JPS6037717A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6037717A JPS6037717A JP14701583A JP14701583A JPS6037717A JP S6037717 A JPS6037717 A JP S6037717A JP 14701583 A JP14701583 A JP 14701583A JP 14701583 A JP14701583 A JP 14701583A JP S6037717 A JPS6037717 A JP S6037717A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ハロゲン・ランプを用いた高温短時間熱処理
による半導体装置の製造に関する。特に高いスループッ
トで、シリサイド形成９イオン注入層のアニール・Ｐｓ
（）のりフローを行なうことにおいて有効である。
による半導体装置の製造に関する。特に高いスループッ
トで、シリサイド形成９イオン注入層のアニール・Ｐｓ
（）のりフローを行なうことにおいて有効である。
従来、ハロゲン・ランプを発熱源としたインコヒーレン
トな放射光による、ウェーハの高温短時間熱処理におい
ては、ランプ点火後短時間〔１分以内〕にウェーハ温度
を上昇させ熱処理した後、ランプを消去し、ウェーハの
表裏面全体からの周辺への黒体輻射することのみで、ウ
ェーハを冷却した。しかしながら、黒体輻射によるウェ
ーハの冷却は第１図αに示すごとく数百度から室温に下
がるに侠する時間が大きく、カセット・ツー・カセット
の自動５里搬におりてテフロン製のカセットが溶融しな
いためＫは約２ｏｏ℃までウェーハ温度を下げる必要が
あ夛、熱処理のスループットが低くなるという欠点があ
った。１だランプ消去後、ウェーハを外に取り出した時
、ウェーハが充分に冷却されていないため、シリサイド
形成やイオン注入層のアニールにおいてはシリコン露出
部分や高融点金属露出部分が外気の酸素で酸化されると
いう欠点があった。
トな放射光による、ウェーハの高温短時間熱処理におい
ては、ランプ点火後短時間〔１分以内〕にウェーハ温度
を上昇させ熱処理した後、ランプを消去し、ウェーハの
表裏面全体からの周辺への黒体輻射することのみで、ウ
ェーハを冷却した。しかしながら、黒体輻射によるウェ
ーハの冷却は第１図αに示すごとく数百度から室温に下
がるに侠する時間が大きく、カセット・ツー・カセット
の自動５里搬におりてテフロン製のカセットが溶融しな
いためＫは約２ｏｏ℃までウェーハ温度を下げる必要が
あ夛、熱処理のスループットが低くなるという欠点があ
った。１だランプ消去後、ウェーハを外に取り出した時
、ウェーハが充分に冷却されていないため、シリサイド
形成やイオン注入層のアニールにおいてはシリコン露出
部分や高融点金属露出部分が外気の酸素で酸化されると
いう欠点があった。
本発明は、かかる従来の欠点を取り除き、ハロゲン・ラ
ンプによる高温短時間熱処理が、ウェーハ表面を酸化す
ることなく、高いスループットで行なわれることを目的
とする。
ンプによる高温短時間熱処理が、ウェーハ表面を酸化す
ることなく、高いスループットで行なわれることを目的
とする。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。第１図は直径
４インチ、厚さ５００μｍのシリコン基板の昇降温曲線
であｆｉ、１０００℃・１０秒の高温短時間熱処理を示
す、第２図は、本発明の製造方法を可能にするハロゲン
・ランブーシステムの一例である。本発明によるハロゲ
ン・ランプを用いた高温短時間熱処理においては、ウェ
ーハ４をウェーハ支持台５で保持し、ハロゲン拳うンプ
２、反射鏡ｌで囲まれた石英チューブ３の部屋Ａに、ウ
ェーハを水平に置いた後、ハロゲン・ランプ２を点火し
、インコヒーレント光をウェーハに照射することによｐ
ウェーハの温度が上昇（第１図Ｉ）する。その後ウェー
ハ自身の黒体輻射とランプからの照射が平衡になＱウェ
ーハ温度は一定に保たれる（第１図■）。次にランプ消
去後、ウェーハは、ウェーハ自身の黒体輻射により冷却
しく第１図Ｉ［［）、ウェーハ温度は１０００℃から数
百℃までｌＯ秒程で冷却する。次にウェーハは、支持台
５の移動により冷却室（第２図Ｂ）に移され火熱容量を
持つ冷却台６上に置かれる。冷却台６は下方から水冷さ
れているため常に低温に保たれている。このためウェー
ハは数百℃から２００℃以下に温度が下がる（第１図■
のＢ）のに約ｌＯ抄製するだけである。冷却室Ｂに置か
れたウェーハは、図面と垂直方向に移動するカセツ）−
ツー・力ｔット装置によシアン・ロードのテフロン製の
カセットに収納可能である。なお、ランプ照射室Ａ及び
冷却室Ｂは、各々Ｎ２Ｗ囲気で満たされている。
４インチ、厚さ５００μｍのシリコン基板の昇降温曲線
であｆｉ、１０００℃・１０秒の高温短時間熱処理を示
す、第２図は、本発明の製造方法を可能にするハロゲン
・ランブーシステムの一例である。本発明によるハロゲ
ン・ランプを用いた高温短時間熱処理においては、ウェ
ーハ４をウェーハ支持台５で保持し、ハロゲン拳うンプ
２、反射鏡ｌで囲まれた石英チューブ３の部屋Ａに、ウ
ェーハを水平に置いた後、ハロゲン・ランプ２を点火し
、インコヒーレント光をウェーハに照射することによｐ
ウェーハの温度が上昇（第１図Ｉ）する。その後ウェー
ハ自身の黒体輻射とランプからの照射が平衡になＱウェ
ーハ温度は一定に保たれる（第１図■）。次にランプ消
去後、ウェーハは、ウェーハ自身の黒体輻射により冷却
しく第１図Ｉ［［）、ウェーハ温度は１０００℃から数
百℃までｌＯ秒程で冷却する。次にウェーハは、支持台
５の移動により冷却室（第２図Ｂ）に移され火熱容量を
持つ冷却台６上に置かれる。冷却台６は下方から水冷さ
れているため常に低温に保たれている。このためウェー
ハは数百℃から２００℃以下に温度が下がる（第１図■
のＢ）のに約ｌＯ抄製するだけである。冷却室Ｂに置か
れたウェーハは、図面と垂直方向に移動するカセツ）−
ツー・力ｔット装置によシアン・ロードのテフロン製の
カセットに収納可能である。なお、ランプ照射室Ａ及び
冷却室Ｂは、各々Ｎ２Ｗ囲気で満たされている。
従って本発明によれば、ウェーッ・の昇降温特性は第１
図のｂで示すように、ランプ点火から高温短時間熱処理
（例えば１，０００℃川秒）を行ないウェーハ温度が約
２００℃まで下がるのに刀秒程度の時間しか必要とせず
、高いスループットを持つ。
図のｂで示すように、ランプ点火から高温短時間熱処理
（例えば１，０００℃川秒）を行ないウェーハ温度が約
２００℃まで下がるのに刀秒程度の時間しか必要とせず
、高いスループットを持つ。
またウェーハは、温度が２００℃以上の状態では、Ｎ！
雰囲気の充満したランプ照射室Ａまたは冷却室Ｂに存在
するため、シリコン露出部や高融点金属の酸化は生じな
い。
雰囲気の充満したランプ照射室Ａまたは冷却室Ｂに存在
するため、シリコン露出部や高融点金属の酸化は生じな
い。
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、テフロン製のカセットを用いたカセット・ツー
・カセット方式において、ウェーハ表面の酸化が防止で
き、かつ高しスルーブツトを持つ、ハロゲン・ランプ高
温短時間熱処理が可能になる。
よれば、テフロン製のカセットを用いたカセット・ツー
・カセット方式において、ウェーハ表面の酸化が防止で
き、かつ高しスルーブツトを持つ、ハロゲン・ランプ高
温短時間熱処理が可能になる。
第１図：半導体基板温度の昇降温曲線を示す図。
第２図：本発明によるハロゲン・ランプ・システムを示
す図。 ｌ・・反射（ｍ ２−・タングステン・フィラメント・
ハロゲン・ランプ ３・・石英チューブ ５・拳ウェー
ハ支持台 ６・・大熱容量ウェーハ冷却台 ４・７ｅ−
ウェーハ Ａ１１・ランプ照射室Ｂ・・冷却室 ■・・
ランプ照射ウェーハ昇温状態 ＩＩ・・ランプ照射ウェ
ーハ定温状態 ■・■のα・・黒体輻射によるウェーハ
降温状態 ■のｂ・・冷却室におけるウェーハ降温状態
。 以 上 出願人 株式会社識訪鞘工舎
す図。 ｌ・・反射（ｍ ２−・タングステン・フィラメント・
ハロゲン・ランプ ３・・石英チューブ ５・拳ウェー
ハ支持台 ６・・大熱容量ウェーハ冷却台 ４・７ｅ−
ウェーハ Ａ１１・ランプ照射室Ｂ・・冷却室 ■・・
ランプ照射ウェーハ昇温状態 ＩＩ・・ランプ照射ウェ
ーハ定温状態 ■・■のα・・黒体輻射によるウェーハ
降温状態 ■のｂ・・冷却室におけるウェーハ降温状態
。 以 上 出願人 株式会社識訪鞘工舎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１＋ハロゲン・ランプを発熱源としたインコヒーレン
ト光を、半導体基板に照射することによｐ１高高温時間
熱処理を行なう半導体装置の製造において、ランプ消去
後、半導体基板が表裏全面からの黒体輻射することによ
り数秒冷却し、次に冷却Ｗ囲気を半導体基板を吹きかけ
るか、またけ冷却された大きな熱容量の物質に半導体基
板を置くことによシ、半導体基板が冷却されることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 （２）半導体基板の表裏全面からの黒体輻射による冷却
及び冷却雰囲気の吹きかけまたは冷却された火熱容量物
質による半導体基板の冷却がＮ２雰囲気中で行なわれる
ことを特徴とする特ＷＦ錆求第−項記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14701583A JPS6037717A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14701583A JPS6037717A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26628392A Division JPH05251377A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037717A true JPS6037717A (ja) | 1985-02-27 |
| JPH0572096B2 JPH0572096B2 (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=15420610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14701583A Granted JPS6037717A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037717A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173324A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JPS6235517A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Anelva Corp | 基体処理装置 |
| US4752592A (en) * | 1985-11-29 | 1988-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Annealing method for compound semiconductor substrate |
| JP2001297995A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | 回路製造方法および装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5872837U (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-17 | 株式会社日立国際電気 | 減圧気相成長装置 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14701583A patent/JPS6037717A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5872837U (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-17 | 株式会社日立国際電気 | 減圧気相成長装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173324A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JPS6235517A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Anelva Corp | 基体処理装置 |
| US4752592A (en) * | 1985-11-29 | 1988-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Annealing method for compound semiconductor substrate |
| JP2001297995A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | 回路製造方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572096B2 (ja) | 1993-10-08 |
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