JP2001017887A

JP2001017887A - ウェハ洗浄における異物の除去方法および異物除去装置

Info

Publication number: JP2001017887A
Application number: JP11191703A
Authority: JP
Inventors: Koji Yashima; 浩二八嶋
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-07-06
Filing date: 1999-07-06
Publication date: 2001-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】微細な異物をも補集することが可能で、且つ
圧力損失の小さいウェハ洗浄における異物の除去方法お
よび異物除去装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハの洗浄に用いる洗浄液中に
耐腐食性処理を施した電極を投入し、この電極には洗浄
液のｐＨ値によって変動する異物のゼータ電位と異符号
の電位を与えるようにする。このように電極に異物のゼ
ータ電位と異符号の電位を与えることにより、異符号電
位による引力で異物を電極に吸引させ、洗浄液中の異物
を補集することができる。なお補集は物理的補集と異な
り、電気的におこなわれるので、補集による圧力損失を
小さくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ洗浄におけ
る異物の除去方法および異物除去装置に係り、特に水溶
液中に浮遊する微細な異物を除去するのに好適なウェハ
洗浄における異物の除去方法および異物除去装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、円盤状のシリコン基板
（以下半導体ウェハと称す）の表面に不純物を打ち込
み、その表面にトランジスタや抵抗および容量などを形
成した後、さらにその表面に絶縁膜や配線を形成してい
くことで製造される。

【０００３】このような半導体装置の製造工程において
は、配線パターン形成用のレジストを半導体ウェハの表
面から除去したり、あるいは半導体ウェハに付着した異
物を除去する目的から製造工程途中には洗浄工程が多数
設けられている。

【０００４】図５は、半導体ウェハの洗浄を行うための
洗浄装置の構成を示す説明図である。同図に示すように
洗浄装置１は、目的の異なる第１洗浄槽２Ａ、第２洗浄
槽２Ｂ、第３洗浄槽２Ｃを有しており、これら洗浄槽を
半導体ウェハの搬送方向に沿って配置している。

【０００５】すなわち半導体ウェハが最初に投入される
第１洗浄槽２Ａにおいては、洗浄液３として希フッ酸
（ＤＦＨ）が用いられており、この洗浄液３に半導体ウ
ェハを投入することにより、不要な酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）をウェハ表面から除
去するようにしている。なお第１洗浄槽２Ａには、循環
経路５が接続され、当該循環経路５の途中には洗浄液３
の循環をなすためのポンプ６と、当該ポンプ６によって
循環される洗浄液３から異物を除去するためのフィルタ
７とが設けられ、異物が除去された洗浄液３を再度、第
１洗浄槽２Ａに供給可能にしている。なおここで異物と
は、既に第１洗浄槽２Ａに投入された半導体ウェハから
剥離した、不要な酸化シリコン（ＳｉＯ_２）および窒化
ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）等を指しており、これら異物が第
１洗浄槽２Ａに残留することで、以降第１洗浄槽２Ａに
投入される半導体ウェハにこれら異物が付着するのを防
止するようにしている。

【０００６】また第１洗浄槽２Ａの後段に設けられた第
２洗浄槽２Ｂでは、洗浄液として純水が用いられ、第１
洗浄槽２Ａで用いられた洗浄液３を半導体ウェハの表面
から除去するようにしている。そして第２洗浄槽２Ｂの
後段に設けられた第３洗浄槽２Ｃでは、洗浄液３が除去
された半導体ウェハをリンス液（純水もしくは超純水）
中に投入し、半導体ウェハ表面の界面活性化を図るよう
にしている。

【０００７】そしてこれら洗浄工程は、洗浄によって除
去する対象物の性質によって洗浄液やその他条件（時
間、温度等）が異なる。すなわち前述したような酸化シ
リコン（ＳｉＯ_２）の除去においては洗浄液は希フッ酸
（ＤＦＨ）を用いることとし、また一般的なパーティク
ルの除去においては洗浄液はアンモニアと過酸化水素水
との混合液を用い、さらに金属の異物除去においては洗
浄液は塩酸と過酸化水素水との混合液を用いるようにし
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし前述した洗浄装
置においては洗浄液中に異物が混入し、当該異物が除去
されずに洗浄液中に存在していると、半導体ウェハにこ
の異物が付着し、半導体ウェハ上に形成される半導体装
置の信頼性低下あるいは半導体装置が不良品になるおそ
れがあった。

