JP5802294B2 - フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 299
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 146
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 99
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 85
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 56
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 27
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 69
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 66
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 29
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 24
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- -1 molybdenum silicide compound Chemical class 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical group [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
また、近年では、モリブデンシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いたArFエキシマレーザー用のバイナリマスクなども出現している。
本発明者は、繰返し使用によって透過率や位相差変化が生じた位相シフトマスクの光半透過膜パターンを調べた結果、MoSi系膜の表層側にSiとO、若干のMoを含む変質層が出来ており、これが透過率や位相差の変化、線幅の変化(太り)の主な原因のひとつであることが判明した。そして、このような変質層が生じる理由(メカニズム)は次のように考えられる。すなわち、従来のスパッタ成膜されたMoSi系膜(光半透過膜)は構造的には隙間があり、成膜後にアニールしたとしてもMoSi膜の構造の変化が小さいため、フォトマスクの使用過程においてこの隙間にたとえば大気中の酸素(O2)や水(H2O)、酸素(O2)がArFエキシマレーザーと反応することによって発生するオゾン(O3)等が入り込んで、光半透過膜を構成するSiやMoと反応する。つまり、このような環境で光半透過膜を構成するSiとMoは露光光(特にArFなどの短波長光)の照射を受けると励起され遷移状態となり、Siが酸化及び膨張する(SiよりもSiO2の体積が大きいため)と共に、Moも酸化して光半透過膜の表層側に変質層が生成される。そしてフォトマスクの繰返し使用により、露光光の照射を累積して受けると、Siの酸化及び膨張がさらに進行すると共に、酸化されたMoは変質層中を拡散し、表面に析出して、例えばMoO3となって昇華し、その結果、変質層の厚みが次第に大きくなる(MoSi膜中での変質層の占める割合が大きくなる)ものと考えられる。このような変質層が発生し、さらに拡大していく現象は、光半透過膜を構成するSiやMoの酸化反応のきっかけとなるこれらの構成原子が励起され遷移状態となるのに必要なエネルギーを有するArFエキシマレーザー等の短波長の露光光の場合に顕著に確認される。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
(構成4)前記処理は、酸素を含む雰囲気中でのエネルギー密度を5〜14J/cm2でフラッシュランプ照射によるアニール処理であることを特徴とする構成1又は2に記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
(構成6)前記処理により変質した薄膜の表層の厚さが、10nm以下であることを特徴とする構成1乃至5のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
(構成9)前記保護膜の厚さが、15nm以下であることを特徴とする構成7又は8に記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
(構成11)前記薄膜は、遷移金属シリサイドの化合物を含む材料からなる遮光膜であることを特徴とする構成1乃至9のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
(構成12)前記遷移金属シリサイドは、モリブデンシリサイドであることを特徴とする構成10又は11に記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
たとえばMoSi膜における変質層の発生メカニズムは前述したとおりであるが、この場合のSiの酸化速度(dx/dt)は、dx/dt=k・C0/N0であらわせる。ここで、kは酸化界面における酸化反応係数、C0は酸化界面におけるO2/H2O濃度、N0は単位体積あたりのSiO2分子数である。したがって、たとえば、N0の値を大きくすることによってSiの酸化速度を抑制することができる。そこで、構成2のように、薄膜の主表面を予め変質させる処理を施し、薄膜の表層にケイ素及び酸素を含む層を形成することにより、薄膜の表層のSiO2分子数を増加させることで、Siの酸化速度を抑制する。これにより、たとえH2O、O2やO3を含む環境でフォトマスクに対してArFエキシマレーザーなどの露光光照射が行われても、従来のようなSiの酸化及び膨張による変質層の発生、拡大を効果的に抑えることが可能である。そのため、フォトマスクの繰返し使用を行い、フォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射されても、薄膜パターンの転写特性、例えば光半透過膜の透過率や位相差の変化、線幅変化などを抑えられる。
なお、本発明における薄膜の主表面を予め変質させる処理により変質した薄膜の表層の厚さは、10nm以下であることが好ましい(構成6)。
なお、この場合の上記保護膜の厚さは、15nm以下であることが好ましい(構成9)。
また、構成13にあるように、本発明により得られるフォトマスクブランクにおける前記薄膜を、エッチングによりパターニングする工程を有するフォトマスクの製造方法によって、ArFエキシマレーザーなどの短波長の露光光源に対する耐光性を向上させ、マスク寿命を著しく改善したフォトマスクが得られる。
[第1の実施の形態]
本発明は、透光性基板上に、転写パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして作製されるフォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、前記成膜した薄膜の主表面を予め変質させる処理を施すことを特徴とする。
透光性基板上に上記薄膜を成膜する方法としては、例えばスパッタ成膜法が好ましく挙げられるが、本発明はスパッタ成膜法に限定する必要はない。
本発明で特に好ましくは、550℃〜650℃の範囲での加熱処理である。これは、600℃前後でSi−Nの結合が増加するためであると考えられる。
加熱処理は、酸素を含む雰囲気中で行うが、例えば加熱炉内を酸素置換した雰囲気で行うのが好適である。勿論、大気中で加熱処理を行ってもよい。
また、加熱処理時間については、加熱温度及び加熱処理により変質する薄膜の表層の厚さとの兼ね合いで決定すればよいが、概ね1時間〜3時間程度が好適である。
本実施の形態では、上記薄膜の主表面を予め変質させる処理として、酸素を含む雰囲気中でのエネルギー密度を5〜14J/cm2でフラッシュランプ照射によるアニール処理を行う。照射エネルギー密度が5J/cm2未満であると、洗浄耐性および温水耐性が低下するという問題がある。一方、照射エネルギー密度が14J/cm2よりも高いと、薄膜自体が劣化する恐れが生じる。
本発明で特に好ましくは、酸素を含む雰囲気中でのエネルギー密度を8〜12J/cm2の範囲でのフラッシュランプアニール処理である。
また、フラッシュランプアニール処理中は、薄膜付き基板を加熱しておくことが好適である。基板加熱温度は、例えば、150〜350℃程度の範囲とすることが好ましい。
また、フラッシュランプ照射による処理時間(照射時間)については、上述の照射エネルギー密度及び上記処理により変質する薄膜の表層の厚さとの兼ね合いで決定すればよいが、概ね1〜5ms程度が好適である。
なお、フラッシュランプアニール処理を施す前に、薄膜付き基板に対して例えば280℃以下で低温加熱処理を行っても差し支えない。
本実施の形態では、上記薄膜の主表面を予め変質させる処理として、酸素プラズマ処理を行う。具体的には、例えば、チャンバー内を酸素ガス雰囲気として、所定のRFICPパワー及びRFバイアスパワーを印加することで、酸素ガスをプラズマ化し、チャンバー内に設置した薄膜に対して酸素プラズマを照射することにより行う。
また、酸素プラズマ照射による処理時間(照射時間)については、酸素プラズマ処理条件及び該処理により変質する薄膜の表層の厚さとの兼ね合いで決定すればよいが、概ね1〜10分程度が好適である。
なお、上述の酸素プラズマ処理を施す前に、薄膜付き基板に対して例えば280℃以下で低温加熱処理を行っても差し支えない。
本実施の形態では、透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして作製されるフォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、成膜した薄膜上に保護膜を形成する。成膜した薄膜上に保護膜を形成することにより、薄膜を構成するSi原子の酸化速度を抑制し、従来のようなSiの酸化及び膨張による変質層の発生、拡大を抑えることができる。
本発明により製造される上記位相シフトマスクブランクは、これを用いて位相シフトマスクとしたときに、例えばArFエキシマレーザーなどの短波長光を露光光源としてフォトマスクの繰返し使用を行っても、光半透過膜の透過率や位相差の変化、線幅変化などを抑えられ、性能が劣化せず、フォトマスクの寿命を著しく改善できる。
上記光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光(例えば、露光波長に対して1%〜20%)を透過させるものであって、所定の位相差(例えば180度)を有するものであり、この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。
さらに、位相シフトマスクブランクとして、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜とを有する形態とするものなどが挙げられる。
特に、光半透過膜をモリブデンシリサイド窒化物(MoSiN)で形成し、MoSiN膜の主表面を予め変質させる処理として加熱処理を行う場合、所望の位相差及び透過率を有しつつ、加熱処理による透過率変化を抑制するために、MoSiN膜におけるMoとSiの含有比は、Moが10%以上14%以下(好ましくは、11%以上13%以下)とするのが好ましい。
さらに、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合には、光半透過膜を成膜した後、上記光半透過膜の主表面を予め変質させる処理を施し、その後遮光膜を成膜するとよい。
本発明により製造される上記遮光膜が遷移金属シリサイド系のバイナリマスクブランクは、これを用いてバイナリマスクとしたときに、例えばArFエキシマレーザーなどの短波長光を露光光源としてフォトマスクの繰返し使用を行っても、遮光膜の遮光性の低下、線幅変化などを抑えられ、性能が劣化せず、フォトマスクの寿命を著しく改善できる。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
また、遮光膜上にエッチングマスク膜を有する形態の場合には、遮光膜を成膜した後、上記遮光膜の主表面を予め変質させる処理を施し、その後エッチングマスク膜を成膜するとよい。
かかるフォトマスクの製造方法によれば、ArFエキシマレーザーなどの短波長の露光光源に対する耐光性を向上させ、フォトマスクを繰返し使用しても露光光照射による転写特性の劣化を抑えられ、フォトマスクの寿命を著しく改善したフォトマスクが得られる。
このようにフォトマスクブランク段階での本発明の処理に加えて、形成された薄膜パターンに対しても本発明の処理を行うことにより、とくにパターンの側壁を保護し、パターンの側壁での膜強化が図れ、線幅変化をより低減することが可能となる。
(実施例1)
図1は、本実施例の位相シフトマスクブランク10の断面図である。
透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜2を成膜した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=12mol%:88mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=8:72:100)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。なお、このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は4.52%、位相差が182.5度となっていた。
以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクブランク10を作製した。
次に、上記レジストパターン3aをマスクとして、光半透過膜2(MoSiN膜)のエッチングを行って光半透過膜パターン2aを形成した(同図(d)参照)。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。
次に、残存するレジストパターンを剥離して、位相シフトマスク20を得た(同図(e)参照)。なお、光半透過膜の透過率、位相差はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
上記照射後の光半透過膜(MoSiN膜)の透過率及び位相差を測定したところ、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.70%、位相差は181.9度となっていた。従って、照射前後の変化量は、透過率が+0.54%、位相差が−2.5度であり、変化量は小さく抑えられており、この程度の変化量はフォトマスクの性能に影響はない。また、光半透過膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、とくに従来発生していたような厚い変質層は確認されず、線幅の太り(CD変化量)に関しても5nm未満に抑えられていた。従って、本実施例の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクは、200nm以下の短波長の露光光源による累積照射に対して、極めて高い耐光性を備えていることがわかる。
混合ターゲットのMoSi比及び混合ガス雰囲気のガス流量比を変えたことを除き実施例1と同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=10mol%:90mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=8:72:100)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。
このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は4.86%、位相差が177.6度となっていた。
以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクブランクを作製した。
実施例2と全く同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率及び位相差は実施例2とほぼ同じであった。
次いで、上記MoSiN膜が形成された基板に対して酸素プラズマ処理を施した。具体的には、チャンバー内をO2ガス雰囲気(O2ガス流量100sccm、圧力5Pa)として、RF ICPパワーを750W、及びRFバイアスパワーを250W印加することで、O2ガスをプラズマ化し、MoSiN膜に酸素プラズマを照射した。このとき、酸素プラズマの照射時間を5分、10分として、夫々の場合の光学特性の変化を測定した。
また、この酸素プラズマ照射後のMoSiN膜は、照射時間10分の場合、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は5.27%、位相差が180.2度となっていた。従って、酸素プラズマ照射前後の変化量は、透過率が+0.36%、位相差が−0.3度である。
以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクブランクを作製した。
酸素プラズマの照射時間が5分のものの場合、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は5.13%、位相差が184.2度となっていた。従って、照射前後の変化量は、透過率が+0.03%、位相差が−0.5度であった。
また、照射時間10分のものの場合、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は5.31%、位相差が179.9度となっていた。従って、酸素プラズマ照射前後の変化量は、透過率が+0.04%、位相差が−0.3度である。
したがって、変化量は小さく抑えられており、この程度の変化量はフォトマスクの性能に影響はない。また、光半透過膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、とくに従来発生していたような厚い変質層は確認されず、線幅の太り(CD変化量)に関しても5nm未満に抑えられていた。従って、本実施例の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクにあっても、200nm以下の短波長の露光光源による累積照射に対して、極めて高い耐光性を備えていることがわかる。
実施例2と全く同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率及び位相差は実施例2とほぼ同じであった。
次いで、上記MoSiN膜上に、スパッタリングによりSiON膜を形成した。具体的には、Siターゲットを用い、Arと一酸化窒素(NO)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:NO=1:4)で、ガス圧0.2Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、シリコン、酸素及び窒素からなるSiON膜を10nmの膜厚で形成した。このSiON膜を有するMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.23%、位相差が184.8度となっていた。従って、SiON膜形成後の変化量は、透過率が+1.36%、位相差が+3.7度である。
以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクブランクを作製した。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、遮光膜として、MoSiON膜(裏面反射防止層)、MoSi膜(遮光層)、MoSiON膜(表面反射防止層)、をそれぞれ形成した。
具体的には、MoとSiとの混合ターゲット(Mo:Si=21mol%:79mol%)を用いArとO2とN2とHeとの混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:O2:N2:He=5:4:49:42)で、ガス圧0.2Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:0.3原子%、Si:24.6原子%、O:22.5原子%、N:52.6原子%)を7nmの膜厚で形成した。
次いで、Mo:Si=4mol%:96mol%のターゲットを用い、ArとO2とN2とHe(ガス流量比 Ar:O2:N2:He=6:5:11:16)で、ガス圧0.1Pa、DC電源の電力を3.0kWで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:1.6原子%、Si:38.8原子%、O:18.8原子%、N:41.1原子%)を15nmの膜厚で形成した。
遮光膜の合計膜厚は52nmとした。遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
以上のようにして、本実施例のバイナリマスクブランクを作製した。
次に上記マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
次に、残存するレジストパターンを剥離して、本実施例のバイナリマスクを得た。なお、遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいてマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
酸素プラズマ処理後の遮光膜の断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiON膜/MoSi膜/MoSiON膜からなるパターン側壁(特にMoSi膜)の表面部分に厚さ略5nmの被膜が形成されていた。さらにこの被膜の組成を詳しく分析したところ、Siと酸素を主成分として含む膜であることを確認した。
本実施例は、遮光膜に関し、MoSiON膜(裏面反射防止層)を形成しなかったこと、遮光膜におけるMoSi膜(遮光層)及びMoSiON膜(表面反射防止層)に関し、下記条件で成膜を行い、MoSi膜(遮光層)をMoSiN膜(遮光層)に変え、その膜厚及び膜中のSi含有率を変化させたこと、MoSiON膜(表面反射防止層)の膜厚を変化させたこと、遮光膜の合計膜厚を変化させたこと、を除き、実施例5と同様である。
遮光膜におけるMoSiN膜(遮光層)は、モリブデン、シリコン、窒素からなる膜(Mo:9原子%、Si:72.8原子%、N:18.2原子%)を52nmの膜厚で形成した。また、遮光膜におけるMoSiON膜(表面反射防止層)は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:1.6原子%、Si:38.8原子%、O:18.8原子%、N:41.1原子%)を8nmの膜厚で形成した。
遮光膜の合計膜厚は60nmとした。遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
以上のようにして、本実施例のバイナリマスクブランクを作製した。
次に、上記のバイナリマスクブランクを用いて実施例5と同様にしてバイナリマスクを作製した。なお、遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいてマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
酸素プラズマ処理後の遮光膜の断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiN膜/MoSiON膜からなるパターン側壁(特にMoSiN膜)の表面部分に厚さ略5nmの被膜が形成されていた。さらにこの被膜の組成を詳しく分析したところ、Siと酸素を主成分として含む膜であることを確認した。
酸素プラズマ処理が施されたフォトマスクに対して、ArFエキシマレーザーを総照射量30kJ/cm2となるように連続照射した。照射後の遮光膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、とくに従来発生していたような変質層は確認されず、線幅の太り(CD変化量)に関しても5nm未満に抑えられていた。従って、本実施例のバイナリマスクブランク及びバイナリマスクは、200nm以下の短波長の露光光源による累積照射に対して、極めて高い耐光性を備えていることがわかる。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜を形成した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=10mol%:90mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=5:49:46)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。
比較例1と同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜した。次いで、上記MoSiN膜が形成された透光性基板に対して加熱処理を施した。具体的には、大気中で加熱温度を400℃、加熱時間を2時間として、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得た。なお、このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は7.14%、位相差は178.1度となっていた。また、加熱処理後のMoSiN膜の断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiN膜の表層部分に特に変化はなく、被膜のようなものは形成されていなかった。
次に、実施例1と同様にして、上記の位相シフトマスクブランクを用いて位相シフトマスクを作製した。なお、作製した位相シフトマスクにおける光半透過膜の透過率、位相差はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
2 光半透過膜
3 レジスト膜
10 位相シフトマスクブランク
20 位相シフトマスク
Claims (7)
- 透光性基板上に、転写パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、モリブデン、窒素及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、
次いで、前記成膜した薄膜のSi−N結合を増加するとともに表層のSiO2分子数を増加させて薄膜の表面にケイ素及び酸素を含む層を形成する処理であり、かつ、該薄膜をパターニングして作製されるフォトマスクの薄膜パターンに対してArFエキシマレーザーを総照射量30kJ/cm2となるように連続照射したときに前記薄膜パターンの照射後の線幅変化量が5nm以下となる処理を施すことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 前記処理は、酸素を含む雰囲気中での550℃〜650℃の加熱処理であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、モリブデン(Mo)とケイ素の含有比が、Moが9%以上40%以下である遮光層を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記処理を行った薄膜の表面にエッチングマスク膜を成膜することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記エッチングマスク膜は、少なくともクロムを含むことを特徴とする請求項4に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記処理により変質した薄膜の表層の厚さが、10nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のフォトマスクブランクにおける前記薄膜を、エッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014043575A JP5802294B2 (ja) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014043575A JP5802294B2 (ja) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008335663A Division JP5497288B2 (ja) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014132359A JP2014132359A (ja) | 2014-07-17 |
JP5802294B2 true JP5802294B2 (ja) | 2015-10-28 |
Family
ID=51411435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014043575A Active JP5802294B2 (ja) | 2014-03-06 | 2014-03-06 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5802294B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3748989B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2006-02-22 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2001033939A (ja) * | 1999-05-19 | 2001-02-09 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | マスクブランク若しくはマスクとそれらの製造方法およびそのマスクを用いた露光方法 |
JP3722029B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2005-11-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2002156742A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法 |
JP4466805B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2010-05-26 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
JP4236881B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2009-03-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4258631B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2009-04-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP4579728B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-11-10 | Hoya株式会社 | フォトマスク用ブランクの製造方法とフォトマスク用ブランクおよびフォトマスクの製造方法とフォトマスク |
JP4958149B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2012-06-20 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP5356784B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2013-12-04 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
-
2014
- 2014-03-06 JP JP2014043575A patent/JP5802294B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014132359A (ja) | 2014-07-17 |
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