JP4603983B2 - フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4603983B2 JP4603983B2 JP2006004333A JP2006004333A JP4603983B2 JP 4603983 B2 JP4603983 B2 JP 4603983B2 JP 2006004333 A JP2006004333 A JP 2006004333A JP 2006004333 A JP2006004333 A JP 2006004333A JP 4603983 B2 JP4603983 B2 JP 4603983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask blank
- manufacturing
- film
- phase shift
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
Claims (15)
- 主面上に光学膜を有する透明基板に洗浄処理を施した後に前記光学膜に閃光を照射して該光学膜の応力を緩和させるステップを備えていることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理は、前記透明基板の端面および基板主面の周辺領域に施されるものであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理後の前記光学膜上の直径0.1μm以上のパーティクル数は50個以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理後の前記光学膜上の直径0.1μm以上のパーティクル数は10個以下であることを特徴とする請求項3に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記閃光の照射は、減圧下のチャンバ内で実行されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記閃光の照射時間は、0.1msec乃至100msecであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理はメガソニック洗浄であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜は位相シフト膜であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜はKrFレーザの波長(248nm)の光に対して5〜7%の透過率を有する位相シフト膜であり、前記閃光の照射エネルギは21.5J/cm2以下であることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜はArFレーザの波長(193nm)の光に対して5〜7%の透過率を有する位相シフト膜であり、前記閃光の照射エネルギは32.5J/cm2以下であることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜はF2レーザの波長(157nm)の光に対して5〜7%の透過率を有する位相シフト膜であり、前記閃光の照射エネルギは41.5J/cm2以下であることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記位相シフト膜は、珪素と珪素以外の少なくとも1種の金属を含む層を少なくとも1層備えていることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記珪素以外の少なくとも1種の金属は、W、Mo、Ti、Ta、Zr、Hf、Nb、V、Co、Cr又はNiの何れかであることを特徴とする請求項12に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記位相シフト膜は、モリブデンシリサイド酸化物(MoSiO)、モリブデンシリサイド窒化物(MoSiN)、モリブデンシリサイド炭化物(MoSiC)、モリブデンシリサイド酸化窒化物(MoSiON)、モリブデンシリサイド酸化炭化物(MoSiOC)又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物(MoSiONC)の層を備えていることを特徴とする請求項13に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至14の何れか1項に記載の方法で製造されたフォトマスクブランク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006004333A JP4603983B2 (ja) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006004333A JP4603983B2 (ja) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007187766A JP2007187766A (ja) | 2007-07-26 |
JP4603983B2 true JP4603983B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=38342993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006004333A Active JP4603983B2 (ja) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4603983B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6674809B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2020-04-01 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、位相シフトマスクブランクスの製造方法 |
KR102573280B1 (ko) | 2018-03-21 | 2023-09-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1116867A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Daikin Ind Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2004199035A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP2005208282A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2005331554A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
-
2006
- 2006-01-12 JP JP2006004333A patent/JP4603983B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1116867A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Daikin Ind Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2004199035A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP2005208282A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2005331554A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007187766A (ja) | 2007-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101057564B1 (ko) | 포토마스크 블랭크의 제조 방법 | |
US9354510B2 (en) | EUV mask and method for forming the same | |
JP4204583B2 (ja) | フォトマスクブランクの製造方法 | |
JP4204611B2 (ja) | フォトマスクブランクの製造方法 | |
US7195846B2 (en) | Methods of manufacturing photomask blank and photomask | |
US9651857B2 (en) | Mask and method for forming the same | |
KR101646822B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 | |
JP4204584B2 (ja) | フォトマスクブランクの製造方法 | |
US10120274B2 (en) | Method of manufacturing photomask blank and photomask blank | |
JP4603983B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 | |
US20240069431A1 (en) | Method of manufacturing photo masks | |
TWI476818B (zh) | 微影罩幕的製作方法 | |
JP5629240B2 (ja) | 閃光照射装置 | |
Seo et al. | Properties of EUVL masks as a function of capping layer and absorber stack structures | |
US10126643B2 (en) | Anti-ESD photomask and method of forming the same | |
JP2010066783A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
US20220390827A1 (en) | Lithography mask and methods | |
JP2004279539A (ja) | 荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法 | |
JP2007178634A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
TW202009982A (zh) | 光罩及其製造方法及圖案化膜層的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100928 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101004 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4603983 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |