JP4371230B2 - フォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4371230B2 JP4371230B2 JP2005007096A JP2005007096A JP4371230B2 JP 4371230 B2 JP4371230 B2 JP 4371230B2 JP 2005007096 A JP2005007096 A JP 2005007096A JP 2005007096 A JP2005007096 A JP 2005007096A JP 4371230 B2 JP4371230 B2 JP 4371230B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chromium
- based material
- photomask blank
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
請求項1:
透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜を金属クロムターゲット又はクロム化合物ターゲットを用いたスパッタリングにより、ターゲットに印加するターゲットのスパッタ粒子が放出される面の単位面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項2:
透明基板上に半透過膜とクロム系材料膜とを順に設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、透明基板上に上記半透過膜をスパッタリングにより成膜し、次いで、上記クロム系材料膜を金属クロムターゲット又はクロム化合物ターゲットを用いたスパッタリングにより、ターゲットに印加するターゲットのスパッタ粒子が放出される面の単位面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項3:
上記半透過膜を成膜後、成膜された半透過膜に閃光ランプ光を照射することにより半透過膜の膜応力を低減させてから、上記クロム系材料膜を成膜することを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項4:
上記半透過膜がハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項2又は3記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項5:
上記クロム系材料膜が、遮光膜、反射防止膜又はそれらの積層膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
請求項6:
上記クロム系材料膜の膜厚が60nm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
本発明は、透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であり、このクロム系材料膜をスパッタリングにより、ターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜するものである。
一辺が6インチの角形石英基板上に、Crターゲットを用いた反応性DCスパッタリングにて、ターゲットに印加する単位スパッタリング面積当たりの電力を表1に示されるように設定し、スパッタ圧力を0.2Paとし、基板を予め加熱した後スパッタリング開始時の基板の温度を130℃とし、遮光膜(CrON膜)からなるクロム系材料膜を、波長450nmに対する光学濃度が2.9となるように雰囲気ガス量(Ar:30SCCM)及び反応性ガス量(N2O:5〜15SCCM)を調整することにより膜組成を調整しながら膜厚75.0nmとなるように成膜してフォトマスクブランクを得た。
一辺が6インチの角型石英基板上に、MoSiターゲットを用いた反応性DCスパッタリングにて、ハーフトーン位相シフト膜(MoSiON膜)を、後述する閃光ランプ照射後に、露光光(ArFエキシマレーザ:193nm)に対する位相差が180°、ハーフトーン位相シフト膜を形成していない基板の露光光に対する透過率を100%としたときの透過率が6%となるように、定法に従い、アルゴン、窒素、酸素を用いて膜厚70.0nmに成膜した。このハーフトーン位相シフト膜の膜応力を測定したところ、1200MPaの圧縮応力であった。
2 クロム系材料膜
3 半透過膜(ハーフトーン位相シフト膜)
Claims (6)
- 透明基板上にクロム系材料膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、上記クロム系材料膜を金属クロムターゲット又はクロム化合物ターゲットを用いたスパッタリングにより、ターゲットに印加するターゲットのスパッタ粒子が放出される面の単位面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 透明基板上に半透過膜とクロム系材料膜とを順に設けてなるフォトマスクブランクの製造方法であって、透明基板上に上記半透過膜をスパッタリングにより成膜し、次いで、上記クロム系材料膜を金属クロムターゲット又はクロム化合物ターゲットを用いたスパッタリングにより、ターゲットに印加するターゲットのスパッタ粒子が放出される面の単位面積当たりの電力を5W/cm2以上として成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記半透過膜を成膜後、成膜された半透過膜に閃光ランプ光を照射することにより半透過膜の膜応力を低減させてから、上記クロム系材料膜を成膜することを特徴とする請求項2記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記半透過膜がハーフトーン位相シフト膜であることを特徴とする請求項2又は3記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記クロム系材料膜が、遮光膜、反射防止膜又はそれらの積層膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 上記クロム系材料膜の膜厚が60nm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005007096A JP4371230B2 (ja) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | フォトマスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005007096A JP4371230B2 (ja) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | フォトマスクブランクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006195200A JP2006195200A (ja) | 2006-07-27 |
JP4371230B2 true JP4371230B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=36801328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005007096A Active JP4371230B2 (ja) | 2005-01-14 | 2005-01-14 | フォトマスクブランクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4371230B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4941684B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2012-05-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその加工方法 |
JP4853686B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法、高エネルギー線の照射エネルギー量の決定方法、及びフォトマスクブランクの製造方法 |
JP4853684B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP4853685B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法及び良否判定方法 |
JP4978748B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2012-07-18 | 信越化学工業株式会社 | エッチング方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3064769B2 (ja) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
JP3037941B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2000-05-08 | ホーヤ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク |
JPH11219899A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Hoya Corp | X線マスクブランク及びその製造方法並びにx線マスクの製造方法 |
KR100424853B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2004-03-27 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 이들의 제조방법 및미세패턴의 형성방법 |
JP2002083812A (ja) * | 1999-06-29 | 2002-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線材料およびこれを用いた配線を備えた半導体装置およびその作製方法 |
JP2002169265A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
JP3572053B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2004-09-29 | 株式会社東芝 | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー |
JP3645882B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2005-05-11 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP4258631B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2009-04-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP2005077798A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Ricoh Co Ltd | メタルマスクの製造方法および偏光分離素子 |
-
2005
- 2005-01-14 JP JP2005007096A patent/JP4371230B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006195200A (ja) | 2006-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4462423B2 (ja) | フォトマスクブランクの製造方法 | |
US7514185B2 (en) | Preparation of photomask blank and photomask | |
JP6482608B2 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク | |
TWI233534B (en) | Photomask blank and methods of manufacturing photomask | |
TWI610126B (zh) | 光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法 | |
JP5713953B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびその製造方法 | |
JP6544300B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク | |
KR20060043090A (ko) | 하프톤형 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 및하프톤형 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법 | |
JP4371230B2 (ja) | フォトマスクブランクの製造方法 | |
TWI784139B (zh) | 遮罩基底、相位轉移遮罩及半導體元件之製造方法 | |
US11022875B2 (en) | Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device | |
TWI615667B (zh) | 空白光罩的製造方法 | |
JP7337245B2 (ja) | ブランクマスク、ブランクマスク成膜装置及びブランクマスクの製造方法 | |
JP2014209200A (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 | |
JP4687929B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
JP5629240B2 (ja) | 閃光照射装置 | |
JP6153820B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 | |
JP6336792B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090812 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4371230 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090825 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150911 Year of fee payment: 6 |