JP2002222790A - ワークの乾燥方法 - Google Patents
ワークの乾燥方法Info
- Publication number
- JP2002222790A JP2002222790A JP2001015284A JP2001015284A JP2002222790A JP 2002222790 A JP2002222790 A JP 2002222790A JP 2001015284 A JP2001015284 A JP 2001015284A JP 2001015284 A JP2001015284 A JP 2001015284A JP 2002222790 A JP2002222790 A JP 2002222790A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work
- pure water
- drying
- particles
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークの乾燥時にパーティクルの付着を防止
するとともに、乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い物質
として液中成分がワークに残ることがないワークの乾燥
方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 このワークの乾燥方法では、ワークを温
純水中に浸漬させて加熱したあと、この温純水の液面に
波が立たない速度で上記ワークを液面からゆっくりと引
上げる。温純水は、この温純水中のワークのゼータ電位
とパーティクルのゼータ電位とが同一の極性になるよう
にコントロールされる。
するとともに、乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い物質
として液中成分がワークに残ることがないワークの乾燥
方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 このワークの乾燥方法では、ワークを温
純水中に浸漬させて加熱したあと、この温純水の液面に
波が立たない速度で上記ワークを液面からゆっくりと引
上げる。温純水は、この温純水中のワークのゼータ電位
とパーティクルのゼータ電位とが同一の極性になるよう
にコントロールされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶基板、半導体
ウェハ及びハードディスク等の基板の精密洗浄後の乾燥
方法に関する。
ウェハ及びハードディスク等の基板の精密洗浄後の乾燥
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶基板、半導体ウェハ及びハードディ
スク等の基板を例えば超音波などにより洗浄したあと乾
燥させる際、基板を温純水からゆっくりとした速度で引
上げることにより乾燥させる方法（特許第２６１０４４
１号）が知られている。この乾燥方法では、前工程から
の持ち込みや基板からの溶出による汚れ、たとえば、持
ち込みにより温純水槽にコロイダルシリカが蓄積されて
しまった場合、清浄に洗浄した基板を温純水槽内に投入
することにより、コロイダルシリカがワークすなわち基
板に付着してしまい引上げ乾燥後にワーク表面にウォー
ターマークが発生する恐れがあった。
スク等の基板を例えば超音波などにより洗浄したあと乾
燥させる際、基板を温純水からゆっくりとした速度で引
上げることにより乾燥させる方法（特許第２６１０４４
１号）が知られている。この乾燥方法では、前工程から
の持ち込みや基板からの溶出による汚れ、たとえば、持
ち込みにより温純水槽にコロイダルシリカが蓄積されて
しまった場合、清浄に洗浄した基板を温純水槽内に投入
することにより、コロイダルシリカがワークすなわち基
板に付着してしまい引上げ乾燥後にワーク表面にウォー
ターマークが発生する恐れがあった。
【０００３】一方、汚れの付着防止手段として、ＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）を使ったベーパー乾燥法も
知られている。このＩＰＡベーパー乾燥法は汚れの付着
の恐れは少ないもののＩＰＡの引火点が低いため、引
火、火災の危険性が非常に高く、さらに、ＩＰＡの拡散
を防止するために冷却設備や水分離設備、廃液処理設備
等日常の液管理をするための設備が必要である。このた
め、精度面や安全衛生面、管理面など種々の点において
問題が多く、また、イニシャルコストやランニングコス
ト等のコスト面も高価であるという問題がある。
（イソプロピルアルコール）を使ったベーパー乾燥法も
知られている。このＩＰＡベーパー乾燥法は汚れの付着
の恐れは少ないもののＩＰＡの引火点が低いため、引
火、火災の危険性が非常に高く、さらに、ＩＰＡの拡散
を防止するために冷却設備や水分離設備、廃液処理設備
等日常の液管理をするための設備が必要である。このた
め、精度面や安全衛生面、管理面など種々の点において
問題が多く、また、イニシャルコストやランニングコス
ト等のコスト面も高価であるという問題がある。
【０００４】さらに、エッチング処理においてゼータ電
位を低くする物質を添加含有し、液中異物の付着防止す
