JPH0224907B2 - - Google Patents
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- JPH0224907B2 JPH0224907B2 JP59227928A JP22792884A JPH0224907B2 JP H0224907 B2 JPH0224907 B2 JP H0224907B2 JP 59227928 A JP59227928 A JP 59227928A JP 22792884 A JP22792884 A JP 22792884A JP H0224907 B2 JPH0224907 B2 JP H0224907B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- wafer
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- transport mechanism
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパツタリングにより同一形状の多数
の板状基体に次々と自動的に薄膜を形成するスパ
ツタ装置等に適用して好適な基体処理装置に関す
る。
の板状基体に次々と自動的に薄膜を形成するスパ
ツタ装置等に適用して好適な基体処理装置に関す
る。
本発明の具体的応用分野の一例はシリコンのモ
ノリシツクIC製造工程に於る薄膜作製過程であ
る。そこでは例えば直径約125mm、厚み約0.5mm程
度の大量のシリコンウエハの上に厚み1ミクロン
程度の金属薄膜や絶縁物薄膜を形成することが行
われている。作製すべき薄膜に必要とされる電気
的・機械的・物理的諸特性は一般的に真空容器内
の不純物ガス分圧が低いほど優れたものが得られ
るので、スパツタリングを行うべき真空容器は可
能な限り大気に晒す時間を短かくすることが好ま
しい。また、大量にシリコンウエハを処理するた
めにウエハの装置への供給・排出と真空に排気す
るための時間の全工程に占める割合を小さくする
ことが望ましい。他方大量のウエハを均質な薄膜
作製を能率よく行うためには、作業者ができる限
りウエハに直接手を触れずにウエハを自動搬送し
て自動的に処理することが望ましい。更にウエハ
の上には所定の材質の薄膜のみを均一な厚みで被
覆することが必要であり、極めて微細な塵埃が混
入したりあるいは膜の付着しないピンホール等が
生ずることさえ嫌われ、そのために仮に塵埃が発
生してもウエハの表面に堆積しないように膜付最
中はウエハを鉛直に保持することが好ましい。
ノリシツクIC製造工程に於る薄膜作製過程であ
る。そこでは例えば直径約125mm、厚み約0.5mm程
度の大量のシリコンウエハの上に厚み1ミクロン
程度の金属薄膜や絶縁物薄膜を形成することが行
われている。作製すべき薄膜に必要とされる電気
的・機械的・物理的諸特性は一般的に真空容器内
の不純物ガス分圧が低いほど優れたものが得られ
るので、スパツタリングを行うべき真空容器は可
能な限り大気に晒す時間を短かくすることが好ま
しい。また、大量にシリコンウエハを処理するた
めにウエハの装置への供給・排出と真空に排気す
るための時間の全工程に占める割合を小さくする
ことが望ましい。他方大量のウエハを均質な薄膜
作製を能率よく行うためには、作業者ができる限
りウエハに直接手を触れずにウエハを自動搬送し
て自動的に処理することが望ましい。更にウエハ
の上には所定の材質の薄膜のみを均一な厚みで被
覆することが必要であり、極めて微細な塵埃が混
入したりあるいは膜の付着しないピンホール等が
生ずることさえ嫌われ、そのために仮に塵埃が発
生してもウエハの表面に堆積しないように膜付最
中はウエハを鉛直に保持することが好ましい。
このようなスパツタ装置の構成については従来
各種の方式のものが知られるが、本発明に先行す
る形成のスパツタ装置として例えば特開昭57−
41369号および特開昭57−63678号がある。それら
の方式においては通常カセツトに水平に収容され
たウエハはベルト搬送機構により一枚づつ水平に
搬送され必要に応じて加熱あるいはスパツタエツ
チングなどの前処理を施された後に膜付のために
スパツタ室に送り込まれ、ウエハの水平と鉛直の
姿勢制御はアームを用いた立ち上げ機構によつて
行つている。しかし、それらの方式においてはウ
エハのベルト搬送機構と膜付処理中のウエハホル
ダーであるアームとの相互受け渡しの信頼性が低
くウエハを確実に保持して処理することが困難で
あつた。更に1個の立ち上げ機構が一枚のウエハ
を保持している間に次に処理されるべきウエハは
処理が完了する迄待機することが必要で、これが
装置の生産性の隘路のひとつとなつていた。
各種の方式のものが知られるが、本発明に先行す
る形成のスパツタ装置として例えば特開昭57−
41369号および特開昭57−63678号がある。それら
の方式においては通常カセツトに水平に収容され
たウエハはベルト搬送機構により一枚づつ水平に
搬送され必要に応じて加熱あるいはスパツタエツ
チングなどの前処理を施された後に膜付のために
スパツタ室に送り込まれ、ウエハの水平と鉛直の
姿勢制御はアームを用いた立ち上げ機構によつて
行つている。しかし、それらの方式においてはウ
エハのベルト搬送機構と膜付処理中のウエハホル
ダーであるアームとの相互受け渡しの信頼性が低
くウエハを確実に保持して処理することが困難で
あつた。更に1個の立ち上げ機構が一枚のウエハ
を保持している間に次に処理されるべきウエハは
処理が完了する迄待機することが必要で、これが
装置の生産性の隘路のひとつとなつていた。
また膜処理室においては1つの水平または鉛直
のいずれかの姿勢をとることのできる立ち上げア
ームが1個のカソードと組になつて配置されてお
り、従つてこの機構では1個の膜処理室内で1つ
の材質の膜付処理ができるだけであつた。もし従
来方式で2種類以上の膜付処理を同一のウエハに
対して行うとすれば水平または鉛直のいずれかの
姿勢制御をとることができる別個の立ち上げアー
ムとカソードの組合わせを備えた系に再びウエハ
を搬送しなければならず、これは装置の構成を複
雑かつ大型にするという難点がある。
のいずれかの姿勢をとることのできる立ち上げア
ームが1個のカソードと組になつて配置されてお
り、従つてこの機構では1個の膜処理室内で1つ
の材質の膜付処理ができるだけであつた。もし従
来方式で2種類以上の膜付処理を同一のウエハに
対して行うとすれば水平または鉛直のいずれかの
姿勢制御をとることができる別個の立ち上げアー
ムとカソードの組合わせを備えた系に再びウエハ
