JPH07105345B2 - 基体処理装置 - Google Patents

基体処理装置

Info

Publication number
JPH07105345B2
JPH07105345B2 JP60174895A JP17489585A JPH07105345B2 JP H07105345 B2 JPH07105345 B2 JP H07105345B2 JP 60174895 A JP60174895 A JP 60174895A JP 17489585 A JP17489585 A JP 17489585A JP H07105345 B2 JPH07105345 B2 JP H07105345B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
holder
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60174895A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6235517A (ja
Inventor
信行 高橋
龍二 杉本
泰幸 白井
Original Assignee
日電アネルバ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日電アネルバ株式会社 filed Critical 日電アネルバ株式会社
Priority to JP60174895A priority Critical patent/JPH07105345B2/ja
Priority to US06/894,146 priority patent/US4747928A/en
Publication of JPS6235517A publication Critical patent/JPS6235517A/ja
Publication of JPH07105345B2 publication Critical patent/JPH07105345B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は例えばスパッタリングにより同一形状の多数の
板状基体に次々と自動的に薄膜を形成するためのスパッ
タ装置の構造に関するものである。更に具体的には、本
発明はスパッタ装置のような基体処理装置の基体の搬送
系における簡潔で信頼性が高く生産性の大きい方式を提
供するものである。
本発明の具体的応用分野の一例は、シリコンのモノリシ
ックICの製造工程における薄膜作製過程である。そこで
は、例えば直径約125mm厚み約0.5mm程度の大量のシリコ
ンウエハの上に、厚み１ミクロン程度の金属薄膜や絶縁
物薄膜を形成することが必要とされる。作製すべき薄膜
に必要とされる電気的・機械的・物理的諸特性は一般的
に真空容器内の不純物ガス分圧が低いほどすぐれたもの
が得られるので、スパッタリングを行うべき真空容器は
可能な限り大気に晒す時間を短くするのが好ましい。ま
た大量にシリコンウエハを処理するために、ウエハの装
置への挿入・脱離と真空に排気するための時間の全工程
に占める割合を小さくすることが望ましい。他方多量の
ウエハに均質な薄膜作製を能率よく行うためには、作業
者ができる限りウエハに直接手を触れずウエハを自動搬
送して自動的に処理することが望ましい。更にウエハの
上には所定の材質の薄膜のみを均一な厚みで被覆するこ
とが必要であり、極めて微細な塵埃が混入したりあるい
は膜の付着しないピンホール等が生ずることさえ嫌わ
れ、そのために仮に塵埃が発生してもウエハ表面に堆積
しないように膜付の最中にはウエハを鉛直に保持するこ
とが好ましい。
一方膜作製中のウエハの温度は、膜特性に大きな影響を
与えることが知られている。そして所望の膜特性を得る
ためには、ある場所にはウエハを室温よりも大変高い温
度に加熱することが必要とされ、また別の場合にはウエ
ハを充分低い温度に保持しながら膜作製をすることが必
要である。従って、ウエハの上に材質の異なる２層の膜
を作製する場合には、しばしば第１層目の膜形成のため
に最適ウエハ温度と第２層目の膜形成のための最適温度
が異なる場合が生ずる。
本発明は、以上のような自動化された膜付スパッタ装置
であってかつ膜付最中のウエハ温度を少なくとも異る２
つの水準に制御できるような装置を、産業上の利用分野
の一つとするものである。
（従来技術とその問題点） 自動的にウエハを処理するスパッタ装置については従来
各種の方式のものが知られているが、連続して２層の膜
を形成するとき第１層形成のウエハ温度と第２層形成の
ウエハ温度を別々に制御するような考慮は殆ど払われて
いなかった。それ故、第１層目形成中の最適ウエハ温度
と第２層目形成中の最適ウエハ温度の差が非常に大きい
場合には、温度制御は非常にむつかしかった。勿論充分
長い時間をかければウエハをそれぞれの最適温度に設定
することはできるが、その場合には当然生産性が極めて
低くなる。
例えば第１層目の膜形成最適ウエハ温度が室温に較べて
非常に高く、第２層目の膜形成最適ウエハ温度が室温に
近い場合には、従来の装置では一度加熱されたウエハが
充分冷却するまで待機することが必要であり、連続した
比較的短い時間の内に第１層と第２層を形成してしまう
ということはできなかった。
（発明の目的） 本発明は上述のような問題を解決するためになされたも
のであり、比較的短時間のうちに同一の基体に対して異
る温度で処理を行うことができるような基体処理装置を
提供することを目的としている。
（実施例） 次に図面により本発明の具体的実施例を説明する。
以下の説明では、基体処理装置の一例としてスパッタ装
置を採り上げる。また、処理される基体の一例としてシ
リコンウエハ等のウエハを採り上げる。第１図は、本発
明の実施例の基体処理装置の一例としてのスパッタ装置
の概略構成を示す図である。図において装置は４個の連
結しているが相互にバルブを介在して独立して排気する
ことのできる真空室即ちロードロック室10,バッファ室2
