JP4258631B2 - フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
請求項1:
合成石英ガラス基板上に少なくとも一層の膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、基板上に位相シフト膜、遮光膜及び反射防止膜から選ばれる膜を形成した後に、閃光ランプによる光を照射強度1〜50J/cm 2 、照射時間を1秒以下として、上記膜の全面に一括照射することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項2:
膜がスパッタリングにより成膜された膜であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項3:
基板よりも光透過率の低い膜を該基板上に1層以上形成した後に閃光ランプによる光を照射することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項4:
膜が位相シフト膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項5:
閃光ランプによる光を照射した位相シフト膜に、更に遮光膜を成膜したものであることを特徴とする請求項4記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項6:
位相シフト膜がケイ素と少なくとも1種のケイ素以外の金属とを含み、更に酸素、炭素及び窒素のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項4又は5記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項7:
請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィ法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
本発明のフォトマスクブランクの製造方法は、基板上に、位相シフト膜、遮光膜、反射防止膜等の膜を成膜した後に、この膜に閃光ランプによる光を照射するものである。
6”の角形石英基板上にMoSiONからなる位相シフト膜を、ターゲットにMoSiを用いて、反応性DCスパッタ法にて位相差が180゜となるように膜厚を調整して成膜した。この位相シフト膜の膜厚は1,030Å(103nm)、248nmの光で基板の膜がないときの透過率を100%とした時の透過率は6%であった。膜の反りは、圧縮応力による0.91μmの反りであった。なお、反りはニデック社製FT−900を用いて測定した(以下同じ)。
次に、この位相シフト膜に対し、キセノン閃光ランプを用い、照射エネルギー15J/cm2、Ar雰囲気中で処理して位相シフトマスクブランクを得た。この位相シフトマスクブランクの反りを測定したところ、引張応力による0.29μmの反りであった。
実施例1と同様の方法で製造した位相シフトマスクブランクを29%のアンモニア水と31%の過酸化水素水と純水とを体積比で1:1:20で混合したアルカリ液に、30℃で10分間浸漬した後の位相差を測定したところ、浸漬前後の位相差の変化量は、キセノン閃光ランプによる光を照射していないものが4.9°であったのに対して、0.5゜以下であった。なお、位相測定にはレーザーテック社製のMPM248を用いた。
基板上に位相シフト膜を成膜し、6”の角形石英基板上にMoSiONからなる位相シフト膜を、ターゲットにMoSi、スパッタリングガスとしてN2とO2を用いて、反応性DCスパッタ法にて位相差が180゜となるように膜厚を調整して成膜した。この位相シフト膜は193nmの光で、基板の膜がないときの透過率を100%とした時の透過率は6%であった。膜の反りは、圧縮応力による0.68μmの反りであった。なお、反りはニデック社製FT−900を用いて測定した。
次に、この位相シフト膜に対し、キセノン閃光ランプを用い、照射エネルギー22J/cm2、窒素雰囲気中で処理して位相シフトマスクブランクを得た。この位相シフトマスクブランクの反りを測定したところ、引張応力による0.18μmの反りであった。
実施例1と同様の方法で、基板上に位相シフト膜を成膜し、この膜の反りを測定したところ、圧縮応力による0.94μmの反りであった。
次に、この位相シフト膜に、ハロゲンランプからの光をAr雰囲気中で基板上の位相シフト膜に膜全体に10秒間照射して位相シフトマスクブランクを得た。なお、同条件でSiウエーハを加熱すると表面は>800℃になる。この位相シフトマスクブランクの反りを測定したところ、圧縮応力による0.86μmの反りであった。
Claims (7)
- 合成石英ガラス基板上に少なくとも一層の膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、基板上に位相シフト膜、遮光膜及び反射防止膜から選ばれる膜を形成した後に、閃光ランプによる光を照射強度1〜50J/cm 2 、照射時間を1秒以下として、上記膜の全面に一括照射することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 膜がスパッタリングにより成膜された膜であることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 基板よりも光透過率の低い膜を該基板上に1層以上形成した後に閃光ランプによる光を照射することを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 膜が位相シフト膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 閃光ランプによる光を照射した位相シフト膜に、更に遮光膜を成膜したものであることを特徴とする請求項4記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 位相シフト膜がケイ素と少なくとも1種のケイ素以外の金属とを含み、更に酸素、炭素及び窒素のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項4又は5記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィ法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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