を搬送しなければならず、これは装置の構成を複
雑かつ大型にするという難点がある。
本発明に係る基体処理装置は上述したような点
に鑑みてなされたもので、真空室内において一枚
づつ基体表面に薄膜処理を行う基体処理装置にお
いて、基体を略水平に移送する基体搬送機構と、
この基体搬送機構より送られてくる基体を受け取
り、これを鉛直に保持した状態で基体処理を施す
ための起立自在な基体ホルダーと、この基体ホル
ダーを公転させる公転機構と、この公転機構の回
りに設けられた基体着脱ステージおよび少なくと
も1つの基体処理ステージと、前記基体を位置決
め排出するアーム機構とを備え、このアーム機構
は、水平方向に回動自在に配設され前記基体搬送
機構より前記基体ホルダーに送られてくる未処理
基体を定められた受け渡し位置に停止させるスト
ツパーアームと、水平方向に回動自在で基体ホル
ダー上の処理済基体を前記基体搬送機構に送り出
す押出しアームとで構成されるものである。
に鑑みてなされたもので、真空室内において一枚
づつ基体表面に薄膜処理を行う基体処理装置にお
いて、基体を略水平に移送する基体搬送機構と、
この基体搬送機構より送られてくる基体を受け取
り、これを鉛直に保持した状態で基体処理を施す
ための起立自在な基体ホルダーと、この基体ホル
ダーを公転させる公転機構と、この公転機構の回
りに設けられた基体着脱ステージおよび少なくと
も1つの基体処理ステージと、前記基体を位置決
め排出するアーム機構とを備え、このアーム機構
は、水平方向に回動自在に配設され前記基体搬送
機構より前記基体ホルダーに送られてくる未処理
基体を定められた受け渡し位置に停止させるスト
ツパーアームと、水平方向に回動自在で基体ホル
ダー上の処理済基体を前記基体搬送機構に送り出
す押出しアームとで構成されるものである。
〔作 用〕
本発明においては公転機構により基体ホルダー
を基体着脱ステージより基体処理ステージに移動
させ、基体処理後再び元の基体着脱ステージに戻
すから、基体ホルダーが基体を保持しながら複数
の処理ステージを通過し、同一基体に対して異る
種類の処理を行う。アーム機構のストツパーアー
ムは、基体搬送機構によつて送られてきた基体を
基体ホルダーの所定位置に停止させる。押出しア
ームは基体ホルダー上の処理済基体を押出し、基
体搬送機構に受け渡す。
を基体着脱ステージより基体処理ステージに移動
させ、基体処理後再び元の基体着脱ステージに戻
すから、基体ホルダーが基体を保持しながら複数
の処理ステージを通過し、同一基体に対して異る
種類の処理を行う。アーム機構のストツパーアー
ムは、基体搬送機構によつて送られてきた基体を
基体ホルダーの所定位置に停止させる。押出しア
ームは基体ホルダー上の処理済基体を押出し、基
体搬送機構に受け渡す。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第2図は本発明に係る基体処理装置をスパツタ
装置に適用した場合の一実施例を示す概略構成図
である。図においてスパツタ装置1は、一連に連
結されてはいるが相互にバルブ2を介在して独立
に排気することができる4個の真空室、すなわち
ロードロツク室3、バツフア室4、エツチング処
理室5およびスパツタ室6とを備え、それぞれの
真空室は図示を省略した真空ポンプにより独立に
排気される。
装置に適用した場合の一実施例を示す概略構成図
である。図においてスパツタ装置1は、一連に連
結されてはいるが相互にバルブ2を介在して独立
に排気することができる4個の真空室、すなわち
ロードロツク室3、バツフア室4、エツチング処
理室5およびスパツタ室6とを備え、それぞれの
真空室は図示を省略した真空ポンプにより独立に
排気される。
ロードロツク室3内のカセツト7に水平に収容
された複数枚の未処理ウエハAは1枚づつ順次矢
印×1方向に基体搬送機構により搬送され、バツ
フア室4内の第1カセツト8の中に一度収容され
る。更に矢印×2に従いスパツタ室5のエツチン
グステージ10に送られ、その上でエツチングの
前処理を行い、次いで矢印×3に従いスパツタ室
6に送り込まれ後述する基体着脱ステージ11に
おける機構によりウエハホルダーに保持せしめら
れ、該ステージ11で鉛直姿勢をとつた後公転機
構(後述する)により矢印×4に従い加熱ステー
ジ12に送られ、加熱ランプ15により熱線照射
を受けて加熱処理せしめられる。次いで、矢印×
5に従い第1の膜付処理ステージ13に送られ第
1カソード16に対向しながら膜付処理せしめら
れ、一定時間後矢印×6に従い第2の膜付処理ス
テージ14に送られ、第2カソード17に対向し
ながら膜付処理せしめられ、更に矢印×7に従い
再び基体着脱ステージ11を経て鉛直状態から水
平に戻された膜付処理済みウエハAはエツチング
処理室5内の後処理ステージ18に送られる。そ
して、矢印×8に従いバツフア室4内の第2カセ
ツト19の中に一度収容される。最後に処理済み
ウエハAは矢印×9方向に移送され最初のカセツ
ト7に戻される。なお、ロードロツク室3、バツ
フア室4およびエツチング処理室5におけるウエ
ハAの水平搬送の方法については前述の2つの特
開昭(57−41369、57−63678)および特願昭59−
104429号に詳細に述べられている如きベルト搬送
機構が使用されるため、ここではその説明を省略
する。
された複数枚の未処理ウエハAは1枚づつ順次矢
印×1方向に基体搬送機構により搬送され、バツ
フア室4内の第1カセツト8の中に一度収容され
る。更に矢印×2に従いスパツタ室5のエツチン
グステージ10に送られ、その上でエツチングの
前処理を行い、次いで矢印×3に従いスパツタ室
6に送り込まれ後述する基体着脱ステージ11に
おける機構によりウエハホルダーに保持せしめら
れ、該ステージ11で鉛直姿勢をとつた後公転機
構(後述する)により矢印×4に従い加熱ステー
ジ12に送られ、加熱ランプ15により熱線照射
を受けて加熱処理せしめられる。次いで、矢印×
5に従い第1の膜付処理ステージ13に送られ第
1カソード16に対向しながら膜付処理せしめら
れ、一定時間後矢印×6に従い第2の膜付処理ス
テージ14に送られ、第2カソード17に対向し
ながら膜付処理せしめられ、更に矢印×7に従い
再び基体着脱ステージ11を経て鉛直状態から水
平に戻された膜付処理済みウエハAはエツチング
処理室5内の後処理ステージ18に送られる。そ
して、矢印×8に従いバツフア室4内の第2カセ
ツト19の中に一度収容される。最後に処理済み
ウエハAは矢印×9方向に移送され最初のカセツ
ト7に戻される。なお、ロードロツク室3、バツ
フア室4およびエツチング処理室5におけるウエ
ハAの水平搬送の方法については前述の2つの特
開昭(57−41369、57−63678)および特願昭59−
104429号に詳細に述べられている如きベルト搬送
機構が使用されるため、ここではその説明を省略
する。
次に、スパツタ室6内部におけるウエハホルダ
ーを含むウエハAの搬送機構について詳述する。
ーを含むウエハAの搬送機構について詳述する。
第1図a,bは搬送機構ウエハホルダーおよび
公転機構の一実施例を示す平面図およびI−I線
断面図である。図において、2組のベルト搬送機
構20,21に図示されていないエツチング処理
室に設けられたベルト搬送機構と共に駆動するこ
とによりウエハAを水平状態で矢印×3方向に移
送し、エツチング処理室からスパツタ室6内に導
き、このウエハAをウエハホルダー30によつて
保持する。
公転機構の一実施例を示す平面図およびI−I線
断面図である。図において、2組のベルト搬送機
構20,21に図示されていないエツチング処理
室に設けられたベルト搬送機構と共に駆動するこ
とによりウエハAを水平状態で矢印×3方向に移
送し、エツチング処理室からスパツタ室6内に導
き、このウエハAをウエハホルダー30によつて
保持する。
ウエハホルダー30は後に詳細に述べるような
機構と動作により基体着脱ステージ11にほぼ水
平姿勢に保持され、その上に2点鎖線で示すよう
にウエハAを載せることができる。ウエハホルダ
ー30の水平姿勢は、その両側に設けられた一対
のイヤリング31a,31bをそれぞれ一対の押
付けアーム32,33により押えつけることによ
り維持されている。基体着脱ステージ11の付近
にはウエハホルダー30が水平姿勢をとるときこ
れを両側から挾むような位置に一対のアーム機構
40,41が配設されており、それぞれ回転駆動
軸42,43の周りに水平に回転駆動することが
できる。ウエハホルダー30は、後述する公転機
構50に取付けられている。
機構と動作により基体着脱ステージ11にほぼ水
平姿勢に保持され、その上に2点鎖線で示すよう
にウエハAを載せることができる。ウエハホルダ
ー30の水平姿勢は、その両側に設けられた一対
のイヤリング31a,31bをそれぞれ一対の押
付けアーム32,33により押えつけることによ
り維持されている。基体着脱ステージ11の付近
にはウエハホルダー30が水平姿勢をとるときこ
れを両側から挾むような位置に一対のアーム機構
40,41が配設されており、それぞれ回転駆動
軸42,43の周りに水平に回転駆動することが
できる。ウエハホルダー30は、後述する公転機
構50に取付けられている。
ウエハホルダー30、公転機構50、アーム機
構40,41、押付アーム32,33およびベル
ト搬送機構20,21はいずれもこれらがある定
められた運動をすることにより基体着脱ステージ
11においてウエハホルダー30上に水平な状態
でウエハAを受け取り、次いで鉛直に保持し、更
に処理ステージに移送し処理を行つた後、再び基
体着脱ステージ11にウエハAを戻し、水平な状
態に戻した後ベルト搬送機構20,21に送り出
すことができる。その具体的構成と駆動方式が本
発明の特徴とするところで、それを以下に詳述す
る。
構40,41、押付アーム32,33およびベル
ト搬送機構20,21はいずれもこれらがある定
められた運動をすることにより基体着脱ステージ
11においてウエハホルダー30上に水平な状態
でウエハAを受け取り、次いで鉛直に保持し、更
に処理ステージに移送し処理を行つた後、再び基
体着脱ステージ11にウエハAを戻し、水平な状
態に戻した後ベルト搬送機構20,21に送り出
すことができる。その具体的構成と駆動方式が本
発明の特徴とするところで、それを以下に詳述す
る。
公転機構50は第1図に示すように回転軸51
と、リング状の公転ベースプレート52と、回転
軸51と公転ベースプレート52とを連結する連
結杆53等で構成されて図示されていない駆動源
により回転軸51の周りに矢印×10で示す如く第
1図a反時計方向に断続的に回転しあらかじめ定
められた位置で静止するように構成されており、
これによりウエハホルダー30を基体着脱ステー
ジ11から第2図において説明した加熱ステージ
12、第1の膜付処理ステージ13および第2の
膜付処理ステージ14に順次移送し、再び元の基
体着脱ステージ11に戻すようにしている。この
ためウエハホルダー30は公転ベースプレート5
2上に配設されている。
と、リング状の公転ベースプレート52と、回転
軸51と公転ベースプレート52とを連結する連
結杆53等で構成されて図示されていない駆動源
により回転軸51の周りに矢印×10で示す如く第
1図a反時計方向に断続的に回転しあらかじめ定
められた位置で静止するように構成されており、
これによりウエハホルダー30を基体着脱ステー
ジ11から第2図において説明した加熱ステージ
12、第1の膜付処理ステージ13および第2の
膜付処理ステージ14に順次移送し、再び元の基
体着脱ステージ11に戻すようにしている。この
ためウエハホルダー30は公転ベースプレート5
2上に配設されている。
押付アーム32,33はそれぞれその一端が軸
34,35によつて上下方向に一定角度回転運動
可能に軸支されており、該アームが第1図b実線
位置に倒れるとイヤリング31a,31bを押圧
し、これによつてウエハホルダー30を回動させ
て完全に水平に保持することができる。他方、押
付アーム32,33が第1図b反時計方向に回動
して鎖線31a′,31b′位置に起立すると、ウエ
ハホルダー30は鎖線30′で示すように、後述
するばねの働きによりほぼ鉛直に自立する。な
お、ウエハホルダー30が基体着脱ステージ11
に於て水平姿勢をとつたときに、ウエハホルダー
30の中央の空間36内にはベルト搬送系21が
位置する。
34,35によつて上下方向に一定角度回転運動
可能に軸支されており、該アームが第1図b実線
位置に倒れるとイヤリング31a,31bを押圧
し、これによつてウエハホルダー30を回動させ
て完全に水平に保持することができる。他方、押
付アーム32,33が第1図b反時計方向に回動
して鎖線31a′,31b′位置に起立すると、ウエ
ハホルダー30は鎖線30′で示すように、後述
するばねの働きによりほぼ鉛直に自立する。な
お、ウエハホルダー30が基体着脱ステージ11
に於て水平姿勢をとつたときに、ウエハホルダー
30の中央の空間36内にはベルト搬送系21が
位置する。
2組のベルト搬送機構20,21はプーリ22
a,22b,23a,23bを図示しない機構に
より回転駆動することによりベルト25a,25
b,26a,26b上にほぼ水平に載せられたウ
エハを矢印×3もしくは×7方向に移送すること
ができる。
a,22b,23a,23bを図示しない機構に
より回転駆動することによりベルト25a,25
b,26a,26b上にほぼ水平に載せられたウ
エハを矢印×3もしくは×7方向に移送すること
ができる。
アーム機構40は、回転駆動軸42によつて水
平方向に回動自在に支持され定められた位置で静
止するストツパーアーム40Aと、同じく回転駆
動軸42によつて水平方向に回動自在に支持され
定められた位置で静止する押出しアーム40Bと
で構成されている。回転駆動軸42が回転すると
きに押出しアーム40Bと該軸42の相対的位置
関係は固定されており、従つてこの2つの部材の
回転角度は常に一定である。これに対してストツ
パアーム40Aは回転駆動42と完全には固定さ
れていなくて、ストツパアーム40Aを停止させ
る外力が働いても駆動軸42は回転できるように
構成されている。このような動作を可能にするメ
カニズムは本発明の主題から外れるので説明を省
略する。アーム機構41はベルト搬送機構21を
はさんで前述のアーム機構40とほぼ対称な位置
に配置され、やはり回転駆動軸43を共有するス
トツパアーム41Aと押出しアーム41Bより構
成されている。そして、これら一対のアーム機構
40,41は第1図a実線で示すように通常はウ
エハホルダー30から離れて開いた状態を維持し
ているが、ウエハホルダー30を水平姿勢にして
ウエハAを受けとるときと送り出すときに次に述
べるような動作をする。
平方向に回動自在に支持され定められた位置で静
止するストツパーアーム40Aと、同じく回転駆
動軸42によつて水平方向に回動自在に支持され
定められた位置で静止する押出しアーム40Bと
で構成されている。回転駆動軸42が回転すると
きに押出しアーム40Bと該軸42の相対的位置
関係は固定されており、従つてこの2つの部材の
回転角度は常に一定である。これに対してストツ
パアーム40Aは回転駆動42と完全には固定さ
れていなくて、ストツパアーム40Aを停止させ
る外力が働いても駆動軸42は回転できるように
構成されている。このような動作を可能にするメ
カニズムは本発明の主題から外れるので説明を省
略する。アーム機構41はベルト搬送機構21を
はさんで前述のアーム機構40とほぼ対称な位置
に配置され、やはり回転駆動軸43を共有するス
トツパアーム41Aと押出しアーム41Bより構
成されている。そして、これら一対のアーム機構
40,41は第1図a実線で示すように通常はウ
エハホルダー30から離れて開いた状態を維持し
ているが、ウエハホルダー30を水平姿勢にして
ウエハAを受けとるときと送り出すときに次に述
べるような動作をする。
すなわち、ウエハAを受けるときにはストツパ
アーム40A,41Aは矢印×11、×12で示すよ
うに時計および反時計方向に回動して図示してい
ない停止板に突き当り、そこで停止する。このと
きベルト搬送機構21に近い側の外周縁47a,
47bはウエハAの外周面(線)に当る。このた
めベルト搬送機構21によつて矢印×3方向に送
られてきたウエハAはもはやベルト26a,26
bによつてはそれ以上進まず、ウエハホルダー3
0の適切な位置で停止するので、一定時間後にベ
ルト搬送機構21の駆動を停止することができ
る。もしストツパアーム40A,41Aが存在し
ないとすれば、ウエハホルダー30に対して適切
な位置に再現性よく短時間で配置することは極め
て困難になる。一方、押出しアーム40B,41
Bはウエハホルダー30に保持されて膜付処理さ
れた処理済みウエハAをウエハホルダー30から
ベルト搬送機構21および20によつて矢印×7
方向に送り出すときに使用される。押出しアーム
40B,41Bを駆動してウエハAを水平に押す
ときに前述した通りストツパアーム40A,41
Aは図示しない停止板に突き当り第1図a鎖線位
置に停止しているが、回転駆動軸42,43はな
おも回転するため、一対の押出しアーム40B,
41BとウエハAの接する点は、前記ストツパア
ーム40A,40Bが接する面よりずつとベルト
搬送機構21に近くなり、ウエハAを矢印×7方
向に押し出す。ここで、押出しアーム40B,4
1Bは仮りになくても、ウエハAはウエハホルダ
ー30より離れてベルト搬送機構21の駆動で移
送されるので、ストツパアーム40A,41Aほ
ど必要下各欠な構成要素ではないが、例えばスパ
ツタ膜が付着することによりウエハAとウエハホ
ルダー30が密着したような場合にベルト搬送機
構21のベルト26a,26bとウエハ裏面の摩
擦だけではウエハAの送り出しが困難になること
があるので、確実にウエハAを送り出すための機
能として実用上重要な役割を果す。以上の説明か
ら分かることであるが、一対のアーム機構40,
41はウエハホルダー30がウエハAを受け取る
際にも、ウエハAを送り出す際にもベルト搬送機
構21を挾んでほぼ対称な運動を行う。
アーム40A,41Aは矢印×11、×12で示すよ
うに時計および反時計方向に回動して図示してい
ない停止板に突き当り、そこで停止する。このと
きベルト搬送機構21に近い側の外周縁47a,
47bはウエハAの外周面(線)に当る。このた
めベルト搬送機構21によつて矢印×3方向に送
られてきたウエハAはもはやベルト26a,26
bによつてはそれ以上進まず、ウエハホルダー3
0の適切な位置で停止するので、一定時間後にベ
ルト搬送機構21の駆動を停止することができ
る。もしストツパアーム40A,41Aが存在し
ないとすれば、ウエハホルダー30に対して適切
な位置に再現性よく短時間で配置することは極め
て困難になる。一方、押出しアーム40B,41
Bはウエハホルダー30に保持されて膜付処理さ
れた処理済みウエハAをウエハホルダー30から
ベルト搬送機構21および20によつて矢印×7
方向に送り出すときに使用される。押出しアーム
40B,41Bを駆動してウエハAを水平に押す
ときに前述した通りストツパアーム40A,41
Aは図示しない停止板に突き当り第1図a鎖線位
置に停止しているが、回転駆動軸42,43はな
おも回転するため、一対の押出しアーム40B,
41BとウエハAの接する点は、前記ストツパア
ーム40A,40Bが接する面よりずつとベルト
搬送機構21に近くなり、ウエハAを矢印×7方
向に押し出す。ここで、押出しアーム40B,4
1Bは仮りになくても、ウエハAはウエハホルダ
ー30より離れてベルト搬送機構21の駆動で移
送されるので、ストツパアーム40A,41Aほ
ど必要下各欠な構成要素ではないが、例えばスパ
