WO2012132074A1 - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 - Google Patents

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cleaning
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recording medium
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典子 島津
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コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社
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    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium and an information recording medium, and in particular, includes a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium used for manufacturing an information recording medium, and the glass substrate for information recording medium.
  • the present invention relates to an information recording medium.
  • Patent Document 1 in order to finish the glass substrate to the outermost end with high cleanliness, the colloidal silica used in the polishing step and the glass substrate are electrostatically repelled to perform a cleaning step. Discloses a method for producing a glass substrate that prevents re-adhesion of colloidal silica to the glass substrate.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and is a glass substrate for an information recording medium capable of sufficiently suppressing re-adhesion of colloidal silica to a glass substrate in the glass substrate production process.
  • An object of the present invention is to provide a manufacturing method and an information recording medium provided with the glass substrate for the information recording medium.
  • the manufacturing method of the glass substrate for information recording media is a manufacturing method of the glass substrate for information recording media in which a magnetic-recording layer is formed in the main surface of a glass substrate, Comprising: The step of polishing using colloidal silica while holding the glass substrate on the carrier of the polishing apparatus, and the state of the glass substrate in the cleaning tank storing the cleaning liquid while the glass substrate is placed on the cleaning holder And the step of cleaning the glass substrate includes a step of adsorbing the colloidal silica adhering to the glass substrate to the cleaning tank.
  • the zeta potential of the glass substrate, the zeta potential of the cleaning holder, and the zeta potential of the colloidal silica are set to a negative potential, and the zeta potential of the cleaning tank is set.
  • the glass substrate is cleaned with a positive potential.
  • the zeta potential of the glass substrate is expressed as ⁇ sub
  • the zeta potential of the cleaning holder is expressed as ⁇ car
  • the zeta potential of the colloidal silica is expressed as ⁇ si
  • the zeta potential of the cleaning bath is expressed as ⁇ was.
  • the following relations of Expression 1 and Expression 2 are satisfied. ⁇ sub ⁇ ⁇ car ⁇ ⁇ si ⁇ ⁇ 10 mV (Expression 1), ⁇ was ⁇ 0 mV (Expression 2).
  • a water-soluble polymer or a surfactant is used as a regulator of the zeta potential of the glass substrate, the zeta potential of the cleaning holder, and the zeta potential of the colloidal silica.
  • the pH of the cleaning solution is 9 to 13 in the step of cleaning the glass substrate.
  • the glass substrate for information recording media obtained by the manufacturing method of the glass substrate for information recording media described above, and the magnetic thin film layer formed on the main surface of the glass substrate Prepare.
  • a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium capable of sufficiently suppressing re-adhesion of colloidal silica to the glass substrate in the manufacturing process of the glass substrate, and the glass substrate for information recording medium.
  • An information recording medium can be provided.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 4.
  • FIG. 4 is a diagram showing zeta potential, cleaning solution pH, OSA evaluation, and error number evaluation of each of the cleaning holder, colloidal silica, glass substrate, and cleaning tank in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4. is there.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a glass substrate 1 used for a magnetic disk 10 (see FIG. 2).
  • FIG. 2 is a perspective view showing a magnetic disk 10 provided with a glass substrate 1 as an information recording medium.
  • a glass substrate 1 (glass substrate for information recording medium) used for a magnetic disk 10 has an annular disk shape with a hole 1H formed in the center.
  • the glass substrate 1 has a front main surface 1A, a back main surface 1B, an inner peripheral end surface 1C, and an outer peripheral end surface 1D.
  • the size of the glass substrate 1 is, for example, 0.8 inch, 1.0 inch, 1.8 inch, 2.5 inch, or 3.5 inch.
  • the thickness of the glass substrate is, for example, 0.30 mm to 2.2 mm from the viewpoint of preventing breakage.
  • the glass substrate has an outer diameter of about 64 mm, an inner diameter of about 20 mm, and a thickness of about 0.8 mm.
  • the thickness of the glass substrate is a value calculated by averaging the values measured at a plurality of arbitrary points to be pointed on the glass substrate.
  • the magnetic disk 10 is configured by forming a magnetic thin film layer 2 on the front main surface 1A of the glass substrate 1 described above.
  • the magnetic thin film layer 2 is formed only on the front main surface 1A, but the magnetic thin film layer 2 may also be formed on the back main surface 1B.
  • the magnetic thin film layer 2 is formed by spin-coating a thermosetting resin in which magnetic particles are dispersed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 (spin coating method).
  • the magnetic thin film layer 2 may be formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 by a sputtering method, an electroless plating method, or the like.
  • the film thickness of the magnetic thin film layer 2 formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 is about 0.3 ⁇ m to 1.2 ⁇ m in the case of the spin coating method, about 0.04 ⁇ m to 0.08 ⁇ m in the case of the sputtering method, In the case of the electroless plating method, the thickness is about 0.05 ⁇ m to 0.1 ⁇ m. From the viewpoint of thinning and high density, the magnetic thin film layer 2 is preferably formed by sputtering or electroless plating.
  • the magnetic material used for the magnetic thin film layer 2 is not particularly limited, and a conventionally known material can be used. However, in order to obtain a high coercive force, Co having high crystal anisotropy is basically used for the purpose of adjusting the residual magnetic flux density. A Co-based alloy to which Ni or Cr is added is suitable. Further, as a magnetic layer material suitable for heat-assisted recording, an FePt-based material may be used.
  • a lubricant may be thinly coated on the surface of the magnetic thin film layer 2 in order to improve the sliding of the magnetic recording head.
  • the lubricant include those obtained by diluting perfluoropolyether (PFPE), which is a liquid lubricant, with a solvent such as Freon.
  • an underlayer or a protective layer may be provided.
  • the underlayer in the magnetic disk 10 is selected according to the magnetic film.
  • the material for the underlayer include at least one material selected from nonmagnetic metals such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B, Al, and Ni.
  • the underlayer is not limited to a single layer, and may have a multi-layer structure in which the same or different layers are stacked.
  • a multilayer underlayer such as Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrMo, or NiAl / CrV may be used.
  • Examples of the protective layer for preventing wear and corrosion of the magnetic thin film layer 2 include a Cr layer, a Cr alloy layer, a carbon layer, a hydrogenated carbon layer, a zirconia layer, and a silica layer. These protective layers can be formed continuously with an in-line type sputtering apparatus, such as an underlayer and a magnetic film. In addition, these protective layers may be a single layer, or may have a multilayer structure including the same or different layers.
  • Another protective layer may be formed on the protective layer or instead of the protective layer.
  • tetraalkoxylane is diluted with an alcohol-based solvent on a Cr layer, and then colloidal silica fine particles are dispersed and applied, followed by baking to form a silicon oxide (SiO 2 ) layer. It may be formed.
  • Glass substrate manufacturing method Next, the manufacturing method of the glass substrate (glass substrate for information recording media) in this Embodiment is demonstrated using the flowchart figure shown in FIG.
  • the glass substrate manufacturing method in the present embodiment includes a glass blank material preparation step (step S10), a glass substrate formation step (step S20), a polishing step (step S30), a chemical strengthening step (step S40), and a final cleaning step. (Step S50).
  • the magnetic disk 10 is obtained by the magnetic thin film forming step (step S60).
  • the glass material constituting the glass substrate is melted (step S11).
  • the glass material is, for example, aluminosilicate glass.
  • the molten glass material is poured onto the lower mold and then press-molded with the upper mold and the lower mold (step S12).
  • a disk-shaped glass blank (glass base material) is formed by press molding.
  • the glass blank material may be formed by cutting out a sheet glass (sheet glass) formed by a downdraw method or a float method with a grinding wheel.
  • a lapping process is performed on both main surfaces of the press-molded glass blank (step S21).
  • Both main surfaces of a glass blank material are the main surfaces used as the front main surface 1A and the main surface used as the back main surface 1B in FIG. 1 through each process mentioned later (henceforth, both main surfaces) Also called).
  • the lapping polishing process is performed by pressing a lapping platen such as a double-sided lapping device using a planetary gear mechanism against both main surfaces.
  • the approximate parallelism, flatness, thickness, and the like of the glass substrate are preliminarily adjusted by the lapping process.
  • a coring (inner peripheral cut) process is performed on the center portion of the glass blank using a cylindrical diamond drill or the like (step S22).
  • a coring process is performed on the center portion of the glass blank using a cylindrical diamond drill or the like.
  • a predetermined chamfering process may be performed on the hole in the center.
  • step S30 Similar to step S21 described above, lap polishing is performed on both main surfaces of the glass substrate (step S31).
  • the coring step (step S22) fine scratches and protrusions formed on both main surfaces of the glass substrate are removed.
  • the outer peripheral end surface of the glass substrate is polished into a mirror surface by a brush (step S32).
  • the abrasive grains a slurry containing cerium oxide abrasive grains is used.
  • step S31 the warp of the glass substrate is corrected while removing scratches remaining on both main surfaces of the glass substrate in the lapping polishing process (step S31) (step S32).
  • step S31 a double-side polishing device using a planetary gear mechanism is used.
  • the glass substrate is subjected to polishing again, and minute defects and the like remaining on both main surfaces of the glass substrate are eliminated (step S34). Both main surfaces of the glass substrate are finished to have a mirror-like surface to form a desired flatness, and the warp of the glass substrate is eliminated.
  • a double-side polishing device using a planetary gear mechanism is used. Colloidal silica is used as the abrasive.
  • FIGS. 4 is a partial cross-sectional view of a double-side polishing apparatus 1000 used in the polishing process
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG.
  • double-side polishing apparatus 1000 has an upper surface plate (upper whetstone holding surface plate) 300 and lower surface plate (lower whetstone holding) to which pellet holding plates 300a and 400a holding a number of grinding pellets 100 are attached.
  • a disk-shaped glass substrate 1 held by a carrier 500 is disposed between a surface plate 400.
  • the upper surface plate 300 and the lower surface plate 400 rotate in opposite directions.
  • a sun gear 600 and an internal gear 700 are provided between the upper surface plate 300 and the lower surface plate 400, and the carrier 500 is disposed between them.
  • a gear that meshes with the sun gear 600 and the internal gear 700 is formed on the outer periphery of the carrier 500. Accordingly, the sun gear 600 and the internal gear 700 are rotated with the rotation of the upper and lower surface plates, so that the carrier 500 rotates and revolves.
  • the rotation direction of the carrier 500 can be selected to be clockwise or counterclockwise by changing the rotation speed of the sun gear 600 and the rotation speed of the internal gear 700.
  • the carrier 500 rotates and revolves around the sun gear 600, and the upper and lower surface plates 300 and 400 rotate in opposite directions.
  • the upper surface plate 300 rotates in the clockwise direction
  • the sun gear 600, the internal gear 700, and the lower surface plate 400 all rotate in the counterclockwise direction.
  • the alkali metal ions such as lithium ions and sodium ions contained in the glass substrate are replaced with alkali metal ions such as potassium ions having a larger ion radius than these ions (ion exchange method). Compressive stress is generated in the ion-exchanged region due to the strain caused by the difference in ion radius, and both main surfaces of the glass substrate are strengthened. As described above, a glass substrate corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the glass substrate 1 may be further subjected to a polishing polishing process in which the machining allowance on both main surfaces is 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • a polishing polishing process in which the machining allowance on both main surfaces is 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • a chemical strengthening step may be performed between the first polishing step (rough polishing) and the second polishing step (precision polishing).
  • step S50 the final cleaning process of the glass substrate 1 will be described (step S50). Both main surfaces of the glass substrate 1 are cleaned with both detergents (sulfamic acid detergent, etc.), pure water, ozone, IPA (isopropyl alcohol), UV (ultraviolet) ozone, etc. The attached deposit is removed.
  • detergents sulfamic acid detergent, etc.
  • pure water ozone
  • IPA isopropyl alcohol
  • UV ultraviolet
  • FIG. 6 shows an example of the cleaning holder 30 used in the cleaning process.
  • FIG. 7 shows the state of cleaning the glass substrate 1 in the cleaning process.
  • the cleaning holder 30 includes five support members 32 in which a plurality of grooves are formed at equal intervals in the arrangement direction of the glass substrates 1, four frame bodies 36, and two gripping portions 34. .
  • the five support members 32 are supported by a pair of frame bodies 36.
  • a plurality of glass substrates 1 are held in three places by the groove portions in which each glass substrate 1 is in the same plane of the three support members 32, and a plurality of glass substrates 1 are extended in the extending direction of the support members 32. Arranged.
  • the number of support members 32 that support one glass substrate 1 is not limited to three, but it is preferably three because there are few portions that come into contact with the glass substrate 1 and it can be stably held.
  • a member having a mesh is used for the frame 36, and the support member 32 can be attached using a mesh hole.
  • the mesh conditions, the wire diameter, the open space ratio, and the like are not particularly limited as long as the support member 32 can be supported and the shape of the holding member can be maintained.
  • Examples of the material of the frame 36 include tool steel (steel material containing 0.3 to 2.0% by mass of carbon), pure iron, pure aluminum, pure titanium, titanium alloy, magnesium alloy, zirconium, and Inconel HX (heat resistant). Special steel), nickel, SUS304, SUS329, SUS410, SUS430 and the like.
  • polyether ether ketone PEEK
  • tetrafluoroethylene polycarbonate or the like
  • a plurality of glass substrates 1 held by the cleaning holder 30 are cleaned in a cleaning tank 50 in which a cleaning liquid 51 is stored.
  • an ultrasonic vibration unit 52 is disposed below the cleaning tank 50, and the glass substrate 1 can be ultrasonically cleaned using, for example, ultrasonic waves having a frequency of 900 kHz or more.
  • Examples of the material of the cleaning tank 50 include tool steel (steel material containing 0.3 to 2.0% by mass of carbon), pure iron, pure aluminum, pure titanium, titanium alloy, magnesium alloy, zirconium, and Inconel HX (heat resistant). Special steel), nickel, SUS304, SUS329, SUS410, SUS430 and the like. Alternatively, a coating material such as SUS can be used for Teflon (registered trademark) or the like.
  • the glass substrate 1 is cleaned by adsorbing the colloidal silica adhering to the glass substrate 1 to the cleaning tank 50.
  • the zeta potential ( ⁇ sub) of the glass substrate 1, the zeta potential ( ⁇ car) of the cleaning holder 30, and the zeta potential ( ⁇ si) of colloidal silica are set to negative potentials, and the zeta potential ( ⁇ was) of the cleaning tank is set.
  • the glass substrate is cleaned at a positive potential.
  • the zeta potential can be set to a predetermined value by changing the pH.
  • variable control means In order to set the zeta potential ( ⁇ was) of the cleaning tank 50 to a positive potential, an alternating current is directly applied to the supply pipe of the cleaning tank by the variable control means.
  • the variable control means can be realized by using various variable control devices to control the amplitude of the alternating current in terms of time or using a frictional charging method.
  • a voltage range where no interelectrode discharge or the like occurs for example, several tens to several thousand volts is selected.
  • the frequency in the case of alternating current is selected from the range of several Hz to RF (Radio Frequency).
  • RF Radio Frequency
  • an alternating current application apparatus to the washing tank 50 for example, a water watcher manufactured by SK Corporation is preferably used.
  • a water-soluble polymer or a surfactant can be used as a regulator of the zeta potential ( ⁇ sub) of the glass substrate 1, the zeta potential ( ⁇ car) of the cleaning holder 30, and the zeta potential ( ⁇ si) of colloidal silica.
  • water-soluble polymer examples include polyvinyl alcohol, knitted polyvinyl alcohol, polyvinyl pororidone, (meth) acrylic acid (co) polymer, poly (meth) acrylamide (co) polymer, or ethylene glycol.
  • surfactant examples include phosphoric acid surfactants, sulfonic acid surfactants, and nonionic surfactants.
  • the processing time is adjusted with the water-soluble polymer or surfactant, and the water solubility used in the processing. It is possible to increase or decrease the value of the zeta potential by adjusting the concentration of the polymer or surfactant.
  • the value of the zeta potential decreases and OH
  • the value of the zeta potential tends to increase.
  • the zeta potential of colloidal silica can be adjusted by adjusting the pH of the polishing liquid. If the pH of the polishing liquid is increased, that is, adjusted to the alkaline side, the zeta potential decreases (adjustable to the negative side). When the pH of the solution is reduced, that is, adjusted to the acidic side, the zeta potential increases (adjustment on the positive side). Furthermore, it can be similarly adjusted by the above water-soluble polymer or surfactant.
  • the number of deposits on the glass substrate surface is inspected using an optical defect inspection apparatus or the like.
  • Magnetic thin film layers are formed on both main surfaces (or any one of the main surfaces) of the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1) on which the chemical strengthening treatment has been completed.
  • the magnetic thin film layer includes an adhesion layer made of a Cr alloy, a soft magnetic layer made of a CoFeZr alloy, an orientation control underlayer made of Ru, a perpendicular magnetic recording layer made of a CoCrPt alloy, a protective layer made of a C system, and a lubrication made of an F system. It is formed by sequentially depositing layers. By forming the magnetic thin film layer, a perpendicular magnetic recording disk corresponding to the magnetic disk 10 shown in FIG. 2 can be obtained.
  • the magnetic disk in the present embodiment is an example of a perpendicular magnetic disk composed of a magnetic thin film layer.
  • the magnetic disk may be composed of a magnetic layer or the like as a so-called in-plane magnetic disk.
  • Example 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 will be described with reference to FIG.
  • the composition (% by weight) of the glass substrate is as follows. SiO 2 (50% to 70%), Al 2 O 3 (0% to 20%), B 2 O 3 (0% to 5%).
  • SiO 2 + Al 2 O 3 + B 2 O 3 50% to 85%
  • LiO 2 + Na 2 + K 2 O 0% to 20%
  • MgO + CaO + BaO + SrO + ZnO 2% to 20%.
  • the cleaning liquid 51 As the cleaning liquid 51, sulfamic acid (1%) was used. Further, polyether ether ketone (PEEK) was used for the support member 32 of the cleaning holder 30. As the colloidal silica, Compol 20 manufactured by Fujimi Incorporated was used. The pH of the washing solution was adjusted by adding an aqueous sodium hydroxide solution (1%).
  • the zeta potential ( ⁇ car) of the cleaning holder As Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4, the zeta potential ( ⁇ car) of the cleaning holder, the zeta potential of colloidal silica ( ⁇ si), the zeta potential of the glass substrate ( ⁇ sub), the cleaning tank 50 The zeta potential ( ⁇ was), cleaning solution pH, OSA evaluation, and error number evaluation are shown.
  • the Zeda potential was measured using ELSZ-2 manufactured by Otsuka Electronics.
  • a sample having a predetermined size 37 mm ⁇ 16 mm ⁇ 5 mm was prepared, and the zeta potential was measured using the flat plate cell of the cleaning holder and the glass substrate.
  • the zeta potential was measured using a flow cell unit. The applied potential is 60 mV / cm.
  • the zeta potential of the cleaning holder and the glass substrate adjusts the time of contacting with the phosphate surfactant as a surfactant before cleaning in addition to adjusting the pH of the cleaning solution as shown in FIG. I adjusted it. Specifically, it was adjusted by changing the concentration of the phosphoric acid surfactant (monoalkyl phosphate solution) (usually 1% solution). When the concentration is increased, the zeta potential decreases, and when it is decreased, the zeta potential tends to increase (untreated and unchanged).
  • the concentration of the phosphoric acid surfactant usually 1% solution
  • OSA evaluation is an evaluation of the number of defects on the surface of the glass substrate 1 using an optical defect inspection apparatus (OSA: Optical Surface Analyzer).
  • An optical surface inspection machine product name: Optical Surface Analyzer: Candela 7120 (manufactured by Candela) was used as the optical defect inspection apparatus.
  • Candela 7120 manufactured by Candela
  • a to F of OSA evaluation in FIG. 8 are as follows.
  • Error number evaluation Is an evaluation of the number of errors by a TA test head equipped with a DFH (DFH: Dynamic Flying Height) mechanism using a magnetic disk 10 having a magnetic thin film layer formed on one main surface of the glass substrate 1.
  • DFH Dynamic Flying Height
  • a to F for the evaluation of the number of errors are as follows.
  • “A” evaluation was obtained for both OSA evaluation and error evaluation. From the evaluation results of Examples 1 to 3, it can be said that the pH of the cleaning liquid 51 in the cleaning process is preferably 9 to 13.
  • Example 4 “B” evaluation was obtained for both OSA evaluation and error evaluation. From the evaluation results of Examples 1 to 4, the zeta potential ( ⁇ sub) of the glass substrate 1, the zeta potential ( ⁇ car) of the cleaning holder 30, the zeta potential of colloidal silica ( ⁇ si), and the zeta potential of the cleaning tank 50. It can be said that ( ⁇ was) preferably satisfies the relationship of the following formulas 1 and 2.

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Abstract

　この情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、研磨装置（１０００）を用いて、ガラス基板（１）を研磨装置（１０００）のキャリア（５００）に保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程と、ガラス基板（１）を洗浄保持具（３０）に載置した状態で、洗浄液（５１）を蓄えた洗浄槽（５０）内においてガラス基板（１）の洗浄を行なう工程とを備え、ガラス基板（１）の洗浄を行なう工程においては、ガラス基板（１）に付着していたコロイダルシリカを洗浄槽（５０）に吸着させる工程を含む。

Description

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体
　本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体に関し、特に、情報記録媒体の製造に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体に関する。
　近年のメモリーハードディスクドライブ等の情報記録媒体においては、記録密度を上げるためにガラス基板の清浄性、平滑性への要求が高まっている。さらに、近年では、ガラス基板の最外端部まで高清浄に仕上げることが求められている。
　特開２００９－８７４４１号公報（特許文献１）においては、ガラス基板の最外端部まで高清浄に仕上げるために、研磨工程で用いるコロイダルシリカとガラス基板とを静電気的に反発させて、洗浄工程におけるコロイダルシリカのガラス基板への再付着を防ぐガラス基板の製造方法が開示されている。
特開２００９－８７４４１号公報
　しかし、近年の更なる情報記録媒体における記録密度の向上を実現するためには、ガラス基板をさらに高清浄に仕上げることが求められるようになってきている。
　本発明は、上記の実情に鑑みて為されたものであって、ガラス基板の製造工程において、コロイダルシリカのガラス基板への再付着を十分に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体を提供することを目的とする。
　この発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、ガラス基板の主表面に磁気記録層が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、研磨装置を用いて、上記ガラス基板を上記研磨装置のキャリアに保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程と、上記ガラス基板を洗浄保持具に載置した状態で、洗浄液を蓄えた洗浄槽内において上記ガラス基板の洗浄を行なう工程とを備え、上記ガラス基板の洗浄を行なう工程においては、上記ガラス基板に付着していた上記コロイダルシリカを上記洗浄槽に吸着させる工程を含む。
　他の形態においては、上記ガラス基板の洗浄を行なう工程においては、上記ガラス基板のゼータ電位、上記洗浄保持具のゼータ電位、および上記コロイダルシリカのゼータ電位を負の電位とし、上記洗浄槽のゼータ電位を正の電位として、上記ガラス基板の洗浄を行なう。
　他の形態においては、上記ガラス基板のゼータ電位をζｓｕｂと表し、上記洗浄保持具のゼータ電位をζｃａｒと表し、上記コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、上記洗浄槽のゼータ電位をζｗａｓと表した場合、下記の下記の式１および式２の関係を満足する。ζｓｕｂ≦ζｃａｒ≦ζｓｉ≦－１０ｍＶ・・・（式１）、ζｗａｓ≧０ｍＶ・・・（式２）。
　他の形態においては、上記ガラス基板のゼータ電位、上記洗浄保持具のゼータ電位、および上記コロイダルシリカのゼータ電位の調整剤に、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いる。
　他の形態においては、上記ガラス基板の洗浄を行なう工程においては、上記洗浄液のｐＨは９～１３である。
　この発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板においては、上述の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板と、上記ガラス基板の上記主表面上に形成された磁気薄膜層とを備える。
　本発明によれば、ガラス基板の製造工程において、コロイダルシリカのガラス基板への再付着を十分に抑制することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体を提供することが可能となる。
実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を示す斜視図である。 実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を備えた磁気ディスクを示す斜視図である。 実施の形態におけるガラス基板の製造方法を示すフローチャート図である。 研磨工程に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。 図４中のＶ－Ｖ線矢視断面図である。 洗浄工程で用いる洗浄保持具の一例を示す斜視図である。 洗浄工程でのガラス基板の洗浄状態を示す模式断面図である。 実施例１～実施例５、および比較例１～比較例４における、洗浄保持具、コロイダルシリカ、ガラス基板、および洗浄槽のそれぞれのゼータ電位、洗浄液ｐＨ、ＯＳＡ評価、エラー数評価を示す図である。
　本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
　［ガラス基板１・磁気ディスク１０］
　図１および図２を参照して、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板１、およびガラス基板１を備えた磁気ディスク１０について説明する。図１は、磁気ディスク１０（図２参照）に用いられるガラス基板１を示す斜視図である。図２は、情報記録媒体として、ガラス基板１を備えた磁気ディスク１０を示す斜視図である。
　図１に示すように、磁気ディスク１０に用いられるガラス基板１（情報記録媒体用ガラス基板）は、中心に孔１Ｈが形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１は、表主表面１Ａ、裏主表面１Ｂ、内周端面１Ｃ、および外周端面１Ｄを有している。
　ガラス基板１の大きさは、たとえば０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチである。ガラス基板の厚さは、破損防止の観点から、たとえば０．３０ｍｍ～２．２ｍｍである。本実施の形態におけるガラス基板の大きさは、外径が約６４ｍｍ、内径が約２０ｍｍ、厚さが約０．８ｍｍである。ガラス基板の厚さとは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。
　図２に示すように、磁気ディスク１０は、上記したガラス基板１の表主表面１Ａ上に磁気薄膜層２が形成されることによって構成される。図２中では、表主表面１Ａ上にのみ磁気薄膜層２が形成されているが、裏主表面１Ｂ上にも磁気薄膜層２が形成されていてもよい。
　磁気薄膜層２は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１の表主表面１Ａ上にスピンコートすることによって形成される（スピンコート法）。磁気薄膜層２は、ガラス基板１の表主表面１Ａに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。
　ガラス基板１の表主表面１Ａに形成される磁気薄膜層２の膜厚は、スピンコート法の場合は約０．３μｍ～１．２μｍ、スパッタリング法の場合は約０．０４μｍ～０．０８μｍ、無電解めっき法の場合は約０．０５μｍ～０．１μｍである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層２はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。
　磁気薄膜層２に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。また、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられてもよい。
　また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
　さらに、必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスク１０における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、またはＮｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
　また、下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
　磁気薄膜層２の摩耗や腐食を防止する保護層としては、たとえば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。
　上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２)層を形成してもよい。
　［ガラス基板の製造方法］
　次に、図３に示すフローチャート図を用いて、本実施の形態におけるガラス基板（情報記録媒体用ガラス基板）の製造方法について説明する。
　本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）、研磨工程（ステップＳ３０）、化学強化工程（ステップＳ４０）、および最終洗浄工程（ステップＳ５０）を備えている。磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）によって、磁気ディスク１０が得られる。
　以下、これらの各ステップＳ１０～Ｓ６０の詳細について順に説明する、以下には、各ステップＳ１０～Ｓ６０間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。
　（ガラスブランク材準備工程）
　ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）においては、ガラス基板を構成するガラス素材が溶融される（ステップＳ１１）。ガラス素材は、たとえばアルミノシリケートガラスである。溶融したガラス素材は、下型上に流し込まれた後、上型および下型によってプレス成形される（ステップＳ１２）。プレス成形によって、円盤状のガラスブランク材（ガラス母材）が形成される。ガラスブランク材は、ダウンドロー法またはフロート法によって形成されたシートガラス（板ガラス）を、研削砥石で切り出すことによって形成されてもよい。
　（ガラス基板形成工程）
　次に、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）においては、プレス成形されたガラスブランク材の両方の主表面に対して、ラップ研磨処理が施される（ステップＳ２１）。ガラスブランク材の両方の主表面とは、後述する各処理を経ることによって、図１における表主表面１Ａとなる主表面および裏主表面１Ｂとなる主表面のことである（以下、両主表面ともいう）。ラップ研磨処理は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置などのラップ定盤を、両主表面に押圧することによって行なわれる。ラップ研磨処理によって、ガラス基板としてのおおよその平行度、平坦度、および厚みなどが予備調整される。
　ラップ研磨処理の後、円筒状のダイヤモンドドリルなどを用いてガラスブランク材の中心部に対してコアリング（内周カット）処理が施される（ステップＳ２２）。コアリング処理によって、中心部に孔の開いた円環状のガラス基板が得られる。中心部の孔に対しては、所定の面取り加工が施されてもよい。
　（研磨工程）
　次に、研磨工程（ステップＳ３０）においては、上述のステップＳ２１と同様に、ガラス基板の両主表面に対してラップ研磨処理が施される（ステップＳ３１）。コアリング工程（ステップＳ２２）においてガラス基板の両主表面に形成された微細なキズや突起物などが除去される。ラップ研磨処理の後、ガラス基板の外周端面がブラシによって鏡面状に研磨される（ステップＳ３２）。研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。
　次に、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）として、ラップ研磨工程（ステップＳ３１）においてガラス基板の両主表面に残留したキズを除去しつつ、ガラス基板の反りを矯正する（ステップＳ３２）。第１ポリッシュ研磨工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置などが使用される。
　第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）においては、ガラス基板に研磨加工が再度実施され、ガラス基板の両主表面上に残留した微小欠陥等が解消される（ステップＳ３４）。ガラス基板の両主表面は鏡面状に仕上げられることによって所望の平坦度に形成され、ガラス基板の反りも解消される。第２ポリッシュ研磨工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置などが使用される。研磨剤としては、コロイダルシリカが使用される。
　ここで、図４および図５を参照して、両面研磨装置１０００の構成について簡単に説明する。図４は、研磨工程に用いられる両面研磨装置１０００の部分断面図、図５は、図４中のＶ－Ｖ線矢視断面図である。
　図４を参照して、両面研磨装置１０００は、多数の研削用ペレット１００を保持したペレット保持板３００ａ，４００ａを取り付けた上定盤（上側砥石保持定盤）３００および下定盤（下側砥石保持定盤）４００の間にキャリア５００で保持したディスク状のガラス基板１が配置される。上定盤３００と下定盤４００とは互いに反対方向に回転するようになっている。
　また、図５に示すように、上定盤３００と下定盤４００との間には、太陽歯車６００とインターナル歯車７００とが設けられ、キャリア５００がこれらの間に配置されている。キャリア５００の外周には太陽歯車６００とインターナル歯車７００とに噛み合う歯車が形成されている。これにより、上下定盤の回転とともに太陽歯車６００およびインターナル歯車７００も回転してキャリア５００が自転及び公転するようになっている。
　キャリア５００の回転方向については、太陽歯車６００の回転数と、インターナル歯車７００の回転数を変化させることで、時計回りか、反時計回りかを選択できる。この加工装置においては、キャリア５００が太陽歯車６００のまわりを自転・公転しながら回ると共に、上下定盤３００，４００もそれぞれ反対方向に回転する。加工装置の上方から見た場合、上定盤３００は時計方向に回転し、太陽歯車６００，インターナル歯車７００，および下定盤４００はいずれも反時計方向に回転する。
　（化学強化工程）
　図３を再び参照して、ガラス基板が洗浄された後、化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによって、ガラス基板の両主表面に化学強化層を形成する（ステップＳ４０）。
　ガラス基板に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べてイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換される（イオン交換法）。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の両主表面が強化される。以上のようにして、図１に示すガラス基板１に相当するガラス基板が得られる。
　ガラス基板１に対しては、両主表面上における取り代が０．１μｍ以上０．５μｍ以下のポリッシュ研磨処理がさらに施されてもよい。化学強化工程を経た後にガラス基板の主表面上に残留している付着物が除去されることによって、ガラス基板１を用いて製造される磁気ディスクにヘッドクラッシュが発生することが低減される。また、ポリッシュ研磨処理における両主表面上の取り代を０．１μｍ以上０．５μｍ以下とすることによって、化学強化処理によって発生した応力の不均一性が表面に現れることもなくなる。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法としては、以上のように構成される。
　なお、第１ポリッシュ研磨工程（粗研磨）と第２ポリッシュ研磨工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を施してもかまわない。
　（最終洗浄工程）
　次に、ガラス基板１の最終洗浄工程について説明する（ステップＳ５０）。ガラス基板１の両主表面が洗剤（スルファミン酸系洗剤等）、純水、オゾン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、またはＵＶ（ultraviolet）オゾンなどによって洗浄されることによって、ガラス基板１の両主表面に付着した付着物が除去される。
　図６に洗浄工程で用いる洗浄保持具３０の一例を示す。また、図７に、洗浄工程でのガラス基板１の洗浄状態を示す。図６に示すように、複数のガラス基板１は、洗浄保持具３０に保持される。この洗浄保持具３０は、ガラス基板１の配列方向に等間隔で溝部を複数個形成した５本の支持部材３２と、４枚の枠体３６と、２つの把持部３４とを有している。５本の支持部材３２は、一対の枠体３６により支持されている。
　この洗浄保持具３０において、複数のガラス基板１は、各ガラス基板１が３本の支持部材３２の同一平面内にある溝部によって３カ所が保持され、支持部材３２の延在する方向に複数枚配列される。１枚のガラス基板１を支持する支持部材３２の本数は３本に限定はしないが、ガラス基板１に接触する部分が少なく、且つ、安定して保持できることから３本とすることが好ましい。
　枠体３６には、たとえば、網目を有する部材を用い、支持部材３２は網目の穴を用いて取り付けることができる。網目の条件や、線径、目開きの空間率等は、特に限定するものではなく、支持部材３２を支持でき、保持部材の形状を維持できるものであれば良い。
　枠体３６の材料としては、たとえば、工具鋼（０．３～２．０質量％の炭素を含む鋼材）、純鉄、純アルミニウム、純チタン、チタン合金、マグネシウム合金、ジルコニウム、インコネルＨＸ（耐熱特殊鋼）、ニッケル、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３２９、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３０等がある。
　ガラス基板が直接接する支持部材３２には、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、４フッ化エチレン、ポリカーカーボネート等を用いることができる。
　図７に示すように、洗浄保持具３０に複数枚保持されたガラス基板１は、洗浄液５１を蓄えた洗浄槽５０内において洗浄が行なわれる。好ましくは、洗浄槽５０の下部には、超音波振動ユニット５２が配設され、たとえば、周波数９００ｋＨｚ以上の超音波を用いて、ガラス基板１の超音波洗浄を行なうこともできる。
　洗浄槽５０の材料としては、たとえば、工具鋼（０．３～２．０質量％の炭素を含む鋼材）、純鉄、純アルミニウム、純チタン、チタン合金、マグネシウム合金、ジルコニウム、インコネルＨＸ（耐熱特殊鋼）、ニッケル、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３２９、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３０等がある。また、テフロン（登録商標）等にＳＵＳ等をコーティング材料を用いることもできる。
　ここで、この最終洗浄工程（Ｓ５０）においては、ガラス基板１に付着しているコロイダルシリカを洗浄槽５０に吸着させるようにして、ガラス基板１の洗浄を行なっている。
　具体的には、ガラス基板１のゼータ電位（ζｓｕｂ）、洗浄保持具３０のゼータ電位（ζｃａｒ）、およびコロイダルシリカのゼータ電位（ζｓｉ）を負の電位とし、上記洗浄槽のゼータ電位（ζｗａｓ）を正の電位として、上記ガラス基板の洗浄を行なう。なお、ゼータ電位は、ｐＨを変更することで所定の値に設定することができる。
　洗浄槽５０のゼータ電位（ζｗａｓ）を正の電位とするために、可変制御手段により交流電流を洗浄槽の供給管に直接印加する。可変制御手段は、種々の可変制御装置を用いて、交流電流の振幅を時間的に制御する、または摩擦帯電の方式を利用すること等で実現できる。
　印加電圧は、電極間放電等が起こらない電圧範囲、たとえば数十Ｖ～数千Ｖが選ばれる。また、交流の場合の周波数は、数Ｈｚ～ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）の範囲から選ばれる。なお、洗浄槽５０への交流電流印加装置としては、たとえば、エスケーエイ株式会社製のウォーターウォッチャーが好適に用いられる。
　また、ガラス基板１のゼータ電位（ζｓｕｂ）、洗浄保持具３０のゼータ電位（ζｃａｒ）、およびコロイダルシリカのゼータ電位（ζｓｉ）の調整剤として、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いることができる。
　水溶性ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、編成ポリビニルアルコール、ポリビニルポロリドン、（メタ）アクリル酸（共）重合体、ポリ（メタ）アクリルアミド（共）重合体、またはエチレングリコールなどが挙げられる。界面活性剤としては、リン酸系界面活性剤、スルホン酸系界面活性剤、または非イオン界面活性剤などが挙げられる。
　ガラス基板１や洗浄保持具３０のゼータ電位を調整する場合には、洗浄液のｐＨを変更することに加えて、上記水溶性ポリマーまたは界面活性剤により処理時間を調整することや処理に用いる水溶性ポリマーや界面活性剤の濃度を調整することでゼータ電位の値を上昇させたり、下降させることが可能である。
　たとえば、水溶性ポリマーとの接触時間を長くして、ガラス基板１や洗浄保持具３０の表面におけるＯＨ基やＣＯＯＨ基の導入量を増加させた場合には、ゼータ電位の値は減少し、ＯＨ基やＣＯＯＨ基の導入量を低下させた場合にはゼータ電位の値は増加する傾向を示す。
　コロイダルシリカのゼータ電位は研磨液のｐＨを調整することで調整可能であり、研磨液のｐＨを大きくすると、即ちアルカリ性側に調整すると、ゼータ電位は低下し（マイナス側に調整可能）、研磨液のｐＨを小さくすると、即ち酸性側に調整すると、ゼータ電位は増加する（プラス側の調整可能）。更に、上記の水溶性ポリマーや界面活性剤により同様に調整が可能である。
　その後、ガラス基板表面上の付着物の数が、光学式欠陥検査装置等を用いて検査される。
　（磁気薄膜形成工程）
　化学強化処理が完了したガラス基板（図１に示すガラス基板１に相当）の両主表面（またはいずれか一方の主表面）に対し、磁気薄膜層が形成される。磁気薄膜層は、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系からなる保護層、およびＦ系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層の形成によって、図２に示す磁気ディスク１０に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。
　本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。
　（作用・効果）
　以上、本実施の形態においては、ガラス基板１のゼータ電位（ζｓｕｂ）、洗浄保持具３０のゼータ電位（ζｃａｒ）、およびコロイダルシリカのゼータ電位（ζｓｉ）が負であるために、コロイダルシリカのガラス基板１および洗浄保持具３０への再付着を抑制する。さらに、洗浄槽５０のゼータ電位（ζｗａｓ）が正の電位であるため、洗浄槽５０の内壁面にコロイダルシリカが電気的に吸着されることになる。その結果、ガラス基板１から剥離したコロイダルシリカのガラス基板１への再付着を抑制することができる。
　[実施例１～５、比較例１～４]
　次に、図８を参照して、実施例１～５および比較例１～４について説明する。実施例１～５および比較例１～４において、ガラス基板の組成（重量％）は以下のとおりである。ＳｉＯ２（５０％～７０％）、Ａｌ２Ｏ３（０％～２０％）、Ｂ２Ｏ３（０％～５％）。
　ただし、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＝５０％～８５％、ＬｉＯ２＋Ｎａ２＋Ｋ２Ｏ＝０％～２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＝２％～２０％である。
　洗浄液５１には、スルファミン酸系（１％）を用いた。また、洗浄保持具３０の支持部材３２には、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を用いた。コロイダルシリカには、フジミインコーポレッド社製のＣｏｍｐｏｌ２０を用いた。洗浄液のｐＨは、水酸化ナトリウム水溶液（１％）を添加することで調整した。
　図８に、実施例１～５および比較例１～４として、洗浄保持具のゼータ電位（ζｃａｒ）、コロイダルシリカのゼータ電位（ζｓｉ）、ガラス基板のゼータ電位（ζｓｕｂ）、、洗浄槽５０のゼータ電位（ζｗａｓ）、洗浄液ｐＨ、ＯＳＡ評価、エラー数評価を示す。ゼーダ電位は、大塚電子製のＥＬＳＺ－２を用いて測定した。
　洗浄保持具およびガラス基板は、所定のサイズ（３７ｍｍ×１６ｍｍ×５ｍｍ）のサンプルを作成し、洗浄保持具およびガラス基板の平板セルを用いてゼータ電位を測定した。コロイダルシリカは、フローセルユニットを用いて、ゼータ電位を測定した。印加電位は、６０ｍＶ／ｃｍである。
　また、洗浄保持具及びガラス基板のゼータ電位は、洗浄液のｐＨを図８に記載のように調整したことに加え、洗浄前に界面活性剤としてリン酸系界面活性剤と接触させる時間を調整することで、調整した。具体的には、リン酸系界面活性剤（モノアルキルリン酸塩溶液）の濃度を変更することで調整した（通常１％溶液）。濃度を高くした場合には、ゼータ電位は減少し、低くした場合には増加（未処理と変化なし）する傾向を示す。
　ＯＳＡ評価とは、光学式欠陥検査装置（ＯＳＡ：Optical　Surface　Analyzer）によってガラス基板１の表面の欠陥数の評価である。光学式欠陥検査装置には、光学式表面検査機（製品名：Optical　Surface　Analyzer：Candela7120（Candela社製））を用いた。各実施例および各比較例では、それぞれ１０枚のガラス基板に対して検査を行ない、評価の平均値を求めた。その結果を図８に示す。
　なお、図８中の、ＯＳＡ評価のＡ～Ｆは以下のとおりである。
　Ａ：０～３個の欠陥
　Ｂ：４～７個の欠陥
　Ｃ：８～１０個の欠陥
　Ｄ：１１～１５個の欠陥
　Ｅ：１６～２０個の欠陥
　Ｆ：２１個以上の欠陥
　エラー数評価とは、ガラス基板１の一方の主表面に対し、磁気薄膜層が形成された磁気ディスク１０を用いて、ＤＦＨ（ＤＦＨ：Dynamic　Flying　Height）機構搭載ＴＡテストヘッドによるエラー数の評価である。各実施例および各比較例では、それぞれ１０枚の情報記録媒体に対して検査を行ない、評価の平均値を求めた。その結果を図８に示す。
　図８中の、エラー数の評価のＡ～Ｆは以下のとおりである。
　Ａ：０～１個のエラー
　Ｂ：２～４個のエラー
　Ｃ：５～７個のエラー
　Ｄ：８～１０個のエラー
　Ｅ：１１～１４個のエラー
　Ｆ：１５個以上のエラー
　図８に示すように、実施例１から実施例３においては、ＯＳＡ評価およびエラー評価ともに「Ａ」評価が得られた。この実施例１から実施例３の評価結果から、洗浄工程における洗浄液５１のｐＨは９～１３であることが好ましいことがいえる。
　また、実施例４においては、ＯＳＡ評価およびエラー評価ともに「Ｂ」評価が得られた。この実施例１から実施例４の評価結果から、ガラス基板１のゼータ電位（ζｓｕｂ）、洗浄保持具３０のゼータ電位（ζｃａｒ）、コロイダルシリカのゼータ電位（ζｓｉ）、および洗浄槽５０のゼータ電位（ζｗａｓ）は、下記の式１および式２の関係を満足していることが好ましいことがいえる。
　ζｓｕｂ≦ζｃａｒ≦ζｓｉ≦－１０ｍＶ・・・（式１）
　ζｗａｓ≧０ｍＶ・・・（式２）
　以上、本発明に基づいた実施の形態および各実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１　ガラス基板、１Ａ　表主表面、１Ｂ　裏主表面、１Ｃ　内周端面、１Ｄ　外周端面、１Ｈ　孔、２　磁気薄膜層、１０　磁気ディスク、３０　洗浄保持具、３２　支持部材、３４　把持部、３６　枠体、５０　洗浄槽、５１　洗浄液、５２　超音波振動ユニット、１００　研削用ペレット、３００，４００　上下定盤、３００　上定盤、３００ａ，４００ａ　ペレット保持板、４００　定盤、５００　キャリア、６００　太陽歯車、７００　インターナル歯車、１０００　両面研磨装置。

Claims (6)

  1. 　ガラス基板（１）の主表面に磁気記録層が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
    　研磨装置（１０００）を用いて、前記ガラス基板（１）を前記研磨装置（１０００）のキャリア（５００）に保持した状態で、コロイダルシリカを用いて研磨する工程と、
    　前記ガラス基板（１）を洗浄保持具（３０）に載置した状態で、洗浄液（５１）を蓄えた洗浄槽（５０）内において前記ガラス基板（１）の洗浄を行なう工程と、を備え、
    　前記ガラス基板（１）の洗浄を行なう工程においては、前記ガラス基板（１）に付着していた前記コロイダルシリカを前記洗浄槽（５０）に吸着させる工程を含む、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  2. 　前記ガラス基板（１）の洗浄を行なう工程においては、
    　前記ガラス基板（１）のゼータ電位、および前記洗浄保持具（３０）のゼータ電位、および前記コロイダルシリカのゼータ電位を負の電位とし、前記洗浄槽（５０）のゼータ電位を正の電位として、前記ガラス基板（１）の洗浄を行なう、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  3. 　前記ガラス基板（１）のゼータ電位をζｓｕｂと表し、
    　前記洗浄保持具（３０）のゼータ電位をζｃａｒと表し、
    　前記コロイダルシリカのゼータ電位をζｓｉと表し、
    　前記洗浄槽（５０）のゼータ電位をζｗａｓと表した場合、下記の下記の式１および式２の関係を満足する、請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
    　ζｓｕｂ≦ζｃａｒ≦ζｓｉ≦－１０ｍＶ・・・（式１）
    　ζｗａｓ≧０ｍＶ・・・（式２）
  4. 　前記ガラス基板（１）のゼータ電位、および前記洗浄保持具（３０）のゼータ電位、および前記コロイダルシリカのゼータ電位の調整剤に、水溶性ポリマーまたは界面活性剤を用いる、請求項２または３に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  5. 　前記ガラス基板（１）の洗浄を行なう工程においては、前記洗浄液のｐＨは９～１３である、請求項１から４のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  6. 　請求項１から５のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板（１）と、
    　前記ガラス基板（１）の前記主表面上に形成された磁気薄膜層と、を備える情報記録媒体。
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