【０００９】たとえば第１洗浄槽２Ａでは、当該第１洗
浄槽２Ａよりオーバーフローした（洗浄後の）洗浄液３
を回収し、この洗浄液３を網目状のフィルタ７を通過さ
せることで洗浄液３に含まれた異物を補集するようにし
ているが、現在ＭＯＳ−ＦＥＴにおけるゲート酸化膜の
膜厚は１００オングストローム程度となっているのに対
し、現行のフィルタ７の網目の大きさは５００オングス
トローム程度となっている。このため現行のフィルタ７
では異物が十分に補集されず、半導体装置に不具合が生
じるおそれがある。具体的には、絶縁膜の形成工程の前
工程で異物が半導体ウェハに付着した場合を考えると、
半導体ウェハの表面に異物が付着したまま（当該異物を
覆うように）絶縁膜が形成される。その後、前記異物が
ウェハ表面から振動や衝撃等の要因で脱落したりすると
前記絶縁膜の膜厚の厚みがそこの部分（異物が脱落した
部分）だけ薄くなり、耐電圧の低下により装置自体の信
頼性が低下するというおそれである。また隣接する配線
パターンを跨ぐように異物が付着した場合では、隣接す
るパターンの間が前記異物によって短絡してしまうとい
うおそれがあった。

【００１０】そしてこれらの問題点を解決するため、フ
ィルタの網目の大きさを細かく（小さく）して、より小
さな異物を取り除くことが考えられるが、微細な穴を有
したフィルタを製作することは難しく、またこうしたフ
ィルタにおいてはそれ自体の抵抗によって洗浄液を通過
させることが難しくなるという（圧力損失が大きくなる
という）問題点があった。

【００１１】本発明では、上記従来の問題点に着目し、
微細な異物をも補集することが可能で、且つ圧力損失の
小さいウェハ洗浄における異物の除去方法および異物除
去装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハ洗浄
における異物の除去方法は、半導体ウェハの洗浄液に含
まれる異物の除去方法であって、前記洗浄液中に耐腐食
性処理を施した電極を投入し、この電極には前記洗浄液
のｐＨ値によって変動する前記異物のゼータ電位と異符
号の電位を与え、異符号電位による引力で前記異物を前
記電極に吸引させる手順とした。

【００１３】本発明に係るウェハ洗浄における異物の除
去方法によれば、洗浄液中に存在する異物は、前記洗浄
液のｐＨ値によってゼータ電位が変動する性質を有して
いる。そして洗浄により半導体ウェハの表面から脱落す
る異物（洗浄の対象物）の種類も解ることから、洗浄液
のｐＨ値に対して前記異物が正のゼータ電位を有するの
か、あるいは負のゼータ電位を有するのかをあらかじめ
調べておき、この電位とは逆の電位（異物のゼータ電位
が正であれは負、異物のゼータ電位が負であれは正）を
洗浄液中に投入された電極に加えれば、異物は電極との
異符号の電位によって前記電極に吸引される。なお電極
に耐腐食性の処理を施すことで、酸や塩基の性質を有す
る洗浄液に対して電極が腐食するのを防止することがで
きる。

【００１４】また本発明に係る異物除去装置は、半導体
ウェハを投入可能とする洗浄槽と、この洗浄槽から引き
出された循環経路と、当該循環経路に設けられ洗浄液の
循環をなす送水ポンプとを有するウェハ洗浄機に備えら
れた異物除去装置であって、耐腐食性処理を施した電極
を前記循環経路に設けるとともに、前記電極に極性反転
手段を介して電源を接続し前記電極への印加により前記
洗浄液の異物を前記電極に吸引および放出させるよう構
成した。なお前記電極を前記循環経路の開口断面に対応
する網目形状に形成することが好ましく、あるいは前記
電極を前記循環経路の途中に設置される濾材として設置
してもよい。

【００１５】本発明に係る異物除去装置によれば、半導
体ウェハは洗浄槽に投入され、その表面に付着した異物
は洗浄液によって除去される。ここで洗浄液は洗浄槽を
介して循環経路内を循環することとなるが、この循環経
路の途中には電極が設けられているので、前記洗浄液中
における異物のゼータ電位と逆の電位（異物のゼータ電
位が正であれは負、異物のゼータ電位が負であれは正）
を洗浄液中に投入された電極に加えれば、異物は電極と
の異符号の電位によって前記電極に吸引および放出さ
れ、洗浄液中の異物の除去を行うことができる。なお異
物の補集は電気的吸引によってなされるため、粒径の小
さな異物も補集することが可能であり、また物理的に異
物を補集するものではないので圧力損失を小さくするこ
とが可能になる。なお電極に耐腐食性の処理を施すこと
で、酸や塩基の性質を有する洗浄液に対して電極が腐食
するのを防止することができ、さらに極性反転手段によ
り洗浄液の性質（酸性または塩基性）に応じて電極に加
わる電位を容易に対応できることはいうまでもない。

【００１６】また前記電極を前記循環経路の開口断面に
対応する網目形状に形成すれば、電極と洗浄液との接触
面積を向上させることができるとともに、前記洗浄液は
網目状の電極を必ず通過することになるので、異物の補
集効率の向上を高めることができる。さらに電極の網目
形状化により、異物の物理的補集も可能となり、異物の
電気的補集とあわせて、粒径の異なる異物を容易に補集
することができる。

【００１７】あるいは前記電極を前記循環経路の途中に
設置される濾材として設置したことから、異物の物理的
補集をなす濾材に電気的補集能力を持たせた形態となる
ので、濾材の目より小さな異物まで補集することが可能
になり、効果的な異物の補集が可能になる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係るウェハ洗浄に
おける異物の除去方法および異物除去装置に好適な具体
的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。

【００１９】図１は、本実施の形態に係る異物除去装置
の構造を示す断面説明図であり、図２は、図１に示す異
物除去装置を用いた洗浄装置の構成を示す説明図であ
る。これらの図に示すように、本実施の形態に係る異物
除去装置１０は、半導体ウェハの表面の洗浄をなすウェ
ハ洗浄機となる洗浄装置１２に装着され、当該洗浄装置
１２内を循環する洗浄液から異物を除去し、構造膜を剥
離したばかりの（未だ薬液槽に入っている）半導体ウェ
ハへの再付着や、後に投入される半導体ウェハに異物が
付着するのを防止するようにしている。

【００２０】なお洗浄装置１２は、半導体ウェハの表面
に半導体装置を形成していく、いわゆる半導体装置の製
造工程の途中に何カ所も設置されており、目的の異なる
洗浄に用いられている。すなわち半導体装置の製造工程
においては、前記半導体ウェハを洗浄装置に投入するこ
とで、パーティクルの除去や、あるいはレジスト膜の除
去などを行うようにしている。

【００２１】ここで半導体ウェハの表面から、不要な酸
化シリコン（ＳｉＯ_２）および窒化ケイ素（Ｓｉ
_３Ｎ_４）を除去する洗浄装置１２の構造を図２を用いて
説明する。同図に示すように洗浄装置１２は、目的の異
なる三台の洗浄槽を直列に配置した構成となっており、
これら洗浄槽に半導体ウェハを連続して投入すること
で、当該半導体ウェハの表面から不要な酸化シリコン
（ＳｉＯ_２）および窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）等を除去
可能にしている。

【００２２】すなわち洗浄装置１２を構成する第１洗浄
槽１４Ａでは、洗浄液１６として希フッ酸（ＤＦＨ）が
用いられており、この槽内に半導体ウェハを投入するこ
とで、ウェハ表面から不要な酸化シリコン（ＳｉＯ_２）
や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を除去するようにしてい
る。ところで第１洗浄槽１４Ａの外周部分には当該第１
洗浄槽１４Ａを囲むように受け槽１８が設けられてお
り、第１洗浄槽１４Ａの外縁からあふれ出た洗浄液を回
収可能にしている。そして受け槽１８の底部からは循環
経路となる循環用配管２０が引き出され、当該循環用配
管２０の先端部は第１洗浄槽の底部に接続され、後述す
るポンプの稼働により受け槽１８にて回収した洗浄液１
６を再び第１洗浄槽１４Ａの底部に設けた導入口１９へ
と送り出し（循環）可能にしている。

【００２３】循環用配管２０の途中には、ポンプ２２が
設けられ、受け槽１８で回収した洗浄液１６を再度第１
洗浄槽１４Ａへと（図中、矢印２４を参照）送り出し可
能にしている。そして循環用配管２０の途中におけるポ
ンプ２２の後段にはフィルタとなる異物除去装置１０が
設置され、洗浄液１６中に含まれる異物の除去を可能に
している。

【００２４】このように構成された第１洗浄槽１４Ａの
後段に設けられる第２洗浄槽１４Ｂでは、洗浄液として
純水が用いられ、第１洗浄槽１４Ａで用いられた洗浄液
１６を半導体ウェハの表面から除去するようにしてい
る。そして第２洗浄槽１４Ｂの後段に設けられた第３洗
浄槽１４Ｃでは、洗浄液としてリンス液（純水もしくは
超純水）が用いられ、洗浄液１６を含める不純物を無く
し比抵抗１０ＭΩ・ｃｍに達するまで純度を上げてい
る。なお第２洗浄槽１４Ｂおよび第３洗浄槽１４Ｃで
は、その底部に純水またはリンス液の導入および排出を
なす入出口２６が設けられており、この入出口２６に配
管を介して接続される電磁式開閉バルブ２８を開閉させ
ることで、洗浄槽へ純水およびリンス液を導入あるいは
排出を可能にしている。

【００２５】ここで第１洗浄槽１４Ａにおける循環配管
２０の途中に設けられた異物除去装置１０の構造を説明
する。前述したように異物除去装置１０は洗浄液１６の
循環をなす循環配管２０の途中に設けられており、洗浄
液１６の含まれた異物の除去を行うものである。

【００２６】異物除去装置１０は、その本体を導電性の
円筒容器３０で構成しており。当該円筒容器３０の内側
には当該円筒容器３０を縮小させた形状の異物補集用の
フィルタ３２が設けられている。そして当該フィルタ３
２の内側には導入口１９側へと続く循環配管２０が接続
されフィルタ３２を通過した洗浄液１６を送り出し可能
にしている。一方、フィルタ３２の外側と、円筒容器３
０の内側とで構成される空間にはポンプ２２側から延長
された循環配管２０が接続され、受け槽１８にて回収し
た洗浄液１６を導入可能にしている。なお導電性の円筒
容器３０の内側（洗浄液１６が満たされる箇所）には、
耐腐食性処理が施され、酸性や塩基性の性質を有する洗
浄液１６によって円筒容器３０が腐食するのを防止する
ようにしている。

【００２７】ところで円筒容器３０の内側に設けられる
フィルタ３２は、性質の異なるフィルタを重ねた二層構
造で構成され、その外側は網目の大きさが５００オング
ストローム程度に形成された物理的補集フィルタ３４と
なっており、フィルタ３２の外側から内側に洗浄液１６
が通過する際、網目の大きさで洗浄液１６内に存在する
異物を補集可能にしている。一方、物理的補集フィルタ
３４の内側は、電気的補集フィルタ３６となっており、
異物のゼータ電位を利用して補集をなすことが可能とな
っている。

【００２８】電気的補集フィルタ３６は、電極となる導
電性の金属を網目状に形成するとともに、その表面には
酸性や塩基性の性質を有する洗浄液１６に接しても腐食
が生じないように耐腐食性の処理が施されている。具体
的には導電性金属の表面にポリテトラフルオロエチレン
をコーティングすることが望ましい。なお電気的補集フ
ィルタ３６の網目の大きさは物理的補集フィルタ３６の
網目の大きさより十分に大きく設定され、圧力損失を最
小限に抑えるようにしている。

【００２９】ところで円筒容器３０の外方には電源とな
る直流電源３８が設けられているとともに、この直流電
源３８における一対の端子からは配線ケーブル４０がそ
れぞれ引き出されており、当該配線ケーブル４０の先端
側は、一方が電気的補集フィルタ３６に接続され、他方
側は円筒容器３０へと接続されている。なお一対の配線
ケーブルの延長途中には、極性反転手段となるリレーボ
ックス４２が設けられており、当該リレーボックス４２
の極性を切り換えることで（図中、矢印４１を参照）、
円筒容器３０側に直流電源３８が有する正側電位を加え
たり（このとき電気的補集フィルタ３６側には負側電位
が加わる）、負側電位を加える（このとき電気的補集フ
ィルタ３６側には正側電位が加わる）ことが可能となっ
ている。なお本実施の形態では、極性反転手段をリレー
ボックス４２で構成することとしたが、この形態に限定
される必要もなく、極性反転手段は、電気的補集フィル
タ３６と円筒容器３０に加わる印加電圧の正負が逆転で
きればよいので、例えばリレーボックス４２に代えて、
ＭＯＳ−ＦＥＴなどの電子部品を用いて極性反転手段を
構成するようにしてもよい。

【００３０】ところで洗浄液中に存在するパーティクル
においては、前記洗浄液のｐＨ値によって前記パーティ
クルのゼータ電位が変動することが知られている。図３
は、水溶液のｐＨ値の変化によって酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）のゼータ電位が推移
する様子を表したグラフである。なおゼータ電位とは固
体と液体の界面を横切って存在する電気的ポテンシャル
であり、半導体ウェハの表面への吸着や脱離に深く関係
している物性値である。

【００３１】同図に示すように、酸化シリコン（ＳｉＯ
_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）は、ｐＨ値が約５の弱
酸性（ｐＨ値が７が中性）を境界として正負の電位が反
転する性質を有していることが知られている。このため
本実施の形態においては、まず希フッ酸のｐＨ値を調べ
るとともに、このｐＨ値を図３のグラフに当てはめ、希
フッ酸中の酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓ
ｉ_３Ｎ_４）が正負どちら側の電位を有するか確認をおこ
なう。そしてこの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ
素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の有する電位とは逆の電位を電気的補
集フィルタ３６側に印加すれば、洗浄液中の異物となる
酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）
を補集することができる。

【００３２】このように構成された異物除去装置１０を
備えた洗浄装置１２を用いて洗浄液中の異物となる酸化
シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を除
去する手順を説明する。

【００３３】まず洗浄装置１２におけるポンプ２２を稼
働させ、循環配管２０に沿って洗浄液１６を循環させ
る。こうして洗浄液１６を循環させた後は、図３の関係
より求めた酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓ
ｉ_３Ｎ_４）のゼータ電位と異符号になるような電位を電
気的補集フィルタ３６側に与える（すなわち円筒容器３
０に与える電位はゼータ電位を同符号である）。このよ
うに電気的補集フィルタ３６と円筒容器３０とに電位を
与えた後に、図示しない半導体ウェハを上方より第１洗
浄槽１４Ａに投入する。

【００３４】半導体ウェハが第１洗浄槽１４Ａに投入さ
れ洗浄液１６となる希フッ酸に接すると、半導体ウェハ
の表面に付着していた洗浄対象となる酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）はその表面から洗
い流され、洗浄液１６側に移動することとなる。その
後、洗浄液１６は第１洗浄槽１４Ａの外縁よりあふれ出
し（オーバフロー）、受け層１８にて回収され、循環配
管２０に沿ってポンプ２２を経過し、異物除去装置１０
へと導入される。

【００３５】ポンプ２２側から延長された循環配管２０
は異物除去装置１０におけるフィルタ３２の内側に接続
されており、異物４３を含んだ洗浄液１６は、その場所
に導入される。ここで洗浄液１６はポンプ２２の吐出能
力により（循環流により）フィルタ３２を通過して導入
口１９に接続される循環配管２０側に移動しようとする
が、ここで電気的補集フィルタ３６は、洗浄液１６内に
存在する異物４３のゼータ電位と異符号の電位を有して
いることから、洗浄液１６中の異物４３は電気的補集フ
ィルタ３６に引きつけられ、次々と当該電気的補集フィ
ルタ３６の表面に吸着されていく。またたとえ異物４３
が電気的補集フィルタ３６で通過されず当該電気的補集
フィルタ３６を通過したとしても、その後には物理的補
集フィルタ３４が備えられているので、前記異物４３は
この物理的補集フィルタ３４で補集することができる。

【００３６】このように洗浄液１６内の異物のゼータ電
位を利用して補集を行うことから、例えば金属および非
金属の隔てなく異物を除去することが可能になる。また
本実施の形態では、洗浄液１６中の異物を酸化シリコン
（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）としたが、半
導体装置の製造工程では、この他に一般的なパーティク
ルの除去や金属の異物除去などを目的とした洗浄もおこ
なわれる。一般的なパーティクルの除去においては洗浄
液はアンモニアと過酸化水素水との混合液を用い、さら
に金属の異物除去においては洗浄液は塩酸と過酸化水素
水との混合液を用いるようにしているが、この場合も酸
化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の
場合と同様に、所定の洗浄液中の異物のゼータ電位を調
査し、この電位とは逆の電位を電気的補集フィルタに加
えればよい。

【００３７】図４は、本実施の形態に係る異物除去装置
の応用例の構造を示す断面説明図である。同図において
図１と異なる点は電気的補集フィルタ３６の形状のみで
あり、その他形状は、図１と同一である。このため共通
部分については同一の符号を付与し説明を行うこととす
る。

【００３８】同図においては、電気的補集フィルタ４４
の形状を網目状の容器にせず、円柱状とした。このよう
に電気的補集フィルタ４４を構成すれば、洗浄液１６の
管路の断面全域を電気的補集フィルタ４４が覆うことが
なくなり、圧力損失の低減を図ることが出来る。このた
め異物の補集効率が若干低下するもののポンプ２２の吐
出能力が低い場合などに有効である。また図示しないが
循環配管２０の途中に円筒容器３０を設けずに、循環配
管２０の内部にこのような電気的補集フィルタ４４を設
けるようにしてもよい。

【００３９】また本実施の形態では、物理的補集フィル
タと電気的補集フィルタとを分けた構成としたが、この
形態に限定されることもなく、物理的補集フィルタを構
成するいわゆる濾材に電極の役割を持たせ、物理的補集
フィルタに電気的補集フィルタの機能を持たせるように
して異物の補集を図るようにしてもよい。なお清掃の際
には、異物の捕集時の時と極性を逆にして異物の放出を
図り、電気的にフィルタの清掃を図るようにしてもよ
い。また上述した電気的捕集フィルタの使用用途は半導
体の製造工程に限定されることもなく、例えばＴＦＴの
製造工程などに代表されるように幅広い分野への適用が
可能である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェハ
洗浄における異物の除去方法によれば、半導体ウェハの
洗浄液に含まれる異物の除去方法であって、前記洗浄液
中に耐腐食性処理を施した電極を投入し、この電極には
前記洗浄液のｐＨ値によって変動する前記異物のゼータ
電位と異符号の電位を与え、異符号電位による引力で前
記異物を前記電極に吸引させたことから、物理的補集を
行うフィルタより細かい異物まで補集ができるととも
に、洗浄液中の微細な異物をも補集することが可能にな
るとともに圧力損失を小さくすることができる。

【００４１】また本発明に係る異物除去装置によれば、
半導体ウェハを投入可能とする洗浄槽と、この洗浄槽か
ら引き出された循環経路と、当該循環経路に設けられ洗
浄液の循環をなす送水ポンプとを有するウェハ洗浄機に
備えられた異物除去装置であって、耐腐食性処理を施し
た電極を前記循環経路に設けるとともに、前記電極に極
性反転手段を接続し前記電極の極性反転により前記洗浄
液中の異物を前記電極に吸引および放出させたことか
ら、洗浄液の性質に容易に対応することができるととも
に、洗浄液中の微細な異物をも補集することができ、ま
た装置設置による圧力損失も小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る異物除去装置の構造を示す
断面説明図である。

【図２】図１に示す異物除去装置を用いた洗浄装置の構
成を示す説明図である。

【図３】水溶液のｐＨ値の変化によって酸化シリコン
（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ_４）のゼータ電位
が推移する様子を表したグラフである。

【図４】本実施の形態に係る異物除去装置の応用例の構
造を示す断面説明図である。

【図５】半導体ウェハの洗浄を行うための洗浄装置の構
成を示す説明図である。

【符号の説明】

１洗浄装置２Ａ第１洗浄槽２Ｂ第２洗浄槽２Ｃ第３洗浄槽３洗浄液５循環経路６ポンプ７フィルタ１０異物除去装置１２洗浄装置１４Ａ第１洗浄槽１４Ｂ第２洗浄槽１４Ｃ第３洗浄槽１６洗浄液１８受け槽１９導入口２０循環用配管２２ポンプ２４矢印２６入出口２８電磁式開閉バルブ３０円筒容器３２フィルタ３４物理的補集フィルタ３６電気的補集フィルタ３８直流電源４０配線ケーブル４１矢印４２リレーボックス４３異物４４電気的補集フィルタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウェハの洗浄液に含まれる異物の
除去方法であって、前記洗浄液中に耐腐食性処理を施し
た電極を投入し、この電極には前記洗浄液のｐＨ値によ
って変動する前記異物のゼータ電位と異符号の電位を与
え、異符号電位による引力で前記異物を前記電極に吸引
させることを特徴とするウェハ洗浄における異物の除去
方法。
【請求項２】半導体ウェハを投入可能とする洗浄槽
と、この洗浄槽から引き出された循環経路と、当該循環
経路に設けられ洗浄液の循環をなす送水ポンプとを有す
るウェハ洗浄機に備えられた異物除去装置であって、耐
腐食性処理を施した電極を前記循環経路に設けるととも
に、前記電極に極性反転手段を介して電源を接続し前記
電極への印加により前記洗浄液の異物を前記電極に吸引
及び放出させることを特徴とする異物除去装置。
【請求項３】前記電極を前記循環経路の開口断面に対
応する網目形状に形成したことを特徴とする請求項２に
記載の異物除去装置。
【請求項４】前記電極を前記循環経路の途中に設置さ
れる濾材として設置したことを特徴とする請求項２また
は請求項３に記載の異物除去装置。