ツタ膜が付着することによりウエハAとウエハホ
ルダー30が密着したような場合にベルト搬送機
構21のベルト26a,26bとウエハ裏面の摩
擦だけではウエハAの送り出しが困難になること
があるので、確実にウエハAを送り出すための機
能として実用上重要な役割を果す。以上の説明か
ら分かることであるが、一対のアーム機構40,
41はウエハホルダー30がウエハAを受け取る
際にも、ウエハAを送り出す際にもベルト搬送機
構21を挾んでほぼ対称な運動を行う。
第3図および第4図は第1図に示したウエハホ
ルダー30の構成を更に詳細に説明するための図
で、第3図はウエハホルダの分解斜視図、第4図
は第3図−線断面図である。これらの図にお
いて、60はホルダ裏板71に形成されたねじ孔
81a,81bにねじ込まれる止めねじ82,8
2によつて該裏板71の上面に固定されるホルダ
表板で、このホルダ表板60は中心部分にウエハ
Aの大きさよりいくらか小さめの円形の穴61が
設けられたほぼ円環状板からなり、前記穴61に
沿つて表面側に環状突起62が一体に突設され、
この環状突起62の上にウエハAの周縁部裏面が
載置される。ホルダ表板60の裏面には一対のウ
エハチヤツキングばね63,64が対称な位置に
配設されウエハ挾持ピン68,69をそれぞれ下
方に付勢している。前記ウエハ挾持ピン68,6
9は前記各ばね63,64の下方に配設されたプ
レート65A,65B上に植設されて前記ホルダ
表板60に形成された小孔66,66よりそれぞ
れ該表板60の表面側に突出し、かつその突出端
がホルダ表板60の中心方向に折曲されて前記環
状突起62の上方に延在することにより折曲部6
8a,69aを構成し、これによつて該ピン6
8,69およびウエハチヤツキングばね63,6
4のホルダ表板60からの脱落を防止している。
そして前記折曲部68a,69aはウエハチヤツ
キングばね63,64のばね力によつてウエハA
を前記環状突起62の上端面に圧接固定する。前
記環状突起62には2つの切欠き67a,67b
が前記押出しアーム40B,41Bに対応して設
けられており、これによつて該アーム40B,4
1Bの先端部に設けた押出しピン(図示せず)が
ウエハAを押し出すときに環状突起62の外周面
がぶつからずにベルト搬送機構21の近くまで十
分長い距離を動くことができるようにしている。
ルダー30の構成を更に詳細に説明するための図
で、第3図はウエハホルダの分解斜視図、第4図
は第3図−線断面図である。これらの図にお
いて、60はホルダ裏板71に形成されたねじ孔
81a,81bにねじ込まれる止めねじ82,8
2によつて該裏板71の上面に固定されるホルダ
表板で、このホルダ表板60は中心部分にウエハ
Aの大きさよりいくらか小さめの円形の穴61が
設けられたほぼ円環状板からなり、前記穴61に
沿つて表面側に環状突起62が一体に突設され、
この環状突起62の上にウエハAの周縁部裏面が
載置される。ホルダ表板60の裏面には一対のウ
エハチヤツキングばね63,64が対称な位置に
配設されウエハ挾持ピン68,69をそれぞれ下
方に付勢している。前記ウエハ挾持ピン68,6
9は前記各ばね63,64の下方に配設されたプ
レート65A,65B上に植設されて前記ホルダ
表板60に形成された小孔66,66よりそれぞ
れ該表板60の表面側に突出し、かつその突出端
がホルダ表板60の中心方向に折曲されて前記環
状突起62の上方に延在することにより折曲部6
8a,69aを構成し、これによつて該ピン6
8,69およびウエハチヤツキングばね63,6
4のホルダ表板60からの脱落を防止している。
そして前記折曲部68a,69aはウエハチヤツ
キングばね63,64のばね力によつてウエハA
を前記環状突起62の上端面に圧接固定する。前
記環状突起62には2つの切欠き67a,67b
が前記押出しアーム40B,41Bに対応して設
けられており、これによつて該アーム40B,4
1Bの先端部に設けた押出しピン(図示せず)が
ウエハAを押し出すときに環状突起62の外周面
がぶつからずにベルト搬送機構21の近くまで十
分長い距離を動くことができるようにしている。
前記一対のプレート65A,65Bは前記裏板
71の下方に位置し、これらプレート65A,6
5Bに対応して装置固定部側には水平な台70,
70が配設されており、これにより前記ウエハチ
ヤツキングばね63,64の圧縮を可能にしてい
る。すなわち、押付アーム32,33によつてイ
ヤリング31a,31bを押圧してホルダ表板6
0を水平状態に係止すると、ウエハチヤツキング
ばね63,64は前記プレート65A,65Bが
台70,70に当接することにより圧縮される。
つまりホルダ表板60は台70,70にプレート
65A,65Bが当接した後もウエハチヤツキン
グばね63,64に抗して下降して水平姿勢に係
止されるもので、これによつて前記ウエハ挾持ピ
ン68,69の折曲部68a,69aと環状突起
62との間隔が広がる。したがつて、ウエハAは
前記折曲部68a,69aから解放され環状突起
62上を滑つて容易に移動することができ、また
ベルト搬送機構21より送られてきたウエハAは
環状突起62と折曲部68a,69aとの間に該
突起62上を滑つて挿入される。他方、ウエハホ
ルダー30上昇回動して自立すると一対のウエハ
チヤツキングばね63,64が完全に伸びている
ので、前述した通り前記ウエハ挾持ピン68,3
9が該ばね63,64のばね力により前記ウエハ
Aを環状突起62に押付け固定する。もしばね6
3,64の力を適切に選ぶならばウエハホルダー
30を鉛直にしてもばね63,64はウエハAを
十分強くホルダ表板60に固定保持することがで
きる。
71の下方に位置し、これらプレート65A,6
5Bに対応して装置固定部側には水平な台70,
70が配設されており、これにより前記ウエハチ
ヤツキングばね63,64の圧縮を可能にしてい
る。すなわち、押付アーム32,33によつてイ
ヤリング31a,31bを押圧してホルダ表板6
0を水平状態に係止すると、ウエハチヤツキング
ばね63,64は前記プレート65A,65Bが
台70,70に当接することにより圧縮される。
つまりホルダ表板60は台70,70にプレート
65A,65Bが当接した後もウエハチヤツキン
グばね63,64に抗して下降して水平姿勢に係
止されるもので、これによつて前記ウエハ挾持ピ
ン68,69の折曲部68a,69aと環状突起
62との間隔が広がる。したがつて、ウエハAは
前記折曲部68a,69aから解放され環状突起
62上を滑つて容易に移動することができ、また
ベルト搬送機構21より送られてきたウエハAは
環状突起62と折曲部68a,69aとの間に該
突起62上を滑つて挿入される。他方、ウエハホ
ルダー30上昇回動して自立すると一対のウエハ
チヤツキングばね63,64が完全に伸びている
ので、前述した通り前記ウエハ挾持ピン68,3
9が該ばね63,64のばね力により前記ウエハ
Aを環状突起62に押付け固定する。もしばね6
3,64の力を適切に選ぶならばウエハホルダー
30を鉛直にしてもばね63,64はウエハAを
十分強くホルダ表板60に固定保持することがで
きる。
前記ホルダ裏板71は一対のアーム73,74
の先端部間に配設されている。これらのアーム7
3,74とホルダ裏板71とは溶接等によつて一
体的に接合され相対的位置関係は変らない。前記
アーム73,74の先端部外側面には前述したイ
アリング31a,31bがそれぞれ軸72,72
を介して回転可能に取付けられている。アーム7
3,74の基部は公転ベースプレート52上に止
めねじ76によつて固定されたブラケツト75に
軸77,78を介して上下方向に回動自在に連結
されている。前記アーム73,74とブラケツト
75との間の軸77,78の周りにはそれぞれね
じりコイルばね79,80が配設されており、こ
れらのばね79,80により前記アーム73,7
4に起立する方向の回動習性を付与している。ね
じりコイルばね79,80のばね定数を適切に選
ぶことにより、イヤリング31a,31bが下方
に押圧されたときには前記アーム73,74をば
ね79,80に抗してほぼ水平姿勢をとるように
倒すことができ、かつ外力を取り除くとばね7
8,79の力で押付アーム73,74を回動復帰
させ公転ベースプレート52上に自立させること
ができる。
の先端部間に配設されている。これらのアーム7
3,74とホルダ裏板71とは溶接等によつて一
体的に接合され相対的位置関係は変らない。前記
アーム73,74の先端部外側面には前述したイ
アリング31a,31bがそれぞれ軸72,72
を介して回転可能に取付けられている。アーム7
3,74の基部は公転ベースプレート52上に止
めねじ76によつて固定されたブラケツト75に
軸77,78を介して上下方向に回動自在に連結
されている。前記アーム73,74とブラケツト
75との間の軸77,78の周りにはそれぞれね
じりコイルばね79,80が配設されており、こ
れらのばね79,80により前記アーム73,7
4に起立する方向の回動習性を付与している。ね
じりコイルばね79,80のばね定数を適切に選
ぶことにより、イヤリング31a,31bが下方
に押圧されたときには前記アーム73,74をば
ね79,80に抗してほぼ水平姿勢をとるように
倒すことができ、かつ外力を取り除くとばね7
8,79の力で押付アーム73,74を回動復帰
させ公転ベースプレート52上に自立させること
ができる。
これまで述べてきたところにより第1図、第3
図および第4図において基体着脱ステージ11に
おけるウエハAのベルト搬送機構20,21から
ウエハホルダー30への移送、ウエハAの固定保
持、ウエハホルダー30からベルト搬送機構2
0,21への移送、ウエハホルダー30のほぼ水
平姿勢と鉛直姿勢を交互に繰り返してとる動作に
ついて理解できるであろう。
図および第4図において基体着脱ステージ11に
おけるウエハAのベルト搬送機構20,21から
ウエハホルダー30への移送、ウエハAの固定保
持、ウエハホルダー30からベルト搬送機構2
0,21への移送、ウエハホルダー30のほぼ水
平姿勢と鉛直姿勢を交互に繰り返してとる動作に
ついて理解できるであろう。
次に、第1図および第2図により鉛直状態のウ
エハホルダー30が公転機構50により回転運動
により搬送される様子を説明する。第1図b鎖線
30′で示すようにウエハホルダ30を鉛直状態
にして回転軸51を矢印×10の方向に約90゜回転
させると、連結杆53により該軸51と結合して
いる公転ベースプレート52も回転し、ウエハホ
ルダ30は加熱処理ステージ12に移動し停止す
る。第2図に示す如くここにおいてはウエハAは
ランプヒーター15より熱線照射を受け、膜付前
のウエハ温度をあらかじめ予定した値にまで上昇
せしめる。次いで再び回転軸51を約90゜回転せ
しめるウエハホルダ30を第1の膜付ステージ1
3に移動せしめる。第2図に示す如くここにおい
てはウエハAは第1カソード16に対向して膜付
処理が行われる。次に更に回転軸51を約90゜回
転してウエハAを第2の膜付ステージ14まで移
動し停止させる。ここにおいてはウエハAは第2
カソード17に対向して膜付処理が行われる。最
後に回転軸51を約90゜回転し、ウエハホルダ3
0を基体着脱ステージ11に戻す。ここにおいて
ウエハホルダ30は既に述べたように押付アーム
32,33により鉛直姿勢から水平姿勢に倒さ
れ、膜付処理されたウエハAはベルト搬送機構2
1によりエツチング室5に移送され、新らたに未
処理ウエハAがエツチング室5からスパツタ室6
に移送されウエハホルダ30に装着される。この
ようにして公転機構50を約90゜ステツプで断続
的に1回転させるとスパツタ室6において1枚の
ウエハAへの膜付処理が行われる。このような部
分の繰返しにより多数のウエハAが1枚づつ膜付
処理されていく。
エハホルダー30が公転機構50により回転運動
により搬送される様子を説明する。第1図b鎖線
30′で示すようにウエハホルダ30を鉛直状態
にして回転軸51を矢印×10の方向に約90゜回転
させると、連結杆53により該軸51と結合して
いる公転ベースプレート52も回転し、ウエハホ
ルダ30は加熱処理ステージ12に移動し停止す
る。第2図に示す如くここにおいてはウエハAは
ランプヒーター15より熱線照射を受け、膜付前
のウエハ温度をあらかじめ予定した値にまで上昇
せしめる。次いで再び回転軸51を約90゜回転せ
しめるウエハホルダ30を第1の膜付ステージ1
3に移動せしめる。第2図に示す如くここにおい
てはウエハAは第1カソード16に対向して膜付
処理が行われる。次に更に回転軸51を約90゜回
転してウエハAを第2の膜付ステージ14まで移
動し停止させる。ここにおいてはウエハAは第2
カソード17に対向して膜付処理が行われる。最
後に回転軸51を約90゜回転し、ウエハホルダ3
0を基体着脱ステージ11に戻す。ここにおいて
ウエハホルダ30は既に述べたように押付アーム
32,33により鉛直姿勢から水平姿勢に倒さ
れ、膜付処理されたウエハAはベルト搬送機構2
1によりエツチング室5に移送され、新らたに未
処理ウエハAがエツチング室5からスパツタ室6
に移送されウエハホルダ30に装着される。この
ようにして公転機構50を約90゜ステツプで断続
的に1回転させるとスパツタ室6において1枚の
ウエハAへの膜付処理が行われる。このような部
分の繰返しにより多数のウエハAが1枚づつ膜付
処理されていく。
第5図は本発明の他の実施例を示すスパツタ室
内のウエハの搬送機構の平面図である。第1図実
施例においては1個の公転機構50に1個のウエ
ハホルダー30が取付けられていたが、本実施例
においては公転機構50に4個のウエハホルダー
30A〜30Dが取付けられている。基体着脱ス
テージ11に配置されたウエハAを載せたウエハ
ホルダー30Aは第1図実施例と全く同一構造か
つ同一機能を果す。加熱処理ステージ12に配置
され公転ベースプレート52の上に既に述べてき
たねじりコイルばねの働きによりほぼ鉛直に起立
したウエハホルダー30Bはその表面に保持した
ウエハA1をこの場所で加熱昇温させることがで
きる。第1の膜付ステージ13に配置され公転ベ
ースプレート52上にほぼ鉛直に起立したウエハ
ホルダー30Cはその表面に保持したウエハA2
をこの場所で第1カソードに対向せしめ膜付処理
することができる。第2の膜付ステージ14に配
置され公転ベースプレート52上にほぼ鉛直に起
立したウエハホルダー30Dはその表面に保持し
たウエハA3をこの場所で第2カソードに対向せ
しめ膜付処理することができる。基体着脱ステー
ジ11におけるウエハAのベルト搬送機構20,
21とウエハホルダー30Aの間の相互移送と、
残り3個のステージ12,13,14における各
ウエハA1,A2,A3の処理は同時に行うこと
ができる。またすべてのウエハホルダ30A〜3
0Dをほぼ鉛直状態にして回転軸51を反時計方
向に約90゜回転させることにより、公転ベースプ
レート52が回転し、これによりウエハホルダー
30Aは加熱ステージ12に移動して停止する。
また、同時にウエハホルダー30B,30C,3
0Dはそれぞれ90゜移動して第1の膜付ステージ
13、第2の膜付ステージ14および基体着脱ス
テージ11にてそれぞれ静止する。以上述べたよ
うに本実施例ではスパツタ室内に最大4個のウエ
ハを収容してそれぞれ独立して処理または搬送を
行うことにより、第1図実施例に比べれば同じ時
間で約4倍の数量のウエハの膜付処理が可能であ
る。
内のウエハの搬送機構の平面図である。第1図実
施例においては1個の公転機構50に1個のウエ
ハホルダー30が取付けられていたが、本実施例
においては公転機構50に4個のウエハホルダー
30A〜30Dが取付けられている。基体着脱ス
テージ11に配置されたウエハAを載せたウエハ
ホルダー30Aは第1図実施例と全く同一構造か
つ同一機能を果す。加熱処理ステージ12に配置
され公転ベースプレート52の上に既に述べてき
たねじりコイルばねの働きによりほぼ鉛直に起立
したウエハホルダー30Bはその表面に保持した
ウエハA1をこの場所で加熱昇温させることがで
きる。第1の膜付ステージ13に配置され公転ベ
ースプレート52上にほぼ鉛直に起立したウエハ
ホルダー30Cはその表面に保持したウエハA2
をこの場所で第1カソードに対向せしめ膜付処理
することができる。第2の膜付ステージ14に配
置され公転ベースプレート52上にほぼ鉛直に起
立したウエハホルダー30Dはその表面に保持し
たウエハA3をこの場所で第2カソードに対向せ
しめ膜付処理することができる。基体着脱ステー
ジ11におけるウエハAのベルト搬送機構20,
21とウエハホルダー30Aの間の相互移送と、
残り3個のステージ12,13,14における各
ウエハA1,A2,A3の処理は同時に行うこと
ができる。またすべてのウエハホルダ30A〜3
0Dをほぼ鉛直状態にして回転軸51を反時計方
向に約90゜回転させることにより、公転ベースプ
レート52が回転し、これによりウエハホルダー
30Aは加熱ステージ12に移動して停止する。
また、同時にウエハホルダー30B,30C,3
0Dはそれぞれ90゜移動して第1の膜付ステージ
13、第2の膜付ステージ14および基体着脱ス
テージ11にてそれぞれ静止する。以上述べたよ
うに本実施例ではスパツタ室内に最大4個のウエ
ハを収容してそれぞれ独立して処理または搬送を
行うことにより、第1図実施例に比べれば同じ時
間で約4倍の数量のウエハの膜付処理が可能であ
る。
以上説明したように本発明に係る基体処理装置
は、基体ホルダーを公転機構に配設し、この公転
機構の回転により基体ホルダーを基体着脱ステー
ジより基体処理ステージに移動して基体の処理を
行つた後再び基体着脱ステージに戻すように構成
したので、多数の基体を次々と自動的に処理する
ことができ、生産性を向上させることができる。
また、基体ホルダーにより基体を鉛直に保持した
状態で膜付処理するため、塵埃等の付着を防止
し、信頼性を向上させることができる。さらに、
本発明はアーム機構のストツパーアームにより基
体搬送機構によつて送られてきた基体を基体ホル
ダーの所定位置に停止させ、押出しアームにより
基体ホルダー上の処理済基体を押出し、基体搬送
機構に受け渡すように構成しているので、構造簡
易にして基体の位置決めおよび送り出し操作が確
実である。なお、本発明においてはスパツタリン
グによる膜付処理に適用した場合について述べた
が、本発明はほかの薄膜処理を行うために例えば
ドライエツチング装置、プラズマ促進CVD
(Chemical Vapour Deposition)装置、真空蒸
着装置に適用することができる。またこれらの薄
膜処理技術を組合わせた複合装置にも適用するこ
とができる。また、実施例においてはシリコンウ
エハを基体として処理する場合について説明した
が、基体の形状、材質、寸法等に関しては本発明
は特定な限定をもつものではない。
は、基体ホルダーを公転機構に配設し、この公転
機構の回転により基体ホルダーを基体着脱ステー
ジより基体処理ステージに移動して基体の処理を
行つた後再び基体着脱ステージに戻すように構成
したので、多数の基体を次々と自動的に処理する
ことができ、生産性を向上させることができる。
また、基体ホルダーにより基体を鉛直に保持した
状態で膜付処理するため、塵埃等の付着を防止
し、信頼性を向上させることができる。さらに、
本発明はアーム機構のストツパーアームにより基
体搬送機構によつて送られてきた基体を基体ホル
ダーの所定位置に停止させ、押出しアームにより
基体ホルダー上の処理済基体を押出し、基体搬送
機構に受け渡すように構成しているので、構造簡
易にして基体の位置決めおよび送り出し操作が確
実である。なお、本発明においてはスパツタリン
グによる膜付処理に適用した場合について述べた
が、本発明はほかの薄膜処理を行うために例えば
ドライエツチング装置、プラズマ促進CVD
(Chemical Vapour Deposition)装置、真空蒸
着装置に適用することができる。またこれらの薄
膜処理技術を組合わせた複合装置にも適用するこ
とができる。また、実施例においてはシリコンウ
エハを基体として処理する場合について説明した
が、基体の形状、材質、寸法等に関しては本発明
は特定な限定をもつものではない。
第1図a,bは本発明装置におけるスパツタ室
内部のウエハの搬送機構を示す平面図およびI−
I線断面図、第2図は本発明をスパツタ装置に適
用した場合の一実施例を示す概略構成図、第3図
はウエハホルダーの分解斜視図、第4図は、第3
図−線断面図、第5図は本発明の他の実施例
を示すスパツタ室内部のウエハの搬送機構の平面
図である。 3……ロードロツク室、4……バツフア室、5
……エツチング処理室、6……スパツタ室、11
……基体着脱ステージ、12……加熱処理ステー
ジ、13……第1の膜付処理ステージ、14……
第2の膜付処理ステージ、20,21……ベルト
搬送機構、30,30A〜30D……ウエハホル
ダー、32,33……押付アーム、40,41…
…アーム機構、A,A1〜A3……ウエハ。
内部のウエハの搬送機構を示す平面図およびI−
I線断面図、第2図は本発明をスパツタ装置に適
用した場合の一実施例を示す概略構成図、第3図
はウエハホルダーの分解斜視図、第4図は、第3
図−線断面図、第5図は本発明の他の実施例
を示すスパツタ室内部のウエハの搬送機構の平面
図である。 3……ロードロツク室、4……バツフア室、5
……エツチング処理室、6……スパツタ室、11
……基体着脱ステージ、12……加熱処理ステー
ジ、13……第1の膜付処理ステージ、14……
第2の膜付処理ステージ、20,21……ベルト
搬送機構、30,30A〜30D……ウエハホル
ダー、32,33……押付アーム、40,41…
…アーム機構、A,A1〜A3……ウエハ。
Claims (1)
- 1 真空室内において一枚づつ基体表面に薄膜処
理を行う基体処理装置において、基体を略水平に
移送する基体搬送機構と、この基体搬送機構より
送られてくる基体を受け取り、これを鉛直に保持
した状態で基体処理を施すための起立自在な基体
ホルダーと、この基体ホルダーを公転させる公転
機構と、この公転機構の回りに設けられた基体着
脱ステージおよび少なくとも1つの基体処理ステ
ージと、前記基体を位置決め排出するアーム機構
とを備え、このアーム機構は、水平方向に回動自
在に配設され前記基体搬送機構より前記基体ホル
ダーに送られてくる未処理基体を定められた受け
渡し位置に停止させるストツパーアームと、水平
方向に回動自在で基体ホルダー上の処理済基体を
前記基体搬送機構に送り出す押出しアームとで構
成されていることを特徴とする基体処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59227928A JPS61106768A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 基体処理装置 |
US06/790,289 US4674621A (en) | 1984-10-31 | 1985-10-22 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59227928A JPS61106768A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 基体処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61106768A JPS61106768A (ja) | 1986-05-24 |
JPH0224907B2 true JPH0224907B2 (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=16868488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59227928A Granted JPS61106768A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 基体処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4674621A (ja) |
JP (1) | JPS61106768A (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07105345B2 (ja) * | 1985-08-08 | 1995-11-13 | 日電アネルバ株式会社 | 基体処理装置 |
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EP0246453A3 (en) * | 1986-04-18 | 1989-09-06 | General Signal Corporation | Novel multiple-processing and contamination-free plasma etching system |
US5013385A (en) * | 1986-04-18 | 1991-05-07 | General Signal Corporation | Quad processor |
US5004399A (en) * | 1987-09-04 | 1991-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Robot slice aligning end effector |
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-
1984
- 1984-10-31 JP JP59227928A patent/JPS61106768A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-22 US US06/790,289 patent/US4674621A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4674621A (en) | 1987-06-23 |
JPS61106768A (ja) | 1986-05-24 |
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |