WO2014045653A1 - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

　この情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、研磨パッド（４１０）にスラリーを供給した状態において、研磨パッド（４１０）のガラス基板（１）への吸着力は、０．５０ｇ／ｃｍ^２以上、１５ｇ／ｃｍ^２以下である。

Description

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法

　本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。

　コンピュータなどに用いられる情報記録媒体（磁気ディスク記録媒体）には、従来からアルミニウム基板またはガラス基板が用いられている。これらの基板上に磁気薄膜層が形成され、磁気薄膜層を磁気ヘッドで磁化することにより、磁気薄膜層に情報が記録される。

　近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置においては、記録密度が増々高密度化されてきている。記録密度の高密度化により、情報記録媒体（メディア）と情報記録媒体上を浮上しながら記録の読み書きを行なうヘッドとのギャップ（フライングハイト）は数ｎｍ程度にまで狭小化している。

　フライングハイトが小さくなるにつれて、情報記録媒体をハードディスクドライブ装置に用いた場合の、媒体に記録されたデータにアクセスする際のリードエラーおよび／またはライトエラー、磁気ヘッドが媒体表面に衝突するヘッドクラッシュなどの問題が発生しやすくなっている。これらの問題を抑制するために、情報記録媒体として許容される基板表面の欠陥の大きさもより小さくなる為、情報記録媒体用ガラス基板としても、より表面平滑性の高さが追及されており、ガラス基板表面に付着する異物、ガラス基板表面のうねりを抑制する為、製造方法に様々な工夫がなされてきた。

　一方、近年では、ＨＤＤの記憶容量は更に向上され、現在では２．５インチの記録媒体１枚で、記録容量が５００ＧＢ（片面２５０ＧＢ）、面記録密度が６３０Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有するものが開発されている。

　情報記録媒体用ガラス基板の製造工程においては、両面研磨装置を用いて、ガラス基板の表面を研磨する工程が採用されている。たとえば、特開２００５－８３５３号公報（特許文献１）には、研磨後のガラス基板を、下側定盤上に載置された下側研磨パッドから回収するための特殊な構造を有する治具が用いられる。

特開２００５－８３５３号公報

　上記した治具を用いて、研磨後のガラス基板を下側定盤上の下側研磨パッドから取り出す際に、ガラス基板が下側研磨パッド上に強固に吸着している場合がある。下側研磨パッドによるガラス基板を吸着する吸着力が大きいと、下側研磨パッド上からガラス基板を取り出す際に大きな力が必要となり、そのため取出し器具を用いた場合はその器具に起因する汚れが新たにガラス基板に付着するおそれがある。

　汚れが付着したままのガラス基板を情報記録媒体（磁気ディスク）化した後には、記録特性の低下を招くことになる。

　下側研磨パッドからガラス基板を取り出す際の大きな力が、下側研磨パッドおよび下側定盤に加わり、下側研磨パッドおよび下側定盤に損傷を与えるおそれがある。

　下側研磨パッドおよび下側定盤に損傷が生じると、これを用いて研磨したガラス基板にスクラッチなどの欠陥が生じ、情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことになる。両面研磨装置においては、上側研磨パッドおよび上側定盤においても同様の課題が生じ得る。

　本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであって、情報記録媒体用ガラス基板を情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことのない情報記録媒体用ガラス基板を提供することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を供することを目的とする。

　本発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを定盤上に装着し、上記研磨パッドを用いてガラス基板の表面を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、以下の工程を備える。

　上記ガラス基板を上記定盤上に載置する工程と、上記研磨装置により、液体状研磨剤を上記ガラス基板に供給しながら、上記ガラス基板の表面を研磨する工程と、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程と、を備える。

　上記研磨パッドに上記液体状研磨剤を供給した状態において、上記研磨パッドの上記ガラス基板への吸着力は、０．５０ｇ／ｃｍ^２以上、１５ｇ／ｃｍ^２以下である。

　他の形態においては、上記研磨パッドは、隣接する上記発泡孔を連通する複数の連通孔を有し、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの縦断面において、断面積が０．０１ｍｍ^２以上の上記連通孔が、上記縦断面において２５ｍｍ^２あたり３０個以上の密度で存在する。

　他の形態においては、上記定盤の法線方向に沿った上記研磨パッドの縦断面において、断面積が０．０１ｍｍ^２以上の上記連通孔が、上記縦断面において２５ｍｍ^２あたり８０個以上の密度で存在する。

　他の形態においては、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程において、上記研磨パッドが上記液体状研磨剤を含んだ状態のまま、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す。

　他の形態においては、上記定盤から研磨後の上記ガラス基板を取り出す工程において、上記液体状研磨剤の濃度は、上記研磨装置により、上記ガラス基板の表面を研磨する工程における上記液体状研磨剤の濃度と比較して、１．５倍以上である。

　本発明によれば、情報記録媒体用ガラス基板を情報記録媒体化した後に、記録特性の低下を招くことのない情報記録媒体用ガラス基板を提供することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。

磁気ディスクに用いられるガラス基板を示す斜視図である。 ガラス基板を備えた磁気ディスクを示す斜視図である。 実施の形態におけるガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。 研磨工程に用いられる両面研磨装置の部分斜視図である。 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の第２ポリッシュ工程の内訳を示すフローチャートである。 背景技術における下側研磨パッドの拡大縦断面図である。 実施の形態における下側研磨パッドの拡大縦断面図である。 実施例１から実施例４および比較例１から比較例３におけるディフェクト検査結果およびリードライト試験結果を示す図である。

　本発明に基づいた実施の形態および実施例について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態および実施例の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態および実施例の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。

　（ガラス基板１・磁気ディスク１０）
　図１および図２を参照して、まず、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板１、およびガラス基板１を備えた磁気ディスク１０について説明する。図１は、磁気ディスク１０（図２参照）に用いられるガラス基板１を示す斜視図である。図２は、情報記録媒体として、ガラス基板１を備えた磁気ディスク１０を示す斜視図である。

　図１に示すように、磁気ディスク１０に用いられるガラス基板１（情報記録媒体用ガラス基板）は、中心に孔１Ｈが形成された環状の円板形状を呈している。円形ディスク形状のガラス基板１は、表主表面１Ａ、裏主表面１Ｂ、内周端面１Ｃ、および外周端面１Ｄを有している。

　ガラス基板１の大きさは、特に制限はなく、たとえば外径０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチなどである。ガラス基板１の厚さは、破損防止の観点から、たとえば０．３０ｍｍ～２．２ｍｍである。本実施の形態におけるガラス基板１の大きさは、外径が約６５ｍｍ、内径が約２０ｍｍ、厚さが約０．８ｍｍである。ガラス基板１の厚さとは、ガラス基板１上の点対称となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。

　図２に示すように、磁気ディスク１０は、上記したガラス基板１の表主表面１Ａ上に磁性膜が成膜されて、磁気記録層を含む磁気薄膜層２が形成される。図２中では、表主表面１Ａ上にのみ磁気薄膜層２が形成されているが、裏主表面１Ｂ上にも磁気薄膜層２が形成されていてもよい。

　磁気薄膜層２は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１の表主表面１Ａ上にスピンコートすることによって形成される（スピンコート法）。磁気薄膜層２は、ガラス基板１の表主表面１Ａに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。

　ガラス基板１の表主表面１Ａに形成される磁気薄膜層２の膜厚は、スピンコート法の場合は約０．３μｍ～約１．２μｍ、スパッタリング法の場合は約０．０４μｍ～約０．０８μｍ、無電解めっき法の場合は約０．０５μｍ～約０．１μｍである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層２はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。

　磁気薄膜層２に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉまたはＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられてもよい。

　磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。

　さらに、必要により下地層および／または保護層を設けてもよい。磁気ディスク１０における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、またはＮｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。

　下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。

　磁気薄膜層２の摩耗および腐食を防止する保護層としては、たとえば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。

　上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層を形成してもよい。

　（ガラス基板の製造方法）
　次に、図３に示すフローチャートを用いて、本実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板（以下、単にガラス基板と称する。）の製造方法について説明する。図３は、実施の形態におけるガラス基板１の製造方法を示すフローチャートである。

　本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）、ガラス基板形成／研削工程（ステップＳ２０）、研磨工程（ステップＳ３０）、化学強化工程（ステップＳ４０）、および洗浄工程（ステップＳ５０）を備えている。化学強化処理工程（ステップＳ４０）を経ることによって得られたガラス基板（図１におけるガラス基板１に相当）に対して、磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）が実施されてもよい。磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）によって、情報記録媒体としての磁気ディスク１０が得られる。

　以下、これらの各ステップＳ１０～Ｓ６０の詳細について順に説明する、以下には、各ステップＳ１０～Ｓ６０間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。

　（ガラスブランク材準備工程）
　ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）においては、ガラス基板を構成するガラス素材が溶融される（ステップＳ１１）。ガラス素材は、たとえば一般的なアルミノシリケートガラスが用いられる。アルミノシリケートガラスは、５８質量％～７５質量％のＳｉＯ_２と、５質量％～２３質量％のＡｌ_２Ｏ_３と、３質量％～１０質量％のＬｉ_２Ｏと、４質量％～１３質量％のＮａ_２Ｏと、を主成分として含有する。溶融したガラス素材は、下型上に流し込まれた後、上型および下型によってプレス成形される（ステップＳ１２）。プレス成形によって、円盤状のガラスブランク材（ガラス母材）が形成される。

　ガラスブランク材は、ダウンドロー法またはフロート法によって形成されたシートガラス（板ガラス）を、研削砥石で切り出すことによって形成されてもよい。またガラス素材も、アルミノシリケートガラスに限られるものではなく、任意の素材であってもよい。

　（ガラス基板形成／研削工程）
　次に、ガラス基板形成／研削工程（ステップＳ２０）においては、プレス成形されたガラスブランク材の両方の主表面に対して、寸法精度および形状精度の向上を目的として、第１ラップ工程が施される（ステップＳ２１）。ガラスブランク材の両方の主表面とは、後述する各処理を経ることによって、図１における表主表面１Ａとなる主表面および裏主表面１Ｂとなる主表面のことである（以下、両主表面ともいう）。たとえば、粒度＃４００のアルミナ砥粒（粒径約４０～６０μｍ）を用い、表面粗さＲｍａｘで６μｍ程度に仕上げる。

　第１ラップ工程の後、円筒状のダイヤモンドドリルなどを用いて、ガラスブランク材の中心部に対してコアリング（内周カット）処理が施される（ステップＳ２２）。コアリング処理によって、中心部に孔の開いた円環状のガラス基板が得られる。中心部の孔に対しては、所定の面取り加工が施されてもよい。

　ガラス基板の内周端面および外周端面がブラシによって鏡面状に研磨される（ステップＳ２２）。研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。

　次に、ガラス基板の両主表面に対して第２ラップ工程が施される（ステップＳ２３）。第２ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置を用いて行なわれる。具体的には、ガラスブランク材の両主表面に上下から定盤を押圧させ、水、研削液または潤滑液を両主表面上に供給し、ガラスブランク材とラップ定盤とを相対的に移動させて、第２ラップ工程が行なわれる。

　第２ラップ工程によって、ガラス基板としてのおおよその平行度、平坦度、および厚みなどが予備調整され、おおよそ平坦な主表面を有するガラス母材が得られる。第２ラップ工程では、発生する研削痕を小さくするため、上記第１ラップ工程と比較して微細な砥粒を用いる。たとえば、定盤上にダイヤモンドタイルパッド等の固定砥粒を取りつけることにより、ガラス基板両面上を表面粗さＲｍａｘで２μｍ程度に仕上げる。

　（研磨工程）
　次に、研磨工程（ステップＳ３０）においては、第１ポリッシュ工程（粗研磨）として、上記第２ラップ工程（ステップＳ２３）においてガラス基板の両主表面に残留したキズを除去しつつ、ガラス基板の反りを矯正する（ステップＳ３１）。第１ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置が使用される。たとえば、硬質ベロア、発泡ポリウレタン、またはピッチ含浸スウェードなどの研磨パッドを用いて研磨が行なわれる。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を主成分とする液体状研磨剤としてのスラリーが用いられる。第１ポリッシュ工程で研磨された基板は、第１ポリッシュ取り出し工程で回収される。

　第２ポリッシュ工程（精密研磨）においては、ガラス基板に研磨加工が再度実施され、ガラス基板の両主表面上に残留した微小欠陥等が解消される（ステップＳ３３）。ガラス基板の両主表面は鏡面状に仕上げられることによって所望の平坦度に形成され、ガラス基板の反りも解消される。第２ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置が使用される。研磨パッドには、たとえば、発泡ポリウレタンを素材とする軟質ポリッシャであるスウェードパッドを用いて研磨が行なわれる。研磨剤としては、第１ポリッシュ工程で用いた酸化セリウムよりも微細である、一般的なコロイダルシリカを主成分とする液体状研磨剤としてのスラリーが用いられる。

　ここで、図４を参照して、両面研磨装置２０００の概略構成について説明する。図４は、研磨工程に用いられる両面研磨装置２０００の部分斜視図である。

　両面研磨装置２０００は、上定盤（上側砥石保持定盤）３００と、下定盤（下側砥石保持定盤）４００と、上定盤３００の下定盤４００に対向する側（ガラス基板側）の下面に装着された上側研磨パッド３１０と、下定盤４００の上定盤３００に対向する側（ガラス基板側）の上面に装着された下側研磨パッド４１０と、を備える。

　上側研磨パッド３１０および下側研磨パッド４１０は、ガラス基板１の両主表面を研磨加工するための加工部材である。上定盤３００と下定盤４００とは、キャリア５００の公転方向に対して互いに反対方向に回転するようになっている。下定盤４００と対向する上側研磨パッド３１０の表面は、上側の研磨面３１１を形成する。上定盤３００と対向する下側研磨パッド４１０の表面は、下側の研磨面４１１を形成する。上定盤３００と下定盤４００との間に形成される隙間に、キャリア５００が配置される。ディスク状のガラス基板１は、このキャリア５００に複数枚保持される。

　ガラス基板１は、上定盤３００と下定盤４００との間に挟まれ、上定盤３００と下定盤４００とによってガラス基板の厚み方向に応力が加えられる。これにより、ガラス基板の両主表面は、上側研磨パッド３１０の研磨面３１１および下側研磨パッド４１０の研磨面４１１に押圧される。この状態で、ガラス基板の一方の主表面に対して上側研磨パッド３１０の研磨面３１１が相対移動することにより、当該一方の主表面が研磨される。同時に、ガラス基板の他方の主表面に対して下側研磨パッド４１０の研磨面４１１が相対移動することにより、当該他方の主表面が研磨される。このようにして、両面研磨装置２０００を使用して、ガラス基板の両主表面が同時に研磨される。

　両面研磨装置を使用した精密研磨後、上側研磨パッド３１０の研磨面３１１および下側研磨パッド４１０の研磨面４１１に貼り付いたガラス基板１を、研磨パッドから取り出す。ガラス基板の研磨パッドから取り出しについては後述する。

　（化学強化工程）
　ガラス基板１が洗浄された後、化学強化処理液にガラス基板１を浸漬することによって、ガラス基板１の両主表面に化学強化層を形成する（ステップＳ４０）。ガラス基板１が洗浄された後、３００℃に加熱された硝酸カリウム（７０％）と硝酸ナトリウム（３０％）との混合用液などの化学強化処理液中に、ガラス基板１を３０分間程度浸漬することによって、化学強化を行なう。

　ガラス基板１に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べてイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換される（イオン交換法）。

　イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板１の両主表面が強化される。たとえば、ガラス基板１の両主表面において、ガラス基板１表面から約５μｍまでの範囲に化学強化層を形成し、ガラス基板１の剛性を向上させてもよい。以上のようにして、図１に示すガラス基板１に相当するガラス基板が得られる。

　ガラス基板１に対しては、両主表面上における取り代が０．１μｍ以上０．５μｍ以下のポリッシュ処理がさらに施されてもよい。化学強化工程を経た後にガラス基板１の主表面上に残留している付着物が除去されることによって、ガラス基板１を用いて製造される磁気ディスクにヘッドクラッシュが発生することが低減される。ポリッシュ処理における両主表面上の取り代を０．１μｍ以上０．５μｍ以下とすることによって、化学強化処理によって発生した応力の不均一性が表面に現れることもなくなる。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法としては、以上のように構成される。

　第１ポリッシュ工程（粗研磨）と第２ポリッシュ工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を施してもかまわない。

　（洗浄工程）
　次に、ガラス基板は洗浄される（ステップＳ５０）。ガラス基板１の両主表面が洗剤、純水、オゾン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、またはＵＶ（ultraviolet）オゾンなどによって洗浄されることによって、ガラス基板１の両主表面に付着した付着物が除去される。

　その後、ガラス基板１の表面上の付着物の数が、光学式欠陥検査装置等を用いて検査される。

　（磁気薄膜形成工程）
　化学強化処理が完了したガラス基板（図１に示すガラス基板１に相当）の両主表面（またはいずれか一方の主表面）に対し、磁性膜が形成されることにより、磁気薄膜層２が形成される。磁気薄膜層２は、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系からなる保護層、およびＦ系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層２の形成によって、図２に示す磁気ディスク１０に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。

　本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。

　（第２ポリッシュ工程Ｓ３３）
　ここで、図５から図７を参照して、第２ポリッシュ工程Ｓ３３の詳細について説明する。図５は、第２ポリッシュ工程Ｓ３３の内訳を示すフローチャート、図６は、背景技術における下側研磨パッド４１０の拡大縦断面図、図７は、実施の形態における下側研磨パッド４１０の拡大縦断面図である。以下、主として、下側研磨パッドおよび下側定盤について説明するが、上側研磨パッドおよび上側定盤についていても同様である。

　図５を参照して、第２ポリッシュ工程Ｓ３３は、キャリア配置工程（Ｓ３３１）、ガラス基板配置工程（Ｓ３３２）、研磨工程（Ｓ３３３）、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）、およびキャリア取出工程（Ｓ３３５）を有している。

　これらの各工程において、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）においては、ガラス基板１の下側研磨パッド４１０への吸着が問題となっていた。これは、図６に示すように、背景技術においては、下側研磨パッド４１０には、個々の発泡孔４１０ｈが隣接する発泡孔４１０ｈに対して独立した、もしくは、隣接する発泡孔４１０ｈと連通しているものが非常に少ない、独立発泡構造の研磨パッドが用いられていることに起因する。

　そのため、研磨工程（Ｓ３３３）中は、ガラス基板１は、上側研磨パッド３１０および下側研磨パッド４１０に挟まれた状態で押圧されているため、上側研磨パッド３１０および下側研磨パッド４１０（特に、下側に位置する下側研磨パッド４１０）が、ガラス基板１に強固に吸着する現象が生じていた（図中矢印Ｓ２に示す吸着力）。

　一方、図７に、本実施の形態における下側研磨パッド４１０の拡大図を示す。本実施の形態における下側研磨パッド４１０には、独立発泡構造ではなく、連続発泡構造を有するが研磨パッド採用されている。したがって、この下側研磨パッド４１０においては、隣接する発泡孔４１０ｈを連通する連通孔４１０ｃが形成されている。具体的な材料としては、湿式凝固法により形成された、発泡ポリウレタンを素材とスウェードパッドが挙げられる。

　このように、下側研磨パッド４１０に連続発泡構造を用いることで、隣接する発泡孔４１０ｈ間において、スラリーの流れおよび空気の流れが（図７中左右方向の矢印）生じるため、下側研磨パッド４１０によるガラス基板１の吸着力（図７中の矢印Ｓ１で示す吸着力）を低下させることができる。

　ここで、下側研磨パッド４１０にスラリーを供給した状態である研磨工程（Ｓ３３３）においては、下側研磨パッド４１０によるガラス基板１の吸着力は、０．５０ｇ／ｃｍ^２以上、１５ｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。

　吸着力が０．５０ｇ／ｃｍ^２未満になるとガラス基板１と研磨パッドとの間の滑りが大きくなり、研磨パッドによるガラス基板１の表面の研磨が期待できなくなるからである。吸着力が１５ｇ／ｃｍ^２を越えると、下側研磨パッド４１０からガラス基板１を取り出す際に加える力が大きくなり過ぎる（吸着力が大き過ぎる）からである。

　下側研磨パッド４１０は、下定盤４００の法線方向に沿った下側研磨パッド４１０の縦断面（図７に示す断面）において、断面積Ｓが０．０１ｍｍ^２以上の連通孔４１０ｃが、縦断面において２５ｍｍ^２あたり３０個以上の密度で存在するとよい。これにより、下側研磨パッド４１０によるガラス基板１の吸着力を、上記範囲に設定することができる。

　好ましくは、下側研磨パッド４１０の縦断面において、断面積Ｓが０．０１ｍｍ^２以上の連通孔４１０ｃが、縦断面において２５ｍｍ^２あたり８０個以上の密度で存在することが好ましい。これにより、下側研磨パッド４１０によるガラス基板１の吸着力を、より好ましい範囲に設定することができる。

　ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）においては、下側研磨パッド４１０がスラリーを含んだ状態のまま、下定盤４００から研磨後のガラス基板１を取り出すことが好ましい。背景技術においては、研磨工程（Ｓ３３３）後にスラリーを洗い流すための洗浄を実施していた。しかし、この洗浄を実施することで、下側研磨パッド４１０によるガラス基板１の吸着力が高まることを知見した。本実施の形態では、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の後に、ガラス基板１および下側研磨パッド４１０の洗浄を実施した。

　さらに、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）におけるスラリーの濃度が、両面研磨装置２０００による研磨工程（Ｓ３３３）における濃度と比較して、１．５倍以上であることが好ましい。これにより、さらに、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における下側研磨パッド４１０によるガラス基板１の吸着力を低下させることができる。具体的には、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）において、新たなスラリーを追加するとよい。

　（実施例）
　以下、図８を参照しながら、本実施の形態に基づいた実施例について説明する。図８は、実施例１から実施例５および比較例１から比較例３におけるディフェクト検査結果およびリードライト試験結果を示す図である。実施例１から実施例５および比較例１から比較例３においては、すべて第１ポリッシュ工程（Ｓ３１)までは、図３に示す工程を採用している。

　第２ポリッシュ工程（Ｓ３３）の研磨工程（Ｓ３３３）で使用するスラリーの濃度は全て１５ｗｔ％とした。ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）では、使用する研磨パッド（上側研磨パッド３１０および下側研磨パッド４１０）と、研磨工程（Ｓ３３３）終了後のスラリー状態とを、図８の８条件（実施例１から実施例５および比較例１から比較例３）に分けて実施した。

　実施例１および比較例１とでは、研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程を行なった。

　実施例２および実施例３では、研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、研磨工程（Ｓ３３３）の開始時には、１５ｗｔ％の濃度であったスラリーの濃度が、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の開始時には、濃度が高くなるように、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布した。

　各実施例、比較例における吸着力は、研磨工程（Ｓ３３3）の直後に、ガラス基板とほぼ同一形状、同一表面粗さである試験片を下側研磨パッド上に載せ、研磨工程と同等の圧力を付加した後に引き上げ、デジタル力量計によって計測した。

　第２ポリッシュ工程（Ｓ３３）の終了後は、全ての実施例および比較例において、ガラス基板１は、化学強化工程（Ｓ４０）、洗浄工程（Ｓ５０）を経て、表面の欠陥（ディフェクト）検査を行なった。欠陥検査は、試験装置として、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製光学式欠陥検査装置Ｃａｎｄｅｌａ－ＯＳＡ６１００を使用した。

　欠陥検査では、各実施例および各比較例で１００枚ずつ加工したガラス基板を全数検査し、付着物が１０以下で、スクラッチが２以下と判定された基板を良品と判定し、良品数が９５枚以上の場合をＡ（優良）、９５枚未満９０枚以上の場合をＢ（良）、９０枚未満８５枚以上の場合をＣ（可）、８５枚未満の場合をＤ（不良）と評価した。

　さらに、磁気薄膜形成工程（Ｓ６０）を経て、ガラス基板を情報記録媒体（メディア化）とした後、リードライト試験を行なった。

　リードライト試験では、同じく各条件で１００枚ずつ加工したガラス基板（情報記録媒体）について磁気記録特性を計測する試験を行なった。試験をクリアした基板が９６枚以上の場合をＡ（優良）、９６枚未満９２枚以上の場合をＢ（良）、９２枚未満８８枚以上の場合をＣ（可）、８８枚未満の場合をＤ（不可）と評価した。

　（実施例１）
　実施例１のガラス基板では、吸着力は１５．０ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は３５、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、１５ｗｔ％であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程を行なった。この実施例１においては、ディフェクト検査の評価は「Ｂ」、リードライト試験の評価は、「Ｂ」であった。研磨パッドの連通孔の数とは、下定盤４００の法線方向に沿った下側研磨パッド４１０および上側研磨パッド３１０の縦断面において、断面積Ｓが０．０１ｍｍ^２以上の連通孔が、２５ｍｍ^２あたりの存在する数を意味する。以下、同様である。

　（実施例２）
　実施例１のガラス基板では、吸着力は１４．５ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は３５、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、２０ｗｔ％であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例２では、研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布した。この実施例２においては、ディフェクト検査の評価は「Ｂ」、リードライト試験の評価は、「Ｂ」であった。

　（実施例３）
　実施例３のガラス基板では、吸着力は１３．０ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は３５、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、２５ｗｔ％であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例３では、研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布した。この実施例３においては、ディフェクト検査の評価は「Ａ」、リードライト試験の評価は、「Ａ」であった。

　（実施例４）
　実施例４のガラス基板では、吸着力は１４．０ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は６３、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、１５ｗｔ％であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例４においては、ディフェクト検査の評価は「Ｂ」、リードライト試験の評価は、「Ｂ」であった。

　（実施例５）
　実施例５のガラス基板では、吸着力は１３．０ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は８８、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、１５ｗｔ％であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程は行なっていない。この実施例３においては、ディフェクト検査の評価は「Ａ」、リードライト試験の評価は、「Ａ」であった。

　（比較例１）
　比較例１のガラス基板では、吸着力は１７．５ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は２４、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積無であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程を行なった。この比較例１においては、ディフェクト検査の評価は「Ｄ」、リードライト試験の評価は、「Ｄ」であった。

　（比較例２）
　比較例２のガラス基板では、吸着力は１７．０ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は２４、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積有であり、その際のスラリーの濃度は、１５ｗｔ％であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程は行なっていない。この比較例２においては、ディフェクト検査の評価は「Ｄ」、リードライト試験の評価は、「Ｄ」であった。

　（比較例３）
　比較例３のガラス基板では、吸着力は１６．０ｇ／ｃｍ^２、研磨パッドの連通孔の数は３５、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）における研磨パッド上のスラリーの蓄積状態は蓄積無であった。研磨工程（Ｓ３３３）終了後、ガラス基板取出工程（Ｓ３３４）の前に、洗浄工程は行なっていない。この比較例３においては、ディフェクト検査の評価は「Ｃ」、リードライト試験の評価は、「Ｃ」であった。

　以上の実施例１～５、および比較例１～３の吸着力に基づく評価結果から、研磨パッドにスラリーを供給した湿潤状態において、研磨パッドのガラス基板１への吸着力は、０．５０ｇ／ｃｍ^２以上、１５ｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましいことが確認できた。

　実施例１～５、および比較例１～３の連通孔の数に基づく評価結果から、定盤の法線方向に沿った研磨パッドの縦断面において、断面積Ｓが０．０１ｍｍ^２以上の上記連通孔４１０ｃが、縦断面において２５ｍｍ^２あたり３０個以上の密度で存在することが好ましく、実施例５から８０個以上の密度で存在することがより好ましいことが確認できた。

　実施例１～５、および比較例１～３の連通孔の数に基づく評価結果から、定盤の法線方向に沿った研磨パッドの縦断面において、断面積Ｓが０．０１ｍｍ^２以上の上記連通孔４１０ｃが、縦断面において２５ｍｍ^２あたり３０個以上の密度で存在することが好ましく、実施例５から８０個以上の密度で存在することがより好ましいことが確認できた。

　実施例１では、研磨工程Ｓ３３３終了後、ガラス基板取出工程Ｓ３３４の前に、洗浄工程を実施し、比較例３では、研磨工程Ｓ３３３終了後、ガラス基板取出工程Ｓ３３４の前に、洗浄工程を実施していないことから、研磨パッドがスラリーを含んだ状態のまま、定盤から研磨後のガラス基板１を取り出す方がよいことが確認できた。

　実施例３では、研磨工程Ｓ３３３終了後、ガラス基板取出工程Ｓ３３４の前に、研磨工程Ｓ３３３の開始時には、１５ｗｔ％の濃度であったスラリーの濃度が、ガラス基板取出工程Ｓ３３４の開始時には、１．５倍以上となるように、研磨パッド上に濃度の高いスラリーを散布していることから、定盤から研磨後のガラス基板１を取り出す工程において、スラリーの濃度は、ガラス基板１の表面を研磨する工程におけるスラリーの濃度と比較して、１．５倍以上であることが好ましいことが確認できた。

　上記実施の形態および実施例においては、両面研磨装置を用いた場合について説明しているが、両面研磨装置に限定されるもものではない。

　以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１　ガラス基板、１Ａ　表主表面、１Ｂ　裏主表面、１Ｃ　内周端面、１Ｄ　外周端面、１Ｈ　孔、２　磁気薄膜層、１０　磁気ディスク、３００　上定盤（上側砥石保持定盤）、３１０　上側研磨パッド、３１１，４１１研磨面、４００　下定盤（下側砥石保持定盤）、４１０　下側研磨パッド、４１０ｃ　連通孔、４１０ｈ　発泡孔、５００　キャリア、２０００　両面研磨装置。

Claims (5)

1. 　複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを定盤上に装着し、前記研磨パッドを用いてガラス基板の表面を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
   　前記ガラス基板を前記定盤上に載置する工程と、
   　前記研磨装置により、液体状研磨剤を前記ガラス基板に供給しながら、前記ガラス基板の表面を研磨する工程と、
   　前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程と、
   を備え、
   　前記研磨パッドに前記液体状研磨剤を供給した状態において、前記研磨パッドの前記ガラス基板への吸着力は、０．５０ｇ／ｃｍ^２以上、１５ｇ／ｃｍ^２以下である、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
2. 　前記研磨パッドは、
   　隣接する前記発泡孔を連通する複数の連通孔を有し、
   　前記定盤の法線方向に沿った前記研磨パッドの縦断面において、断面積が０．０１ｍｍ^２以上の前記連通孔が、前記縦断面において２５ｍｍ^２あたり３０個以上の密度で存在する、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
3. 　前記定盤の法線方向に沿った前記研磨パッドの縦断面において、断面積が０．０１ｍｍ^２以上の前記連通孔が、前記縦断面において２５ｍｍ^２あたり８０個以上の密度で存在する、請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
4. 　前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程において、
   　前記研磨パッドが前記液体状研磨剤を含んだ状態のまま、前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す、請求項１から３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
5. 　前記定盤から研磨後の前記ガラス基板を取り出す工程において、
   　前記液体状研磨剤の濃度は、前記研磨装置により、前記ガラス基板の表面を研磨する工程における前記液体状研磨剤の濃度と比較して、１．５倍以上である、請求項４に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

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