JPH1116867A - 洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
洗浄方法および洗浄装置Info
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- JPH1116867A JPH1116867A JP16691797A JP16691797A JPH1116867A JP H1116867 A JPH1116867 A JP H1116867A JP 16691797 A JP16691797 A JP 16691797A JP 16691797 A JP16691797 A JP 16691797A JP H1116867 A JPH1116867 A JP H1116867A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】洗浄工程を簡略化し、特殊な洗浄槽および薬液
蒸気処理装置の必要のない洗浄方法を提供する 【解決手段】ウェハを、ＨＦ及び酸化剤を含む洗浄液で
洗浄する第１洗浄工程と、純水を主成分とする洗浄液で
超音波洗浄する第２洗浄工程を含むシリコンウェハの洗
浄方法；及びＨＦ及び酸化剤を含む洗浄液を有する第１
洗浄槽と純水を主成分とする洗浄液を有する超音波発生
手段をその底部に備えた第２洗浄槽およびウェハを第１
洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送手段を備えた洗浄
装置。
蒸気処理装置の必要のない洗浄方法を提供する 【解決手段】ウェハを、ＨＦ及び酸化剤を含む洗浄液で
洗浄する第１洗浄工程と、純水を主成分とする洗浄液で
超音波洗浄する第２洗浄工程を含むシリコンウェハの洗
浄方法；及びＨＦ及び酸化剤を含む洗浄液を有する第１
洗浄槽と純水を主成分とする洗浄液を有する超音波発生
手段をその底部に備えた第２洗浄槽およびウェハを第１
洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送手段を備えた洗浄
装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄方法に係わ
り、特に半導体デバイスを製造するための素材となるシ
リコンウェハの洗浄方法に係わる。
り、特に半導体デバイスを製造するための素材となるシ
リコンウェハの洗浄方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェハの洗浄方法として
は、硫酸、塩酸、アンモニア、過酸化水素水、フッ化水
素酸やこれらの混合液が用いられているが、これらの薬
液では完全に不純物を除去するのは困難であった。ま
た、洗浄工程が複雑で長く、多量の薬液を使用するとい
う問題があった。
は、硫酸、塩酸、アンモニア、過酸化水素水、フッ化水
素酸やこれらの混合液が用いられているが、これらの薬
液では完全に不純物を除去するのは困難であった。ま
た、洗浄工程が複雑で長く、多量の薬液を使用するとい
う問題があった。
【０００３】なお、別法として、特開平８−２１３３５
４号公報および特開平８−１８７４７４号公報におい
て、フッ化水素を含む水溶液で構成される洗浄液に、シ
リコンウェハを浸漬し、これに超音波を作用させる洗浄
方法が提案されている。ただし、この洗浄液を収容する
ために容器は、ステンレス材表面を不動態化処理したも
のでなければならなかった。また、超音波を作用させる
と、液温が上昇し、それに伴って発生する薬液蒸気の処
理装置が必要であった。
４号公報および特開平８−１８７４７４号公報におい
て、フッ化水素を含む水溶液で構成される洗浄液に、シ
リコンウェハを浸漬し、これに超音波を作用させる洗浄
方法が提案されている。ただし、この洗浄液を収容する
ために容器は、ステンレス材表面を不動態化処理したも
のでなければならなかった。また、超音波を作用させる
と、液温が上昇し、それに伴って発生する薬液蒸気の処
理装置が必要であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、洗浄工程を
簡略化し、特殊な洗浄槽および薬液蒸気処理装置の必要
のない洗浄方法を提供することを目的とする。
簡略化し、特殊な洗浄槽および薬液蒸気処理装置の必要
のない洗浄方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の洗浄方
法および洗浄装置を提供するものである。
法および洗浄装置を提供するものである。
【０００６】項１．ウェハを、フッ化水素および酸化剤
を含む洗浄液で洗浄する第１洗浄工程と、純水を主成分
とする洗浄液で超音波洗浄する第２洗浄工程を含むウェ
ハの洗浄方法。
を含む洗浄液で洗浄する第１洗浄工程と、純水を主成分
とする洗浄液で超音波洗浄する第２洗浄工程を含むウェ
ハの洗浄方法。
【０００７】項２．ウェハがシリコン単結晶ウェハであ
る項１記載の洗浄方法。
る項１記載の洗浄方法。
【０００８】項３．第１洗浄工程の洗浄液中のフッ化水
素濃度が、０．０５〜２０重量％である項１または２記
載の洗浄方法。
素濃度が、０．０５〜２０重量％である項１または２記
載の洗浄方法。
【０００９】項４．第１洗浄工程の洗浄液が、０．０５
〜２０重量％のフッ化水素および０．０５〜２０重量％
の酸化剤としての過酸化水素を含む項１〜３のいずれか
に記載の洗浄方法。
〜２０重量％のフッ化水素および０．０５〜２０重量％
の酸化剤としての過酸化水素を含む項１〜３のいずれか
に記載の洗浄方法。
【００１０】項５．第２洗浄工程の洗浄液が、０．００
００１〜５重量％の界面活性剤を含む項１〜４のいずれ
かに記載の洗浄方法。
００１〜５重量％の界面活性剤を含む項１〜４のいずれ
かに記載の洗浄方法。
【００１１】項６．第２洗浄工程の超音波洗浄が、８０
ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの条件下で行われる項１〜５のいず
れかに記載の洗浄方法。
ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの条件下で行われる項１〜５のいず
れかに記載の洗浄方法。
【００１２】項７．フッ化水素および酸化剤を含む洗浄
液を有する第１洗浄槽と純水を主成分とする洗浄液を有
する超音波発生手段をその底部に備えた第２洗浄槽およ
びウェハを第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送手
段を備えた洗浄装置。
液を有する第１洗浄槽と純水を主成分とする洗浄液を有
する超音波発生手段をその底部に備えた第２洗浄槽およ
びウェハを第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送手
段を備えた洗浄装置。
【００１３】項８．ウェハがシリコン単結晶ウェハであ
る項５記載の洗浄装置。
る項５記載の洗浄装置。
【００１４】
（１）洗浄方法について ウェハとしては、例えばシリコン単結晶ウェハ、液晶の
ガラス基板、ガリウム−砒素ウェハなどが挙げられる。
ガラス基板、ガリウム−砒素ウェハなどが挙げられる。
【００１５】第１洗浄工程の洗浄液には、フッ化水素お
よび酸化剤が含まれる。酸化剤としては、過酸化水素、
オゾン等が挙げられ、好ましくは過酸化水素が挙げられ
る。第１洗浄工程は、通常超音波を作用させないで行
う。
よび酸化剤が含まれる。酸化剤としては、過酸化水素、
オゾン等が挙げられ、好ましくは過酸化水素が挙げられ
る。第１洗浄工程は、通常超音波を作用させないで行
う。
【００１６】第１洗浄工程の洗浄液中のフッ化水素の濃
度は、０．０５〜２０重量％程度、好ましくは０．１〜
５重量％程度である。
度は、０．０５〜２０重量％程度、好ましくは０．１〜
５重量％程度である。
【００１７】第１洗浄工程の洗浄液中の酸化剤の濃度
は、０．０５〜２０重量％程度、好ましくは０．１〜１
０重量％程度である。
は、０．０５〜２０重量％程度、好ましくは０．１〜１
０重量％程度である。
【００１８】第１洗浄工程は、上記洗浄液にシリコンウ
ェハなどのウェハを浸漬し、１０〜３０℃程度で０．１
〜１０分間程度処理する。
ェハなどのウェハを浸漬し、１０〜３０℃程度で０．１
〜１０分間程度処理する。
【００１９】第１洗浄工程の前に、ウェハを前処理工程
で処理するのが好ましい。前処理は、オゾン含有水によ
りウェハを１０〜３０℃程度で０．１〜１０分間程度処
理する。オゾン含有水は、好ましくはオゾンを１ｐｐｍ
以上程度含み、該水は、イオン交換水、蒸留水などの超
純水であるのが好ましい。
で処理するのが好ましい。前処理は、オゾン含有水によ
りウェハを１０〜３０℃程度で０．１〜１０分間程度処
理する。オゾン含有水は、好ましくはオゾンを１ｐｐｍ
以上程度含み、該水は、イオン交換水、蒸留水などの超
純水であるのが好ましい。
【００２０】第２洗浄工程は、第１洗浄工程で処理され
たウェハをイオン交換水、蒸留水などの超純水を主成分
とする洗浄液で超音波処理する。第２洗浄工程は、１０
〜５０℃程度で０．１〜１０分間程度行われる。第２洗
浄工程の洗浄液には、界面活性剤を配合するのが好まし
い。界面活性剤の配合量は、０．００００１〜５重量％
程度、好ましくは０．００１〜０．０１重量％程度であ
る。界面活性剤としては、カチオン界面活性剤（１級ア
ミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、４級アンモニウ
ム塩、アルキルピリジニウム塩など）、アニオン界面活
性剤（カルボン酸、スルホン酸、スルホン酸のアルカリ
金属塩、硫酸モノエステルのアルカリ金属塩など）、ノ
ニオン界面活性剤（ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレンアルキルフェノラート、ショ糖
脂肪酸エステル、モノグリセリドなど）のいずれを用い
てもよい。超音波は、８０ｋＨｚ以上であればよく、好
ましくは８０ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ、例えば１００ｋＨｚ
〜３ＭＨｚである。
たウェハをイオン交換水、蒸留水などの超純水を主成分
とする洗浄液で超音波処理する。第２洗浄工程は、１０
〜５０℃程度で０．１〜１０分間程度行われる。第２洗
浄工程の洗浄液には、界面活性剤を配合するのが好まし
い。界面活性剤の配合量は、０．００００１〜５重量％
程度、好ましくは０．００１〜０．０１重量％程度であ
る。界面活性剤としては、カチオン界面活性剤（１級ア
ミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、４級アンモニウ
ム塩、アルキルピリジニウム塩など）、アニオン界面活
性剤（カルボン酸、スルホン酸、スルホン酸のアルカリ
金属塩、硫酸モノエステルのアルカリ金属塩など）、ノ
ニオン界面活性剤（ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレンアルキルフェノラート、ショ糖
脂肪酸エステル、モノグリセリドなど）のいずれを用い
てもよい。超音波は、８０ｋＨｚ以上であればよく、好
ましくは８０ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ、例えば１００ｋＨｚ
〜３ＭＨｚである。
【００２１】第１洗浄工程と第２洗浄工程の間には、必
要であれば超純水洗浄、オゾン洗浄、過酸化水素洗浄な
どの他の洗浄工程をさらに行ってもよい。
要であれば超純水洗浄、オゾン洗浄、過酸化水素洗浄な
どの他の洗浄工程をさらに行ってもよい。
【００２２】第２洗浄工程で処理されたウェハは、必要
に応じて、さらにオゾン、過酸化水素などによる酸化洗
浄工程、フッ化水素洗浄工程、超純水洗浄工程などを行
ってもよい。特に、第２洗浄工程で界面活性剤を使用し
た場合には、該界面活性剤の残留を防止する目的で、オ
ゾンなどの酸化洗浄工程により界面活性剤を酸化分解す
るのが好ましい。酸化処理工程は、酸化剤を含む洗浄液
にウェハを浸漬し、５〜３０℃程度で０．１〜１０分間
程度行われる。酸化剤がオゾンの場合には、１〜１０ｐ
ｐｍ程度、過酸化水素の場合には１〜１０重量％程度で
ある。
に応じて、さらにオゾン、過酸化水素などによる酸化洗
浄工程、フッ化水素洗浄工程、超純水洗浄工程などを行
ってもよい。特に、第２洗浄工程で界面活性剤を使用し
た場合には、該界面活性剤の残留を防止する目的で、オ
ゾンなどの酸化洗浄工程により界面活性剤を酸化分解す
るのが好ましい。酸化処理工程は、酸化剤を含む洗浄液
にウェハを浸漬し、５〜３０℃程度で０．１〜１０分間
程度行われる。酸化剤がオゾンの場合には、１〜１０ｐ
ｐｍ程度、過酸化水素の場合には１〜１０重量％程度で
ある。
【００２３】酸化処理されたウェハは、例えば薄いフッ
化水素水溶液に浸漬して処理し、ウェハの表面に生成じ
た酸化被膜を除去するのが好ましい。フッ化水素濃度
は、０．１〜１０重量％程度である。フッ化水素洗浄工
程は、５〜３０℃程度で０．１〜１０分間程度行われ
る。
化水素水溶液に浸漬して処理し、ウェハの表面に生成じ
た酸化被膜を除去するのが好ましい。フッ化水素濃度
は、０．１〜１０重量％程度である。フッ化水素洗浄工
程は、５〜３０℃程度で０．１〜１０分間程度行われ
る。
【００２４】フッ化水素洗浄工程を行った後は、イオン
交換水、蒸留水などの超純水によりウェハを洗浄するの
が好ましい。洗浄条件は、イオン交換水、蒸留水などの
超純水中にウェハを浸漬し、５〜３０℃程度で１〜１０
分間程度である。
交換水、蒸留水などの超純水によりウェハを洗浄するの
が好ましい。洗浄条件は、イオン交換水、蒸留水などの
超純水中にウェハを浸漬し、５〜３０℃程度で１〜１０
分間程度である。
【００２５】（２）洗浄装置 本発明の洗浄装置は、フッ化水素および酸化剤を含む洗
浄液を有する第１洗浄槽(1)と純水を主成分とする洗浄
液を有する超音波発生手段(2)を備えた第２洗浄槽(3)お
よびウェハを第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送
手段(4)を少なくとも備えている。本発明の第１洗浄槽
の材質は、フッ化水素により侵されないものであればよ
く、例えばＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとアルキル
ビニルエーテルの共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフ
ルオロエチレン）、ポリクロロトリフルオロエチレンな
どのフッ素樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレンなどの熱可塑性樹脂が挙げられる。第１洗浄槽
に加えられる洗浄液は、上記洗浄方法の第１洗浄工程で
用いられる洗浄液と同じである。
浄液を有する第１洗浄槽(1)と純水を主成分とする洗浄
液を有する超音波発生手段(2)を備えた第２洗浄槽(3)お
よびウェハを第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送
手段(4)を少なくとも備えている。本発明の第１洗浄槽
の材質は、フッ化水素により侵されないものであればよ
く、例えばＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとアルキル
ビニルエーテルの共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフ
ルオロエチレン）、ポリクロロトリフルオロエチレンな
どのフッ素樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレンなどの熱可塑性樹脂が挙げられる。第１洗浄槽
に加えられる洗浄液は、上記洗浄方法の第１洗浄工程で
用いられる洗浄液と同じである。
【００２６】第２洗浄槽は、超音波洗浄を行うため、超
音波を減衰させないような肉厚の薄くかつ十分な強度を
有する洗浄槽が好ましい。該第２洗浄槽の好ましい素材
としては、石英、タンタル、ステンレスが挙げられる。
第２洗浄槽の底部には、超音波発生装置が設けられ、第
２洗浄槽に浸漬されたウェハに超音波を適用するように
構成してある。
音波を減衰させないような肉厚の薄くかつ十分な強度を
有する洗浄槽が好ましい。該第２洗浄槽の好ましい素材
としては、石英、タンタル、ステンレスが挙げられる。
第２洗浄槽の底部には、超音波発生装置が設けられ、第
２洗浄槽に浸漬されたウェハに超音波を適用するように
構成してある。
【００２７】ウェハは、第１洗浄槽で所定時間処理され
た後、移送手段により第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送
される。なお、第１洗浄槽と第２洗浄槽が隣接している
場合には、ウェハは第１洗浄槽から第２洗浄槽に直接移
送されるが、第１洗浄槽と第２洗浄槽の間に任意の洗浄
槽を設けた場合には、ウェハは、第１洗浄槽から移送手
段により、任意の洗浄槽に移送され洗浄された後、第２
洗浄槽に移送される。
た後、移送手段により第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送
される。なお、第１洗浄槽と第２洗浄槽が隣接している
場合には、ウェハは第１洗浄槽から第２洗浄槽に直接移
送されるが、第１洗浄槽と第２洗浄槽の間に任意の洗浄
槽を設けた場合には、ウェハは、第１洗浄槽から移送手
段により、任意の洗浄槽に移送され洗浄された後、第２
洗浄槽に移送される。
【００２８】前記移送手段は、第１洗浄槽、第２洗浄槽
以外にも複数の洗浄槽がある場合には、各洗浄槽にウェ
ハを順番に移送することができる。
以外にも複数の洗浄槽がある場合には、各洗浄槽にウェ
ハを順番に移送することができる。
【００２９】本発明の洗浄装置には、第１洗浄槽の前に
必要に応じて前処理槽を設けることができ、第２洗浄槽
の後に、必要に応じて酸化洗浄槽(6)、フッ化水素洗浄
槽(7)、超純水洗浄槽(8)などをさらに設けてもよい。
必要に応じて前処理槽を設けることができ、第２洗浄槽
の後に、必要に応じて酸化洗浄槽(6)、フッ化水素洗浄
槽(7)、超純水洗浄槽(8)などをさらに設けてもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明により、シリコン単結晶ウェハな
どのウェハに付着した有機物、金属および微粒子等の不
純物を取り除くことができる。
どのウェハに付着した有機物、金属および微粒子等の不
純物を取り除くことができる。
【００３１】ウェハ表面に有機物が付着している場合に
は、オゾン、過酸化水素などの酸化剤を含む洗浄液でウ
ェハを前処理して有機物を酸化分解するのが好ましい。
は、オゾン、過酸化水素などの酸化剤を含む洗浄液でウ
ェハを前処理して有機物を酸化分解するのが好ましい。
【００３２】本発明の第１洗浄工程により、フッ化水素
酸の作用で微粒子および金属を除去し、共存する酸化剤
により生じた酸化膜も同時に除去することができる。酸
化剤で前処理した場合には、該前処理により生成した酸
化膜もフッ化水素により除去することができる。
酸の作用で微粒子および金属を除去し、共存する酸化剤
により生じた酸化膜も同時に除去することができる。酸
化剤で前処理した場合には、該前処理により生成した酸
化膜もフッ化水素により除去することができる。
【００３３】本発明の第２洗浄工程により、超音波の作
用で、第１洗浄工程では除去されなかった微粒子を除去
することができる。
用で、第１洗浄工程では除去されなかった微粒子を除去
することができる。
【００３４】第１洗浄工程では、超音波を用いていない
ため、フッ化水素酸により洗浄槽がダメージを受けるこ
とはない。また、第２洗浄工程では、超音波を用いる
が、洗浄液として純水および必要に応じて界面活性剤を
用いるのみであり、フッ化水素の様な腐食性の薬液を用
いないため、洗浄槽を長期間用いることができる。
ため、フッ化水素酸により洗浄槽がダメージを受けるこ
とはない。また、第２洗浄工程では、超音波を用いる
が、洗浄液として純水および必要に応じて界面活性剤を
用いるのみであり、フッ化水素の様な腐食性の薬液を用
いないため、洗浄槽を長期間用いることができる。
【００３５】第２洗浄工程で界面活性剤を用いた場合に
は、さらに、酸化洗浄工程、フッ化水素洗浄工程、超純
水洗浄工程などを行うことで、洗浄をより高度に行うこ
とができる。
は、さらに、酸化洗浄工程、フッ化水素洗浄工程、超純
水洗浄工程などを行うことで、洗浄をより高度に行うこ
とができる。
【００３６】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００３７】実施例１ ＣＺ法により製造した直径１００ｍｍのシリコンウェハ
に、粒径約０．６μｍのポリスチレンラテックス（ＰＳ
Ｌ）粒子もしくは粒径約０．４μｍのＡｌ2Ｏ3粒子を約
５０００個付着させた。該粒子付着ウェハ２枚を洗浄液
（ＨＦ（１％）／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ）に２５℃、
１０分間浸漬した後、超純水中にて超音波を９５０ｋＨ
ｚ、６００Ｗの条件で照射しながら１０分間洗浄し、さ
らに超純水中で１０分間リンスし乾燥を行った。乾燥後
のウェハに付着するパーティクルを日立電子エンジニア
リング社製パーティクルカウンター（ＬＳ−５０００）
により測定し、粒子除去率を計算した。結果を平均値と
して表１に示す。
に、粒径約０．６μｍのポリスチレンラテックス（ＰＳ
Ｌ）粒子もしくは粒径約０．４μｍのＡｌ2Ｏ3粒子を約
５０００個付着させた。該粒子付着ウェハ２枚を洗浄液
（ＨＦ（１％）／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ）に２５℃、
１０分間浸漬した後、超純水中にて超音波を９５０ｋＨ
ｚ、６００Ｗの条件で照射しながら１０分間洗浄し、さ
らに超純水中で１０分間リンスし乾燥を行った。乾燥後
のウェハに付着するパーティクルを日立電子エンジニア
リング社製パーティクルカウンター（ＬＳ−５０００）
により測定し、粒子除去率を計算した。結果を平均値と
して表１に示す。
【００３８】比較例１ 実施例１の該粒子付着ウェハ２枚を、ＮＨ4ＯＨ（２９
％）／Ｈ2Ｏ2（３０％）／Ｈ2Ｏ＝０．１／１／５の混
合液を用い、８０℃で１０分間洗浄し、その後、超純水
で１０分間リンスし乾燥した。乾燥後のウェハに付着す
るパーティクルを日立電子エンジニアリング社製パーテ
ィクルカウンター（ＬＳ−５０００）により測定し、粒
子除去率を計算した。結果を平均値として表１に示す。
％）／Ｈ2Ｏ2（３０％）／Ｈ2Ｏ＝０．１／１／５の混
合液を用い、８０℃で１０分間洗浄し、その後、超純水
で１０分間リンスし乾燥した。乾燥後のウェハに付着す
るパーティクルを日立電子エンジニアリング社製パーテ
ィクルカウンター（ＬＳ−５０００）により測定し、粒
子除去率を計算した。結果を平均値として表１に示す。
【００３９】比較例２ 実施例１の該粒子付着ウェハ２枚を、ＨＦ（０．５％）
／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ 2Ｏ溶液に超音波を９５０ｋＨ
ｚ、６００Ｗの条件で照射しながら１０分間洗浄し、さ
らに超純水中で１０分間リンスし乾燥を行った。乾燥後
のウェハに付着するパーティクルを日立電子エンジニア
リング社製パーティクルカウンター（ＬＳ−５０００）
により測定し、粒子除去率を計算した。結果を平均値と
して表１に示す。
／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ 2Ｏ溶液に超音波を９５０ｋＨ
ｚ、６００Ｗの条件で照射しながら１０分間洗浄し、さ
らに超純水中で１０分間リンスし乾燥を行った。乾燥後
のウェハに付着するパーティクルを日立電子エンジニア
リング社製パーティクルカウンター（ＬＳ−５０００）
により測定し、粒子除去率を計算した。結果を平均値と
して表１に示す。
【００４０】
【表１】 表１に示すように、本発明の洗浄方法は、従来の洗浄方
法と同等以上の洗浄力を有していることが明らかになっ
た。
法と同等以上の洗浄力を有していることが明らかになっ
た。
【００４１】実施例２及び比較例３、４ 石英槽に超純水（実施例２）、ＨＦ（５％）／Ｈ2Ｏ
2（１％）／Ｈ2Ｏ（比較例３）もしくはＨＦ（１％）／
Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ（比較例４）を４０００ｇ入
れ、超音波を９５０ｋＨｚ、６００Ｗの条件で３０分、
６０分及び９０分間照射し、石英槽の重量変化を調べ
た。結果を表２に示す。
2（１％）／Ｈ2Ｏ（比較例３）もしくはＨＦ（１％）／
Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ（比較例４）を４０００ｇ入
れ、超音波を９５０ｋＨｚ、６００Ｗの条件で３０分、
６０分及び９０分間照射し、石英槽の重量変化を調べ
た。結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】 メガソニック 石英槽の重量減少率（％） 照射時間 実施例２ 比較例３ 比較例４ ３０分 − ０．０４ ０．０１ ６０分 − ０．１０ ０．０４９０分 ０ ０．１９ ０．０７ 表２に示すように、メガソニック洗浄時に超純水を用い
た本発明の洗浄工程では石英槽の重量減少は見られない
が、ＨＦを用いた従来の洗浄方法は、洗浄力は優れてい
たが、石英槽が腐食され、重量が９０分で０．１９％
（比較例３）および０．０７％（比較例４）減少した。
た本発明の洗浄工程では石英槽の重量減少は見られない
が、ＨＦを用いた従来の洗浄方法は、洗浄力は優れてい
たが、石英槽が腐食され、重量が９０分で０．１９％
（比較例３）および０．０７％（比較例４）減少した。
【００４３】実施例３及び比較例５ 石英槽に超純水（実施例３）もしくはＨＦ（０．５％）
／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ（比較例５）を４０００ｇ入
れ、超音波を９５０ｋＨｚ、６００Ｗの条件で１０分間
照射した後、照射前及び照射後の液中の１０ｍｌ当たり
のパーティクルの個数（パーティクルの大きさ、０．２
μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ、１μｍ）を、リオン社
製パーティクルカウンター（ＫＬ−２２）を用いて測定
し、パーティクルの増加数を計算した。結果を表３に示
す。
／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ（比較例５）を４０００ｇ入
れ、超音波を９５０ｋＨｚ、６００Ｗの条件で１０分間
照射した後、照射前及び照射後の液中の１０ｍｌ当たり
のパーティクルの個数（パーティクルの大きさ、０．２
μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ、１μｍ）を、リオン社
製パーティクルカウンター（ＫＬ−２２）を用いて測定
し、パーティクルの増加数を計算した。結果を表３に示
す。
【００４４】
【表３】 パーティクル増加数 0.2-0.3μｍ 0.3-0.5μｍ 0.5-1μｍ 1-2μｍ 2μｍ以上 実施例３ ５４９ ２５６ ３１ ４ ０比較例５ ５７７７ ２３４３ ２８１ ２４ ６ 薬液中のパーティクルがあるとウェハに付着する可能性
があり、付着すると歩留まり低下の原因になる。超純水
またはＨＦ（０．５％）／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏリン
スを行った後のウェハ上の粒子増加数を調べたところ、
実施例４の超純水中では、０．３２μｍ以上の粒子につ
いて１３個の付着があったのに対し、比較例４のＨＦ
（０．５％）／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ中では、０．３
２μｍ以上の粒子について９９個の増加が認められた。
があり、付着すると歩留まり低下の原因になる。超純水
またはＨＦ（０．５％）／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏリン
スを行った後のウェハ上の粒子増加数を調べたところ、
実施例４の超純水中では、０．３２μｍ以上の粒子につ
いて１３個の付着があったのに対し、比較例４のＨＦ
（０．５％）／Ｈ2Ｏ2（１％）／Ｈ2Ｏ中では、０．３
２μｍ以上の粒子について９９個の増加が認められた。
【００４５】本発明は、パーティクルの増加を抑えるこ
とによって、ウェハに付着するパーティクルの数を低減
することができる。
とによって、ウェハに付着するパーティクルの数を低減
することができる。
【００４６】実施例４ 超純水中にアニオン界面活性剤（Ｃ12Ｈ25−（ＰｈＳＯ
3）−Ｏ−（ＰｈＳＯ3）；０．００５％）を加えた他は
実施例１と同様にしてＰＳＬ粒子もしくはＡｌ 2Ｏ3粒子
が付着したウェハの洗浄を行った。結果を表４に示す。
3）−Ｏ−（ＰｈＳＯ3）；０．００５％）を加えた他は
実施例１と同様にしてＰＳＬ粒子もしくはＡｌ 2Ｏ3粒子
が付着したウェハの洗浄を行った。結果を表４に示す。
【００４７】実施例５ 超純水中にアニオン界面活性剤に代えてカチオン界面活
性剤（Ｃ12Ｈ25Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）2；０．００５
％）を加えた他は実施例４と同様にしてＰＳＬ粒子もし
くはＡｌ2Ｏ3粒子が付着したウェハの洗浄を行った。結
果を表４に示す。
性剤（Ｃ12Ｈ25Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）2；０．００５
％）を加えた他は実施例４と同様にしてＰＳＬ粒子もし
くはＡｌ2Ｏ3粒子が付着したウェハの洗浄を行った。結
果を表４に示す。
【００４８】実施例６ 超純水中にアニオン界面活性剤に代えてノニオン界面活
性剤（Ｃ9Ｆ17Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）17ＣＨ3；）を加え
た他は実施例４と同様にしてＰＳＬ粒子もしくはＡｌ2
Ｏ3粒子が付着したウェハの洗浄を行った。結果を表４
に示す。
性剤（Ｃ9Ｆ17Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）17ＣＨ3；）を加え
た他は実施例４と同様にしてＰＳＬ粒子もしくはＡｌ2
Ｏ3粒子が付着したウェハの洗浄を行った。結果を表４
に示す。
【００４９】比較例６ 超純水中に界面活性剤を加えなかった他は実施例４と同
様にしてＰＳＬ粒子もしくはＡｌ2Ｏ3粒子が付着したウ
ェハの洗浄を行った。結果を表４に示す。
様にしてＰＳＬ粒子もしくはＡｌ2Ｏ3粒子が付着したウ
ェハの洗浄を行った。結果を表４に示す。
【００５０】
【表４】粒 子 比較例 実施例４ 実施例５ 実施例６ ＰＳＬ ９８．０ ９８．９ ９９．２ ９８．４Ａｌ 2Ｏ 3 ９７．１ ９９．３ ９９．５ １００
【図１】本発明の洗浄装置を示す概略図である。
１ 第１洗浄槽 ２ 超音波発生手段 ３ 第２洗浄槽 ４ 移送手段 ５ ウェハ６ 酸化洗浄槽 ７ フッ化水素洗浄槽 ８ 超純水洗浄槽
Claims (8)
- 【請求項１】ウェハを、フッ化水素および酸化剤を含む
洗浄液で洗浄する第１洗浄工程と、純水を主成分とする
洗浄液で超音波洗浄する第２洗浄工程を含むシリコンウ
ェハの洗浄方法。 - 【請求項２】ウェハがシリコン単結晶ウェハである請求
項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】第１洗浄工程の洗浄液中のフッ化水素濃度
が、０．０５〜２０重量％である請求項１または２記載
の洗浄方法。 - 【請求項４】第１洗浄工程の洗浄液が、０．０５〜２０
重量％のフッ化水素および０．０５〜２０重量％の酸化
剤としての過酸化水素を含む請求項１〜３のいずれかに
記載の洗浄方法。 - 【請求項５】第２洗浄工程の洗浄液が、０．００００１
〜５重量％の界面活性剤を含む請求項１〜４のいずれか
に記載の洗浄方法。 - 【請求項６】第２洗浄工程の超音波洗浄が、８０ｋＨｚ
〜１０ＭＨｚの条件下で行われる請求項１〜５のいずれ
かに記載の洗浄方法。 - 【請求項７】フッ化水素および酸化剤を含む洗浄液を有
する第１洗浄槽と純水を主成分とする洗浄液を有する超
音波発生手段をその底部に備えた第２洗浄槽およびウェ
ハを第１洗浄槽から第２洗浄槽に移送する移送手段を備
えた洗浄装置。 - 【請求項８】ウェハがシリコン単結晶ウェハである請求
項５記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16691797A JPH1116867A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16691797A JPH1116867A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116867A true JPH1116867A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15840051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16691797A Pending JPH1116867A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116867A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187766A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| CN102709161A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-10-03 | 鞍山市联达电子有限公司 | 一种半导体一次闭管扩散方法 |
| WO2013099728A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16691797A patent/JPH1116867A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007187766A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| JP4603983B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2010-12-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| WO2013099728A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| JP5303741B1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| CN102709161A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-10-03 | 鞍山市联达电子有限公司 | 一种半导体一次闭管扩散方法 |
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