0,スパッタエッチング処理室30,及びスパッタ室40で構
成され、それぞれの真空室は図示されていない真空ポン
プにより排気することができる。尚、スパッタ室40は、
特許請求の範囲にいう「基体処理室」に相当している。
ロードロック室10内のカセット11に水平に挿入された複
数の未処理ウエハＡは１枚づつ順次矢印101の方向にベ
ルト機構により搬送されバッファ室20内の第１カセット
21の中の位置Ｂに一度収容される。更に矢印102に従い
スパッタエッチング室30のエッチングステージＣに送ら
れ、その上でスパッタリングの前処理としてエッチング
が行われ、次いで矢印103に従いスパッタ室40に送り込
まれ、後に述べる基体着脱ステージにおける機構により
基体ホルダーに保持せしめられた位置Ｄで鉛直姿勢をと
った後、矢印104に従い加熱ステージＥに送られ、加熱
ランプ42より熱線照射を受けて加熱処理せしめられる。
次いで矢印105に従い、特許請求の範囲にいう「第一の
位置」に相当する第１の処理ステージＦに送られ、第１
カソード43に対向しながら膜付処理せしめられる。処理
ステージＦにおいてウエハは第１の最適温度を保ってい
るが、これは室温よりも高い。次いでウエハは、特許請
求の範囲にいう「第二の位置」に相当する第２の処理ス
テージＧに送られ、図示されていない基体冷却機構によ
り第２の最適温度まで冷却されながら第２のカソード44
に対向した状態で膜付処理される。更に矢印107に従い
再び基体着脱ステージを経て鉛直状態から水平に戻され
た膜付処理済みウエハはスパッタエッチング室30内の後
処理ステージＨに送られる。そして矢印108に従いバッ
ファ室20内の第２カセット22の中の位置Ｊに一度収容さ
れる。最後に処理済みウエハは最初のカセット11に戻さ
れる。ロードロック室10,バッファ室20,及びスパッタエ
ッチング室30におけるウエハの水平搬送の方法について
は本発明に先行する形式のスパッタ装置として特願昭57
−41369,特願昭57−63678及び特願昭59−104429（真空
処理装置におけるスパッタエッチング機構）に詳細に述
べられており、本発明の主旨には直接関与しないので説
明を省略する。
第２図は第１図のスパッタ室40内部におけるウエハの搬
送系と第２の処理ステージＧにおけるウエハを冷却する
基体冷却機構200の相対的位置関係を示す。後に詳細に
示すようにウエハは公転機構を約90゜ステップ回転する
ことによりステージD,E,F,Gの順序に移動し再びステー
ジＤに戻る。基体冷却機構200は矢印111,112,に示すよ
うな方向の往復運動を行うことにより、ウエハが処理ス
テージＧで静止しているときウエハ裏面に接触してウエ
ハを冷却し、またウエハが回転移動するときにはウエハ
裏面から離れて遠ざかることができる。
第３図は、第１図及び第２図に示す基体処理装置におけ
る搬送系と基体ホルダーを更に詳細に示す図である。図
において２組のベルト搬送系60,61を図示されていない
スパッタエッチング室に設けられたベルト搬送系と共に
駆動することにより矢印103の方向に示すように水平状
態のウエハをスパッタエッチング室からスパッタ室へ移
送することができ、かつ矢印107の方向に示すように水
平状態のウエハをスパッタ室からスパッタエッチング室
へ移送することができる。また基体ホルダー50は、後に
詳細に述べるような機構と動作により基体着脱ステージ
45にほぼ水平姿勢を保って、２点鎖線Ｄでその外周を示
すようにウエハを載せることができる。基体ホルダー50
の水平姿勢は、その両側に設けられた一対のイヤリング
54a及び54bをそれぞれ一対の押しつけアーム90a及び90b
により押さえつけることにより維持されている。基体着
脱ステージ45の付近には、基体ホルダー50が水平姿勢を
とるときこれを両側からはさむような位置に、１対のア
ーム機構80a,80bが設けられており、それぞれ軸84a,84b
のまわりに水平に回転駆動することができる。基体ホル
ダー50,公転機構70,アーム機構80a及び80b,押しつけア
ーム90a及び90b,及びベルト搬送系60,61は、いずれもこ
れらがある定められた運動をすることにより基体着脱ス
テージ45において基体ホルダー50上に水平な状態でウエ
ハを受け取り、次いで鉛直に保持し更に処理ステージに
移送し処理を行った後、再び基体着脱ステージ45にウエ
ハを戻し水平な状態でベルト搬送系に送り出すことがで
きる。その具体的機構と駆動方式が本発明の特徴とする
ところであるが、後に更に詳細に述べる。また基体冷却
機構200の構造と運動も本発明の特徴とするところであ
るが、別に詳細に述べる。
第４図は第３図の矢視Ｉ−Ｉにおける垂直断面図を示
す。公転機構70は、図示されていない駆動源により基体
ホルダー50を公転駆動軸71のまわりに矢印104に示す如
く回転することができ、またあらかじめ定められた位置
で静止せしめることができる。公転ベースプレート73に
基体ホルダー50が取り付けられている。押しつけアーム
90aの運動により、基体ホルダー50はほぼ水平に倒れる
ことができまた２点鎖線50′で示す如くほぼ鉛直に自立
することもできる。このように、基体着脱ステージ45に
おいて、基体ホルダー50は水平姿勢と鉛直姿勢を矢印9
3,94に示す如く交互に繰返してとることができる。なお
基体ホルダー50が基体着脱ステージ45に於いて水平姿勢
をとったときに、基体ホルダー50の中央の空間にはベル
ト搬送系61が位置する。２組のベルト搬送系60,61は、
プリー601a,602a及び611a,612aを図示していない機構に
より回転駆動することにより、その上にほぼ水平に載せ
たウエハを矢印103あるいは矢印107（第１図参照）の示
す方向に移送することができる。
基体着脱装置ステージ45におけるアーム機構80a及び80b
の動作と機能については、第３図と第４図の双方を用い
て説明する。アーム機構80aは、回転駆動軸84aによって
水平に回転し定められた位置で静止するストッパアーム
81aと、81aとは別の位置で静止することのできる押し出
しアーム82aより構成されている。これらのストッパア
ーム81aと押し出しアーム82aが第３図の平面図でみたと
きに同じ位置でも異なる位置でも静止できるメカニズム
については、本発明の要旨からはずれるので説明を省略
する。もう一方のアーム機構80bはベルト搬送系61をは
さんでアーム機構80aとほぼ対称の位置に設けられてお
り、やはり回転駆動軸84bをもつストッパアーム81bと押
し出しアーム82bより構成されている。これらの１対の
アーム機構80a,80bは第３図の実線で示すように通常は
基体ホルダー50から離れて開いた状態になっているが、
基体ホルダー50を水平姿勢にしてウエハを受けとるとき
と送り出すときに次に述べるような動作をする。ウエハ
を受けとるときにはストッパアームは２点鎖線83a及び8
3bで示すようにベルト搬送系61の方向へ近寄る。このと
き、ベルト搬送系61に近い側の外周線はウエハＤの外周
線と接して、ベルト搬送系60,61によって矢印103の方向
へ送られてきたウエハはベルトが回転してもそれ以上進
まず基体ホルダー50の適切な位置に停止するので、一定
時間後にプリーの駆動を停止することができる。もしス
トッパアーム81a,81bが存在しないとすれば、ウエハＤ
を基体ホルダー50に対して適切な位置に再現性よく短時
間では位置するのは極めて困難になる。一方押し出しア
ーム82aは、基体ホルダー50に保持して膜付処理したウ
エハＤを基体ホルダー50からベルト搬送系61及び60によ
って矢印107の方向へ送り出すときに使用する。押し出
しアーム82a及び82bを駆動して基体ホルダー50を水平に
押すとき、これら１対の押し出しアーム82a,82bとウエ
ハの接する点は前述のストッパアーム83a及び83bが接す
る面よりもずっとベルト搬送系61に近くなる。押し出し
アーム82a,82bは仮になくてもウエハは基体ホルダー50
より離れてベルト搬送系61の駆動で移送できるので、押
し出しアーム82a,82bはストップアーム83a,83bほど必要
不可欠な構成要素ではないが、例えばスパッタ膜が付着
することによりウエハＤと基体ホルダー50が接着したよ
うな場合に、ベルト搬送系61のベルトとウエハ裏面の摩
擦力だけではウエハの送り出しが困難なことが生ずるの
で、確実にウエハを送り出すための機能として実用上重
要な役割を果たす。以上の説明からわかることである
が、一対の押し出しアーム82a,82bは、基体ホルダー50
がウエハを受けとる際にもウエハも送り出す際にもベル
ト搬送系61をはさんでほぼ対称な運動を行う。
第５図，第６図，第７図は第３図の基体ホルダー50の構
造を更に詳細に構成部分で示す。
第５図はウエハを保持するホルダ表板51を示す。中心部
分にウエハを大きさよりいくらか小さめの円形の穴510
が設けられたほぼ円環状板からなり、中心の穴510に沿
って土手511が設けられている。土手511の頂部にウエハ
の裏面を接するようにしてウエハを保持することができ
る。土手511の両側にはチャキングバネ513a及び513bが
それぞれ孔515a,515bを介して取り付けられている。土
手511には２個の切れ目512a,512bが設けられており、前
に述べた第２図における押し出しアーム82a及び82bがウ
エハを押し出すときに土手511にぶつからずにベルト搬
送系61の近くまで充分長い距離を動くことができる構造
をとっている。一対のネジ514a,514bはホルダ表板51を
後述するホルダ裏板に取り付けるために使用する。
第６図は第５図の矢視II−II′における断面図を示す。
一対のチャッキングバネ513a,513bはほぼ水平の台５の
上に設けられており、ホルダ表板51が押しつけられると
チャッキングバネ513a,513bが縮められ、ウエハＤとチ
ャキングバネ513a,513bの先端の間隔が広まる。このと
きウエハは土手511の上を容易にすべらせて移動するこ
とができる。他方自然の状態ではバネが伸びているの
で、一対のチャキングバネ513a,513はその先端と土手51
1の頂上との間にウエハＤをはさむ。もしバネの力を適
切に選ぶならば、基体ホルダーを鉛直にしてもチャキン
グバネ513a,513bはウエハを充分強く基体ホルダーに固
定保持することができる。以上の説明で、第３図及び第
４図において基体ホルダーを水平姿勢にしてウエハを受
け取りあるいは送り出しが可能であり、かつ基体ホルダ
ーを鉛直姿勢にしてウエハを基体ホルダーに固定保持す
ることが可能であることが理解できるであろう。
次に、第７図により基体ホルダーの水平姿勢と鉛直姿勢
のいずれかを選択するための機構について説明する。図
において、基体ホルダーは、ホルダー表板を取り除いた
状態で公転ベースプレート73に取り付けられている。ホ
ルダー裏板52は、その両側に一対の柱板53a及び53bには
さまれ固定されている。柱板53a,53bとホルダー裏板52
は溶接され相対的位置関係は変わらない。柱板53a,53b
の片側の端近くには、回転できるイヤリング54a,54bが
それぞれ取り付けられている。柱板53a,53bの反対側の
端はホルダー固定具56と結合されている。ホルダー固定
具56はネジにより公転ベースプレート73に固定されてい
る。柱板53a,53bとホルダー固定具56の間の回転軸561a,
561bのまわりには、ねじりコイルバネ563a,563bを配置
する。ねじりコイルバネ563a,563bの一端は柱板53a,53b
に設けた穴531b（53a側のものは不図示）で固定され、
他端は公転ベースプレート73を押しつける。適切なバネ
定数を選ぶことにより、第３図における押しつけアーム
90a,90bによりそれぞれ矢印93a,93bの方向の力をイヤリ
ング54a,54bに与えたときには、基体ホルダーをほぼ水
平姿勢をとるように倒すことができ、かつまた矢印93a,
93bの力を除くならば基体ホルダーを公転ベースプレー
ト73の上に自立せしめることができる。
第７図のホルダー表板52に設けられたネジ穴の第５図の
ホルダー表板51をネジ514a,514bによって取り付けられ
ると、第３図の基体ホルダー50が得られる。
ここまで述べてきたところにより、第３図及び第４図に
おいて基体着脱ステージ45におけるウエハのベルト搬送
系61から基体ホルダー50への移送、基体ホルダー50のほ
ぼ水平な姿勢と鉛直な姿勢を交互に繰返してとる機能に
ついて理解できるであろう。
次に第２図，第３図及び第４図により、鉛直状態の基体
ホルダー50が公転機構70により回転運動で搬送される様
子を説明する。基体ホルダー50を鉛直状態にして公転駆
動軸71を矢印104の方向に約90゜回転すると、回転アー
ム72によって公転駆動軸71と結合している公転ベースプ
レート73も回転し、基体ホルダー50は加熱処理ステージ
Ｅに移動し停止する。第２図に示す如くここにおいてウ
エハはランプヒーター42より熱線照射が行われ、膜付前
のウエハ温度をあらかじめ予定した位置にまで上昇せし
める。次いで再び公転駆動軸71を約90゜回転せしめ基体
ホルダー50を第１の処理ステージＦに移動せしめる。第
２図に示す如くここにおいてウエハは第１カソード43に
対向して膜付処理が行われる。次に更に公転駆動軸71を
約90゜回転して基体ホルダー50を第２の処理ステージＧ
まで移動し停止する。ここに於いて第２図に示す如くウ
エハは第２カソード44に対向して膜付処理が行われる。
最後に公転駆動軸71を約90゜回転し、基体ホルダー50を
基体着脱ステージ45に戻す。ここに於いて基体ホルダー
50は既に述べたように鉛直姿勢から水平姿勢に倒され、
膜付処理されたウエハはベルト搬送系61,60を経てスパ
ッタエッチング室30へ移送され、新たに未処理ウエハが
スパッタエッチング室30から移送され基体ホルダー50に
装着される。このようにして公転駆動軸71を約90゜ステ
ップで断続的に１回転駆動すると、スパッタ室40におい
て１枚のウエハの膜付処理が行われる。このような動作
の繰返しにより多数のウエハが１枚づつ膜付処理されて
いく。
第８図は第２図における基体冷却機構200の水平断面、
第９図はその垂直断面図を示す。図においてホルダ表板
51は、ウエハＧをその表側に保持した状態で公転ベース
プレート上にほぼ垂直に自立静止している。基体冷却機
構200は、エアシリンダー210と、エアシリンダー210に
より駆動されるシャフト211と、シャフト211の先端に設
けられた連結体220と、ウエハＧの裏面に接してこれを
冷却することができる冷却ブロック230と、伸縮自在の
ベローズ包囲体240とから成っている。エアシリンダー2
10は固定フランジ251を介して支柱250とネジ251により
スパッタ室の底板411に固定され、その中に設けられた
シャフト211を矢印111あるいは112の方向に直線的に往
復運動せしめることができる。図９においては、パイプ
212を通して圧縮空気を空間213に導きシャフト211を矢
印112の方向に移動し終えて端で静止した状態が示され
ており、この場合ホルダ表板51に対して基体冷却機構20
0は離遠しているので、先に述べたようにホルダ表板51
を回転移動することができる。一方パイプ214を通して
圧縮空気を空間215に導くと、シャフト211は矢印111の
方向に移動し、基体冷却機構200はウエハの離面に次第
に接近し、最終的にはその先端に設けられた冷却ブロッ
ク230が一転鎖線230′で示されるようにウエハ裏面に接
触して静止する。このときウエハＧは冷却されており、
ホルダ表板51を回転移動することはできない。
シャフト211の先端に設けられた連結体220を介して、冷
却ブロック230がシャフト211と連動する。本実施例の必
須条件ではないが、冷却ブロック230とシャフト211の連
動をスムーズに行いしかも冷却ブロック230をウエハ裏
面に密着せしめ効率よく冷却を行うためには、連結体22
0は球面ベアリングのようにシャフト211の軸に対する冷
却ブロック230の接触面の角度に自由度を与えるもので
構成することが望ましい。
冷却ブロック230には接触板23が設けられ、ウエハＧの
裏面に密着接触することができる。接触板231はヒート
シンク233に図示されていないネジにより固定され、ウ
エハＧの熱を移動せしめる役を果たす。ヒートシンク23
3の内部には冷媒がコイル状の一対のパイプ234を介して
その内部空間235に導かれ、再びパイプ234を介して流れ
出る。これによって、ヒートシンク233が冷却される。
固定フランジ251とヒートシンク233の間にはベローズ包
囲体240が設けられ、一対のコイル状の一対のパイプ234
を囲んで真空的に密封する。コイル状パイプ234は、シ
ャフト211と冷却ブロック230の矢印111,112の方向の往
復運動に応じて伸縮しながら変形してしかも冷媒の供給
を行うことができる。ベローズ包囲体240は一対のフラ
ンジ2421,2422とベローズ胴管242から成り、冷媒パイプ
とガス供給パイプがスパッタ室の真空に悪影響を与える
危険性を避けるために、真空的にこの空間をスパッタ室
内の空間から隔絶している。本実施例に必須ではないが
実用上重要なのは、このベローズ包囲体240の内側の空
間はスパッタ室を排気するのとは別のポンプで排気する
ことである。これによりベローズ包囲体240の内側と外
側の圧力差を殆どなくしてベローズ包囲体240への負荷
を少くしてベローズ包囲体240の往復運動をスムーズに
行うことができ、同時にまたベローズ包囲体240の寿命
を長くして装置の信頼性を向上することができることで
ある。
第８図において冷媒用の一対のコイル状パイプ234の冷
媒を供給するパイプ2341は固定フランジに取りつけられ
ているが、このパイプ2341は冷却ブロック230の往復運
動に関係なく常時固定静止しており、従って強固な形状
のパイプにすることができる。このため、伸縮するパイ
プのようにスパッタ室40の内部の真空に悪影響を及ぼす
危険性はない。本実施例に必須ではないが、固定フラン
ジ251とヒートシンク233の間をスプリング260で連結す
ることは、冷却ブロック230の姿勢をゆるい範囲内で一
定に維持し、シャフト211と連動する往復運動を平滑に
する効果がある。
第10図は第９図において矢視IV−IVからみたときの基体
冷却機構を示す。
第11図は本実施例によるスッパッタ室40内のウエハの搬
送機構の拡張された第二の実施例である。第一の実施例
に於ては１個の公転機構70に１個の基体ホルダー50が取
付けられていたが、第二の実施例に於ては公転機構70に
４個の基体ホルダー50A,50B,50C,50D,が取付けられてい
る。気体着脱ステージ45に配置されウエハＤを載せた基
体ホルダー50Aは、第３図の第一の実施例と全く同一構
造でありかつ同一機能を果たす。加熱処理ステージ46に
配置された基体ホルダー50Bは、公転ベースプレート73
の上に既に述べてきたねじれコイルバネの働きによりほ
ぼ鉛直に起立しており、その表面に保持したウエハＥを
この場所で加熱昇温することができる。第一の位置ある
第１膜付ステージ47に配置された基体ホルダー50Cは、
同様に公転ベースプレート73の上にほぼ鉛直に起立して
おり、その表面に保持したウエハＦをこの場所で第１図
のような第１カソード43に対向せしめ膜付処理すること
ができる。第２の位置である第２膜付きステージ48に配
置された基体ホルダー50Dは、同様に公転ベースプレー
ト73の上にほぼ鉛直に起立しており、その表に保持した
ウエハＧをこの場所で第１図に示すような第２カソード
44に対向せしめ、基体冷却機構200をウエハ裏面に矢印1
11に示すように接近して密着せしめウエハを冷却しなが
ら膜付処理をすることができる。その後、矢印112に示
すように基体冷却機構200をウエハから離遠せしめるこ
とができる。基体着脱ステージ45におけるウエハのベル
ト搬送系61と基体ホルダー50Aの間の相互移送と、残り
の３箇所のステージ46,47,48における各ウエハの処理
は、同時に行うことができる。またすべての基体ホルダ
ー50A,50B,50C,50Dをほぼ鉛直状態にして公転駆動軸71
を約90゜回転させると、４個の回転アーム72a,72b,72c,
72dにより公転駆動軸71と結合している公転ベースプレ
ート73が回転し、これに従い基体ホルダー50Aは矢印104
の方向に移動し加熱ステージ46に静止する。また同時に
基体ホルダー50B,50C,50Dは矢印105,106,107にそれぞれ
沿って移動し、第１膜付ステージ47,第２膜付ステージ4
8,及び基体着脱ステージ45にそれぞれ静止する。以上述
べたように第二の実施例ではスパッタ室内に最大４個の
ウエハを収容してそれぞれ独立して処理または搬送を行
うことにより、第一の実施例にくらべれば同じ時間で４
倍の数量のウエハの膜付処理が可能である。
（発明の効果） 以上説明したように、比較的短時間のうちに同一の基体
に対して異る温度で処理を行うことができ、信頼性が高
く生産性の大きい基体処理装置を提供できる効果があ
る。なお以上の実施例においてスパッタリングの膜付処
理に本発明を適応する場合について述べたが、本発明は
ほかに真空中で薄膜処理を行うために例えばドライエッ
チング装置，プラズマCVD装置，真空蒸着装置に適応す
ることもできる。またこれらの薄膜処理技術を組合わせ
た複合装置についても適応することができる。なお、具
体的実施例においてはシリコンウエハを基体として処理
する場合について説明したが、基体の形状・材質・寸法
等に関して本発明は特別な限定をするものではない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例の基体処理装置の一例として
のスパッタ装置の概略構成を示す図である。第２図は、
第１図のスパッタ室内部におけるウエハの搬送系と第２
の処理ステージにおけるウエハを冷却する基体冷却機構
の相対的位置関係を示す図である。第３図は、第１図及
び第２図に示す基体処理装置における搬送系と基体ホル
ダーを更に詳細に示す図である。第４図は第３図矢視Ｉ
−Ｉよりみた断面図である。第５図，第６図，第７図は
基体ホルダーを構成する部分の図で、第５図はウエハ表
板を示す鳥瞰図、第６図は第５図の矢視II−IIにおける
断面図、第７図は基体ホルダーの水平姿勢と鉛直姿勢の
いずれかを選択する機構を示す図である。第８図は基体
ホルダーと基体冷却機構の水平断面図、第９図は基体ホ
ルダーと基体冷却機構の鉛直断面図、第10図は第９図矢
視のIV−IVからみた図である。第11図は本発明の第二の
実施例における４個の基体ホルダーと基体冷却機構の組
合わせを採用したスパッタ室内部を示す図である。 10……ロードロック室,20……バッファ室,30……スパッ
タエッチング室,40スパッタ室，42……加熱ランプ,43,4
4……カソード,45……基体着脱ステージ,46……加熱ス
テージ,47……第１膜付ステージ,48……第２膜付ステー
ジ,50,50′,50B,50C,50D……基体ホルダー,60,61……ベ
ルト搬送系,70……公転機構,73……公転ベースプレー
ト,80a,80b……アーム機構,90a,90b……押しつけアー
ム,511……土手,513a,513b……チャキングバネ,51……
ホルダ表板,53a,53b……板柱,54a,54b……イヤリング,5
6……ホルダ固定具,563a,536b……ねじれコイルバネ,20
0……基体冷却機構,210……エアシリンダ,220……連結
体,230……冷却ブロック,240……ベローズ包囲体,250…
…支柱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−39162（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−177463（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−37717（ＪＰ，Ａ)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空雰囲気となる基体処理室中において一
