JPS59121832A - 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 - Google Patents
半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法Info
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- JPS59121832A JPS59121832A JP22753482A JP22753482A JPS59121832A JP S59121832 A JPS59121832 A JP S59121832A JP 22753482 A JP22753482 A JP 22753482A JP 22753482 A JP22753482 A JP 22753482A JP S59121832 A JPS59121832 A JP S59121832A
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
- C30B31/22—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation by ion-implantation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハーを光照射でカｌ熱する方法に５
（Ｉするものである。
（Ｉするものである。
最近、半導体ウェハー（以下単に「ウェハーＪという。
）への不純物の導入方法として、不純物濃度、接合の深
さを精密に制御し得ることから、不純物をイオン状態に
して加速してウェハ〜に打ち込むイオン注入法が使用さ
れてきている。このイオン注入法においてに、イオンが
注入された後のウェハーの表面における結晶状態が変化
して荒れたものとなるため、この荒れ（］ｌ−消失せし
めて良好な表面状態とするためＶＣ、イオン江人後約１
０００℃またはそれ以上の温度にウェハー全加熱処理す
る必要があり、この加熱処３３８に、注入された不純物
の深さぁ１１１１Ｊの濃度分布が熱拡散により変化しな
いように短時間で行なわなけれはならない。
さを精密に制御し得ることから、不純物をイオン状態に
して加速してウェハ〜に打ち込むイオン注入法が使用さ
れてきている。このイオン注入法においてに、イオンが
注入された後のウェハーの表面における結晶状態が変化
して荒れたものとなるため、この荒れ（］ｌ−消失せし
めて良好な表面状態とするためＶＣ、イオン江人後約１
０００℃またはそれ以上の温度にウェハー全加熱処理す
る必要があり、この加熱処３３８に、注入された不純物
の深さぁ１１１１Ｊの濃度分布が熱拡散により変化しな
いように短時間で行なわなけれはならない。
また、生産性を陶土させるためにもウェハーの急速加熱
、急速冷却が袂訪されている。
、急速冷却が袂訪されている。
このような加熱処理の他にも、半導体の製造において加
熱が必要とされる工程があう、例えば不純物拡散工程、
化学的気相成長工程、電気的活性化のための熱処理工程
、史ｖＬはシリコンソエハーの職層ｔ♀化若しくは酸化
せしめるための熱処理工程等があり、これらの工根ｒ追
行する揚台ＶＣも上述と同様にウェハーの急之加熱、急
速冷却が擬請される。
熱が必要とされる工程があう、例えば不純物拡散工程、
化学的気相成長工程、電気的活性化のための熱処理工程
、史ｖＬはシリコンソエハーの職層ｔ♀化若しくは酸化
せしめるための熱処理工程等があり、これらの工根ｒ追
行する揚台ＶＣも上述と同様にウェハーの急之加熱、急
速冷却が擬請される。
このような賛詣ＶＣより、最近、ウニ・・−を光照射で
加熱する方法が開発され、この方法罠よれば、わずか数
秒間という短時間で１０００℃〜１４００℃１で昇温が
可能である。
加熱する方法が開発され、この方法罠よれば、わずか数
秒間という短時間で１０００℃〜１４００℃１で昇温が
可能である。
ところで、ウェハー、例えは単結晶シリコン金これに単
に光照射することにより、数秒間以内の短時間において
、温度１１５０℃前後の処理温度に昇温せしめ更にこの
処理温度に保つという加熱処理を施す場合には、昇温時
及び処理温度時においてウェハーにおける外周縁若（２
〈は外周近傍部と中央部との間に比較的大きな温度差が
住し、この温度差か原因となってウェハーに後の処理工
程で支障上きたすような大きな「反り」が発生し、更に
は「スリップジイン」と叶はれる損傷が発生することが
分った。
に光照射することにより、数秒間以内の短時間において
、温度１１５０℃前後の処理温度に昇温せしめ更にこの
処理温度に保つという加熱処理を施す場合には、昇温時
及び処理温度時においてウェハーにおける外周縁若（２
〈は外周近傍部と中央部との間に比較的大きな温度差が
住し、この温度差か原因となってウェハーに後の処理工
程で支障上きたすような大きな「反り」が発生し、更に
は「スリップジイン」と叶はれる損傷が発生することが
分った。
これは、ウェハーの犀さは普通０．５ｍｎ前後程度と非
宮に薄く、厚さ方向ＶＣおける温度分布は、時間的ｅ？
−は工０−３秒の桁の程度で緩和ざｒするので実質的に
は悪影響を及はすごとはないが、ウェハーの面に沿った
方向ＶＣおける温度分布は、たとえウニ・・−の表面上
鉤−な照射工坏ルギー密度で晃照射しても、都つェハー
外周縁若しくは外周近傍部からの熱放散がウェハーの中
央部からの熱放散よりも相自大きいので、昇温時におい
てはウェハーの外周縁若しくは外周近傍部の温度がウェ
ハーの中央部の温度＃／ｃ逼従できず、処理温度時にお
いてへウェハーの外周縁若しくは外周近傍部の温度がウ
ェハーの中央部の温度［−Ｅで達することがなく、結局
ウェハーの外周縁若しくは外周近傍部の温度はウェハー
の中央部の温度より相当に低くなってしまうからである
。
宮に薄く、厚さ方向ＶＣおける温度分布は、時間的ｅ？
−は工０−３秒の桁の程度で緩和ざｒするので実質的に
は悪影響を及はすごとはないが、ウェハーの面に沿った
方向ＶＣおける温度分布は、たとえウニ・・−の表面上
鉤−な照射工坏ルギー密度で晃照射しても、都つェハー
外周縁若しくは外周近傍部からの熱放散がウェハーの中
央部からの熱放散よりも相自大きいので、昇温時におい
てはウェハーの外周縁若しくは外周近傍部の温度がウェ
ハーの中央部の温度＃／ｃ逼従できず、処理温度時にお
いてへウェハーの外周縁若しくは外周近傍部の温度がウ
ェハーの中央部の温度［−Ｅで達することがなく、結局
ウェハーの外周縁若しくは外周近傍部の温度はウェハー
の中央部の温度より相当に低くなってしまうからである
。
このようにウェハーに大きな「！ｙ、す」が発生すると
、後の処理工程例えはフォトエツチング処理工程におい
てパターン像が乱れるため支障をきたし、１ｆＣ「スリ
ップジイン」が発生すると、ウェハーでのものが千尋体
材料とし、て使用し侍ない無価値なものとなり重大な損
失ケ招くこととなる。
、後の処理工程例えはフォトエツチング処理工程におい
てパターン像が乱れるため支障をきたし、１ｆＣ「スリ
ップジイン」が発生すると、ウェハーでのものが千尋体
材料とし、て使用し侍ない無価値なものとなり重大な損
失ケ招くこととなる。
このような事情から、ウェハーの「反り」或いは「スリ
ップジイン」の発生ｔｖＪ止するための一つの方法とし
てウェハーの外周に若しくは外周近傍部＊＊に補助的に
加熱する方法が提案さｎている。この方法は、ウェハー
の表面をハロゲンランフなどの光照射源よりの光照射に
より主加熱する一方、ウェハーの外周縁若しくに外周近
傍部ｔランプ或いはヒータなどの補助加熱源によシ補助
的に加熱しながらウェハーを加熱する方法である。
ップジイン」の発生ｔｖＪ止するための一つの方法とし
てウェハーの外周に若しくは外周近傍部＊＊に補助的に
加熱する方法が提案さｎている。この方法は、ウェハー
の表面をハロゲンランフなどの光照射源よりの光照射に
より主加熱する一方、ウェハーの外周縁若しくに外周近
傍部ｔランプ或いはヒータなどの補助加熱源によシ補助
的に加熱しながらウェハーを加熱する方法である。
しかしながらこのような補助的に加熱する方法によって
もしはしはウェハーｖｃ「反９」或いは「スリップライ
ン」が発生することがわかった。
もしはしはウェハーｖｃ「反９」或いは「スリップライ
ン」が発生することがわかった。
即、ちウェハー全加熱するためＫに、ウェハー′ｆｔ２
ｉ１宜の保持具により保持した状態で光照射することが
心安であり、通常にウェハーの外周縁の数り所例えは３
ケ所以上の部分において保持共にょジウエハーを保持す
るようＶＣしているが、ウェハーの外周綴金補助的に加
熱した場合においても当該外周縁がウェハーの中火部よ
ｌ″１：若干温度が低いことがあり、この場合には保持
共とウェハーとの接触部から保持具ｔブ１゛′シて逃散
する伝導熱の影４１ヲ無視することがでさす、この結果
ウェハーにおける保持共との接触部の温度低下が大きく
なシ、結局当該接触部若しくはその近傍に「スリップジ
イン」が発生したり、或いはウェハーに「反す」が発生
する場合があることがわかった。
ｉ１宜の保持具により保持した状態で光照射することが
心安であり、通常にウェハーの外周縁の数り所例えは３
ケ所以上の部分において保持共にょジウエハーを保持す
るようＶＣしているが、ウェハーの外周綴金補助的に加
熱した場合においても当該外周縁がウェハーの中火部よ
ｌ″１：若干温度が低いことがあり、この場合には保持
共とウェハーとの接触部から保持具ｔブ１゛′シて逃散
する伝導熱の影４１ヲ無視することがでさす、この結果
ウェハーにおける保持共との接触部の温度低下が大きく
なシ、結局当該接触部若しくはその近傍に「スリップジ
イン」が発生したり、或いはウェハーに「反す」が発生
する場合があることがわかった。
本発明は斯かる観点からなされたものであって、半導体
ウェハーをその３ケ所以上の倣／ＪＸ面積部分において
保持して光照射で加熱する方法において、後の処理工程
に支障上きたすような大きな「反り」及び「スリツノラ
イン」のような損傷が生じないような加熱方法全提供す
ることを目的とし、その特徴とするところは、加熱すべ
き半導体ウェハーをその３ケ所以上の微／」・面積部分
において保持して光照射で加熱する方法でろって、前記
半導体ウェハーの保持される前記微Ｊ−面株部分が描該
半導体ウェハーの外周縁より１ｍ＋以上中央側に位置す
る点にある。
ウェハーをその３ケ所以上の倣／ＪＸ面積部分において
保持して光照射で加熱する方法において、後の処理工程
に支障上きたすような大きな「反り」及び「スリツノラ
イン」のような損傷が生じないような加熱方法全提供す
ることを目的とし、その特徴とするところは、加熱すべ
き半導体ウェハーをその３ケ所以上の微／」・面積部分
において保持して光照射で加熱する方法でろって、前記
半導体ウェハーの保持される前記微Ｊ−面株部分が描該
半導体ウェハーの外周縁より１ｍ＋以上中央側に位置す
る点にある。
以下図面を番照しながら本発明方法の一実施例を説明す
る。
る。
第１図は、光照射炉内に配置されたウェハー（一点鎖線
で示す）ｌｋ上方から見た加熱方法の貌明図、第２図は
第１図を側方から見比説明図であって、図には示されて
いないがウェハー１の上方及び下方には、各々消費電力
１１５０Ｗの棒状の７・ロゲン電球１２本全一平面上に
近接して並べて成る面光源が配置され、この面光源によ
りウニ／％−１の表面における照射エネルキー札度が均
一となり且つウェハー１の表面温度がワエノ・−１の中
央部１ａで約１１５０℃になるようにウニ／・−１が光
照射されるよう［なっている。光照射のための前記面光
源の全消費電力は約２８崩に及び、ウエノ・−１は直径
４インチ、厚さが０４咽の円板状であってホク素′をイ
オン注入した単結晶シリコンより成るものである。
で示す）ｌｋ上方から見た加熱方法の貌明図、第２図は
第１図を側方から見比説明図であって、図には示されて
いないがウェハー１の上方及び下方には、各々消費電力
１１５０Ｗの棒状の７・ロゲン電球１２本全一平面上に
近接して並べて成る面光源が配置され、この面光源によ
りウニ／％−１の表面における照射エネルキー札度が均
一となり且つウェハー１の表面温度がワエノ・−１の中
央部１ａで約１１５０℃になるようにウニ／・−１が光
照射されるよう［なっている。光照射のための前記面光
源の全消費電力は約２８崩に及び、ウエノ・−１は直径
４インチ、厚さが０４咽の円板状であってホク素′をイ
オン注入した単結晶シリコンより成るものである。
２は環状部２３及びこの塊状部ｚ３の両端部からそれぞ
れ一方向に伸びる腕部２４とより成る石英カラス製の封
体２１を具えた、・・ロゲン電球若しくは赤外線寛厚な
どより成る補助加熱源であって、その刺体２１内部にフ
ィラメント２２を有し、このフィラメント２２は前記刺
体２１の環状部２３内に位置する部分が発光部であり、
腕部２４内に位置する部分は井発光都でめる。２５１Ｊ
フイラメントサポータ、２６はモリブデンなとの金属箔
、２７は外部リードである。この補助加熱源２はウエノ
飄−１の外周縁１ｃ若しくは外周近傍部ｌｂヲ生として
加熱するよう例えはウェハー１の下面測寸ｆＣ，に上面
側（この例では下面側）に配置する。
れ一方向に伸びる腕部２４とより成る石英カラス製の封
体２１を具えた、・・ロゲン電球若しくは赤外線寛厚な
どより成る補助加熱源であって、その刺体２１内部にフ
ィラメント２２を有し、このフィラメント２２は前記刺
体２１の環状部２３内に位置する部分が発光部であり、
腕部２４内に位置する部分は井発光都でめる。２５１Ｊ
フイラメントサポータ、２６はモリブデンなとの金属箔
、２７は外部リードである。この補助加熱源２はウエノ
飄−１の外周縁１ｃ若しくは外周近傍部ｌｂヲ生として
加熱するよう例えはウェハー１の下面測寸ｆＣ，に上面
側（この例では下面側）に配置する。
３はウェハー１の保持具であり、この保持具３は、補助
加熱源２における封体２１の環状部２３の外周に接触し
てこの外周を外側から取囲む円弧状のリング部３１と、
このリング部３１の例えは四方の個所の各々に同定され
た当該リング部３１の上部から伸び補助加熱源２の封体
２１の上部外周と接触するよう屈曲して伸びる掛止部３
２と、これら各々の掛止部３２の例えば内端部３３Ｖｃ
これより上方に突出して伸ひ、ウニ・・−１の外周縁１
ｃから１烟以上中央側に位置する微小面＆部分と接触す
る突起部３４と、各々の掛止８３２の外端部３５に設け
たストッパー３ｂとにより構成され、この保持具３はそ
の全体が例えは石英カラスにより一体的に形成され、透
九性を鳴している。
加熱源２における封体２１の環状部２３の外周に接触し
てこの外周を外側から取囲む円弧状のリング部３１と、
このリング部３１の例えは四方の個所の各々に同定され
た当該リング部３１の上部から伸び補助加熱源２の封体
２１の上部外周と接触するよう屈曲して伸びる掛止部３
２と、これら各々の掛止部３２の例えば内端部３３Ｖｃ
これより上方に突出して伸ひ、ウニ・・−１の外周縁１
ｃから１烟以上中央側に位置する微小面＆部分と接触す
る突起部３４と、各々の掛止８３２の外端部３５に設け
たストッパー３ｂとにより構成され、この保持具３はそ
の全体が例えは石英カラスにより一体的に形成され、透
九性を鳴している。
そしてこの例において保持具３は、補助加熱源２の刺体
２１により、鉛直方向ＶＣついてに４つの掛止部３２が
封体２１１Ｃｉ止されることによって保持具３の自３［
ｊより支持され、水平方向については円弧状のリンク部
３１が刺体２ｊの環状ｓ２３の外周に接触して取囲む状
態で支持されている。
２１により、鉛直方向ＶＣついてに４つの掛止部３２が
封体２１１Ｃｉ止されることによって保持具３の自３［
ｊより支持され、水平方向については円弧状のリンク部
３１が刺体２ｊの環状ｓ２３の外周に接触して取囲む状
態で支持されている。
そして保持具３の４つの突起部３４により外周線１ｃか
ら１ｍ＋ｉ以上中央０Ｉｌｊに位置する４ケ所の微小面
積部分において自ｌで保持されたウエノ・−１を前記面
光源により光照射してカロ熱する際に、或いはこの光照
射に先たって、補助加熱源２に加える電力を例えば４０
０Ｗ〜１３ＣＩＯＶＶの範囲で調贅して点灯することに
より、ウニ／・−１の外周縁ＩＣ若しくは外周近傍部１
ｂにおける温度と補助加熱源２の管壁の温度とか約５０
０℃以上の温度域においてはｔ１同じになるように、ウ
ニ／・−１の外周縁ＩＣ若しくは外Ｍｉ−ｉＸ傍部１ｂ
ｋ袖助的ＶＣ加熱する。
ら１ｍ＋ｉ以上中央０Ｉｌｊに位置する４ケ所の微小面
積部分において自ｌで保持されたウエノ・−１を前記面
光源により光照射してカロ熱する際に、或いはこの光照
射に先たって、補助加熱源２に加える電力を例えば４０
０Ｗ〜１３ＣＩＯＶＶの範囲で調贅して点灯することに
より、ウニ／・−１の外周縁ＩＣ若しくは外周近傍部１
ｂにおける温度と補助加熱源２の管壁の温度とか約５０
０℃以上の温度域においてはｔ１同じになるように、ウ
ニ／・−１の外周縁ＩＣ若しくは外Ｍｉ−ｉＸ傍部１ｂ
ｋ袖助的ＶＣ加熱する。
上記方法によれは、ウエノ・−１の両面が上方及び下方
から囲光源によジ光照射紫受けて主加熱が行なわれ、ウ
エノ・−１の外周縁ＩＣ若しくは外周近傍部１ｂが補助
加熱′ｍ、２により補助的に加熱さｎるが、ウェハー■
の保持ケ当該ウェハー１の外周縁ＩＣよ！１１１ｍＭ以
上中央側に位負する微小面積部分において行ない保持具
３を外周縁１ｃｖｃは接触させないため、外周縁１ｃに
保持共３を接触させた場合に住じた伝導熱の逃散に起因
する外周縁ＩＣの温度低下を招来することがなく、そし
て保持具３の突起部３４會介して逃散する伝導熱があっ
ても、突起部３４が接触する、ウェハーＩＶＣおける外
局縁ＩＣより１・順以上中央側に位置する微小［ｆ］積
積分分、その周囲頒域〃・らの伝導熱により逃散する熱
が補色されるようｌ／ｃなるため、当該倣小面槓部分の
温度低下か小きくなり、この結末ウェハー１における保
持具３との接触部ニ「スリップライン」が発生せず、逢
た後の処理工程で支障をきたすよ′）な大きな「反り」
も発生しない。
から囲光源によジ光照射紫受けて主加熱が行なわれ、ウ
エノ・−１の外周縁ＩＣ若しくは外周近傍部１ｂが補助
加熱′ｍ、２により補助的に加熱さｎるが、ウェハー■
の保持ケ当該ウェハー１の外周縁ＩＣよ！１１１ｍＭ以
上中央側に位負する微小面積部分において行ない保持具
３を外周縁１ｃｖｃは接触させないため、外周縁１ｃに
保持共３を接触させた場合に住じた伝導熱の逃散に起因
する外周縁ＩＣの温度低下を招来することがなく、そし
て保持具３の突起部３４會介して逃散する伝導熱があっ
ても、突起部３４が接触する、ウェハーＩＶＣおける外
局縁ＩＣより１・順以上中央側に位置する微小［ｆ］積
積分分、その周囲頒域〃・らの伝導熱により逃散する熱
が補色されるようｌ／ｃなるため、当該倣小面槓部分の
温度低下か小きくなり、この結末ウェハー１における保
持具３との接触部ニ「スリップライン」が発生せず、逢
た後の処理工程で支障をきたすよ′）な大きな「反り」
も発生しない。
因みに上記実施？ｌＩに基いて加熱処理全行なったとこ
ろ、６０秒間歩、上に亘る比較的長時間の加熱処理ケ施
した場合ＶＣおいても、ウェハー１の中央部１ａの温度
は約１１５０℃となるのに対してクエ／・−１の外周縁
ＩＣ及び外）ｔｄ近傍部１ｂの温度は約１１２０℃程度
となり、この外周縁ＩＣ及び外周近傍部１ｂの温度は稍
低めにはなるものの、後の処理工程で支障をきたすよう
な大きな「反シ」が発生せず、しかも「スリップライン
」も発生せず、つ１バー１を良好に加熱処理することが
できた。
ろ、６０秒間歩、上に亘る比較的長時間の加熱処理ケ施
した場合ＶＣおいても、ウェハー１の中央部１ａの温度
は約１１５０℃となるのに対してクエ／・−１の外周縁
ＩＣ及び外）ｔｄ近傍部１ｂの温度は約１１２０℃程度
となり、この外周縁ＩＣ及び外周近傍部１ｂの温度は稍
低めにはなるものの、後の処理工程で支障をきたすよう
な大きな「反シ」が発生せず、しかも「スリップライン
」も発生せず、つ１バー１を良好に加熱処理することが
できた。
ところが補助加熱源２による補助加熱を行なわずしかも
保持具８の突起部８４をウェハー１の外周縁１ｃがら１
關未滴の部分に接触せしめて保持させた場合にはわずか
７秒間の加熱処理によって外周縁１ｃから外周近傍ｓ１
ｂにかけて多数の「スリップライン」が発生して当該ウ
ェハーは無価値なものとなってしまった。また上記実施
例と同様に補助加熱を行なったが保持具３の突起部３４
をウェハー１の外周縁１ｃからｌ ｗ未満の部分に接触
せしめて保持させた場合には２５秒間の加熱処理によっ
て外周縁ＩＣから外周近傍部１ｂにかけて多数の１スリ
ツプライン」が発生し、しかも２５秒間以内の加熱処理
ではウェハーｌの外周縁Ｉｃに至るまでの充分なアニー
ル効果を得ることができなかった。
保持具８の突起部８４をウェハー１の外周縁１ｃがら１
關未滴の部分に接触せしめて保持させた場合にはわずか
７秒間の加熱処理によって外周縁１ｃから外周近傍ｓ１
ｂにかけて多数の「スリップライン」が発生して当該ウ
ェハーは無価値なものとなってしまった。また上記実施
例と同様に補助加熱を行なったが保持具３の突起部３４
をウェハー１の外周縁１ｃからｌ ｗ未満の部分に接触
せしめて保持させた場合には２５秒間の加熱処理によっ
て外周縁ＩＣから外周近傍部１ｂにかけて多数の１スリ
ツプライン」が発生し、しかも２５秒間以内の加熱処理
ではウェハーｌの外周縁Ｉｃに至るまでの充分なアニー
ル効果を得ることができなかった。
そして上記実施例におけるように保持具３７透光性とし
ておくことにより、面光源よりウエノ・−１ＶＣ向かう
照射光を遮きることが防止されるのでウェハー１金均−
に照射することができて好盪しい０ 以上本発明方法の具体的−実施例全説明したが、本発明
にこれに限定されることはなく、例えば補助加熱源２に
よる加熱は必すしも必須のものではなく、補助加熱源以
外の適宜の手段例えは光照射源による主加熱によシウエ
ハ−１の全体を略均−の温度に加熱することかでさる場
合＆Ｃは省略することができる。しかし補助加熱源２に
より補助的に加熱する手段ケ用いることは、光照射源の
摘取を簡単にすることができるので好ましい。そしてウ
ェハー１の保持具３により保持される微小面積部分はウ
ェハー１が安定に保持される少なくとも３ケ所以上あれ
は十分であり、ウェハー１の前記微小ｊｋ１枚部分の谷
面槓は０．５ｍ２以円でりることが実用上好ましい。そ
して保持具３の突起ｓ３４の形状は極々変史が可能でる
ってその全体が内弧状に沿って屈曲した形状、或いはそ
の先端が円味を帯びた形状またはとがった形状等に形成
してもよい。そして補助加熱源２としても上記実施例に
おけるようないわば自己発熱型のものはかりでなく、例
えは光照射を受けて昇温する高融点金属によシ構成して
もよい。そして補助加熱源２が保持具３を兼用するよう
構成してもよく、例えは補助加熱源２の封体２１上ＶＣ
突起部３４全設けてこの突起部３４＆？：よりウェハー
１を保持するようにしてもよい。
ておくことにより、面光源よりウエノ・−１ＶＣ向かう
照射光を遮きることが防止されるのでウェハー１金均−
に照射することができて好盪しい０ 以上本発明方法の具体的−実施例全説明したが、本発明
にこれに限定されることはなく、例えば補助加熱源２に
よる加熱は必すしも必須のものではなく、補助加熱源以
外の適宜の手段例えは光照射源による主加熱によシウエ
ハ−１の全体を略均−の温度に加熱することかでさる場
合＆Ｃは省略することができる。しかし補助加熱源２に
より補助的に加熱する手段ケ用いることは、光照射源の
摘取を簡単にすることができるので好ましい。そしてウ
ェハー１の保持具３により保持される微小面積部分はウ
ェハー１が安定に保持される少なくとも３ケ所以上あれ
は十分であり、ウェハー１の前記微小ｊｋ１枚部分の谷
面槓は０．５ｍ２以円でりることが実用上好ましい。そ
して保持具３の突起ｓ３４の形状は極々変史が可能でる
ってその全体が内弧状に沿って屈曲した形状、或いはそ
の先端が円味を帯びた形状またはとがった形状等に形成
してもよい。そして補助加熱源２としても上記実施例に
おけるようないわば自己発熱型のものはかりでなく、例
えは光照射を受けて昇温する高融点金属によシ構成して
もよい。そして補助加熱源２が保持具３を兼用するよう
構成してもよく、例えは補助加熱源２の封体２１上ＶＣ
突起部３４全設けてこの突起部３４＆？：よりウェハー
１を保持するようにしてもよい。
以上のように本発明によれば、半導体ウェハーをその３
ケ所以上の微小面積部分において保持して光照射で加熱
する方法において、後の処理工程に支障１４たすような
大きな「反９」及び「スリップライン」のような損傷が
生じないような加熱刃２−１提供することかできる。
ケ所以上の微小面積部分において保持して光照射で加熱
する方法において、後の処理工程に支障１４たすような
大きな「反９」及び「スリップライン」のような損傷が
生じないような加熱刃２−１提供することかできる。
第１図及び第２図はそれぞｎ本発明方法の一実施例全示
ず駈明用平向図及び説明用縦断正面図である。
ず駈明用平向図及び説明用縦断正面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）力日熱すべき半導体ウェハーをその３ケ所以上の微
小面積部分において保持して光照射で加熱する方法であ
って、前記半導体ウェハーの保持される前記微小面積部
分が当該半導体ウェハーの外周縁より１ｕ以上中央側に
位置することを特徴とする半導体ウェハーを光照射で加
熱する方法。 ２）前記半導体ウェハーを保持する保持具のうち、当該
半導体ウェハーに至る光を受ける部分が透光性であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェ
ハーを光照射で加熱する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22753482A JPS59121832A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
| US06/539,413 US4535228A (en) | 1982-12-28 | 1983-10-06 | Heater assembly and a heat-treatment method of semiconductor wafer using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22753482A JPS59121832A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121832A true JPS59121832A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16862406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22753482A Pending JPS59121832A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342748A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2005124840A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| CN101908468A (zh) * | 2009-06-05 | 2010-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22753482A patent/JPS59121832A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004342748A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP4557503B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2010-10-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2005124840A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| CN101908468A (zh) * | 2009-06-05 | 2010-12-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
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