CN104137180A - 信息记录介质用玻璃基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
玻璃基板的制造方法具有进行玻璃基板的研磨的工序、和在进行了玻璃基板的研磨后进行玻璃基板的清洗的工序。进行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在槽内表面是由不锈钢或树脂构成的第1槽中进行玻璃基板的清洗;以及在第1槽中进行玻璃基板的清洗的工序完成后,在槽内表面是由石英构成的第2槽中进行玻璃基板的清洗。附着于玻璃基板的杂质的电动电位值、上述不锈钢和上述树脂的电动电位值以及玻璃基板的电动电位值均为相同符号,与不锈钢和树脂的电动电位绝对值相比,玻璃基板的电动电位绝对值较大。
Description
技术领域
本发明涉及信息记录介质用玻璃基板的制造方法。
背景技术
以往,在用于计算机等的信息记录介质(磁盘记录介质)中,使用了铝基板或者玻璃基板。在这些基板上形成有磁性薄膜层,利用磁头使磁性薄膜层磁化,由此在磁性薄膜层中记录信息。
近年来,在硬盘驱动器装置中,开发出具有如下记录密度的装置:在1张2.5英寸的记录介质中记录容量为500GB(单面250GB)、面记录密度为630Gb/平方英寸以上,磁头与信息记录介质之间的距离(飞行高度)进一步缩小。
随着飞行高度变小,为了抑制将信息记录介质用于硬盘驱动器装置的情况下的不良(磁头碰撞),作为信息记录介质而被容许的基板表面的缺陷的大小也进一步减小。此外,关于信息记录介质用玻璃基板的表面缺陷,对大小以及个数的要求变得严格。
为了满足这些严格的要求,在信息记录介质用玻璃基板的研磨加工、清洗方法上想办法,想法来降低信息记录介质用玻璃基板的缺陷。但是,由于在磁性头中采用的DFH(Dynamic Flying Height:动态飞行高度)机构等,对信息记录介质的精度要求更加严格。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-268448号公报
发明内容
发明要解决的问题
该发明要解决的问题在于:在信息记录介质用玻璃基板的制造过程中,对降低信息记录介质用玻璃基板的缺陷的要求变得严格。
为了降低信息记录介质用玻璃基板的缺陷,该基板被要求高清洁度和高平滑度。
例如,在清洗半导体晶圆时,将被清洗物浸在石英槽中,施加超声波(例如,专利文献1)。
但是,在使用多个清洗槽来进行玻璃基板的清洗时,如果简单地将清洗槽全部设为石英槽,则不能够充分地使附着于玻璃基板的附着物脱落。
本发明是鉴于上述实际情况而完成的,目的在于提供一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法,能够减少在信息记录介质用玻璃基板的制造过程中产生的不良。
用于解决问题的手段
本发明的信息记录介质用玻璃基板的制造方法具有进行玻璃基板的研磨的工序、以及在进行了玻璃基板的研磨后进行玻璃基板的清洗的工序。
进行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在槽内表面是由不锈钢或树脂构成的第1槽中,进行玻璃基板的清洗;以及在第1槽中进行玻璃基板的清洗的工序完成后,在槽内表面是由石英构成的第2槽中,进行玻璃基板的清洗。
附着于玻璃基板的杂质的电动(zeta)电位值、上述不锈钢和上述树脂的电动电位值以及玻璃基板的电动电位值均为相同符号,与不锈钢和树脂的电动电位绝对值相比,玻璃基板的电动电位绝对值较大。
此外,在本说明书中,“附着于玻璃基板的杂质”的概念包含:在玻璃基板的研磨工序中附着的研磨工序导致的杂质、清洗槽的材质导致的杂质中的一方或者双方。
在1个实施方式中,在上述信息记录介质用玻璃基板的制造方法中,杂质的电动电位绝对值与不锈钢和树脂的电动电位绝对值之差为10mV以上。
在1个实施方式中,在上述信息记录介质用玻璃基板的制造方法中,第1槽的槽内表面由聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯构成的组中的一种材料构成。
在1个实施方式中,在上述信息记录介质用玻璃基板的制造方法中,进行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在第2槽中进行玻璃基板的清洗的工序之前,对玻璃基板进行擦洗(Scrub Cleaner)。
在1个实施方式中,在上述信息记录介质用玻璃基板的制造方法中,在第2槽中进行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:对玻璃基板施加900kHz以上的频率的超声波。
发明效果
根据本发明,能够降低在信息记录介质用玻璃基板的制造过程中产生的不良。
附图说明
图1是实施方式中的信息记录介质用玻璃基板的立体图。
图2是实施方式中的信息记录介质的立体图。
图3是示出实施方式中的信息记录介质的制造方法的流程图。
图4是示意性示出用于进行本发明的实施例的各清洗工序的清洗装置的图。
图5是示出清洗液的氢离子指数、杂质、玻璃基板以及清洗槽内表面的zeta电位之间的关系的图。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式以及实施例进行说明。此外,对于相同或者相当的部分,有时标注相同的参照标号,且不再重复其说明。
此外,在以下说明的实施方式以及实施例中,在提及个数、数量等的情况下,除了特别说明的情况以外,本发明的范围不限于该个数、数量等。此外,在以下的实施方式中,除了特别说明的情况以外,各个构成要素对本发明不一定是必须的。
(信息记录介质1的结构)
参照图1和图2,对信息记录介质用玻璃基板1G以及信息记录介质1的结构进行说明。图1是信息记录介质用玻璃基板1G的立体图,图2是信息记录介质的立体图。
如图1所示,在信息记录介质1中使用的信息记录介质用玻璃基板1G(以下,称作“玻璃基板1G”)呈在中心形成有孔11的环状的圆板形状。玻璃基板1G具有外周端面12、内周端面13、正面主表面14以及反面主表面15。作为玻璃基板1G,使用了非晶质玻璃等,例如,外径约65mm,内径约20mm,厚度约0.8mm,表面粗糙度约以下。
对玻璃基板1G的英寸尺寸没有特别限定,可以制造0.8英寸、1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸、3.5英寸各种玻璃基板1G作为信息记录介质用的盘片。
为了有效应对由下落冲击导致的玻璃基板1G的破裂,玻璃基板1G的厚度优选为0.30mm~2.2mm。此处所谓玻璃基板1G的厚度表示在作为基板上的点对象的任意数点处测定的值的平均值。
如图2所示,信息记录介质1在上述玻璃基板1G的正面主表面14上形成有磁性薄膜层23。在图示中,仅在正面主表面14上形成磁性薄膜层23,但是,也可以在反面主表面15上设置磁性薄膜层23。
作为磁性薄膜层23的形成方法,可以使用现有公知的方法,例如可举出在基板上旋涂分散有磁性粒子的热固化性树脂来形成的方法、通过溅射来形成的方法以及通过非电解镀来形成的方法。
旋涂法得到的膜厚为约0.3~1.2μm左右,溅射法得到的膜厚为0.04~0.08μm左右,非电解镀法得到的膜厚为0.05~0.1μm左右,出于薄膜化以及高密度化的观点,基于溅射法和非电解镀法的膜形成较好。
作为在磁性薄膜层23中使用的磁性材料,没有特别限定,可以使用现有公知的方法,但是,为了得到高保持力,Co类合金等是合适的,Co类合金是以结晶各向异性高的Co为基础,出于调整剩余磁通密度的目的添加Ni、Cr而成的。近年来,作为适合于热辅助记录用的磁性层材料,使用了FePt类的材料。
为了提高磁性头的光滑度,可以在磁性薄膜层23的表面薄薄地涂覆润滑剂。作为润滑剂,例如可举出用氟利昂类等溶剂将作为液体润滑剂的全氟聚醚(PFPE)稀释而成的润滑剂。
根据需要,可以设置基底层、保护层。信息记录介质1中的基底层可根据磁性膜来进行选择。作为基底层的材料,例如可举出从Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性金属中选出的至少一种以上的材料。
基底层不限于单层,也可以设为层叠相同种类或不同种类的层而成的多层结构。例如,可以设为Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等的多层基底层。
作为防止磁性薄膜层23的磨损、腐蚀的保护层,例如,可举出Cr层、Cr合金层、碳层、氢化碳层、氧化锆层、二氧化硅层等。保护层可以通过内联型溅射装置,与基底层、磁性膜等一起连续地形成。保护层可以是单层,或者由相同种类或不同种类的层构成的多层结构。
可以在上述保护层上形成其它保护层,或者,替代上述保护层而形成其它保护层。例如,替代上述保护层,在Cr层上,在用酒精类的溶剂稀释四烷氧基硅烷得到的产物中,分散地涂覆胶态二氧化硅微粒子并进行烧结,形成氧化硅(SiO2)层。
(玻璃基板1G的制造工序)
接下来,参照图3,对本实施方式的玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法进行说明。图3是示出玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法的流程图。
首先,步骤10(以下,省略为“S10”,在步骤11以后也相同)的“玻璃熔融工序”中,使构成玻璃基板的玻璃坯料熔融。
在S11的“模压(press)成型工序”中,通过使用了上模和下模的模压,将熔融玻璃坯料制造成玻璃基板。所使用的玻璃组分使用了通常的铝硅酸盐玻璃。作为玻璃基板的制造方法,不限于成型,也可以是作为公知的方法的从板状玻璃的切割等,玻璃组分也不限于此。
在S12的“第1磨削(lap)工序”中,对玻璃基板的两主表面进行磨削加工。该第1磨削工序是使用利用了行星齿轮机构的双面磨削装置来进行的。具体而言,从上下方将磨削盘按压于玻璃基板的双面,在玻璃基板的主表面上提供研削液,使它们相对地移动来进行磨削加工。通过该磨削加工,得到具有大致平坦的主表面的玻璃基板。
在S13的“取心(コアリング)工序”中,使用圆筒状的金刚石钻头,在玻璃基板的中心部形成孔,制造出圆环状的玻璃基板。通过钻石磨具研削玻璃基板的内周端面和外周端面,实施规定的倒角加工。
在S14的“第2磨削工序”中,与上述第1磨削工序(S12)同样,对玻璃基板的两主表面进行磨削加工。通过进行该第2磨削工序,能够预先将在前工序的取心和端面加工中形成在主表面的细微的凹凸形状去除。其结果是,能够缩短后续工序中的主表面的研磨时间。
在S15的“外周研磨工序”中,在玻璃基板的外周端面,进行基于磨刷(brush)研磨的镜面研磨。作为此时的研磨磨粒,使用了包含通常的氧化铈磨粒的浆料。
在S16的“第1抛光工序”中,进行主表面研磨。该第1抛光工序的主目的是对在上述第1磨削工序和第2磨削工序(S12、S14)中残留在主表面的划痕和翘曲进行矫正。在该第1抛光工序中,利用具有行星齿轮机构的双面研磨装置来进行主表面的研磨。作为研磨剂,使用了通常的氧化铈磨粒。
在S17的“化学强化工序”中,对玻璃基板1G的主表面形成表面强化层。具体而言,在加热到300℃的硝酸钾(70%)和硝酸钠(30%)的混合溶液中,将玻璃基板1G浸泡约30分钟,由此进行化学强化。其结果是,玻璃基板的内周端面和外周端面的锂离子和钠离子分别被化学强化溶液中的钠离子和钾离子置换,形成压缩应力层,由此使玻璃基板的主表面和端面得到强化。
在S18的“第2抛光工序”中,实施主表面研磨工序。该第2抛光工序的目的是,消除在到上述为止的工序中产生并残存在主表面上的微小缺陷等,精加工成镜面状,消除翘曲,精加工成期望的平坦度。在该第2抛光工序中,利用具有行星齿轮机构的双面研磨装置来进行研磨。为了得到平滑面,使用平均粒径为约20nm的胶态二氧化硅作为研磨剂。
在S19的“最终清洗工序(Final Cleaning)”中,实施玻璃基板的主表面、端面的最终清洗。由此,将残存在玻璃基板上的附着物去除。
在S20的“磁性薄膜层成膜工序”中,在进行了通过上述的工序而得到的玻璃基板的清洗后,在玻璃基板的两个主表面,依次形成由Cr合金构成的紧密附着层、由CoFeZr合金构成的软磁性层、由Ru构成的指向控制基底层、由CoCrPt合金构成的垂直磁性记录层、C类的保护层、由F类构成的润滑层的膜,由此,制造出垂直磁性记录方式的信息记录介质。该结构是垂直磁性记录方式的结构的一例,可以构成磁性层等作为面内信息记录介质。然后,通过实施S21的“后热处理工序”,完成信息记录介质。
(最终清洗工序(S19)的实施方式)
以下,对上述最终清洗工序(S19)的具体的实施方式进行说明。最终清洗工序(S19)包含如下工序:在槽内表面(与清洗液接触的面)是由不锈钢或树脂构成的第1槽中,进行玻璃基板的清洗;以及,在槽内表面是由石英构成的第2槽中,进行玻璃基板的清洗。关于第1槽和第2槽,可以分别设置多个,也可以分别设置1个。
在本说明书中,有时将槽内表面是由不锈钢、树脂和石英构成的清洗槽分别称作不锈钢槽、树脂槽和石英槽。
在典型的例中,第1槽是整体由不锈钢构成的槽,或者是在整体由不锈钢构成的槽的内表面涂覆树脂而成的槽,第2槽是整体由石英构成的槽,但是,第1槽、第2槽的形态不限于上述方式。例如,可以将整体由树脂构成的槽作为树脂层来使用,也可以将双重结构的槽(在外槽的外表面安装超声波产生器,在内槽中放入清洗液)作为石英槽来使用,该双重结构为在由不锈钢构成的外槽中放入传导液、并在该传导液中设置由石英构成的内槽。
在第1槽和第2槽中分别进行玻璃基板的清洗的工序可以包含超声波清洗。在第2槽中进行玻璃基板的清洗的工序是在第1槽中进行玻璃基板的清洗的工序完成后进行的。此外,在第2槽中进行玻璃基板的清洗的工序之前,可以设置对玻璃基板进行擦洗的工序。
作为构成第1槽的树脂,例如可考虑聚氯乙烯(PVC)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚丙烯(PP)和聚碳酸酯(PC)等。此外,典型地,第1槽的厚度例如为0.03μm以上且0.6μm以下左右;典型地,第2槽的厚度大于第1槽的厚度,例如为1cm以上且3cm以下左右。
然而,当在槽内表面是由不锈钢或树脂构成的清洗槽中进行清洗的情况下,不锈钢成分或树脂成分会附着于玻璃基板,这有可能在后续工序中成为引起错误的因素。尤其是,不锈钢成分的影响较大。
另一方面,在仅使用槽内表面是由石英构成的清洗槽的情况下,即使进行超声波清洗,也不能充分去除在研磨工序中附着的附着物。关于其原因,本发明申请人进行了认真研究,结果判明原因是:在石英槽中,由于在超声波清洗时作为振动板的板厚的偏差较大,因此超声波的衰减率产生偏差,在清洗中容易产生不均。
此外,在对石英槽使用了碱性的清洗液的情况下,石英有可能溶出。
因此,在本实施方式中,采用了如下思想:在不锈钢槽或树脂槽中进行了清洗后,在石英槽中进行最终的清洗。即,在本实施方式中,采用如下思想:针对由研磨工序导致的附着物,通过第1槽(不锈钢槽或树脂槽)中的清洗来去除,针对由清洗槽导致的附着物,通过第2槽(石英槽)中的清洗来去除。
在典型的例子中,在石英槽中,进行较高频率(作为一例,为900kHz以上)的超声波清洗。通过进行高频率的超声波清洗,能够将在不锈钢槽或树脂槽的清洗工序中不能充分去除的微小附着物去除。
此外,在本实施方式中,为了在第1槽的清洗中更有效地从玻璃基板去除附着物,对附着于玻璃基板的杂质、第1槽内表面和玻璃基板的电动电位大小关系进行调整。具体而言,使附着于玻璃基板的杂质(典型地,由研磨工序导致的胶态二氧化硅等)的电动电位值(ζ1)、第1槽内表面的电动电位值(ζ2)以及玻璃基板的电动电位值(ζ3)均为相同符号(典型地,均为负),并且,使玻璃基板的电动电位绝对值(|ζ3|)大于第1槽内表面的电动电位绝对值(|ζ2|)。
上述各zeta电位能够通过调整清洗槽内表面的材质或清洗液的pH来进行控制。优选的是,将研磨工序导致的附着物的电动电位绝对值(|ζ1|)与第1槽内表面的电动电位绝对值(|ζ2|)之差调整为10mV以上左右。
此外,即使使用相同的清洗液,电动电位值也会因玻璃基板的材质和清洗槽的材质而变动。例如,在清洗槽的材质为树脂的情况下,当清洗液的pH增大(朝强碱侧)时,玻璃基板上的附着物的电动电位绝对值与清洗槽内表面的电动电位绝对值之差具有增大的趋势。
这样,清洗槽具有用于调整电动电位调整单元。此外,在增大清洗液的pH(朝强碱侧)时,投入氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH),在减小清洗液的pH(酸性侧)时,投入盐酸(HCl)或硫酸(H2SO4)来进行调整。
如上所述,通过调整电动电位大小关系,在第1槽的清洗工序中,清洗槽中存在的杂质对第1槽内表面和玻璃基板双方反弹,但是,对玻璃基板更强地反弹。其结果是,杂质容易残留在第1槽中,而难以附着于玻璃基板。但是,在杂质紧紧附着于清洗槽或者沉淀在清洗槽上而积聚时,有时会成为清洗液污浊或朝玻璃基板再次附着的原因,因此,优选的是,也将清洗槽壁面与杂质(附着物)的zeta电位之差如上述那样调整为10mV以上左右。
这样,在本实施方式中,分开使用两种清洗槽来实施清洗工序,并且,在第1槽的清洗工序中,以能够更有效地去除杂质的方式调整电动电位大小关系,由此,作为结果,能够有效地去除在信息记录介质用玻璃基板的制造过程中成为不良原因的附着物。
<实施例>
以下,通过实施例和比较例,对上述最终清洗工序(S19)的具体的清洗工序进行说明。
在上述“最终清洗工序(S19)”中,使用图4所示的清洗装置100,实施玻璃基板的清洗。该清洗装置100具有玻璃基板装载站LD、第1清洗站101(添加了氟化氢的酸清洗、pH=3)、第2清洗站102(使用了纯水的清洗)、第3清洗站103(使用了酸性洗剂的清洗、pH=3)、第4清洗站104(使用了纯水的超声波清洗:130kHz)、第5清洗站105(使用了纯水的超声波清洗:950kHz),第6清洗站106(IPA干燥)和玻璃基板卸载站ULD,在各站之间依次传送玻璃基板。
另外,在实施例1~3和比较例1~4中,均在共由6个槽构成的清洗槽中进行清洗工序。
在本实施例中,在第1清洗站101、第2清洗站102、第4清洗站104中,使用在不锈钢槽的内表面施加了PVC(聚氯乙烯)涂层的树脂槽,在第3清洗站103中,使用在不锈钢槽的内表面施加了PTFE(聚四氟乙烯)涂层的树脂槽,在第5清洗站105中,使用了槽整体由石英构成的石英槽。
此外,作为玻璃基板,使用如下条件。
SiO250-70%
Al2O30-20%
B2O30-5%
其中,SiO2+Al2O3+B2O3=50-85%
Li2O=3-10%,Na2O=4-15%,K2O=0.1-5%
MgO+CaO+BaO+SrO+ZnO=2-20%
(注:均为重量%)
在实施例2、3和比较例1~4中,改变在第3清洗站103的清洗槽的内表面的涂层中使用的树脂,改变清洗液的氢离子指数(pH),根据表1所示的7个条件(实施例1~3和比较例1~4),实施清洗工序。此外,在第3清洗站103以外,在任意实施例和比较例中,均以相同的条件进行清洗。
图5示出了上述组分的玻璃基板、树脂槽、石英槽以及胶态二氧化硅(研磨工序导致的附着物)的zeta电位与清洗液的氢离子指数(pH)之间的关系。此外,图5中的树脂槽A是在不锈钢槽的内表面施加了PVC涂层的树脂槽,树脂槽B是在不锈钢槽的内表面施加了PTFE涂层的树脂槽。
如图5所示,各zeta电位根据清洗液的氢离子指数而变动,因此,通过调整清洗液的氢离子指数或树脂槽内表面的材料,能够得到上述电动电位大小关系。
[表1]
在上述表1所示的实施例1~3和比较例1~4中,针对各实施例和各比较例,按每批100张玻璃基板的方式,对以各个条件清洗的各个玻璃基板的缺陷数进行评价,求出100张玻璃基板的平均缺陷数。缺陷数的测量是使用KLA-Tencor公司制的OSA(Optical Surface Analyzer:光学表面分析仪)来进行的。下表2示出其结果。
[表2]
平均缺陷数 | 判断 | |
实施例1 | 4 | A |
实施例2 | 3 | A |
实施例3 | 5 | A |
比较例1 | 10 | B |
比较例2 | 16 | C |
比较例3 | 14 | C |
比较例4 | 8 | B |
关于判断栏,设为:
平均缺陷数
0~5个(A)
6~10个(B)
11个以上(C)。
如表2所示,与比较例1~4相比,在实施例1~3中,平均缺陷数较小。即,与比较例1~4相比,在实施例1~3中,能够降低玻璃基板的缺陷数。
接下来,在按上述各条件清洗后的玻璃基板上附着磁性层作为磁性记录介质,为了对磁性层的性能进行评价,以每批10张磁性记录介质的方式,进行电磁转换特性的检查。下表3示出其结果。
[表3]
错误张数 | 判断 | |
实施例1 | 1 | A |
实施例2 | 2 | A |
实施例3 | 1 | A |
比较例1 | 4 | B |
比较例2 | 7 | C |
比较例3 | 8 | C |
比较例4 | 5 | B |
关于判断栏,设为:
出现电气特性下降的数量
0~2张(A)
3~5张(B)
6张以上(C)。
如表3所示,与比较例1~4相比,在实施例1~3中,出现电气特性下降的数量(错误张数)较小。即,与比较例1~4相比,在实施例1~3中,能够降低磁性记录介质的不良。
此外,不对第3清洗站103施加树脂涂层,而设为不锈钢槽,并通过向不锈钢槽赋予电荷,来调整不锈钢槽的壁面的zeta电位,进行相同的评价,得到与上述相同的结果。
此外,电磁转换特性检查是指,与通常的硬盘驱动器的记录再现同样,在利用磁头将规定的信号记录于磁性记录介质后,再现该信号,根据得到的再现信号来检测磁性记录介质是否为不能记录,由此确定磁性记录介质的电气特性、有无缺陷等磁性记录介质的质量。
以上,对本发明的实施方式和实施例进行了说明,但是应该认识到,本次公开的实施方式和实施例在所有方面仅为例示而不是限制。要表达的是,本发明的范围由权利要求书表示,包含与权利要求书等同的含义和范围内的全部变更。
产业上的可利用性
本发明可应用于信息记录介质用玻璃基板的制造方法。
标号说明
1信息记录介质,1G信息记录介质用玻璃基板,11孔,12外周端面,13内周端面,14正面主表面,15反面主表面,23磁性薄膜层。
Claims (5)
1.一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法,具有如下工序:
进行玻璃基板的研磨;以及
在进行所述玻璃基板的研磨后,进行所述玻璃基板的清洗,
进行所述玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:
在槽内表面是由不锈钢或树脂构成的第1槽中,进行所述玻璃基板的清洗;以及
在所述第1槽中进行所述玻璃基板的清洗的工序完成后,在槽内表面是由石英构成的第2槽中,进行所述玻璃基板的清洗,
附着于所述玻璃基板的杂质的电动电位的值、所述不锈钢和所述树脂的电动电位值以及所述玻璃基板的电动电位值均为相同符号,与所述不锈钢和所述树脂的电动电位绝对值相比,所述玻璃基板的电动电位绝对值较大。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,
所述杂质的电动电位绝对值与所述不锈钢和所述树脂的电动电位绝对值之差为10mV以上。
3.根据权利要求1或2所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,
所述第1槽的槽内表面由聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯所构成的组中的一种材料构成。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,
进行所述玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在所述第2槽中进行所述玻璃基板的清洗的工序之前,对所述玻璃基板进行擦洗。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,
在所述第2槽中进行所述玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:对所述玻璃基板施加900kHz以上的频率的超声波。
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