    つずつ基体表面に複数の処理を連続して行うための基体
    処理装置であって、第一の位置で第一の処理が行われた
    後、基体を移動させて第二の処理が行われる第二の位置
    で基体を保持する基体ホルダーと、第一の処理の後、基
    体ホルダーに保持された基体の裏面に接触して基体を第
    二の処理の温度まで冷却する基体冷却機構を備えている
    ことを特徴とする基体処理装置。
  2. 【請求項２】前記基体冷却機構は、第二の位置に移動し
    た基体の裏面に接触して基体を当該位置で第二の処理の
    温度まで冷却するものであることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の基体処理装置。
  3. 【請求項３】該基体冷却機構は、直線運動を行うことが
    可能に構成されており、この直線運動により、基体裏面
    に接触して基体を冷却しまた基体裏面より離遠するもの
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記
    載の基体処理装置。
  4. 【請求項４】該直線運動を行う該基体冷却機構は、基体
    裏面に接触して停止しまた基体より離遠して停止するも
    のであって、真空中においてエアシリンダーにより駆動
    されるシャフトと、該シャフトの先端に連結体を介して
    取付けられた冷却ブロックと、該冷却ブロックに冷媒を
    供給するパイプであって該シャフトを囲んでコイル状に
    巻かれて配置されて伸縮可能とされたパイプとを含んで
    構成されることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
    の基体処理装置。
  5. 【請求項５】前記冷却ブロックを駆動するシャフトの一
    部は、該冷却ブロックと該シャフトを駆動するエアシリ
    ンダーとの間に設けられた伸縮可能なベローズ胴管に包
    囲されて基体処理室内の雰囲気と真空的に隔絶され、該
    ベローズ胴管に包囲された空間を基体処理室を排気する
    のとは別に排気する真空ポンプを備えていることを特徴
    とする特許請求の範囲第４項記載の基体処理装置。
  6. 【請求項６】前記第一の位置の近傍まで基体を水平方向
    に搬送する搬送系を備え、前記基体ホルダーは、搬送系
    により搬送された基体を水平な姿勢で受け取った後にこ
    の基体を鉛直な姿勢に変位させて保持し、この状態で前
    記第一の位置及び第二の位置に基体を移動させるもので
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1,2,3,4又は５
    項記載の基体処理装置。
  7. 【請求項７】前記基体ホルダーは基体を裏側から支えて
    基体を保持するものであり、且つこの基体ホルダーは、
    前記基体冷却機構が基体裏面に接触しまた基体裏面から
    離遠する際に挿入されまた排出される穴を有することを
    特徴とする特許請求の範囲第1,2,3,4,5又は６項記載の
    基体処理装置。
JP60174895A 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置 Expired - Lifetime JPH07105345B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60174895A JPH07105345B2 (ja) 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置
US06/894,146 US4747928A (en) 1985-08-08 1986-08-07 Substrate processing apparatus including wafer transporting and substrate cooling mechanisms

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60174895A JPH07105345B2 (ja) 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6235517A JPS6235517A (ja) 1987-02-16
JPH07105345B2 true JPH07105345B2 (ja) 1995-11-13

Family

ID=15986560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60174895A Expired - Lifetime JPH07105345B2 (ja) 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4747928A (ja)
JP (1) JPH07105345B2 (ja)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63137932U (ja) * 1987-03-02 1988-09-12
KR910006164B1 (ko) * 1987-03-18 1991-08-16 가부시키가이샤 도시바 박막형성방법과 그 장치
US4861563A (en) * 1987-05-14 1989-08-29 Spectrum Cvd, Inc. Vacuum load lock
US4956043A (en) * 1987-05-25 1990-09-11 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus
US4851101A (en) * 1987-09-18 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing machine
