JP2003092267A - 炭化珪素半導体製造装置及びそれを用いた炭化珪素半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積ウェハにも対応でき、ＳｉＣの昇華が
防げるＳｉＣ半導体製造装置及び製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＣ基板１が搭載されるウェハステー
ジ６と、ウェハステージ６の上に配置され、光の照射を
行うランプ４と、ランプ４の発する光を集め、ＳｉＣ基
板１に対して光を照射させるリフレクタ部９と、ウェハ
ステージ６の下方に配置されるＲＦコイル８とを備え、
ランプ４による熱処理とＲＦコイル８による熱処理の双
方が行えるように構成する。このような構成により、マ
イグレーションが発生しない温度ではＲＦコイル８によ
る熱処理、マイグレーションが発生しうる温度ではラン
プ４による熱処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素（以下、
ＳｉＣという）半導体の製造装置及びそれを用いたＳｉ
Ｃ半導体製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＳｉＣにおける不純物層形成は、イオン
注入および注入されたイオンの活性化熱処理によって行
われる。ＳｉＣでは、不純物、特にｐ型不純物が熱処理
によって活性化し難いため、活性化のための熱処理温度
を上げることで活性化率を向上させようとしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】例えば、エピタキシャ
ル膜（以下、エピ膜という）の形成を容易にするために
オフ角のあるウェハを用い、１６００℃での活性化熱処
理を行った後にエピ膜に形成した不純物層の表面をＡＦ
Ｍで観察したところ、ステップ状の表面荒れ（ステップ
バンチング）が発生していることが確認された。この表
面荒れの大きさを調べたところ、表面荒れ量Ｒａ＝９．
５ｎｍであった。

【０００４】このような表面荒れは、活性化熱処理時に
生じるマイグレーションに起因して発生すると考えられ
る。すなわち、オフ角を有するウェハの場合には表面に
細かいステップが存在するため、活性化熱処理（特に、
高温熱処理が必要とされるｐ型不純物の活性化熱処理）
の際に最もエネルギー的に不安定なステップのエッジ部
分でＳｉ抜けが発生すると共に、このＳｉ抜けによって
マイグレーションを起こし、マイグレーションを起こし
た原子が安定な（０００１）面を形成しながら再結晶化
してしまうために、表面荒れが発生するのである。

【０００５】また、エピ層の表面部分に炭化層が形成さ
れることも確認された。これは、活性化熱処理が高温で
あるために生じるエピ膜表面からのＳｉ抜けが原因とな
って、カーボンリッチとなるために形成されると考えら
れる。

【０００６】このようなマイグレーションやＳｉ抜けに
よる炭化膜の形成を抑制するためには、熱処理温度を
低下させる方法、熱処理時間を短時間化することでマ
イグレーションを起こす時間を与えない方法が考えられ
る。

【０００７】しかしながら、電気的活性化率を高くする
ためにはより高温での熱処理を行うのが好ましく、例え
ば１８００℃の温度下では１６００℃の温度下よりも電
気的活性化率が約３倍程度となる。また、より高温での
熱処理を行った方がＰＮ接合でのリーク電流も少なく、
ＰＮ接合での耐圧も高くなる。そして、このような温度
がマイグレーション発生温度よりも高いこと（マイグレ
ーション発生温度：１４２０℃）から、熱処理温度を
低下させるという方法を選択できない。

【０００８】従って、電気的活性化率の向上と表面荒れ
の抑制を両立するという観点から、熱処理時間を短時
間化することでマイグレーションを起こす時間を与えな
いという方法が選択される。

【０００９】そして、このような方法について様々な検
討を行った。まず、従来の熱処理プログラムを分析した
ところ、熱処理時の昇温速度が２０℃／ｍｉｎと遅く、
マイグレーションが起こる温度（１４２０℃）以上とな
る時間が十分長くなっている。従って、これが原因とな
って上記のように大きな表面荒れが発生していると考え
られる。このため、昇温速度を１５０℃／ｍｉｎとなる
まで上げて活性化熱処理を実施したが、この場合におい
ても上記と同様の結果となった。

【００１０】そこで、さらに昇温速度が高められるラン
プアニール装置（例えば、昇温速度が３５０℃／ｍｉｎ
程度）を用いて、活性化熱処理を実施した。つまり、ラ
ンプアニール装置を用いることによって、マイグレーシ
ョンが起こる温度以上の熱処理が実施されている時間が
短縮化されるようにした。その結果、表面荒れ量Ｒａが
Ｒａ＝３．４ｎｍとなるまで低減できた。

【００１１】このような短時間での高温熱処理によれ
ば、従来の高温炉による熱処理に比べ、デバイス特性を
向上させる可能性がある。すなわち、高速、高温プロセ
スのランプレート（昇温速度）が熱処理炉の昇温速度
（５〜６℃／ｍｉｎ）と比べて２０〜１００倍と非常に
大きいことから、以下のような有利点がある。

【００１２】例えば、ソース領域やドレイン領域等の不
純物層の形成において、高活性化、残留欠陥の低減が図
れると共に、浅い接合を実現することが可能となる。ま
た、ドーパントの著しい再分配無しに活性化熱処理が可
能となる。さらに、熱処理雰囲気の制御を容易に行え、
例えば熱処理時の表面汚染を低減することが可能とな
る。

【００１３】しかしながら、プロセスとして優れていて
も、現状では、大面積ウェハに対して、活性化熱処理で
必要とされるような高温度を実現できるランプアニール
装置が存在しない。つまり、ハロゲンランプやキセノン
ランプでのスポット加熱により、２０００℃までの熱処
理を行うことはできるが、ランプ照射されていない部分
はほとんど加熱されないため、小面積ウェハしか処理す
ることができず、大面積ウェハには対応できない。ま
た、小面積ウェハの場合、ウェハの両面をランプで加熱
することで熱処理を行うことが可能ではあるが、両面と
もランプで加熱するとウェハ表面からＳｉＣが昇華して
しまうという問題がある。さらに、ランプアニール装置
では、ウェハを直接加熱するだけであるため、反応チャ
ンバーや雰囲気の温度が上がらないし、大きな温度勾配
も発生する。

【００１４】本発明は上記点に鑑みて、大面積ウェハに
も対応でき、ＳｉＣの昇華が防げるＳｉＣ半導体製造装
置及びそれを用いたＳｉＣ半導体製造方法を提供するこ
と目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、炭化珪素基板（１）が
搭載されるウェハステージ（６）と、ウェハステージの
上に配置され、光の照射を行うランプ（４）と、ランプ
の発する光を集め、炭化珪素基板に対して光を照射させ
る集光手段（９）と、ウェハステージの下方に配置され
るＲＦコイル（８）とを備え、ランプによる熱処理とＲ
Ｆコイルによる熱処理の双方が行えるように構成されて
いることを特徴とする。

【００１６】このような構成によれば、請求項４乃至６
に示すように、ＲＦコイルによる熱処理とランプを用い
た熱処理とを兼用して活性化処理を行うことができる。
そして、マイグレーションが発生しない所定温度までは
ＲＦコイルを用いた加熱を行い、マイグレーションが発
生し得る所定温度以上ではランプを用いた加熱を行うこ
とができる。このため、ＲＦコイルでの加熱によりチャ
ンバー内全体が高温となり、ランプによる加熱に移行し
た後に加熱が局所的に行われるようになっても、それ以
外の領域も加熱することができ、大面積ウェハに対応し
た熱処理を行うことができる。また、チャンバー内全体
を高温とすることができることから、炭化珪素基板の面
内での温度勾配を小さく抑えることができる。

【００１７】請求項２に記載の発明では、ウェハステー
ジとランプ及び集光手段との間に配置され、ランプから
の光が炭化珪素基板に照射されることを遮る閉状態と、
ランプからの光が炭化珪素に照射されるようにする開状
態とに制御される可動ゲート（１０）と備えていること
を特徴とする。

【００１８】このような構成とすれば、可動ゲートを用
いることでランプを消灯させること無く次々と不純物を
活性化させ、不純物層を形成することができる。このた
め、ランプによる照射が安定するまでの間に時間がかか
るような場合であっても、各部位での熱履歴を均等にす
ることができ、ＳｉＣ基板の電気的特性を安定させるこ
とができる。

【００１９】請求項３に記載の発明では、集光手段によ
って集められた光を透過する石英ロット（１１）を備
え、該石英ロットを通過させた光を炭化珪素基板に照射
するように構成されていることを特徴とする。こののよ
うな構成とすれば、より広範囲に光照射を行えるため、
広い範囲での活性化を行うことが可能となる。

【００２０】請求項４乃至６は、請求項１乃至３に記載
の炭化珪素半導体製造装置を用いて炭化珪素半導体を製
造する方法の発明に関し、請求項４に示すように、所定
温度まではＲＦコイルによる熱処理、それ以上はランプ
による熱処理としても良いし、請求項５に示すように、
所定温度まではＲＦコイルによる熱処理、それ以上はラ
ンプおよびＲＦコイルによる熱処理としても良い。さら
に、請求項６に示すように、所定温度までもそれ以上も
共にランプおよびＲＦコイルによる熱処理としても良
い。

【００２１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。

【００２２】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に、本発明
の一実施形態に用いるＳｉＣ半導体製造装置としての熱
処理装置の模式図を示す。以下、図１に基づいて熱処理
装置の構成の説明を行う。

【００２３】図１に示す熱処理装置は、紙面上下方向が
天地方向と一致するように配置される。この熱処理装置
は、ＳｉＣ基板１が収容されるチャンバーを構成するケ
ース部２および石英チューブ３と、ランプ４が配置され
るハウジング部５とを有して構成されている。

【００２４】ケース部２には、石英製のウェハステージ
６が備えられていると共に、ウェハステージ６の上に搭
載されるグラファイト製のサセプタ７が備えられてお
り、これらが石英チューブ３内に延設された構成となっ
ている。ウェハステージ６は、水平面上においてＸ−Ｙ
方向に走査可能に構成され、サセプタ７は水平面上にお
いて回転可能に構成されている。そして、ＳｉＣ基板１
がサセプタ７を介してウェハステージ６上に搭載され、
ウェハステージ６にて水平面上で自由に走査されように
なっている。

【００２５】また、ケース部２には、ガス導入口２ａと
ガス排出口２ｂが備えられている。ガス導入口２ａに
は、ＳｉＨ₄ガス、Ｈ₂ガス、ＨＣｌガス、Ａｒガスおよ
びＣ₃Ｈ₈ガスそれぞれの供給源が備えられ、ガス導入口
２ａを通じてチャンバー内に各ガスの導入を行い、ガス
排出口２ｂを通じて適宜各ガスの排出を行うことで、チ
ャンバー内の雰囲気調整が行えるようになっている。

【００２６】ケース部２の内部には、加熱手段を構成す
るＲＦコイル８が備えられている。このＲＦコイル８は
ウェハステージ６の下部に配置され、ウェハステージ６
に搭載されたＳｉＣ基板１をウェハステージ６の反対側
から加熱できるようになっている。このＲＦコイル８を
上面から見た時の形状は、例えば図２に示すような渦巻
き状になっており、ＳｉＣ基板１を全体的に加熱できる
構成となっている。

【００２７】一方、ハウジング部５には、複数のランプ
４が配置されている。これら複数のランプ４は、図１中
では省略して記載してあるが、下方から見ると、図３に
示すようにアレイ状に規則的に配置されている。複数の
ランプ４には、例えばハロゲンランプ、キセノンラン
プ、赤外線ランプが用いられている。そして、複数のラ
ンプ４が集光手段としてのリフレクタ部９を介してハウ
ジング部５に固定されている。このような構成において
は、図中矢印で示すように、リフレクタ部９の内壁面
（反射面）によってランプ４の光が反射され、反射光が
所定位置、つまりウェハステージ６の上に搭載されたＳ
ｉＣ基板１の位置で集められるようになっている。

【００２８】続いて、上記構成を成す熱処理装置を用い
た活性化熱処理方法について、図１を利用して説明す
る。

【００２９】まず、ＳｉＣ基板１を用意する。具体的に
は、ＳｉＣ基板１として、ｎ⁺型基板に対してｎ^-型エピ
膜を成膜したのち、ｎ^-型エピ膜に不純物、例えばｐ型
不純物をイオン注入したものを用意する。そして、この
ＳｉＣ基板１をウェハステージ６に搭載する。このと
き、ＳｉＣ基板１のうちｎ^-型エピ膜が形成された側の
表面がウェハステージ６側に向けられるようにする。す
なわち、ＳｉＣ基板１のうちｎ^-型エピ膜が形成されて
いない側の面、つまりｎ⁺型基板側である裏面が露出す
るように配置する。

【００３０】続いて、ウェハステージ６を走査すること
でランプ４からの光が集まる位置とＳｉＣ基板１のうち
加熱させる部位とを一致させる。すなわち、ＳｉＣ基板
１の裏面において、ｎ^-型エピ層のうち不純物が注入さ
れた場所と対応する部位にランプ４からの光が照射され
るように位置合わせする。

【００３１】その後、ガス導入口２ａを通じてチャンバ
ー内にＳｉＨ₄ガスとＨ₂ガスまたはＨＣｌガスを導入し
たのち雰囲気圧力を調整し、必要に応じてＡｒガスを導
入して、ＲＦコイル８による加熱を行う。そして、ＲＦ
コイル８による加熱によって１０００〜１４００℃まで
温度を上昇させたのち、ＲＦコイル８による加熱を止
め、ランプ４を点灯させる。これにより、ランプ４から
発せられた光がリフレクタの内壁面で反射され、ウェハ
ステージ６の上部に束ねられて、ＳｉＣ基板１の裏面に
向かって照射される。このため、ＳｉＣ基板１の裏面側
の温度が高い昇温速度で上昇し、１０００〜１４００℃
以上の高い温度となる。

【００３２】このとき、ランプ加熱の場合には光が照射
される部分が最も温度が上昇することになるが、ＳｉＣ
の熱伝導が良いことから、裏面側から表面側にも容易に
熱が伝わる。このため、不純物が注入されたＳｉＣ基板
１の表面側に直接光を照射しなくても、その表面側も高
温となる。

【００３３】このようにして、高い昇温速度での加熱処
理が成され、ｎ^-型エピ膜に注入された不純物が活性化
されて、不純物層が形成される。このとき、本実施形態
のようにマイグレーションが発生しない程度となる１０
００〜１４００℃までの熱処理をＲＦコイル８によって
行い、それを超える温度での熱処理をランプ４によって
行っている。すなわち、マイグレーションが発生しない
温度範囲ではＲＦコイル８によって加熱し、マイグレー
ションが発生しうる温度範囲ではランプ４による早い昇
温速度での加熱を行うようにしている。このため、ＲＦ
コイル８によってチャンバー内をある程度高温となるよ
うにした状態で、ランプ４による高い昇温速度での加熱
を行うことが可能となる。

【００３４】そして、上述したように、ランプ４からの
光を集めてＳｉＣ基板１に照射するようにしているた
め、不純物層を形成したい部位を局所的に高温化させる
ことができる。

【００３５】次に、ランプ４を照射したままウェハステ
ージ６を走査し、ＳｉＣ基板１のうち次に加熱させたい
部位とランプ４からの光が集まる位置とを一致させる。
これにより、ＳｉＣ基板１が加熱され、不純物が活性化
されて不純物層が形成される。そして、ウェハステージ
６の走査による位置合わせ工程とＳｉＣ基板１への光の
照射工程とを繰り返し、順に不純物を活性化させて不純
物層を形成する。

【００３６】このように、本実施形態では、ＲＦコイル
８による熱処理とランプ４を用いた熱処理とを兼用して
活性化処理を行うと共に、ランプ照射をｎ^-型エピ層に
形成する不純物層に直接行うのではなくｎ⁺型基板側に
行うようにしている。また、熱処理中の雰囲気をＳｉＨ
₄ガスとＨ₂ガス又はＨＣｌガスを含む雰囲気としてい
る。このため、以下の効果を得ることができる。

【００３７】まず、マイグレーションが発生しない温度
範囲ではＲＦコイル８によって加熱を行っている。この
ため、チャンバー内全体が高温となり、ランプ４による
加熱に移行した後に加熱が局所的に行われるようになっ
ても、それ以外の領域も加熱することができ、大面積ウ
ェハに対応した熱処理を行うことができる。また、チャ
ンバー内全体を高温とすることができることから、Ｓｉ
Ｃ基板１の面内での温度勾配を小さく抑えることができ
る。

【００３８】また、ランプ４による加熱をＳｉＣ基板１
の一方の面のみとすることができるため、ＳｉＣ基板１
の表面からＳｉＣが昇華してしまうことを抑制すること
ができる。さらに、本実施形態では、ｎ⁺型基板側にラ
ンプ照射している。このｎ⁺型基板の成長温度は２３０
０℃程度であり、活性化熱処理温度やｎ^-型エピ層の成
長温度である１５５０℃程度よりも十分に高い。このた
め、ｎ⁺型基板にランプ照射を行ってもあまりＳｉＣが
昇華しないようにできる。これにより、よりＳｉＣ基板
１の表面荒れを抑制することが可能となる。

【００３９】また、熱処理中の雰囲気にＳｉＨ₄ガスを
含有させているため、Ｓｉリッチな雰囲気とすることが
でき、ＳｉＣ基板１からのＳｉ抜けを防止することがで
きる。さらに、熱処理中の雰囲気にＨ₂ガスまたはＨＣ
ｌガスを含有させているため、マイグレーションした原
子をエッチングすることができ、よりＳｉＣ基板１の表
面荒れを抑制することが可能となる。

【００４０】（第２実施形態）図４に、本発明の第２実
施形態に用いるＳｉＣ半導体製造装置としての熱処理装
置の模式図を示す。この熱処理装置の基本構成は図１に
示す第１実施形態のものと同様であるため、異なる部分
についてのみ説明する。

【００４１】図４に示すように、本実施形態では、加熱
用にランプ４が１つ備えられている。また、ハウジング
部５には、ランプ４とウェハステージ６の上に配置され
たＳｉＣ基板１との間の開閉を行う可動ゲート１０が備
えられている。この可動ゲート１０が開状態の際にはラ
ンプ４から照射された光がウェハステージ６の上に配置
されたＳｉＣ基板１まで届き、閉状態の際にはランプ４
から照射された光が可動ゲート１０によって遮られてＳ
ｉＣ基板１まで届かないようになっている。

【００４２】このような熱処理装置を用いての熱処理方
法は、基本的には第１実施形態と同様であり、その効果
も第１実施形態と同様になるが、本実施形態ではさらに
以下のような作動を行うようにし、以下の効果を得てい
る。

【００４３】まず、ＳｉＣ基板１を第１実施形態と同様
にサセプタ７上に搭載したのち、ウェハステージ６を走
査することでランプ４からの光が集まる位置とＳｉＣ基
板１のうち加熱させる部位とを一致させる。そして、可
動ゲート１０を閉状態としてランプ４を点灯させたの
ち、ランプ４からの照射が安定したら可動ゲート１０を
開状態とする。これにより、ランプ４から発せられた光
がリフレクタ部９の内壁面で反射され、ウェハステージ
６の上部に束ねられて、ＳｉＣ基板１の裏面に向かって
照射される。このため、ＳｉＣ基板１の裏面側の温度が
高い昇温速度で上昇し、不純物が活性化されて不純物層
が形成される。

【００４４】次に、ランプ４を照射したまま可動ゲート
１０を閉状態としたのち、ウェハステージ６やサセプタ
７を走査して、ＳｉＣ基板１のうち次に加熱させたい部
位とランプ４からの光が集まる位置とを一致させる。そ
の後、可動ゲート１０を開状態とする。これにより、Ｓ
ｉＣ基板１が加熱され、不純物が活性化されて不純物層
が形成される。そして、ランプ４を照射したまま可動ゲ
ート１０を閉状態とする工程と、ウェハステージ６の走
査による位置合わせ工程と、可動ゲート１０を開状態と
することによるＳｉＣ基板１への光の照射工程とを繰り
返し、順に不純物を活性化させて不純物層を形成する。

【００４５】このように、本実施形態では、可動ゲート
１０を用いることでランプ４を消灯させること無く次々
と不純物を活性化させ、不純物層を形成するようにして
いる。このため、ランプ４による照射が安定するまでの
間に時間がかかるような場合であっても、各部位での熱
履歴を均等にすることができ、ＳｉＣ基板１の電気的特
性を安定させることができる。また、ランプ４による照
射を行ったままウェハステージ６を走査して位置合わせ
すると、活性化する必要がない箇所にまで光が照射さ
れ、その箇所を加熱してしまうが、本実施形態ではこれ
を防止することができ、ＳｉＣ基板１の温度コントロー
ルを容易にすることができる。

【００４６】なお、可動ゲート１０に対してもランプ４
からの光が照射されることになるが、可動ゲート１０に
はデフォーカス位置での光の照射しかなされないため、
可動ゲート１０を高融点材料で構成しなくてもよい。

【００４７】（第３実施形態）図５に、本発明の第３実
施形態に用いるＳｉＣ半導体製造装置としての熱処理装
置の模式図を示す。この熱処理装置の基本構成は図１に
示す第１実施形態のものと同様であるため、異なる部分
についてのみ説明する。

【００４８】図５に示すように、ランプ４と石英チュー
ブ３との間には石英ロット１１が配置されている。この
石英ロット１１は、図６に示すように、ランプ４での照
射光およびリフレクタ部９での反射光を内面反射させる
ことでＳｉＣ基板１に向けて光を導くようになってい
る。この石英ロット１１は各ランプ４とリフレクタ部９
の組毎に備えられており、各石英ロット１１それぞれか
らＳｉＣ基板１に向けて光が照射されるようになってい
る。

【００４９】このような熱処理装置を用いての熱処理方
法は、基本的には第１実施形態と同様であり、その効果
も第１実施形態と同様になるが、本実施形態のような構
成とすれば、より広範囲に光照射を行えるため、広い範
囲での活性化を行うことが可能となる。

【００５０】（他の実施形態）上記実施形態では、マイ
グレーションが発生しない温度ではＲＦコイル８による
加熱を行い、マイグレーションが発生しうる温度ではラ
ンプ４による加熱を行うようにしているがこれに限るも
のではない。

【００５１】例えば、マイグレーションが発生しない温
度ではＲＦコイル８による加熱を行い、マイグレーショ
ンが発生しうる温度ではランプ４に加えてＲＦコイル８
による加熱を行うようにしても良い。この場合、活性化
が完了したらランプ４を消灯させると共にＲＦコイル８
への通電を止め、加熱を止めるようにする。

【００５２】また、マイグレーションが発生しない温度
でもマイグレーションが発生しうる温度でも、共に、ラ
ンプ４およびＲＦコイル８による加熱を行うようにして
も良い。この場合、活性化が完了したらランプ４を消灯
させると共にＲＦコイル８への通電を止め、加熱を止め
るようにする。

【００５３】上記第３実施形態では、複数の石英ロット
１１からの光がそのままＳｉＣ基板１に照射されるよう
に構成しているが、複数の石英ロット１１からの光をさ
らに１つの石英ロットに集め、その後、ＳｉＣ基板１に
照射されるようにすることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態における熱処理装置を示
す図である。

【図２】図１に示すＲＦコイル８の正面図である。

【図３】図１に示すランプ４を備えるハウジング部５の
正面図である。

【図４】本発明の第２実施形態における熱処理装置を示
す図である。

【図５】本発明の第３実施形態における熱処理装置を示
す図である。

【符号の説明】

１…ＳｉＣ基板、２…ケース部、３…石英チューブ、４
…ランプ、５…ハウジング部、６…ウェハステージ、７
…サセプタ、８…ＲＦコイル、９…リフレクタ部、１０
…可動ゲート、１１…石英ロット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA16 AA17 AA24 BA37 CA05 FA04 FA10 JA10 KA24 LA12 LA15 5F045 AA03 AB06 AC01 AC13 AC16 AD14 AD15 AD16 AD17 AD18 AF02 BB02 BB12 DP04 EB02 EC03 EK02 EK12 EK30 EN10

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭化珪素基板（１）が搭載されるウェハ
   ステージ（６）と、 前記ウェハステージの上に配置され、光の照射を行うラ
   ンプ（４）と、 前記ランプの発する光を集め、前記炭化珪素基板に対し
   て光を照射させる集光手段（９）と、 前記ウェハステージの下方に配置されるＲＦコイル
   （８）とを備え、前記ランプによる熱処理と前記ＲＦコ
   イルによる熱処理の双方が行えるように構成された炭化
   珪素半導体製造装置。
2. 【請求項２】 前記ウェハステージと前記ランプ及び前
   記集光手段との間に配置され、前記ランプからの光が前
   記炭化珪素基板に照射されることを遮る閉状態と、前記
   ランプからの光が前記炭化珪素に照射されるようにする
   開状態とに制御される可動ゲート（１０）を備えている
   ことを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体製造
   装置。
3. 【請求項３】 前記集光手段によって集められた光を透
   過させながら所定方向に導く石英ロット（１１）を備
   え、該石英ロットを通過させた光を前記炭化珪素基板に
   照射するように構成されていることを特徴とする請求項
   １又は２に記載の炭化珪素半導体製造装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３に記載の炭化珪素半導体
   製造装置を用いて炭化珪素半導体を製造する方法であっ
   て、 基板上にエピタキシャル層が形成されていると共に、前
   記エピタキシャル層に不純物のイオン注入が成されたも
   のを前記炭化珪素基板として用意し、前記ウェハステー
   ジ上に前記炭化珪素基板を搭載する工程と、 前記ＲＦコイルによる熱処理により所定温度まで加熱さ
   せる工程と、 前記ランプによる熱処理により、前記所定温度以上に加
   熱させる工程とを行うことで、前記不純物を活性化させ
   ることを特徴とする炭化珪素半導体製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３に記載の炭化珪素半導体
   製造装置を用いて炭化珪素半導体を製造する方法であっ
   て、 基板上にエピタキシャル層が形成されていると共に、前
   記エピタキシャル層に不純物のイオン注入が成されたも
   のを前記炭化珪素基板として用意し、前記ウェハステー
   ジ上に前記炭化珪素基板を搭載する工程と、 前記ＲＦコイルによる熱処理により所定温度まで加熱さ
   せる工程と、 前記ランプおよび前記ＲＦコイルによる熱処理により、
   前記所定温度以上に加熱させる工程とを行うことで、前
   記不純物を活性化させることを特徴とする炭化珪素半導
   体製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１乃至３に記載の炭化珪素半導体
   製造装置を用いて炭化珪素半導体を製造する方法であっ
   て、 基板上にエピタキシャル層が形成されていると共に、前
   記エピタキシャル層に不純物のイオン注入が成されたも
   のを前記炭化珪素基板として用意し、前記ウェハステー
   ジ上に前記炭化珪素基板を搭載する工程と、 前記ランプおよびＲＦコイルによる熱処理を行い、前記
   不純物を活性化させる工程とを有することを特徴とする
   炭化珪素半導体製造方法。