CN104603877A - 信息记录介质用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在该信息记录介质用玻璃基板的制造方法中，在向研磨垫(410)供给浆液的状态下，研磨垫(410)对玻璃基板(1)的吸附力在0.50g/cm2以上且15g/cm2以下。

Description

信息记录介质用玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及信息记录介质用玻璃基板的制造方法。
背景技术
以往，在用于计算机等的信息记录介质(磁盘记录介质)中，使用了铝基板或玻璃基板。在这些基板上形成有磁性薄膜层，利用磁头使磁性薄膜层磁化，由此在磁性薄膜层中记录信息。
近年来，在硬盘驱动器(HDD)装置中，记录密度愈发高密度化。因记录密度的高密度化，信息记录介质(介质)与在信息记录介质上浮起并进行记录的读写的磁头之间的间隙(飞行高度)缩小至几nm左右。
随着浮起高度变小，在将信息记录介质用于硬盘驱动器装置中的情况下，容易发生访问记录于介质中的数据时的读取错误和/或写入错误、及磁头碰撞介质表面的磁头碰撞等问题。为了抑制这些问题，作为信息记录介质而被容许的基板表面的缺陷的大小也进一步减小，因此，作为信息记录介质用玻璃基板也追求更高的表面平滑性，为了抑制附着在玻璃基板表面的异物、玻璃基板表面的起伏，对制造方法进行了各种钻研。
另一方面，近年来，HDD的存储容量被进一步提高，目前开发出具有如下记录密度的装置：在一张2.5英寸的记录介质中，记录容量为500GB(单面250GB)、面记录密度为630Gbit/平方英寸以上。
在信息记录介质用玻璃基板的制造工序中采用了使用双面研磨装置来研磨玻璃基板的表面的工序。例如，在日本特开2005－8353号公报(专利文献1)中使用了具有用于从载置在下侧平台上的下侧研磨垫回收研磨后的玻璃基板的特殊结构的工具。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-8353号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在使用上述工具从下侧平台上的下侧研磨垫取出研磨后的玻璃基板时，有时玻璃基板牢固地吸附在下侧研磨垫上。若下侧研磨垫吸附玻璃基板的吸附力大，则在从下侧研磨垫上取出玻璃基板时需要较大的力，因此，在使用取出器具的情况下，担心由该器具引起的污渍重新附着在玻璃基板上。
在对污渍附着的状态下的玻璃基板进行了信息记录介质(磁盘)化之后，会导致记录特性的下降。
从下侧研磨垫取出玻璃基板时的较大的力施加给下侧研磨垫和下侧平台，担心对下侧研磨垫和下侧平台造成损伤。
若下侧研磨垫和下侧平台产生损伤，则在使用下侧研磨垫和下侧平台而研磨后的玻璃基板上产生划痕等缺陷，在进行了信息记录介质化之后，会导致记录特性的下降。在双面研磨装置中，上侧研磨垫和上侧平台也可能产生相同的问题。
本发明就是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，所述信息记录介质用玻璃基板的制造方法能够提供一种在对信息记录介质用玻璃基板进行了信息记录介质化之后，不会导致记录特性的下降的信息记录介质用玻璃基板。
用于解决问题的手段
基于本发明的信息记录介质用玻璃基板的制造方法是一种使用研磨装置的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，所述研磨装置在平台上安装有由含有多个发泡孔的部件构成的研磨垫，并使用上述研磨垫对玻璃基板的表面进行研磨，所述信息记录介质用玻璃基板的制造方法包括以下的工序。
包括：在上述平台上载置上述玻璃基板的工序；利用上述研磨装置一边向上述玻璃基板供给液体状研磨剂一边对上述玻璃基板的表面进行研磨的工序；以及从上述平台取出研磨后的上述玻璃基板的工序。
在向上述研磨垫供给了上述液体状研磨剂的状态下，上述研磨垫对上述玻璃基板的吸附力为0.50g/cm2以上且15g/cm2以下。
在另一方式中，上述研磨垫具有连通相邻的上述发泡孔的多个连通孔，在沿着上述平台的法线方向的上述研磨垫的纵截面中，截面积为0.01mm2以上的上述连通孔以在上述纵截面中每25mm230个以上的密度存在。
在另一方式中，在沿着上述平台的法线方向的上述研磨垫的纵截面中，截面积为0.01mm2以上的上述连通孔以在上述纵截面中每25mm280个以上的密度存在。
在另一方式中，在从上述平台取出研磨后的上述玻璃基板的工序中，在上述研磨垫含有上述液体状研磨剂的状态下，从上述平台取出研磨后的上述玻璃基板。
在另一方式中，在从上述平台取出研磨后的上述玻璃基板的工序中，上述液体状研磨剂的浓度为,利用上述研磨装置对上述玻璃基板的表面进行研磨的工序中的上述液体状研磨剂的浓度的1.5倍以上。
发明效果
根据本发明，提供一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，所述信息记录介质用玻璃基板的制造方法能够提供一种在对信息记录介质用玻璃基板进行了信息记录介质化之后，不会导致记录特性的下降的信息记录介质用玻璃基板。
附图说明
图1是示出在磁盘中使用的玻璃基板的立体图。
图2是示出具备玻璃基板的磁盘的立体图。
图3是示出实施方式中的玻璃基板的制造方法的流程图。
图4是在研磨工序中使用的双面研磨装置的局部立体图。
图5是示出实施方式中的信息记录介质用玻璃基板的制造方法的第2抛光工序的细节的流程图。
图6是背景技术中的下侧研磨垫的放大纵剖视图。
图7是实施方式中的下侧研磨垫的放大纵剖视图。
图8是示出实施例1至实施例4以及比较例1至比较例3中的缺陷检查结果以及读写试验结果的图。
具体实施方式
下面，参考附图，对基于本发明的实施方式和实施例进行说明。在实施方式和实施例的说明中，在提及个数、量等的情况下，除了特别记载的情况外，本发明的范围并不一定限定于该个数、量等。在实施方式和实施例的说明中，存在这样的情况：对于同一部件和相应的部件，标记相同的参考标号，且不反复进行重复的说明。
(玻璃基板1/磁盘10)
参照图1和图2，首先，对通过基于本实施方式的信息记录介质用玻璃基板的制造方法所得到的玻璃基板1、和具备玻璃基板1的磁盘10进行说明。图1是示出在磁盘10(参照图2)中使用的玻璃基板1的立体图。图2是示出具备玻璃基板1来作为信息记录介质的磁盘10的立体图。
如图1所示，在磁盘10中使用的玻璃基板1(信息记录介质用玻璃基板)呈在中心形成有孔1H的环状的圆板形状。圆形盘形状的玻璃基板1具有正面主表面1A、背面主表面1B、内周端面1C和外周端面1D。
玻璃基板1的大小并不特别限制，例如，外径可以是0.8英寸、1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸或者3.5英寸等。出于防止破损的观点，玻璃基板1的厚度例如为0.30mm～2.2mm。本实施方式中的玻璃基板1的大小为：外径约65mm，内径约20mm，厚度约0.8mm。玻璃基板1的厚度是通过在玻璃基板1上的处于点对称的任意多个点处测量的值的平均而计算出的值。
如图2所示，关于磁盘10，在上述的玻璃基板1的正面主表面1A上形成磁性膜，从而形成含有磁性记录层的磁性薄膜层2。在图2中，仅在正面主表面1A上形成有磁性薄膜层2，但可以在背面主表面1B上也形成有磁性薄膜层2。
磁性薄膜层2通过将分散有磁性粒子的热固化性树脂旋涂于玻璃基板1的正面主表面1A上而形成(旋涂法)。磁性薄膜层2也可以通过溅射法或非电解镀层法等形成于玻璃基板1的正面主表面1A。
形成在玻璃基板1的正面主表面1A的磁性薄膜层2的膜厚在旋涂法的情况下为约0.3μm～约1.2μm，在溅射法的情况下为约0.04μm～约0.08μm，在非电解镀层法的情况下为约0.05μm～约0.1μm。从薄膜化和高密度化的观点出发，优选磁性薄膜层2通过溅射法或非电解镀层法来形成。
作为用于磁性薄膜层2的磁性材料，并不特别限定，可以使用以往公知的磁性材料，但是，为了得到高保持力，以结晶各向异性高的Co为基本成分，为了调整残留磁通密度，优选加入了Ni或Cr的Co系合金等。作为适用于热辅助记录的磁性层材料，可以采用FePt系的材料。
为了提高磁头的光滑度，可以在磁性薄膜层2的表面薄薄地涂覆润滑剂。作为润滑剂，例如可举出用氟利昂类等溶剂稀释作为液体润滑剂的全氟聚醚(PFPE)而得到的润滑剂。
而且，也可以根据需要设置基底层和/或保护层。磁盘10中的基底层根据磁性膜来选择。作为基底层的材料，例如可举出从Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性金属中选出的至少一种以上的材料。
基底层不限于单层，也可以设为层叠相同种类或不同种类的层而成的多层结构。例如，可以形成为Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo或NiAl/CrV等多层基底层。
作为防止磁性薄膜层2的磨损和腐蚀的保护层，例如可举出Cr层、Cr合金层、碳层、氢化碳层、氧化锆层、二氧化硅层等。这些保护层能够通过内联型溅射装置与基底层和磁性膜等一起连续地形成。这些保护层可以形成为单层，或者形成为由相同种类或不同种类的层构成的多层结构。
可以在上述保护层上形成其它保护层，或者替代上述保护层而形成其它保护层。例如，可以在Cr层上，在用乙醇类的溶剂稀释四烷氧基硅烷得到的产物中，分散地涂覆胶态二氧化硅微粒，进而进行烧结，形成氧化硅(SiO2)层，以替代上述保护层。
(玻璃基板的制造方法)
接下来，采用图3所示的流程图，对本实施方式中的信息记录介质用玻璃基板(以下，仅称作玻璃基板。)的制造方法进行说明。图3是示出实施方式中的玻璃基板1的制造方法的流程图。
本实施方式中的玻璃基板的制造方法具备玻璃坯件准备工序(步骤S10)、玻璃基板形成/磨削工序(步骤S20)、研磨工序(步骤S30)、化学强化工序(步骤S40)、和清洗工序(步骤S50)。可以对经过化学强化处理工序(步骤S40)得到的玻璃基板(相当于图1中的玻璃基板1)实施磁性薄膜形成工序(步骤S60)。通过磁性薄膜形成工序(步骤S60)，可以得到作为信息记录介质的磁盘10。
以下，在对这各个步骤S10～S60的详细情况依次进行说明的下述内容中，没有记载在各步骤S10～S60之间适当地进行的简易清洗。
(玻璃坯件准备工序)
在玻璃坯件准备工序(步骤S10)中，使要构成玻璃基板的玻璃原材料熔融(步骤S11)。玻璃原材料例如采用一般的铝硅酸盐玻璃。铝硅酸盐玻璃含有58质量％(质量百分比)～75质量％的SiO2、5质量％～23质量％的Al2O3、3质量％～10质量％的Li2O、4质量％～13质量％的Na2O作为主要成分。熔融的玻璃原材料在流入到下模上之后，通过上模和下模进行冲压成型(步骤S12)。通过冲压成型形成了圆盘状的玻璃坯件(玻璃母材)。
玻璃坯件可以以下述方式形成：利用磨削磨具对通过下拉(downdraw)法或浮式法形成的片状玻璃(板玻璃)进行切割。另外，玻璃原材料也不限于铝硅酸盐玻璃，可以是任意的原材料。
(玻璃基板形成/磨削工序)
接下来，在玻璃基板形成/磨削工序(步骤S20)中，以提高尺寸精度和形状精度为目的，对冲压成型出的玻璃坯件的两个主表面实施第1磨削工序(步骤S21)。玻璃坯件的两个主表面是指经过后述的各处理而成为图1中的正面主表面1A的主表面、和成为背面主表面1B的主表面(以下，称作两个主表面)。例如，使用粒度为#400的氧化铝磨粒(粒径大约为40μm～60μm)，加工成表面粗糙度Rmax为6μm左右。
在第1磨削工序后，使用圆筒状的金刚石钻头等，对玻璃坯件的中心部实施取芯(内周切除)处理(步骤S22)。通过取芯处理，可以得到在中心部开设有孔的圆环状的玻璃基板。也可以对中心部的孔实施规定的倒角加工。
利用磨刷(brush)将玻璃基板的内周端面和外周端面研磨成镜面状(步骤S22)。作为研磨磨粒，可以采用含有氧化铈磨粒的浆料。
接着，对玻璃基板的两个主表面实施第2磨削工序(步骤S23)。第2磨削工序使用利用了行星齿轮机构的双面磨削装置来进行。具体来说，从上方和下方将平台按压至玻璃坯件的两个主表面，将水、磨削液或润滑液供给至两个主表面上，使玻璃坯件和磨削平台相对移动，来进行第2磨削工序。
通过第2磨削工序，对作为玻璃基板的大致的平行度、平坦度以及厚度等进行预调整，从而得到具有大致平坦的主表面的玻璃母材。在第2磨削工序中，为了减小产生的磨削痕，使用比上述第1磨削工序微细的磨粒。例如，通过在平台上安装金刚石贴片等固定磨粒，由此将玻璃基板两个面上加工至表面粗糙度Rmax为2μm左右。
(研磨工序)
接下来，作为第1抛光工序(粗研磨)，在研磨工序(步骤S30)中，将在上述第2磨削工序(步骤S23)中残留于玻璃基板的两个主表面上的缺陷除去，同时对玻璃基板的翘曲进行矫正(步骤S31)。在第1抛光工序中，使用利用了行星齿轮机构的双面研磨装置。例如，使用硬质丝绒、聚氨酯发泡件、或沥青浸渍绒面革等研磨垫进行研磨。作为研磨剂，采用了以通常的氧化铈磨粒作为主要成分的作为液体状研磨剂的浆料。在第1抛光工序中研磨后的基板在第1抛光取出工序中被回收。
在第2抛光工序(精密研磨)中，对玻璃基板再次实施研磨加工，以消除残留在玻璃基板的两个主表面上的微小缺陷等(步骤S33)。玻璃基板的两个主表面被精加工成镜面状，由此形成所希望的平坦度，玻璃基板的翘曲也被消除。在第2抛光工序中，使用利用了行星齿轮机构的双面研磨装置。研磨垫例如使用以发泡聚氨酯为原材料的作为软质抛光件的绒面革垫来进行研磨。作为研磨剂，使用了以比在第1抛光工序中使用的氧化铈微细的通常的胶态二氧化硅为主要成分的作为液体状研磨剂的浆料。
在此，参照图4，对双面研磨装置2000的概要结构进行说明。图4是在研磨工序中使用的双面研磨装置2000的局部立体图。
双面研磨装置2000具备：上平台(上侧磨具保持平台)300；下平台(下侧磨具保持平台)400；上侧研磨垫310，其被安装于上平台300的面对下平台400的一侧(玻璃基板侧)的下表面上；以及下侧研磨垫410，其被安装于下平台400的面对上平台300的一侧(玻璃基板侧)的上表面上。
上侧研磨垫310和下侧研磨垫410是用于对玻璃基板1的两个主表面进行研磨加工的加工部件。上平台300和下平台400相对于载具500的公转方向互相向相反方向旋转。上侧研磨垫310的面对下平台400的表面形成上侧的研磨面311。下侧研磨垫410的面对上平台300的表面形成下侧的研磨面411。在形成于上平台300和下平台400之间的间隙中配置有载具500。多张盘状的玻璃基板1被保持于该载具500上。
玻璃基板1被夹在上平台300与下平台400之间，通过上平台300和下平台400向玻璃基板的厚度方向施加应力。由此，玻璃基板的两主表面被上侧研磨垫310的研磨面311以及下侧研磨垫410的研磨面411按压。在该状态下，通过使上侧研磨垫310的研磨面311相对于玻璃基板的一个主表面相对移动，从而对该一个主表面进行研磨。同时，通过使下侧研磨垫410的研磨面411相对于玻璃基板的另一个主表面相对移动，从而对该另一个主表面进行研磨。由此，使用双面研磨装置2000同时研磨玻璃基板的两个主表面。
在使用了双面研磨装置的精密研磨之后，从研磨垫取出粘贴在上侧研磨垫310的研磨面311和下侧研磨垫410的研磨面411上的玻璃基板1。关于玻璃基板从研磨垫的取出将后述。
(化学强化工序)
在对玻璃基板1清洗后，使玻璃基板1浸渍于化学强化处理液中，由此在玻璃基板1的两个主表面形成化学强化层(步骤S40)。在对玻璃基板1清洗后，将玻璃基板1浸渍于被加热至300℃的硝酸钾(70％)和硝酸钠(30％)的混合用液等化学强化处理液中30分钟左右，由此进行化学强化。
玻璃基板1中含有的锂离子、钠离子等碱金属离子被离子半径比这些离子大的钾离子等碱金属离子置换(离子交换法)。
由于因离子半径不同而产生的变形，在进行了离子交换的区域产生压缩应力，从而将玻璃基板1的两个主表面强化。例如，在玻璃基板1的两个主表面上，可以在从玻璃基板1表面至大约5μm的范围内形成化学强化层，以提高玻璃基板1的刚性。如上所述这样，可以得到与图1所示的玻璃基板1相当的玻璃基板。
也可以对玻璃基板1进一步实施使两个主表面上的加工余量为0.1μm以上且0.5μm以下的抛光处理。通过将在经过了化学强化工序后残留在玻璃基板1的主表面上的附着物除去，由此可以减少在使用玻璃基板1制造出的磁盘上发生磁头碰撞的情况。通过将抛光处理的两个主表面上的加工余量设定为0.1μm以上且0.5μm以下，由此，不会在表面上出现因化学强化处理而发生的应力不均匀性。本实施方式中的玻璃基板的制造方法如以上这样构成。
也可以在第1抛光工序(粗研磨)与第2抛光工序(精密研磨)之间实施化学强化工序。
(清洗工序)
接下来，对玻璃基板进行清洗(步骤S50)。利用清洗剂、纯水、臭氧、IPA(异丙醇)、或UV(ultraviolet)臭氧等对玻璃基板1的两个主表面进行清洗，由此，附着在玻璃基板1的两个主表面上的附着物被除去。
然后，利用光学式缺陷检查装置等检查玻璃基板1的表面上的附着物的数量。
(磁性薄膜形成工序)
对完成了化学强化处理后的玻璃基板(相当于图1所示的玻璃基板1)的两个主表面(或任一个主表面)形成磁性膜，由此形成磁性薄膜层2。磁性薄膜层2是通过如下方式形成的：使由Cr合金构成的紧密贴合层、由CoFeZr合金构成的软磁性层、由Ru构成的配向控制基底层、由CoCrPt合金构成的垂直磁性记录层、由C系构成的保护层和由F系构成的润滑层依次成膜。通过形成磁性薄膜层2，能够得到与图2所示的磁盘10相当的垂直磁性记录盘。
本实施方式中的磁盘是由磁性薄膜层构成的垂直磁盘的一个例子。磁盘也可以由磁性层等构成为所谓的面内磁盘。
(第2抛光工序S33)
此处，参照图5至图7，对第2抛光工序S33的详细内容进行说明。图5是示出第2抛光工序S33的细节的流程图，图6是背景技术中的下侧研磨垫410的放大纵剖视图，图7是实施方式中的下侧研磨垫410的放大纵剖视图。以下，主要说明下侧研磨垫和下侧平台，关于上侧研磨垫和上侧平台也同样。
参照图5，第2抛光工序S33具有：载具配置工序(S331)、玻璃基板配置工序(S332)、研磨工序(S333)、玻璃基板取出工序(S334)、以及载具取出工序(S335)。
在这各个工序中，在玻璃基板取出工序(S334)中，玻璃基板1向下侧研磨垫410的吸附成为问题。这是因为，如图6所示，在背景技术中，下侧研磨垫41使用了独立发泡结构的研磨垫，该独立发泡结构的研磨垫的各个发泡孔410h相对于相邻的发泡孔410h独立，或者，与相邻的发泡孔410h连通的情况非常少。
因此，在研磨工序(S333)中，玻璃基板1在被夹在上侧研磨垫310和下侧研磨垫410之间的状态下被按压，因此，产生了上侧研磨垫310和下侧研磨垫410(尤其是位于下侧的下侧研磨垫410)牢固吸附在玻璃基板1上的现象(图中箭头S2所示的吸附力)。
另一方面，图7示出本实施方式中的下侧研磨垫410的放大图。在本实施方式的下侧研磨垫410中不使用独立发泡结构，而是使用具有连续发泡结构的研磨垫。因此，在该下侧研磨垫410中形成有连通相邻的发泡孔410h的连通孔410c。作为具体的材料可举出利用湿式凝固法形成的、以发泡聚氨酯为原材料的绒面革垫。
由此，通过在下侧研磨垫410中使用连续发泡结构，由此在相邻的发泡孔410h之间产生浆料流和空气流(图7中的左右方向的箭头)，因此，能够降低下侧研磨垫410对玻璃基板1的吸附力(图7中的箭头S1所示的吸附力)。
此处，在处于向下侧研磨垫410供给了浆料的状态的研磨工序(S333)中，下侧研磨垫410对玻璃基板1的吸附力优选在0.50g/cm2以上且15g/cm2。
这是因为当吸附力小于0.50g/cm2时，玻璃基板1与研磨垫之间的滑动增大，无法期待研磨垫对玻璃基板1的表面的研磨。因为当吸附力超过15g/cm2时，在从下侧研磨垫410取出玻璃基板1时施加的力变得过大(吸附力过大)。
下侧研磨垫410在沿着下平台400的法线方向的下侧研磨垫410的纵截面(图7所示的截面)中，截面积S为0.01mm2以上的连通孔410c以在纵截面中每25mm230个以上的密度存在为佳。由此，能够将下侧研磨垫410对玻璃基板1的吸附力设定在上述范围。
优选的是，在下侧研磨垫410的纵截面中，截面积S为0.01mm2以上的连通孔410c以在纵截面中每25mm280个以上的密度存在。由此，能够将下侧研磨垫410对玻璃基板1的吸附力设定在更优选的范围。
在玻璃基板取出工序(S334)中，优选在保持下侧研磨垫410含有浆料的状态下从下平台400取出研磨后的玻璃基板1。在背景技术中，在研磨工序(S333)之后实施了用于冲洗浆料的清洗。但是发现了：通过实施该清洗，下侧研磨垫410对玻璃基板1的吸附力提高。在实施方式中，在玻璃基板取出工序(S334)之后，实施了玻璃基板1以及下侧研磨垫410的清洗。
进而，玻璃基板取出工序(S334)中的浆料的浓度优选为双面研磨装置2000进行的研磨工序(S333)中的浓度的1.5倍以上。由此，进而，能够降低玻璃基板取出工序(S334)中的下侧研磨垫410对玻璃基板1的吸附力。具体而言，可以在玻璃基板取出工序(S334)中，追加新的浆料。
(实施例)
以下，参照图8说明基于本实施方式的实施例。图8是示出实施例1至实施例5以及比较例1至比较例3中的缺陷检查结果以及读写试验结果的图。在实施例1至实施例5以及比较例1至比较例3中，至第1抛光工序(S31)为止，全部采用图3所示的工序。
第2抛光工序(S33)的研磨工序(S333)中使用的浆料的浓度全部设为15wt％。在玻璃基板取出工序(S334)中，将使用的研磨垫(上侧研磨垫310和下侧研磨垫410)、研磨工序(S333)结束后的浆料状态划分成图8的8个条件(实施例1至实施例5以及比较例1至比较例3)进行了实施。
在实施例1和比较例1中，在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，进行了清洗工序。
在实施例2和实施例3中，在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，将高浓度的浆料散布到了研磨垫上，使得在研磨工序(S333)开始时为15wt％的浓度的浆料的浓度在玻璃基板取出工序(S334)开始时，浓度升高。
对于各实施例、比较例中的吸附力，在紧接着研磨工序(S333)之后，将与玻璃基板几乎相同形状、相同表面粗糙度的试验片载置到下侧研磨垫上，在施加了与研磨工序同等的压力之后提起，利用数字测力计进行了测量。
在第2抛光工序(S33)结束之后，在全部实施例和比较例中，玻璃基板1经过化学强化工序(S40)、清洗工序(S50)后，进行了表面的缺陷(defect)检查。缺陷检查使用了KLA－Tencor社制光学式缺陷检查装置Candela－OSA6100作为试验装置。
在缺陷检查中，在各实施例和各比较例中，按每100张对加工后的玻璃基板全部进行了检查，将附着物在10个以下且划痕在2个以下的基板判定为合格品，将合格品数在95张以上的情况评价为A(优良)，将小于95张且90张以上的情况评价为B(良)，将小于90张且85张以上的情况评价为C(及格)，将小于85张的情况评价为D(不良)。
进而，经过磁性薄膜形成工序(S60)后，对玻璃基板进行了信息记录介质(介质化)之后，进行了读写试验。
在读写试验中，进行了如下试验：在相同的各条件下按每100张对于加工后的玻璃基板(信息记录介质)测量磁性记录特性。将通过了试验的基板在96张以上的情况设为A(优良)，将小于96张且92张以上的情况设为B(良)，将小于92张且88张以上的情况设为C(及格)，将小于88张的情况设为D(不及格)。
(实施例1)
在实施例1的玻璃基板中，吸附力为15.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为35，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为15wt％。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，进行了清洗工序。在该实施例1中，缺陷检查的评价为“B”，读写试验的评价为“B”。研磨垫的连通孔的数量是指，在沿着下平台400的法线方向的下侧研磨垫410和上侧研磨垫310的纵截面中，截面积S为0.01mm2以上的连通孔在每25mm2内存在的数量。以下也同样。
(实施例2)
在实施例1的玻璃基板中，吸附力为14.5g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为35，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为20wt％。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，没有进行清洗工序。在该实施例2中，在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，将浓度高的浆料散布到研磨垫上。在该实施例2中，缺陷检查的评价为“B”，读写试验的评价为“B”。
(实施例3)
在实施例3的玻璃基板中，吸附力为13.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为35，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为25wt％。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，没有进行清洗工序。在该实施例3中，在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，将浓度高的浆料散布到研磨垫上。在该实施例3中，缺陷检查的评价为“A”，读写试验的评价为“A”。
(实施例4)
在实施例4的玻璃基板中，吸附力为14.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为63，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为15wt％。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，没有进行清洗工序。在该实施例4中，缺陷检查的评价为“B”，读写试验的评价为“B”。
(实施例5)
在实施例5的玻璃基板中，吸附力为13.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为88，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为15wt％。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，没有进行清洗工序。在该实施例3中，缺陷检查的评价为“A”，读写试验的评价为“A”。
(比较例1)
在比较例1的玻璃基板中，吸附力为17.5g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为24，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为无蓄积。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，进行了清洗工序。在该比较例1中，缺陷检查的评价为“D”，读写试验的评价为“D”。
(比较例2)
在比较例2的玻璃基板中，吸附力为17.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为24，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为有蓄积，此时的浆料的浓度为15wt％。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，没有进行清洗工序。在该比较例2中，缺陷检查的评价为“D”，读写试验的评价为“D”。
(比较例3)
在比较例3的玻璃基板中，吸附力为16.0g/cm2，研磨垫的连通孔的数量为35，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨垫上的浆料的蓄积状态为无蓄积。在研磨工序(S333)结束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，没有进行清洗工序。在该比较例3中，缺陷检查的评价为“C”，读写试验的评价为“C”。
根据以上的实施例1～5、以及比较例1～3的基于吸附力的评价结果能够确认出，在向研磨垫供给了浆料的湿润状态下，研磨垫对玻璃基板1的吸附力优选为0.50g/cm2以上且15g/cm2以下。
根据实施例1～5、以及比较例1～3的基于连通孔的数量的评价结果能够确认出，在沿着平台的法线方向的研磨垫的纵截面中，截面积S为0.01mm2以上的上述连通孔410c优选以在纵截面中每25mm230个以上的密度存在，根据实施例5能够确认出，更优选以80个以上的密度存在。
根据实施例1～5、以及比较例1～3的基于连通孔的数量的评价结果能够确认出，在沿着平台的法线方向的研磨垫的纵截面中，截面积S为0.01mm2以上的上述连通孔410c优选以在纵截面中每25mm230个以上的密度存在，根据实施例5能够确认出，更优选以80个以上的密度存在。
在实施例1中，在研磨工序S333结束之后且玻璃基板取出工序S334之前，实施清洗工序，在比较例3中，在研磨工序S333结束之后且玻璃基板取出工序S334之前，不实施清洗工序，因此，能够确认出：最好在研磨垫含有浆料的状态下从平台取出研磨后的玻璃基板1。
在实施例3中，在研磨工序S333结束之后且玻璃基板取出工序S334之前，将浓度高的浆料散布到研磨垫上，使得在研磨工序S333开始时为15wt％的浓度的浆料的浓度，在玻璃基板取出工序S334开始时，变成1.5倍以上，因此，能够确认出，在从平台取出研磨后的玻璃基板1的工序中，浆料的浓度优选为研磨玻璃基板1的表面的工序中的浆料的浓度的1.5倍以上。
在上述实施方式和实施例中，对使用了双面研磨装置的情况进行了说明，但并不限定于双面研磨装置。
以上对本发明的实施方式和实施例进行了说明，应该认为，本次公开的实施方式和实施例在所有的方面都是例示，并不是限制性内容。本发明的范围由权利要求书表示，意在包含与权利要求书等同的含义和范围内的全部变更。
标号说明
1：玻璃基板；1A：正面主表面；1B：背面主表面；1C：内周端面；1D：外周端面；1H：孔；2：磁性薄膜层；10：磁盘；300：上平台(上侧磨具保持平台)；310：上侧研磨垫；311，411：研磨面；400：下平台(下侧磨具保持平台)；410：下侧研磨垫；410c：连通孔；410h：发泡孔；500：载具；2000：双面研磨装置。

Claims (5)

1.一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，所述信息记录介质用玻璃基板的制造方法使用研磨装置，所述研磨装置在平台上安装有由含有多个发泡孔的部件构成的研磨垫，并使用所述研磨垫对玻璃基板的表面进行研磨，
所述信息记录介质用玻璃基板的制造方法包括以下的工序：
将所述玻璃基板载置到所述平台上的工序；
利用所述研磨装置一边向所述玻璃基板供给液体状研磨剂一边对所述玻璃基板的表面进行研磨的工序；以及
从所述平台取出研磨后的所述玻璃基板的工序，
在向所述研磨垫供给了所述液体状研磨剂的状态下，所述研磨垫对所述玻璃基板的吸附力在0.50g/cm2以上且15g/cm2以下。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，
所述研磨垫具有连通相邻的所述发泡孔的多个连通孔，
在沿着所述平台的法线方向的所述研磨垫的纵截面中，截面积为0.01mm2以上的所述连通孔以在所述纵截面中每25mm230个以上的密度存在。
3.根据权利要求2所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，
在沿着所述平台的法线方向的所述研磨垫的纵截面中，截面积为0.01mm2以上的所述连通孔以在所述纵截面中每25mm280个以上的密度存在。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，
在从所述平台取出研磨后的所述玻璃基板的工序中，在所述研磨垫含有所述液体状研磨剂的状态下，从所述平台取出研磨后的所述玻璃基板。
5.根据权利要求4所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，
在从所述平台取出研磨后的所述玻璃基板的工序中，所述液体状研磨剂的浓度为，利用所述研磨装置对所述玻璃基板的表面进行研磨的工序中的所述液体状研磨剂的浓度的1.5倍以上。
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