JPH01164028A (ja) * 1987-12-21 1989-06-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> オーム性電極の形成方法および装置
ES2163388T3 (es) * 1988-05-24 2002-02-01 Unaxis Balzers Ag Instalacion de vacio.
US5019233A (en) * 1988-10-31 1991-05-28 Eaton Corporation Sputtering system
US4944860A (en) * 1988-11-04 1990-07-31 Eaton Corporation Platen assembly for a vacuum processing system
JPH083146B2 (ja) * 1989-10-16 1996-01-17 富士通株式会社 薄膜形成方法
JPH0818902B2 (ja) * 1989-11-02 1996-02-28 シャープ株式会社 気相成長装置
JP2526683B2 (ja) * 1989-11-22 1996-08-21 三菱電機株式会社 薄膜形成装置
US5121052A (en) * 1991-01-18 1992-06-09 Motorola Inc. Automated handler for semiconductor devices
US5154730A (en) * 1991-05-17 1992-10-13 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module
JPH05332007A (ja) * 1992-06-03 1993-12-14 Daiken Trade & Ind Co Ltd 無機質床材
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US5295777A (en) * 1992-12-23 1994-03-22 Materials Research Corporation Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder
JP2949547B2 (ja) * 1993-02-08 1999-09-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5791895A (en) * 1994-02-17 1998-08-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus for thermal treatment of thin film wafer
US5664337A (en) * 1996-03-26 1997-09-09 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing systems
JP2510557Y2 (ja) * 1994-09-26 1996-09-11 イビデン株式会社 建築用化粧板
US5709785A (en) * 1995-06-08 1998-01-20 First Light Technology Inc. Metallizing machine
US5928750A (en) * 1995-11-03 1999-07-27 Seagate Technology, Inc. Sputtered thermally cycled texture layers formed of high melting point materials
EP0801793B1 (en) * 1995-11-03 2001-07-25 Seagate Technology LLC Sputtered thermally cycled texture layers formed of high melting point materials
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5975740A (en) * 1996-05-28 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Apparatus, method and medium for enhancing the throughput of a wafer processing facility using a multi-slot cool down chamber and a priority transfer scheme
US6026896A (en) * 1997-04-10 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor processing facilities
ATE242064T1 (de) * 1998-02-14 2003-06-15 Lam Res Corp Vorrichtung zum laden von halbleiterscheiben
US6217272B1 (en) 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
WO2000031777A1 (en) * 1998-11-20 2000-06-02 Steag Rtp Systems, Inc. Fast heating and cooling apparatus for semiconductor wafers
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
ITMI20031021A1 (it) * 2003-05-21 2004-11-22 Whirlpool Co Frigorifero con evaporatore a dimensioni variabili.
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
JP2005320590A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 National Institute For Materials Science コンビナトリアル成膜方法とその装置
JP4653418B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置および光ディスクの製造方法
KR100899355B1 (ko) * 2007-11-15 2009-05-27 한국과학기술연구원 플라스마 증착 장치 및 방법
JP5665679B2 (ja) * 2011-07-14 2015-02-04 住友重機械工業株式会社 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法
TWI582256B (zh) 2013-02-04 2017-05-11 愛發科股份有限公司 薄型基板處理裝置
JP6022373B2 (ja) * 2013-02-04 2016-11-09 株式会社アルバック 薄型基板処理装置
JP6022372B2 (ja) * 2013-02-04 2016-11-09 株式会社アルバック 薄型基板処理装置
WO2016206728A1 (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Applied Materials, Inc. Processing chamber having a cooling device and a method for cooling a substrate in a processing chamber
WO2021034968A1 (en) * 2019-08-19 2021-02-25 Oem Group, Llc Systems and methods for a lift and rotate wafer handling process
CN112725747B (zh) * 2019-10-29 2022-10-18 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射机台
CN112779510B (zh) * 2019-11-11 2022-11-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射镀膜设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013539A (en) * 1973-01-12 1977-03-22 Coulter Information Systems, Inc. Thin film deposition apparatus
US4282924A (en) * 1979-03-16 1981-08-11 Varian Associates, Inc. Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface
US4756815A (en) * 1979-12-21 1988-07-12 Varian Associates, Inc. Wafer coating system
US4361749A (en) * 1980-02-04 1982-11-30 Western Electric Co., Inc. Uniformly cooled plasma etching electrode
US4405435A (en) * 1980-08-27 1983-09-20 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing continuous treatment in vacuum
JPS5816078A (ja) * 1981-07-17 1983-01-29 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
JPS58177463A (ja) * 1982-04-12 1983-10-18 Hitachi Ltd 積層薄膜成膜装置
US4384938A (en) * 1982-05-03 1983-05-24 International Business Machines Corporation Reactive ion etching chamber
FR2538987A1 (fr) * 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
JPS6039162A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Anelva Corp 薄膜処理真空装置
JPS6037717A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US4439261A (en) * 1983-08-26 1984-03-27 International Business Machines Corporation Composite pallet
US4548699A (en) * 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
JPS61106768A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Anelva Corp 基体処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4747928A (en) 1988-05-31
JPS6235517A (ja) 1987-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07105345B2 (ja) 基体処理装置
JP3466607B2 (ja) スパッタリング装置
US4674621A (en) Substrate processing apparatus
US6203619B1 (en) Multiple station apparatus for liquid source fabrication of thin films
US4795299A (en) Dial deposition and processing apparatus
JP2639459B2 (ja) モジューラ半導体ウェーハ移送及び処理装置
US4943363A (en) Cathode sputtering system
JPH06124899A (ja) 半導体製造装置
KR100639071B1 (ko) 박막 작성 시스템
JP2006057185A (ja) 蒸着システム用の基板ホルダ
US6899795B1 (en) Sputter chamber as well as vacuum transport chamber and vacuum handling apparatus with such chambers
JP2003503843A (ja) ウェハ搬送ロボットがネスト化されている大気雰囲気ウェハ搬送モジュールおよびその実現方法
KR102452130B1 (ko) 다양한 크기의 기판들을 취급하기 위한 장치
JPH05184903A (ja) 真空処理設備および中央穴付きの円板状被処理物の真空処理中の保持装置
JP2000188315A (ja) 被成膜基板の支持機構および支持方法
TWI734770B (zh) 用於防止空間ald處理腔室中之背側沉積的設備
EP0158133B1 (en) Vacuum manipulator system
CN218812073U (zh) 一种沉积设备
JPH0510356Y2 (ja)
US6395093B1 (en) Self contained, independent, in-vacuum spinner motor
JPS6242410A (ja) 基体処理装置
JP2607381B2 (ja) エッチング装置
EP1507025A1 (en) Device and method for forming thin-film, and method of manufacturing electronic component using the device
JPS60249329A (ja) スパッタエッチング装置
JP2003520297A (ja) スパッタチャンバならびに真空輸送チャンバおよびこれらのチャンバを備えた真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term