図、第４図は、第３図ＴＶ−ＩＴ線断面図
、第５図は本発明の他の実施例を示すスパッタ室内部の
ウェハの搬送機構の平面図である。 ３拳拳・・ロードロック室、４ｅ・・・バッファ室）５
・９・・エツチング処理室、６・・ゆ・スパッタ室、１
１・會ｅＩ基体着脱ステージ、１２・・―・加熱処理ス
テージ、１３・・・・第１の膜付処理ステージ、１４吻
φ・・第２の膜付処理ステージ、２０．２１−・・・ベ
ルト搬送機構、３０．３０Ａ〜３００＠・・・ウェハホ
ルダー、３２゜３３・・・ｅ押付アーム、４０．４１−
−・・ア １−ムｍ構、ＡｌＡｌへＡ３・・
・・ウェハ。 特許出願人 日電アネルバ株式会社代理人 山
川数！Ｉ４（ほか２名） 第４図 第５図 ２Ａ１ 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願第２２７９２８号２、発明の名
称 基体処理装置 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人名称（氏名
） 日電アネルパ株式会社 ５・補正の対象 ６・補正の内容 −゛第１図（ａ）
、第３図および第５図を別紙の通り補正する。 第１図 （ａ） 第３図
Claims (1)
- 真空中において一枚づつ基体表面に薄膜処理を行う基体
処理装置において、基体をほぼ水平に移送する基体搬送
機構と、前記基体を鉛直に保持した状態で基体処理を施
すための基体ホルダーとを備え、前記基体ホルダーは基
体着脱ステージに於てほぼ鉛直姿勢とほぼ水平姿勢を交
互に繰返してとることができ、ほぼ水平姿勢で処理済み
基体を前記基体搬送機構に送り出しかつ未処理基体を基
体搬送機構から受け取り、更に該ホルダーは公転機構に
より前記基体着脱ステージより基体処理ステージに移動
されて基体の処理を施された後再び前記基体処理ステー
ジに戻されることを特徴とする基体処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227928A JPS61106768A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 基体処理装置 |
| US06/790,289 US4674621A (en) | 1984-10-31 | 1985-10-22 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227928A JPS61106768A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 基体処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106768A true JPS61106768A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0224907B2 JPH0224907B2 (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=16868488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59227928A Granted JPS61106768A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 基体処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4674621A (ja) |
| JP (1) | JPS61106768A (ja) |
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| US4951603A (en) * | 1988-09-12 | 1990-08-28 | Daidousanso Co., Ltd. | Apparatus for producing semiconductors |
| JP2013249545A (ja) * | 2013-09-02 | 2013-12-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置 |
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1984
- 1984-10-31 JP JP59227928A patent/JPS61106768A/ja active Granted
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1985
- 1985-10-22 US US06/790,289 patent/US4674621A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224907B2 (ja) | 1990-05-31 |
| US4674621A (en) | 1987-06-23 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |