WO2013099728A1

WO2013099728A1 - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法

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Publication number: WO2013099728A1
Application number: PCT/JP2012/082895
Authority: WO
Inventors: 典子島津
Original assignee: コニカミノルタ株式会社
Priority date: 2011-12-28
Filing date: 2012-12-19
Publication date: 2013-07-04
Also published as: CN104137180B; CN104137180A; JPWO2013099728A1; JP5303741B1

Abstract

　ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の研磨を行なう工程と、ガラス基板の研磨を行なった後に、ガラス基板の洗浄を行なう工程とを備える。ガラス基板の洗浄を行なう工程は、槽内面がステンレスまたは樹脂からなる第１槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程と、第１槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程が完了した後に行なわれ、槽内面が石英からなる第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程とを含む。ガラス基板に付着した不純物のゼータ電位の値と、上記ステンレスおよび上記樹脂のゼータ電位の値と、ガラス基板のゼータ電位の値とが全て同符号であり、ステンレスおよび樹脂のゼータ電位の絶対値よりも、ガラス基板のゼータ電位の絶対値の方が大きい。

Description

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法

　本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。

　コンピュータなどに用いられる情報記録媒体（磁気ディスク記録媒体）には、従来からアルミニウム基板またはガラス基板が用いられている。これらの基板上に磁気薄膜層が形成され、磁気薄膜層を磁気ヘッドで磁化することにより、磁気薄膜層に情報が記録される。

　近年、ハードディスクドライブ装置においては、２．５インチの記録媒体１枚で、記録容量が５００ＧＢ（片面２５０ＧＢ）、面記録密度が６３０Ｇｂ／平方インチ以上の記録密度を有するものが開発されており、磁気ヘッドと情報記録媒体との間の距離（フライングハイト）がさらに小さくなってきている。

　フライングハイトが小さくなるにつれて、情報記録媒体をハードディスクドライブ装置に用いた場合の不良（ヘッドクラッシュ）を抑えるために、情報記録媒体として許容される基板表面の欠陥の大きさもより小さくなってきている。また、情報記録媒体用ガラス基板の表面欠陥についても大きさおよび個数に対する要求が厳しくなってきている。

　これらの厳しい要求を満足するために、情報記録媒体用ガラス基板の研磨加工、洗浄方法を工夫して情報記録媒体用ガラス基板の欠陥を低減すべく工夫がなされている。しかし、磁気ヘッドに採用されるＤＦＨ（Dynamic　Flying　Height）機構等により、ますます情報記録媒体への精度が厳しくなってきている。

特開２００７－２６８４４８号公報

　この発明が解決しようとする課題は、情報記録媒体用ガラス基板の製造過程における、情報記録媒体用ガラス基板の欠陥低減の要求が厳しくなってきている点にある。

　情報記録媒体用ガラス基板の欠陥を低減するために、該基板の高い清浄性および高い平滑性が求められる。

　たとえば、半導体ウエハを洗浄する場合には、石英槽に被洗浄物を浸し、超音波を印加することが行なわれている（たとえば、特許文献１）。

　しかし、複数の洗浄槽を用いてガラス基板の洗浄を行なうにあたり、単純に洗浄槽をすべて石英槽にすれば、ガラス基板に付着した付着物を十分に落とすことができるというものではない。

　本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであって、情報記録媒体用ガラス基板の製造過程で生じる不良を低減することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の研磨を行なう工程と、ガラス基板の研磨を行なった後に、ガラス基板の洗浄を行なう工程とを備える。

　ガラス基板の洗浄を行なう工程は、槽内面がステンレスまたは樹脂からなる第１槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程と、第１槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程が完了した後に行なわれ、槽内面が石英からなる第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程とを含む。

　ガラス基板に付着した不純物のゼータ電位の値と、上記ステンレスおよび上記樹脂のゼータ電位の値と、ガラス基板のゼータ電位の値とが全て同符号であり、ステンレスおよび樹脂のゼータ電位の絶対値よりも、ガラス基板のゼータ電位の絶対値の方が大きい。

　なお、本明細書において、「ガラス基板に付着した不純物」とは、ガラス基板の研磨工程において付着した研磨工程由来のものと、洗浄槽の材質由来のものとの一方または両方を含む概念である。

　１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、不純物のゼータ電位の絶対値と、ステンレスおよび樹脂のゼータ電位の絶対値との差が１０ｍＶ以上である。

　１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、第１槽の槽内面は、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレンおよびポリカーボネートからなる群のうちの１つの素材からなる。

　１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス基板の洗浄を行なう工程は、第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程を行なう前に、ガラス基板に対してスクラブ洗浄を行なう工程を含む。

　１つの実施態様では、上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程は、９００ｋＨｚ以上の周波数の超音波をガラス基板に印加することを含む。

　本発明によれば、情報記録媒体用ガラス基板の製造過程で生じる不良を低減することができる。

実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の斜視図である。実施の形態における情報記録媒体の斜視図である。実施の形態における情報記録媒体の製造方法を示すフロー図である。本発明の実施例に係る各洗浄工程を行なうための洗浄装置を模式的に示す図である。洗浄液の水素イオン指数と、不純物、ガラス基板および洗浄槽内面のゼータ電位との関係を示す図である。

　以下に、本発明の実施の形態および実施例について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。

　なお、以下に説明する実施の形態および実施例において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。

　（情報記録媒体１の構成）
　図１および図２を参照して、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の構成について説明する。図１は、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇの斜視図、図２は、情報記録媒体の斜視図である。

　図１に示すように、情報記録媒体１に用いられる情報記録媒体用ガラス基板１Ｇ（以下、「ガラス基板１Ｇ」と称する。）は、中心に孔１１が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１Ｇは、外周端面１２、内周端面１３、表主表面１４、および裏主表面１５を有している。ガラス基板１Ｇとしては、アモルファスガラス等を用い、たとえば、外径約６５ｍｍ、内径約２０ｍｍ、厚さ約０．８ｍｍ、表面粗さは、約２．０Å以下である。

　ガラス基板１Ｇのインチサイズに特に限定はなく、０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、３．５インチ各種ガラス基板１Ｇを、情報記録媒体用のディスクとして製造してもよい。

　落下衝撃によるガラス基板１Ｇの割れに対して有効であることから、ガラス基板１Ｇの厚みは０．３０ｍｍ～２．２ｍｍが好ましい。ここでいうガラス基板１Ｇの厚みとは基板上の点対象となる任意の何点かで測定した値の平均値を意味する。

　図２に示すように、情報記録媒体１は、上記したガラス基板１Ｇの表主表面１４上に磁気薄膜層２３が形成されている。図示では、表主表面１４上にのみ磁気薄膜層２３が形成されているが、裏主表面１５上に磁気薄膜層２３を設けることも可能である。

　磁気薄膜層２３の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法、スパッタリングにより形成する方法、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。

　スピンコート法での膜厚は約０．３～１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４～０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５～０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成がよい。

　磁気薄膜層２３に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉ、Ｃｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられるようになってきている。

　磁気ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２３の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。

　必要により下地層、保護層を設けてもよい。情報記録媒体１における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。

　下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。

　磁気薄膜層２３の摩耗、腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。

　上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層を形成してもよい。

　（ガラス基板１Ｇの製造工程）
　次に、図３を参照して、本実施の形態に係るガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の製造方法を説明する。図３は、ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の製造方法を示すフロー図である。

　まず、ステップ１０（以下、「Ｓ１０」と略す。ステップ１１以降も同様。）の「ガラス溶融工程」において、ガラス基板を構成するガラス素材を溶融する。

　Ｓ１１の「プレス成形工程」において、溶融させたガラス素材を上型および下型を用いたプレスによりガラス基板を作製した。使用したガラス組成は、一般的なアルミノシリケートガラスを用いた。ガラス基板の作製方法としては成形に限らず、公知の手法である板ガラスからの切り出し等でも構わず、ガラス組成もこれに限らない。

　Ｓ１２の「第１ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面をラッピング加工した。この第１ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置を用いて行なった。具体的には、ガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行なった。このラッピング加工により、おおよそ平坦な主表面を有するガラス基板を得た。

　Ｓ１３の「コアリング工程」において、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ガラス基板の中心部に穴を形成し、円環状のガラス基板を作製した。ガラス基板の内周端面、および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を実施した。

　Ｓ１４の「第２ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面について、上記第１ラップ工程（Ｓ１２）と同様に、ラッピング加工を行なった。この第２ラップ工程を行なうことにより、前工程のコアリングや端面加工において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができる。その結果、後工程での主表面の研磨時間を短縮することができる。

　Ｓ１５の「外周研磨工程」において、ガラス基板の外周端面について、ブラシ研磨による鏡面研磨を行なった。このとき研磨砥粒としては、一般的な酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いた。

　Ｓ１６の「第１ポリッシュ工程」において、主表面研磨を行なった。この第１ポリッシュ工程は、上述の第１および第２ラップ工程（Ｓ１２，Ｓ１４）において主表面に残留したキズや反りを矯正することを主目的とするものである。この第１ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により主表面の研磨を行なった。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を用いた。

　Ｓ１７の「化学強化工程」において、ガラス基板１Ｇの主表面に対して表面強化層を形成した。具体的には、３００℃に加熱された硝酸カリウム（７０％）と硝酸ナトリウム（３０％）の混合溶液中に、ガラス基板１Ｇを約３０分間浸漬することによって化学強化を行なった。その結果、ガラス基板の内周端面および外周端面のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、圧縮応力層が形成されることでガラス基板の主表面及び端面が強化された。

　Ｓ１８の「第２ポリッシュ工程」において、主表面研磨工程を施した。この第２ポリッシュ工程は上述までの工程で発生、残存している主表面上の微小欠陥等を解消して鏡面状に仕上げること、反りを解消し所望の平坦度に仕上げることを目的とする。この第２ポリッシュ工程は、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により研磨を行なった。研磨剤としては、平滑面を得る為に平均粒径が約２０ｎｍのコロイダルシリカを用いた。

　Ｓ１９の「最終洗浄工程（Final　Cleaning）」において、ガラス基板の主表面、端面の最終洗浄を実施する。これによりガラス基板上に残存する付着物を除去する。

　Ｓ２０の「磁気薄膜層成膜工程」において、上述の工程を経て得られたガラス基板の洗浄後に、ガラス基板の両主表面に、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系の保護層、Ｆ系からなる潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録方式の情報記録媒体を製造した。この構成は垂直磁気記録方式の構成の一例であり、面内情報記録媒体として磁性層等を構成してもよい。その後、Ｓ２１の「後熱処理工程」を実施することで、情報記録媒体が完成する。

　（最終洗浄工程（Ｓ１９）の実施形態）
　以下、上述した最終洗浄工程（Ｓ１９）の具体的な実施形態について説明する。最終洗浄工程（Ｓ１９）は、槽内面（洗浄液と接する面）がステンレスまたは樹脂からなる第１槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程と、槽内面が石英からなる第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程とを含む。第１槽および第２槽は、各々複数設けられていてもよいし、１つであってもよい。

　本明細書では、槽内面がステンレス、樹脂および石英からなる洗浄槽を、各々、ステンレス槽、樹脂槽および石英槽と称する場合がある。

　典型的な例では、第１槽は、全体がステンレスからなる槽であるか、全体がステンレスからなる槽の内面に樹脂をコーティングした槽であり、第２槽は、全体が石英からなる槽であるが、第１槽、第２槽の態様は、上記のものに限定されない。たとえば、全体が樹脂からなる槽を樹脂層として用いてもよいし、ステンレスからなる外槽に伝播液を入れ、その伝播液の中に石英からなる内槽を設けた二重構造のもの（外槽の外面に超音波発生器を取付け、内槽に洗浄液を入れる。）を石英槽として用いてもよい。

　第１槽および第２槽の中でガラス基板の洗浄を各々行なう工程は、超音波洗浄を含むものであってもよい。第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程は、第１槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程が完了した後に行なわれる。また、第２槽の中でガラス基板の洗浄を行なう工程を行なう前に、ガラス基板に対してスクラブ洗浄を行なう工程が設けられてもよい。

　第１槽を構成する樹脂としては、たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）およびポリカーボネート（ＰＣ）などが考えられる。また、典型的には、第１槽の厚みは、たとえば０．０３μｍ以上０．６μｍ以下程度であり、第２槽の厚みは、典型的には第１槽の厚みよりも大きく、たとえば１ｃｍ以上３ｃｍ以下程度である。

　ところで、槽内面がステンレスまたは樹脂からなる洗浄槽において洗浄を行なった場合、ステンレス成分や樹脂成分がガラス基板に付着し、これが、後の工程においてエラーを引き起こす要因になり得ることが懸念される。特に、ステンレス成分の影響は大きい。

　他方、槽内面が石英からなる洗浄槽だけを用いた場合、超音波洗浄を行なっても、研磨工程で付着した付着物を十分に除去することができない。この原因について、本願発明者が鋭意検討した結果、石英槽においては、超音波洗浄の際の振動板となる板厚のばらつきが大きいため、超音波の減衰率にばらつきが生じ、洗浄にもムラが生じやすいためであることが判明した。

　また、石英槽に対してアルカリ性の洗浄液を用いた場合、石英が溶け出す可能性がある。

　そこで、本実施の形態では、ステンレス槽または樹脂槽において洗浄を行なった後、石英槽において最終の洗浄を行なうという思想を採用している。すなわち、本実施の形態では、研磨工程由来の付着物については、第１槽（ステンレス槽または樹脂槽）における洗浄で除去し、洗浄槽由来の付着物については、第２槽（石英槽）における洗浄で除去するという思想を採用している。

　典型的な例では、石英槽では、比較的大きな周波数（一例としては、９００ｋＨｚ以上）の超音波洗浄を行なう。大きな周波数の超音波洗浄を行なうことにより、ステンレス槽または樹脂槽での洗浄工程では除去し切れなかった微小な付着物を除去することが可能である。

　さらに、本実施の形態では、第１槽での洗浄において、ガラス基板から付着物をより効果的に除去するために、ガラス基板に付着した不純物、第１槽内面およびガラス基板のゼータ電位の大小関係を調整する。具体的には、ガラス基板に付着した不純物（典型的には、研磨工程由来のコロイダルシリカ等）のゼータ電位の値（ζ１）と、第１槽内面のゼータ電位の値（ζ２）と、ガラス基板のゼータ電位の値（ζ３）とが全て同符号（典型的には、いずれもマイナス）であり、かつ、第１槽内面のゼータ電位の絶対値（｜ζ２｜）よりも、ガラス基板のゼータ電位の絶対値（｜ζ３｜）の方が大きくなるようにする。

　上記各ゼータ電位は、洗浄槽内面の材質や、洗浄液のｐＨを調整することで、制御可能である。好ましくは、研磨工程由来の付着物のゼータ電位の絶対値（｜ζ１｜）と、第１槽内面のゼータ電位の絶対値（｜ζ２｜）との差は、１０ｍＶ以上程度となるように調整される。

　なお、同じ洗浄液を用いても、ガラス基板の材質や洗浄槽の材質によって、ゼータ電位の値は変動する。たとえば、洗浄槽の材質が樹脂である場合、洗浄液のｐＨを大きく（強アルカリ側に）すると、ガラス基板への付着物のゼータ電位の絶対値と、洗浄槽内面のゼータ電位の絶対値との差が大きくなる傾向にある。

　このように、洗浄槽は、ゼータ電位を調整するための調整手段を有している。なお、洗浄液のｐＨを大きく（強アルカリ側に）する場合には、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）を投入し、洗浄液のｐＨを小さく（酸性側に）する場合には、塩酸（ＨＣｌ）や硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）を投入して調整する。

　上記のようにゼータ電位の大小関係を調整することにより、第１槽での洗浄工程において、洗浄槽中に存する不純物は、第１槽内面およびガラス基板の両方に対して反発するが、ガラス基板に対してより強く反発する。この結果、不純物は、第１槽の中に残されやすくなり、ガラス基板には付着しにくくなる。しかし、洗浄槽に強く付着したり洗浄槽上で堆積して不純物が凝集したりすると洗浄液の汚れやガラス基板への再付着の原因となる場合がある為、洗浄槽壁面と不純物（付着物）とのゼータ電位の差も上記のように１０ｍＶ以上程度となるように調整されることが好ましい。

　このように、本実施の形態では、２種類の洗浄槽を使い分けて洗浄工程を実施するとともに、第１槽での洗浄工程において、不純物をより効果的に除去できようにゼータ電位の大小関係を調整することにより、結果として、情報記録媒体用ガラス基板の製造過程における不良の原因となる付着物を効果的に除去することができる。

　＜実施例＞
　以下、上述した最終洗浄工程（Ｓ１９）の具体的な洗浄工程を、実施例および比較例として説明する。

　上記「最終洗浄工程（Ｓ１９）」において、図４に示す洗浄装置１００を用いて、ガラス基板の洗浄を実施した。この洗浄装置１００は、ガラス基板ロードステーションＬＤ、第１洗浄ステーション１０１（フッ化水素を添加した酸洗浄、ｐＨ＝３）、第２洗浄ステーション１０２（純水を用いた洗浄）、第３洗浄ステーション１０３（酸性洗剤を用いた洗浄、ｐＨ＝３）、第４洗浄ステーション１０４（純水を用いた超音波洗浄：１３０ｋＨｚ）、第５洗浄ステーション１０５（純水を用いた超音波洗浄：９５０ｋＨｚ）、第６洗浄ステーション１０６（ＩＰＡ乾燥）およびガラス基板アンロードステーションＵＬＤを有し、各ステーション間をガラス基板が順次搬送される。

　尚、実施例１～３および比較例１～４においては、何れも全６槽からなる洗浄槽で洗浄工程を行なった。

　本実施例においては、第１洗浄ステーション１０１、第２洗浄ステーション１０２、第４洗浄ステーション１０４では、ステンレス槽の内面にＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）のコーティングを施した樹脂槽を用い、第３洗浄ステーション１０３ではステンレス槽の内面にＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）のコーティングを施した樹脂槽を用い、第５洗浄ステーション１０５では、槽全体が石英からなる石英槽を用いた。

　また、ガラス基板としては、次の条件のものを用いている。
SiO₂　50-70％
Al₂O₃　0-20％
B₂O₃　0-5％
但し、SiO₂+Al₂O₃+B₂O₃=50-85％
Li₂O=3-10%、Na₂O=4-15%、K₂O=0.1-5％
MgO+CaO+BaO+SrO+ZnO=2-20%
（注：すべて重量％）
　実施例２、３及び比較例１～４では、第３洗浄ステーション１０３における、洗浄槽の内面のコーティングに用いられる樹脂、洗浄液の水素イオン指数（pH）を変えて、表１に示す７つの条件（実施例１～３および比較例１～４）によって洗浄工程を実施した。なお、第３洗浄ステーション１０３以外は、何れの実施例及び比較例においてもすべて同じ条件で洗浄を行なった。

　上記組成のガラス基板、樹脂槽、石英槽およびコロイダルシリカ（研磨工程由来の付着物）のゼータ電位と、洗浄液の水素イオン指数（pH）との関係を図５に示す。なお、図５における樹脂槽Ａは、ステンレス槽の内面にＰＶＣのコーティングを施した樹脂槽であり、樹脂槽Ｂは、ステンレス槽の内面にＰＴＦＥのコーティングを施した樹脂槽である。

　図５に示すように、洗浄液の水素イオン指数によって各ゼータ電位が変動するため、洗浄液の水素イオン指数や樹脂槽内面の素材を調整することによって、上述したゼータ電位の大小関係を得ることが可能である。

　上記表１に示す実施例１～３および比較例１～４について、各々の条件で洗浄した各々のガラス基板の欠陥数を、各実施例および比較例ごとに、ガラス基板１００枚ずつについて評価を行ない、ガラス基板１００枚についての平均欠陥数を求めた。欠陥数の計測は、KLA-Tencor社製のＯＳＡ（Optical　Surface　Analyzer）を用いて行なった。その結果を、下記表２に示す。

　表２に示すように、実施例１～３においては、比較例１～４に比べて、平均欠陥数が少ない。すなわち、実施例１～３においては、比較例１～４に比べて、ガラス基板の欠陥数を低減できている。

　次に、上記の各条件で洗浄したガラス基板に磁性層をつけて磁気記録媒体とし、磁性層の性能を評価するために、磁気記録媒体１０枚ずつについて、電磁変換特性の検査を行った。その結果を、下記表３に示す。

　表３に示すように、実施例１～３においては、比較例１～４に比べて、電気特性の低下が見られたものの数（エラー枚数）が少ない。すなわち、実施例１～３においては、比較例１～４に比べて、磁気記録媒体の不良を低減できている。

　また、第３洗浄ステーション１０３に樹脂のコーティングを施さず、ステンレス槽としてステンレス槽に電荷を付与することでステンレス槽の壁面のゼータ電位を調整して同様の評価を行ったが、上記と同様の結果が得られた。

　なお、電磁変換特性検査とは、通常のハードディスクドライブの記録再生と同様に、磁気記録媒体に対して磁気ヘッドで所定の信号を記録した後、その信号を再生し、得られた再生信号によって磁気記録媒体の記録不能を検出することにより、磁気記録媒体の電気特性や欠陥の有無など、磁気記録媒体の品質を確かめるものである。

　以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に適用可能である。

　１　情報記録媒体、１Ｇ　情報記録媒体用ガラス基板、１１　孔、１２　外周端面、１３　内周端面、１４　表主表面、１５　裏主表面、２３　磁気薄膜層。

Claims

　情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
　ガラス基板の研磨を行なう工程と、
　前記ガラス基板の研磨を行なった後に、前記ガラス基板の洗浄を行なう工程とを備え、
　前記ガラス基板の洗浄を行なう工程は、
　槽内面がステンレスまたは樹脂からなる第１槽の中で前記ガラス基板の洗浄を行なう工程と、
　前記第１槽の中で前記ガラス基板の洗浄を行なう工程が完了した後に行なわれ、槽内面が石英からなる第２槽の中で前記ガラス基板の洗浄を行なう工程とを含み、
　前記ガラス基板に付着した不純物のゼータ電位の値と、前記ステンレスおよび前記樹脂のゼータ電位の値と、前記ガラス基板のゼータ電位の値とが全て同符号であり、前記ステンレスおよび前記樹脂のゼータ電位の絶対値よりも、前記ガラス基板のゼータ電位の絶対値の方が大きい、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
　前記不純物のゼータ電位の絶対値と、前記ステンレスおよび前記樹脂のゼータ電位の絶対値との差が１０ｍＶ以上である、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
　前記第１槽の槽内面は、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレンおよびポリカーボネートからなる群のうちの１つの素材からなる、請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
　前記ガラス基板の洗浄を行なう工程は、前記第２槽の中で前記ガラス基板の洗浄を行なう工程を行なう前に、前記ガラス基板に対してスクラブ洗浄を行なう工程を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
　前記第２槽の中で前記ガラス基板の洗浄を行なう工程は、９００ｋＨｚ以上の周波数の超音波を前記ガラス基板に印加することを含む、請求項１から請求項４のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。