JP2004063574A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004063574A5 JP2004063574A5 JP2002216807A JP2002216807A JP2004063574A5 JP 2004063574 A5 JP2004063574 A5 JP 2004063574A5 JP 2002216807 A JP2002216807 A JP 2002216807A JP 2002216807 A JP2002216807 A JP 2002216807A JP 2004063574 A5 JP2004063574 A5 JP 2004063574A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- heat treatment
- gate electrode
- semiconductor substrate
- surface layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (5)
- 単結晶の半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に多結晶導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極中及び前記ゲート電極に隣接あるいは離間した前記半導体基板の表面層中に不純物を注入する工程と、
主に前記ゲート電極中に注入された不純物を拡散させるとともに前記半導体基板の表面層中に注入された不純物の拡散を抑制する温度で、熱処理を行う第１熱処理工程と、
前記半導体基板中に注入された不純物を活性化する温度で、前記第１熱処理より高温短時間で熱処理を行う第２熱処理工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物を注入する工程は、
前記ゲート電極に隣接する領域の半導体基板の表面層にイオン注入を行い、第１不純物イオン注入領域を形成する第１イオン注入工程と、
前記ゲート電極に離間する領域の半導体基板の表面層にイオン注入を行い、前記第１不純物イオン注入領域より深い第２不純物イオン注入領域を形成する第２イオン注入工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - さらに、
前記第１イオン注入工程後、前記第２イオン注入工程前に、
前記第２熱処理工程と同一条件の、第３熱処理工程を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記多結晶導電膜は、多結晶Ｓｉ膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を密閉収納するチャンバーと
前記チャンバー内に備えられた、照射時間が１００ｍｓ以下、照射エネルギー密度が１０〜６０Ｊ/ｃｍ2である光源を持つ第１の加熱源と、
ハロゲンランプあるいはホットプレートからなる第２の加熱源と
を有するアニール装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002216807A JP3699946B2 (ja) | 2002-07-25 | 2002-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
| US10/263,273 US6770519B2 (en) | 2002-07-25 | 2002-10-03 | Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing |
| TW092119564A TWI225712B (en) | 2002-07-25 | 2003-07-17 | Semiconductor manufacturing method and annealing device |
| CNB031460852A CN1244955C (zh) | 2002-07-25 | 2003-07-21 | 半导体器件的制造方法和退火装置 |
| KR10-2003-0050918A KR100535847B1 (ko) | 2002-07-25 | 2003-07-24 | 반도체 장치의 제조 방법 및 어닐링 장치 |
| US10/867,766 US7300832B2 (en) | 2002-07-25 | 2004-06-16 | Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002216807A JP3699946B2 (ja) | 2002-07-25 | 2002-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005120238A Division JP4372041B2 (ja) | 2005-04-18 | 2005-04-18 | 半導体装置の製造方法およびアニール装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004063574A JP2004063574A (ja) | 2004-02-26 |
| JP2004063574A5 true JP2004063574A5 (ja) | 2004-12-16 |
| JP3699946B2 JP3699946B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=30437651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002216807A Expired - Lifetime JP3699946B2 (ja) | 2002-07-25 | 2002-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6770519B2 (ja) |
| JP (1) | JP3699946B2 (ja) |
| KR (1) | KR100535847B1 (ja) |
| CN (1) | CN1244955C (ja) |
| TW (1) | TWI225712B (ja) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7255899B2 (en) * | 2001-11-12 | 2007-08-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method of substrate |
| JP4063050B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-03-19 | 豊田合成株式会社 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 |
| JP4258631B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2009-04-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4733912B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2011-07-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004356431A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2005142344A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JP4342429B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US7078302B2 (en) * | 2004-02-23 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Gate electrode dopant activation method for semiconductor manufacturing including a laser anneal |
| US7501332B2 (en) * | 2004-04-05 | 2009-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Doping method and manufacturing method for a semiconductor device |
| JP4594664B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-12-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100629266B1 (ko) | 2004-08-09 | 2006-09-29 | 삼성전자주식회사 | 샐리사이드 공정 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2006060156A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20060068556A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP4795759B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2011-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| US7259075B2 (en) | 2005-03-03 | 2007-08-21 | Nec Electronics Corporation | Method for manufacturing field effect transistor |
| JP2006245338A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nec Electronics Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP4825459B2 (ja) | 2005-06-28 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007035984A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| WO2007035660A1 (en) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method to form a device on a soi substrate |
| JP5135743B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2013-02-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20070072382A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR100720484B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 구조 및 그 제조 방법 |
| US20070145495A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-06-28 | Intel Corporation | Method of fabricating a MOSFET transistor having an anti-halo for modifying narrow width device performance |
| JP2007220755A (ja) | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7795122B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Antimony ion implantation for semiconductor components |
| US7981212B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Flash lamp annealing device |
| JP2008108891A (ja) | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7629275B2 (en) * | 2007-01-25 | 2009-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multiple-time flash anneal process |
| US20080268660A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Takaharu Itani | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009188210A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP2009188209A (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Panasonic Corp | 不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP5401803B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2014-01-29 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010021525A (ja) | 2008-06-13 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN101740391B (zh) * | 2008-11-17 | 2011-08-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Nmos晶体管的制作方法 |
| JP2010141103A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 |
| US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
| US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| DE112011100451T5 (de) * | 2010-02-04 | 2013-04-04 | Fuji Electric Co., Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| US8466018B2 (en) * | 2011-07-26 | 2013-06-18 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming a PMOS device with in situ doped epitaxial source/drain regions |
| CN103915388B (zh) * | 2013-01-08 | 2016-05-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
| CN103094216A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种nor闪存器件的退火工艺及nor闪存器件 |
| JP6087874B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2017-03-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP6598630B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2019-10-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法 |
| JP6839939B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2021-03-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法 |
| FR3055948B1 (fr) * | 2016-09-15 | 2018-09-07 | Valeo Vision | Procede de montage d'un composant electroluminescent matriciel sur un support |
| JP6768481B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2020-10-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | ドーパント導入方法および熱処理方法 |
| JP7038558B2 (ja) | 2018-02-05 | 2022-03-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法 |
| JP7032947B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2022-03-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法 |
| US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
| CN111106012B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-05-17 | 电子科技大学 | 一种实现半导体器件局域寿命控制的方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3190653B2 (ja) | 1989-05-09 | 2001-07-23 | ソニー株式会社 | アニール方法およびアニール装置 |
| JP3518122B2 (ja) | 1996-01-12 | 2004-04-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3516424B2 (ja) * | 1996-03-10 | 2004-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体装置 |
| US5817536A (en) * | 1996-03-25 | 1998-10-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method to optimize p-channel CMOS ICs using Qbd as a monitor of boron penetration |
| JP3336604B2 (ja) | 1996-12-13 | 2002-10-21 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5874344A (en) * | 1996-12-30 | 1999-02-23 | Intel Corporation | Two step source/drain anneal to prevent dopant evaporation |
| KR100231607B1 (ko) * | 1996-12-31 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 소자의 초저접합 형성방법 |
| US5837572A (en) * | 1997-01-10 | 1998-11-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS integrated circuit formed by using removable spacers to produce asymmetrical NMOS junctions before asymmetrical PMOS junctions for optimizing thermal diffusivity of dopants implanted therein |
| US6569716B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-05-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a polycrystalline silicon film and thin film transistor using lamp and laser anneal |
| JPH10256538A (ja) | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5981347A (en) * | 1997-10-14 | 1999-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multiple thermal annealing method for a metal oxide semiconductor field effect transistor with enhanced hot carrier effect (HCE) resistance |
| US6207591B1 (en) | 1997-11-14 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and equipment for manufacturing semiconductor device |
| US6271101B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
| US6117737A (en) * | 1999-02-08 | 2000-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Reduction of a hot carrier effect by an additional furnace anneal increasing transient enhanced diffusion for devices comprised with low temperature spacers |
| US6218250B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for minimizing parasitic resistance of semiconductor devices |
| JP2002141298A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002246310A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置 |
| US6642122B1 (en) * | 2002-09-26 | 2003-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual laser anneal for graded halo profile |
| JP2004356431A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-07-25 JP JP2002216807A patent/JP3699946B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-03 US US10/263,273 patent/US6770519B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-17 TW TW092119564A patent/TWI225712B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-21 CN CNB031460852A patent/CN1244955C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-24 KR KR10-2003-0050918A patent/KR100535847B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-06-16 US US10/867,766 patent/US7300832B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004063574A5 (ja) | ||
| TWI225712B (en) | Semiconductor manufacturing method and annealing device | |
| CN1295763C (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| CN1315179C (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| US5294571A (en) | Rapid thermal oxidation of silicon in an ozone ambient | |
| TWI325604B (en) | Methods of heat-treating a semiconductor wafer | |
| JP2005142344A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JP2005072236A5 (ja) | ||
| TWI251880B (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3669384B2 (ja) | 半導体基板中へのドーピング層の形成方法 | |
| JP2004311585A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6476737A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
| TWI733905B (zh) | 裝置形成方法 | |
| JP2003092267A (ja) | 炭化珪素半導体製造装置及びそれを用いた炭化珪素半導体製造方法 | |
| TW559909B (en) | Disclosed is a method for forming a semiconductor device and an apparatus for forming the same | |
| JPS6250971B2 (ja) | ||
| JP5010352B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0547978B2 (ja) | ||
| JP2663523B2 (ja) | 半導体酸化薄膜の形成方法 | |
| JPS595633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000196095A5 (ja) | ||
| JP2005260262A (ja) | 半導体装置の製造方法およびアニール装置 | |
| JPS6486517A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0963980A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH01238012A (ja) | 半導体装置の製造方法 |