るもの（特開平７−４５６００号）や、乾燥工程の前処
理として、ゼータ電位を制御するパーティクル除去剤を
もちい、パーティクルの付着を防止するもの（特開平１
０−３０３１７１号）や、液体中のイオン濃度を制御す
ることにより、ワークへ付着する異物量を任意に制御す
るもの（特許第２５７７７９８号）や、温純水乾燥引上
げ時にワークにイオンを吹き付けパーティクルの付着を
防止する（特開平１１−７６９５９号）ものなどが知ら
れている。
位を低くする物質を添加含有し、液中異物の付着防止す
るもの（特開平７−４５６００号）や、乾燥工程の前処
理として、ゼータ電位を制御するパーティクル除去剤を
もちい、パーティクルの付着を防止するもの（特開平１
０−３０３１７１号）や、液体中のイオン濃度を制御す
ることにより、ワークへ付着する異物量を任意に制御す
るもの（特許第２５７７７９８号）や、温純水乾燥引上
げ時にワークにイオンを吹き付けパーティクルの付着を
防止する（特開平１１−７６９５９号）ものなどが知ら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術には開示されない原理によって、パーティクルを付
着させることなく半導体基板等のワークを乾燥させる乾
燥方法を提供すること、更に、乾燥後にガスあるいは蒸
気圧の高い物質として液中成分がワークに残らない乾燥
方法を提供することを課題とする。
技術には開示されない原理によって、パーティクルを付
着させることなく半導体基板等のワークを乾燥させる乾
燥方法を提供すること、更に、乾燥後にガスあるいは蒸
気圧の高い物質として液中成分がワークに残らない乾燥
方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ワークを温純
水中に浸漬させて加熱したあと、この温純水の液面に波
が立たない速度で上記ワークを液面からゆっくりと引上
げることにより乾燥させるワークの乾燥方法を基礎と
し、第１番目の発明のワークの乾燥方法では、上記温純
水が、この温純水中の上記ワークのゼータ電位とパーテ
ィクルのゼータ電位とが同一の極性になるようにコント
ロールされるものである。これによりワークの乾燥時に
パーティクルの付着が防止され、そのうえ、液中成分が
乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い物質としてワークに
残ることがない。
水中に浸漬させて加熱したあと、この温純水の液面に波
が立たない速度で上記ワークを液面からゆっくりと引上
げることにより乾燥させるワークの乾燥方法を基礎と
し、第１番目の発明のワークの乾燥方法では、上記温純
水が、この温純水中の上記ワークのゼータ電位とパーテ
ィクルのゼータ電位とが同一の極性になるようにコント
ロールされるものである。これによりワークの乾燥時に
パーティクルの付着が防止され、そのうえ、液中成分が
乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い物質としてワークに
残ることがない。
【０００７】第２番目の発明のワークの乾燥方法では、
第１番目の発明のワークの乾燥方法において、上記温純
水には、水素ガスを溶解した純水が用いられ、この水素
ガスの溶解によって、上記ワークのゼータ電位と上記パ
ーティクルのゼータ電位とが同一の極性になるようにコ
ントロールされるものである。このときワークのゼータ
電位とパーティクルのゼータ電位は、ともにマイナス極
性である。
第１番目の発明のワークの乾燥方法において、上記温純
水には、水素ガスを溶解した純水が用いられ、この水素
ガスの溶解によって、上記ワークのゼータ電位と上記パ
ーティクルのゼータ電位とが同一の極性になるようにコ
ントロールされるものである。このときワークのゼータ
電位とパーティクルのゼータ電位は、ともにマイナス極
性である。
【０００８】第３番目の発明のワークの乾燥方法では、
第１番目の発明のワークの乾燥方法において、上記温純
水には、オゾンガスあるいは酸素ガスを溶解した純水が
用いられ、このオゾンガスあるいは酸素ガスの溶解によ
って、上記ワークのゼータ電位と上記パーティクルのゼ
ータ電位とが同一の極性になるようにコントロールされ
る。このときワークのゼータ電位とパーティクルのゼー
タ電位は、ともにプラス極性である。
第１番目の発明のワークの乾燥方法において、上記温純
水には、オゾンガスあるいは酸素ガスを溶解した純水が
用いられ、このオゾンガスあるいは酸素ガスの溶解によ
って、上記ワークのゼータ電位と上記パーティクルのゼ
ータ電位とが同一の極性になるようにコントロールされ
る。このときワークのゼータ電位とパーティクルのゼー
タ電位は、ともにプラス極性である。
【０００９】第４番目の発明のワークの乾燥方法は、第
１番目から第３番目までのいずれかの発明のワークの乾
燥方法において、上記ワークの近傍において上記温純水
の強制的な流れが作られ、この流れによって上記ワーク
近傍の清浄度が保たれるようにしたものである。
１番目から第３番目までのいずれかの発明のワークの乾
燥方法において、上記ワークの近傍において上記温純水
の強制的な流れが作られ、この流れによって上記ワーク
近傍の清浄度が保たれるようにしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】「第一実施例」液中におけるパー
ティクルの表面Ｓは多くの場合帯電しており、その電位
は表面電位あるいはε電位と呼ばれる。また、この液に
外部から電場を掛けると、その帯電の度合いに応じた速
度でパーティクルＰが移動する。このような現象は電気
泳動と呼ばれている。
ティクルの表面Ｓは多くの場合帯電しており、その電位
は表面電位あるいはε電位と呼ばれる。また、この液に
外部から電場を掛けると、その帯電の度合いに応じた速
度でパーティクルＰが移動する。このような現象は電気
泳動と呼ばれている。
【００１１】図１は、パーティクルＰの表面Ｓからの距
離Ｌとその距離Ｌの点における電位の分布を説明するた
めの定性的グラフを示しており、符号ａ及びｂで示され
る曲線はそれぞれ異なる液体Ａ及び液体Ｂ中における電
位分布を表す。なお、ここで、パーティクルＰすなわち
粒子として電位の分布について説明がされるが、これは
液体中の固体（例えば半導体ウェハ）についても当ては
まる。
離Ｌとその距離Ｌの点における電位の分布を説明するた
めの定性的グラフを示しており、符号ａ及びｂで示され
る曲線はそれぞれ異なる液体Ａ及び液体Ｂ中における電
位分布を表す。なお、ここで、パーティクルＰすなわち
粒子として電位の分布について説明がされるが、これは
液体中の固体（例えば半導体ウェハ）についても当ては
まる。
【００１２】このとき、図１に示すように、パーティク
ルＰの外周には、あたかもパーティクルと一体になって
動く分子やイオンの吸着層が形成され、この外縁（すな
わち滑り面Ｔ）の電位は界面動電位、あるいはゼータ
（ζ）電位と呼ばれる。ゼータ電位は、実測される電気
泳動速度をそのときの電場の大きさで割った電気泳動移
動度から導き出される。
ルＰの外周には、あたかもパーティクルと一体になって
動く分子やイオンの吸着層が形成され、この外縁（すな
わち滑り面Ｔ）の電位は界面動電位、あるいはゼータ
（ζ）電位と呼ばれる。ゼータ電位は、実測される電気
泳動速度をそのときの電場の大きさで割った電気泳動移
動度から導き出される。
【００１３】パーティクルＰのまわりにはさらに、拡散
電気二重層と呼ばれるイオン雲が存在する。これは、対
イオンがパーティクルＰの表面電荷からクーロン引力を
受けて表面に近づく一方、副イオンが、逆にクーロン斥
力を受けて表面から遠ざかろうとするために生じる。こ
こで、対イオンは、粒子の表面電荷と反対符号の電荷を
持つ電解質イオンであり、副イオンは、粒子の表面電荷
と同符号の電解質イオンである。各イオンには、このク
ーロン力とは異なった熱運動による統計学的な力も加わ
っているため、拡散電気二重層は外縁がぼやけた、すな
わち、拡散した構造をとる。また、このイオン雲の中に
は、副イオンに比べて圧倒的に多くの数の対イオンが存
在する。
電気二重層と呼ばれるイオン雲が存在する。これは、対
イオンがパーティクルＰの表面電荷からクーロン引力を
受けて表面に近づく一方、副イオンが、逆にクーロン斥
力を受けて表面から遠ざかろうとするために生じる。こ
こで、対イオンは、粒子の表面電荷と反対符号の電荷を
持つ電解質イオンであり、副イオンは、粒子の表面電荷
と同符号の電解質イオンである。各イオンには、このク
ーロン力とは異なった熱運動による統計学的な力も加わ
っているため、拡散電気二重層は外縁がぼやけた、すな
わち、拡散した構造をとる。また、このイオン雲の中に
は、副イオンに比べて圧倒的に多くの数の対イオンが存
在する。
【００１４】これらの電荷分布の結果として、パーティ
クルＰの周りには図１に示すような電位の分布が生じ
る。これらの電位の分布は、固体の種類、この固体が浸
漬されている液体の種類及びこれらの相対的関係によっ
て決まる。ゼータ電位は、パーティクルＰとその周囲に
吸着された分子やイオンがあたかも一体なもののごとく
移動するとき、この一体のものの外縁、つまり滑り面Ｔ
における電位であって、パーティクルＰの表面電位とそ
の周りの電荷の分布によって作り出される電位である。
このため、ゼータ電位は、液体の温度、電気化学的位置
エネルギ酸化還元電位、比誘電率、粘度、イオン濃度、
イオン価数によって影響を受ける。図１には、互いに異
なる液体Ａ及び液体Ｂによって生じるそれぞれの電位分
布ａ及び電位分布ｂの例が示されている。
クルＰの周りには図１に示すような電位の分布が生じ
る。これらの電位の分布は、固体の種類、この固体が浸
漬されている液体の種類及びこれらの相対的関係によっ
て決まる。ゼータ電位は、パーティクルＰとその周囲に
吸着された分子やイオンがあたかも一体なもののごとく
移動するとき、この一体のものの外縁、つまり滑り面Ｔ
における電位であって、パーティクルＰの表面電位とそ
の周りの電荷の分布によって作り出される電位である。
このため、ゼータ電位は、液体の温度、電気化学的位置
エネルギ酸化還元電位、比誘電率、粘度、イオン濃度、
イオン価数によって影響を受ける。図１には、互いに異
なる液体Ａ及び液体Ｂによって生じるそれぞれの電位分
布ａ及び電位分布ｂの例が示されている。
【００１５】本発明は、上述のように液体（純水）中の
ワーク（例えば半導体ウェハ）とパーティクルＰのそれ
ぞれにはゼータ電位が生じているため、両者のゼータ電
位が同極性であれば、静電気力によって互いに反発する
ため、パーティクルＰがワークに付着しにくいという考
えに基づいている。純水に酸、アルカリ溶液を添加すれ
ば、このゼータ電位を変化させることができるが、この
ようなケミカル洗浄による場合、上に述べたように、取
り扱い、廃液処理、環境衛生、腐食、ランニングコスト
の観点から好ましくない。
ワーク（例えば半導体ウェハ）とパーティクルＰのそれ
ぞれにはゼータ電位が生じているため、両者のゼータ電
位が同極性であれば、静電気力によって互いに反発する
ため、パーティクルＰがワークに付着しにくいという考
えに基づいている。純水に酸、アルカリ溶液を添加すれ
ば、このゼータ電位を変化させることができるが、この
ようなケミカル洗浄による場合、上に述べたように、取
り扱い、廃液処理、環境衛生、腐食、ランニングコスト
の観点から好ましくない。
【００１６】図２は、酸化還元電位と水素イオン濃度
（ＰＨ）が添加剤によりどのようにシフトするかの傾向
を示す図である。ゼータ電位は水素イオン濃度と酸化還
元電位（ＯＲＰ）の影響を受けて変化する。半導体ウェ
ハの乾燥への悪影響を考慮すると、水素イオン濃度ＰＨ
７近傍に保ったままゼータ電位を変化させたいが、図２
に示されるように、酸、アルカリ溶液（図２はＮａＯＨ
溶液の場合を示す。）を純水に添加したときには水素イ
オン濃度が大きく変化するため半導体ウェハにとって好
ましくない。
（ＰＨ）が添加剤によりどのようにシフトするかの傾向
を示す図である。ゼータ電位は水素イオン濃度と酸化還
元電位（ＯＲＰ）の影響を受けて変化する。半導体ウェ
ハの乾燥への悪影響を考慮すると、水素イオン濃度ＰＨ
７近傍に保ったままゼータ電位を変化させたいが、図２
に示されるように、酸、アルカリ溶液（図２はＮａＯＨ
溶液の場合を示す。）を純水に添加したときには水素イ
オン濃度が大きく変化するため半導体ウェハにとって好
ましくない。
【００１７】本発明では、温純水として、水素ガス、酸
素ガスあるいはオゾンガスのような乾燥後にガスあるい
は蒸気圧の高い物質を溶解させた温純水を用い、これに
より、酸化還元電位ひいてはゼータ電位を変化させ、ワ
ークとパーティクルの間に反発力を生じさせて、パーテ
ィクルの付着を防止した。
素ガスあるいはオゾンガスのような乾燥後にガスあるい
は蒸気圧の高い物質を溶解させた温純水を用い、これに
より、酸化還元電位ひいてはゼータ電位を変化させ、ワ
ークとパーティクルの間に反発力を生じさせて、パーテ
ィクルの付着を防止した。
【００１８】この発明の乾燥方法では、ワークを温純水
中に浸漬させて加熱したあと、この温純水の液面に波が
立たない速度で上記ワークを液面からゆっくりと引上げ
ることにより乾燥させる。このとき温純水は、この温純
水中のワークのゼータ電位とパーティクルのゼータ電位
とが同一の極性になるようにコントロールされる。な
お、これらのガス又は物質はワークの物性に応じて両者
が反発力を生じるような同極性のゼータ電位をもつよう
に選択される。そしてこのようなガスを溶解したときに
は水素イオン濃度はあまり変化せず、ＰＨが酸性あるい
はアルカリ性へ変移することによるウェハへの悪影響は
みられなかった。また、ガスあるいは蒸気圧の高い物質
とし乾燥後にワークに残らないものが用いられることに
より、パーティクルの付着防止効果と共に、清浄な乾燥
品質が得られることがわかった。
中に浸漬させて加熱したあと、この温純水の液面に波が
立たない速度で上記ワークを液面からゆっくりと引上げ
ることにより乾燥させる。このとき温純水は、この温純
水中のワークのゼータ電位とパーティクルのゼータ電位
とが同一の極性になるようにコントロールされる。な
お、これらのガス又は物質はワークの物性に応じて両者
が反発力を生じるような同極性のゼータ電位をもつよう
に選択される。そしてこのようなガスを溶解したときに
は水素イオン濃度はあまり変化せず、ＰＨが酸性あるい
はアルカリ性へ変移することによるウェハへの悪影響は
みられなかった。また、ガスあるいは蒸気圧の高い物質
とし乾燥後にワークに残らないものが用いられることに
より、パーティクルの付着防止効果と共に、清浄な乾燥
品質が得られることがわかった。
【００１９】「第二実施例」図３は第三実施例を説明す
るための説明図である。静水ではパーティクルＰが乾燥
槽１０内を任意に動き回っているうちにワークＷに付着
する。パーティクルＰがワークＷに接近しにくくするこ
とができれば、付着の機会が減るので更に付着防止効果
が増す。
るための説明図である。静水ではパーティクルＰが乾燥
槽１０内を任意に動き回っているうちにワークＷに付着
する。パーティクルＰがワークＷに接近しにくくするこ
とができれば、付着の機会が減るので更に付着防止効果
が増す。
【００２０】この第二実施例では、第一実施例に示した
ものと同様に、水素ガス、酸素ガスあるいはオゾンガス
を溶解した温純水が使用される。乾燥槽１０の下方には
超音波振動子１１が設けられており、この超音波振動子
１１から槽内、上方に向かって超音波が照射される。超
音波の照射によって、下方から上方に向かい、ワークＷ
の主面に対してほぼ平行な流れがつくり出される。この
ようにワーク近傍における温純水の強制的な流れによっ
てワークＷの近傍の清浄度が保たれる。
ものと同様に、水素ガス、酸素ガスあるいはオゾンガス
を溶解した温純水が使用される。乾燥槽１０の下方には
超音波振動子１１が設けられており、この超音波振動子
１１から槽内、上方に向かって超音波が照射される。超
音波の照射によって、下方から上方に向かい、ワークＷ
の主面に対してほぼ平行な流れがつくり出される。この
ようにワーク近傍における温純水の強制的な流れによっ
てワークＷの近傍の清浄度が保たれる。
【００２１】引上げ乾燥において液面が乱れていると、
引上げ液張力が一定に保てないため、超音波の照射は引
上げ直前に停止される。あるいは、波立ちが出ない程度
まで超音波振動子１１の出力が弱められ、超音波の余波
がなくなり（約３分後位）液面が沈静した後にワークは
引上げられる。
引上げ液張力が一定に保てないため、超音波の照射は引
上げ直前に停止される。あるいは、波立ちが出ない程度
まで超音波振動子１１の出力が弱められ、超音波の余波
がなくなり（約３分後位）液面が沈静した後にワークは
引上げられる。
【００２２】「第三実施例」図４、図５、図６および図
７は 第三実施例の流水槽を用いた例を説明するための
説明図であって、図４、図５および図７は流水によるパ
ーティクルの分散状態の変化を示す。また、図６は流れ
とパーティクルの引力方向の速度の関係を示す図であ
る。静水方式では、パーティクルＰは槽内全体に拡散し
ているためワークＷへ付着する機会が多い。この実施例
の流水方式では、清浄な温純水がワークＷが引き上げ乾
燥される流水槽２１内をワークＷの主面と平行に流され
る。
７は 第三実施例の流水槽を用いた例を説明するための
説明図であって、図４、図５および図７は流水によるパ
ーティクルの分散状態の変化を示す。また、図６は流れ
とパーティクルの引力方向の速度の関係を示す図であ
る。静水方式では、パーティクルＰは槽内全体に拡散し
ているためワークＷへ付着する機会が多い。この実施例
の流水方式では、清浄な温純水がワークＷが引き上げ乾
燥される流水槽２１内をワークＷの主面と平行に流され
る。
【００２３】ワークＷが浸漬されたとき、パーティクル
Ｐが、仮に図４に示されるように流水槽２１内に平均的
に分散しているとしても、右方からパーティクルが含ま
れない温純水が供給されると、右方から左方へ向かう流
れが開始し、図５に示されるようにパーティクルＰは左
方へと流される。この流れは乱れができるだけ少なくさ
れており、槽内パーティクルＰはワークＷの表面を通過
する際に、ほとんどこれに接近することなく（後述）流
れ下る。そして、図７に示されるように流水２１内には
ほとんどパーティクルＰが存在しなくなる。
Ｐが、仮に図４に示されるように流水槽２１内に平均的
に分散しているとしても、右方からパーティクルが含ま
れない温純水が供給されると、右方から左方へ向かう流
れが開始し、図５に示されるようにパーティクルＰは左
方へと流される。この流れは乱れができるだけ少なくさ
れており、槽内パーティクルＰはワークＷの表面を通過
する際に、ほとんどこれに接近することなく（後述）流
れ下る。そして、図７に示されるように流水２１内には
ほとんどパーティクルＰが存在しなくなる。
【００２４】流水中では、ワークＷの表面に境界層ＢＬ
が形成される。左の速度分布グラフにみられるように、
境界層ＢＬ内では、流速がワークＷの表面で速度ゼロ、
ワークＷから離れるに従いほぼ直線的に上昇し、境界層
ＢＬの外では一定の速度（流水速度Ｖｆ）になる。この
ため、流水は境界層ＢＬの表面を滑って流れるように見
える。流水速度ＶｆはパーティクルＰの引力方向の速度
Ｖｇと比べてはるかに大きいため、パーティクルＰが境
界層ＢＬ内に侵入するまもなく、したがって、ワークＷ
に付着することなく、流れ下る。
が形成される。左の速度分布グラフにみられるように、
境界層ＢＬ内では、流速がワークＷの表面で速度ゼロ、
ワークＷから離れるに従いほぼ直線的に上昇し、境界層
ＢＬの外では一定の速度（流水速度Ｖｆ）になる。この
ため、流水は境界層ＢＬの表面を滑って流れるように見
える。流水速度ＶｆはパーティクルＰの引力方向の速度
Ｖｇと比べてはるかに大きいため、パーティクルＰが境
界層ＢＬ内に侵入するまもなく、したがって、ワークＷ
に付着することなく、流れ下る。
【００２５】パーティクルＰを含む流れ下った温純水は
中間槽２２に流れ込み、ここから出た温純水はポンプｐ
によってフィルタ２４に送り込まれ濾過される。フィル
タ２４によって濾過、清浄化された温純水は調整装置２
５に入り、循環によって溶解度及び水量が減った分だけ
水素ガス、酸素ガスあるいはオゾンガス及び純水が溶
解、添加されて再び流水槽２１に還る。温純水は温度を
制御されながら以上の循環を繰り返す。
中間槽２２に流れ込み、ここから出た温純水はポンプｐ
によってフィルタ２４に送り込まれ濾過される。フィル
タ２４によって濾過、清浄化された温純水は調整装置２
５に入り、循環によって溶解度及び水量が減った分だけ
水素ガス、酸素ガスあるいはオゾンガス及び純水が溶
解、添加されて再び流水槽２１に還る。温純水は温度を
制御されながら以上の循環を繰り返す。
【００２６】この実施例では常に新鮮な濾過水又は新液
が供給されるので、また、槽内パーティクルＰはワーク
Ｗの表面を通過する際にワークＷに接近することがない
ので、ワークＷへの付着が効率よく防止される。
が供給されるので、また、槽内パーティクルＰはワーク
Ｗの表面を通過する際にワークＷに接近することがない
ので、ワークＷへの付着が効率よく防止される。
【００２７】
【発明の効果】本発明のワークの乾燥方法では、温純水
が、この温純水中のワークのゼータ電位とパーティクル
のゼータ電位とが同一の極性になるようにコントロール
されるので、ワークの乾燥時にパーティクルの付看が防
止され、そのうえ、乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い
物質として液中成分がワークに残ることがないという効
果を奏する。また、槽内のパーティクルＰはワークＷに
接近することがないので、ワーク近傍の清浄度が保た
れ、ワークへのパーティクルの付着が効率よく防止され
るという効果を奏する。
が、この温純水中のワークのゼータ電位とパーティクル
のゼータ電位とが同一の極性になるようにコントロール
されるので、ワークの乾燥時にパーティクルの付看が防
止され、そのうえ、乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い
物質として液中成分がワークに残ることがないという効
果を奏する。また、槽内のパーティクルＰはワークＷに
接近することがないので、ワーク近傍の清浄度が保た
れ、ワークへのパーティクルの付着が効率よく防止され
るという効果を奏する。
【図１】パーティクルＰの表面Ｓからの距離Ｌとその距
離Ｌの点における電位との分布を説明するための定性的
グラフである。
離Ｌの点における電位との分布を説明するための定性的
グラフである。
【図２】酸化還元電位（ＯＲＰ）と水素イオン濃度（Ｐ
Ｈ）が添加剤によりどのようにシフトするかの傾向を示
す図である。
Ｈ）が添加剤によりどのようにシフトするかの傾向を示
す図である。
【図３】第三実施例を説明するための説明図である。
【図４】流水槽を用いた場合の第三実施例の説明図であ
って、図５および図７とともに流水によるパーティクル
の分散状態の変化を示す。
って、図５および図７とともに流水によるパーティクル
の分散状態の変化を示す。
【図５】流水槽を用いた場合の第三実施例の説明図であ
って、図６および図７とともに流水によるパーティクル
の分散状態の変化を示す。
って、図６および図７とともに流水によるパーティクル
の分散状態の変化を示す。
【図６】流れとパーティクルの引力方向の速度の関係を
示す図である。
示す図である。
【図７】流水槽を用いた場合の第三実施例の説明図であ
って、図４および図５とともに流水によるパーティクル
の分散状態の変化を示す。
って、図４および図５とともに流水によるパーティクル
の分散状態の変化を示す。
１０ 乾燥槽 １１ 超音波振動子 ２１ 流水槽 ２２ 中間槽 ２４ フィルタ ２５ 調整装置 ａ、ｂ 電位分布 Ｐ パーティクル ｐ ポンプ Ｓ 表面 Ｔ 滑り面 Ｗ ワーク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１月３０日（２００１．１．３
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】
【発明の効果】本発明のワークの乾燥方法では、温純水
が、この温純水中のワークのゼータ電位とパーティクル
のゼータ電位とが同一の極性になるようにコントロール
されるので、ワークの乾燥時にパーティクルの付着が防
止され、そのうえ、乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い
物質として液中成分がワークに残ることがないという効
果を奏する。また、槽内のパーティクルＰはワークＷに
接近することがないので、ワーク近傍の清浄度が保た
れ、ワークへのパーティクルの付着が効率よく防止され
るという効果を奏する。
が、この温純水中のワークのゼータ電位とパーティクル
のゼータ電位とが同一の極性になるようにコントロール
されるので、ワークの乾燥時にパーティクルの付着が防
止され、そのうえ、乾燥後にガスあるいは蒸気圧の高い
物質として液中成分がワークに残ることがないという効
果を奏する。また、槽内のパーティクルＰはワークＷに
接近することがないので、ワーク近傍の清浄度が保た
れ、ワークへのパーティクルの付着が効率よく防止され
るという効果を奏する。
Claims (4)
- 【請求項１】 ワークを温純水中に浸漬させて加熱した
あと、この温純水の液面に波が立たない速度で上記ワー
クを液面からゆっくりと引上げることにより乾燥させる
ワークの乾燥方法であって、 上記温純水を、この温純水中の上記ワークのゼータ電位
とパーティクルのゼータ電位とが同一の極性になるよう
にコントロールすることを特徴とするワークの乾燥方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたワークの乾燥方法
において、 上記温純水には、水素ガスを溶解した純水を用い、この
水素ガスの溶解によって、上記ワークのゼータ電位と上
記パーティクルのゼータ電位とが同一の極性になるよう
にコントロールすることを特徴とするワークの乾燥方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載されたワークの乾燥方法
において、 上記温純水には、オゾンガスあるいは酸素ガスを溶解し
た純水を用い、このオゾンガスあるいは酸素ガスの溶解
によって、上記ワークのゼータ電位と上記パーティクル
のゼータ電位とが同一の極性になるようにコントロール
することを特徴とするワークの乾燥方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３までのいずれかに
記載されたワークの乾燥方法において、 上記ワークの近傍において、上記温純水の強制的な流れ
を作り、この流れによって上記ワーク近傍の清浄度を保
つことを特徴とするワークの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015284A JP2002222790A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | ワークの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015284A JP2002222790A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | ワークの乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222790A true JP2002222790A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18881859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001015284A Pending JP2002222790A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | ワークの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013099728A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| JP2013181927A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | 岩盤の酸化還元状況の評価方法及び計測装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06132267A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Hitachi Ltd | 異物付着防止溶液とそれを用いた洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP2610441B2 (ja) * | 1987-08-25 | 1997-05-14 | スピ−ドファムクリ−ンシステム株式会社 | ワークの乾燥方法 |
| JPH10326766A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-12-08 | Sumio Hamaya | 半導体１ｇｄｒａｍ用乾燥機 |
| JPH11307507A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ乾燥装置 |
| JP2000164549A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | シリコン基板の洗浄方法 |
| JP2000228387A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Tadahiro Omi | ウエット洗浄装置 |
| JP2000262993A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-26 | Toshiba Corp | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
-
2001
- 2001-01-24 JP JP2001015284A patent/JP2002222790A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2610441B2 (ja) * | 1987-08-25 | 1997-05-14 | スピ−ドファムクリ−ンシステム株式会社 | ワークの乾燥方法 |
| JPH06132267A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-13 | Hitachi Ltd | 異物付着防止溶液とそれを用いた洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH10326766A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-12-08 | Sumio Hamaya | 半導体１ｇｄｒａｍ用乾燥機 |
| JPH11307507A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ乾燥装置 |
| JP2000164549A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | シリコン基板の洗浄方法 |
| JP2000228387A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Tadahiro Omi | ウエット洗浄装置 |
| JP2000262993A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-26 | Toshiba Corp | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013099728A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| JP5303741B1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| JP2013181927A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | 岩盤の酸化還元状況の評価方法及び計測装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Quinn et al. | Influence of the electrical double layer in electrowetting | |
| Itano et al. | Minimization of particle contamination during wet processing of Si wafers | |
| Bakhtari et al. | Experimental and numerical investigation of nanoparticle removal using acoustic streaming and the effect of time | |
| Prieve | Migration of a colloidal particle in a gradient of electrolyte concentration | |
| JP4951625B2 (ja) | シリコン表面の調製 | |
| WO2001026768A3 (en) | Electrostatic enhancement for membrane-separation systems | |
| US11139159B2 (en) | Methods of removing particles from over semiconductor substrates | |
| JPH10298589A (ja) | 洗浄液及び洗浄方法 | |
| KR20190002396A (ko) | 액 처리 방법 및 액 처리 장치 | |
| KR100793120B1 (ko) | 초순수 공급 시스템의 세정방법 | |
| JP2002222790A (ja) | ワークの乾燥方法 | |
| Busnaina et al. | Ultrasonic and megasonic particle removal | |
| JP2007283248A (ja) | 分離回収装置および分離回収方法 | |
| JP3863229B2 (ja) | 洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0745600A (ja) | 液中異物付着防止溶液とそれを用いたエッチング方法及び装置 | |
| JPH0475339A (ja) | 電界洗浄法 | |
| KR19990047949A (ko) | 반도체 세정 공정에서 메탈 파티클 제거 방법 및 그 방법이 적용된 습식 세정 장치 | |
| JPH08102456A (ja) | 電子材料洗浄方法及び洗浄装置 | |
| Michelmore et al. | The effect of deposition of negatively charged particles on the electrokinetic behaviour of oppositely charged surfaces | |
| JP3833073B2 (ja) | 濁水処理方法 | |
| JPH0374845A (ja) | 液中微粒子付着制御方法 | |
| JP2002126754A (ja) | スラリー廃液の処理方法 | |
| Menon et al. | Ultrasonic and hydrodynamic techniques for particle removal from silicon wafers | |
| JPH04171724A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及び装置 | |
| KR101957900B1 (ko) | 미세버블이 포함된 세정액의 pH 조절을 통한 세정 방법 및 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20071122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091005 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20091110 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |