JP5335789B2 - 磁気ディスク用基板及び磁気ディスク - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスクドライブ装置に搭載される磁気ディスク用基板及び磁気ディスクに関する。

ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ装置）に搭載される磁気記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスクは、アルミニウム−マグネシウム合金などで構成された金属板上にＮｉＰ膜を被着した基板、ガラス基板、セラミックス基板等の基板上に磁性層や保護層を積層したりして作製される。従来では、磁気ディスク用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高密度記録化に伴って、アルミニウム合金基板に比べて表面の平坦度や薄板での強度に優れたガラス基板が用いられるようになってきている。

このような磁気ディスク用基板上に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクについては、表面に存在する欠陥を検査している。例えば、特許文献１には、主走査方向に対して直角な方向に幅のある光ビームを照射して透過性基板を相対的に走査する投光系と、透過性基板からの散乱光を透過性基板の表面に垂直な方向で受光する高倍率の対物レンズ及び直角な方向に対応する結像の方向に沿って配列され対物レンズからの光を受ける受光素子を備える受光器を有し、透過性基板の走査位置の映像を受光素子に結像する受光系と、を含む欠陥検出光学系により磁気ディスク用基板の欠陥検出を行うことが開示されている。

特開２００２−５５０６１号公報

近年、ＨＤＤ装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の距離（フライングハイト）が小さくなってきており、特に、ヒータの熱による膨張でフライングハイトを調整するスライダを備えた垂直記録向け記録ヘッド（ＤＦＨ（dynamic fly Hight））を搭載する場合には、フライングハイトがより小さくなる。フライングハイトが小さくなるにつれて、磁気ディスクとしたときの不良を抑えるために、磁気ディスクとして許容される基板表面の欠陥の大きさもより小さくなってきている。また、これに対応して、磁気ディスク用基板の表面欠陥についてもその形状及び個数に対する要求が厳しくなってきている。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、表面欠陥の形状及び個数が管理されて、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることができる磁気ディスク用基板及び磁気ディスクを提供することを目的とする。

本発明者らは、製造した磁気ディスク用ガラス基板の欠陥検査を行い、欠陥の個数と大きさがほぼ同じである複数の磁気ディスク用ガラス基板を用いて磁気ディスクを製造し、サーティファイテストおよびグライドテストを行った結果、良品のものと不良品のものとが混在していた。また、上記テストを行ったものよりも欠陥の個数が多く、欠陥の大きさが大きい磁気ディスク用ガラス基板に対して上記テストを行った結果、良品のものが多い場合があった。

本発明者らは、上記現象に対して鋭意検討を行った結果、特定サイズでかつ特定形状の欠陥が、サーティファイテストおよびグライドテストの結果に大きな影響を与えることを見出し、この欠陥を除去することで信頼性の向上した磁気ディスクおよび磁気ディスク用ガラス基板を提供できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

また、本発明者らは、磁気ディスク用基板上には、不可避的に欠陥が存在し、しかもＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドを用いる場合には、不可避的に磁気ディスク用基板と磁気ヘッドとが接触することがある。この場合においては、磁気ディスク用基板上に存在する欠陥の個数よりも形状が重要であることに着目した。すなわち、本発明者らは、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置においては、磁気ディスク用基板に存在する欠陥の大きさ及び個数だけでなく、欠陥の形状が影響することに着目した。

また、本発明者らは、上記欠陥の形状の影響は、基板の表面粗さが低くなった場合において顕著に現れることを見出した。つまり、信頼性の観点では、表面粗さが高いときには欠陥の影響よりも表面粗さの影響が大きいため上記特定の形状の欠陥が及ぼす影響は小さかった、表面粗さRaが０．１５nm以下となった場合に、この特定形状の欠陥の影響が大きくなり、信頼性を向上させるには、この特定形状の欠陥を無くすことが必要であることを見出した。

ところで、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドで影響を及ぼすと思われる欠陥としては、図１Ａに示すような断面を有する欠陥、すなわち、凸領域がブロードである欠陥が考えられる。このような凸領域がブロードである欠陥は、磁気ヘッドと接触する面積が相対的に大きく、磁気ヘッドへの衝突エネルギーが相対的に大きい欠陥である。したがって、磁気ヘッドに対して大きな衝突エネルギーが加わるために、結果として磁気ヘッドが使用不可能となってしまう。一方、図１Ｂに示すような断面を有する欠陥、すなわち、凸領域がシャープである欠陥については、図１Ａに示す欠陥とは異なり、磁気ヘッドと接触する面積が相対的に小さく、磁気ヘッドへの衝突エネルギーが相対的に小さい欠陥である。このため、磁気ヘッドの駆動に関してあまり影響を及ぼさないと考えられる。

すなわち、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、上記主表面を、原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの表面粗さRaが0.15nm以下であり、波長４０５ｎｍ、パワー２５ｍＷのレーザ光を５μｍのスポット径で上記基板の主表面に対して照射して上記基板の主表面からの散乱光を検出した際に０．１μｍ以上０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満であり、かつ、上記検出された全部の欠陥のうち、原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％における高さまでの部分が前記欠陥の頂点（０％における高さ）と４５％における高さの点とを結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しない構成である。

また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、前記磁気ディスク用ガラス基板は、ＤＦＨ（dynamic fly Hight）ヘッド対応の磁気ディスクの基板として用いられるものである構成とすることが好ましい。

また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、一方の主表面のみが、上記主表面を、原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの表面粗さRaが0.15nm以下であり、波長４０５ｎｍ、パワー２５ｍＷのレーザ光を５μｍのスポット径で上記基板の主表面に対して照射して上記基板の主表面からの散乱光を検出した際に０．１μｍ以上０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満であり、かつ、上記検出された全部の欠陥のうち、原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％における高さまでの部分が前記欠陥の頂点（０％における高さ）と４５％における高さの点とを結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しない構成がより好ましい。

また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、前記磁気ディスク用ガラス基板は、Heat Assisted Magnetic Recording方式の磁気ディスクの基板として用いられるものである構成がより好ましい。

また、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、前記基板は、中央に穴部を有する円盤形状であり、中心から最外周までの距離を１００％としたときの中心から８０％〜９０％の範囲内の主表面における算術平均粗さ（ＲａＯ）と１０〜２０％の主表面における算術平均粗さ（ＲａＩ）の差（ＲａＯ−ＲａＩ）が０．０１以下（原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの値である）である構成がより好ましい。

また、本発明の磁気ディスク用基板は、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の前記基板からの散乱光を検出した際に０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満であり、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点から４５％までの部分が前記欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しない構成である。

この構成によれば、表面欠陥の形状及び個数が管理されて、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることができる。

本発明の磁気ディスク用基板においては、前記原子間力顕微鏡は、少なくとも２μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度を有する原子間力顕微鏡であることが好ましい。

本発明の磁気ディスク用基板においては、アルミノシリケートガラスで構成されていることが好ましい。

本発明の磁気ディスクは、上記磁気ディスク用基板と、前記磁気ディスク用基板上に形成された磁気記録層と、を具備する構成である。

本発明の磁気ディスクは、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の前記基板からの散乱光を検出した際に０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満であり、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点から４５％までの部分が前記欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しない構成である。

本発明の磁気ディスク用基板は、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の前記基板からの散乱光を検出した際に０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満であり、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点から４５％までの部分が前記欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないので、表面欠陥の形状及び個数が管理されて、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることができる。

本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用基板上の欠陥の形状を示す図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ディスク用基板上の欠陥の形状を示す図である。 欠陥の高さを検出する際の原理を説明するための図である。 欠陥の高さを検出する際の原理を説明するための図である。 原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて得られたベアリングカーブを示す図である。 磁気ディスク用基板上の欠陥を検出する装置の概略構成を示す図である。 図４に示す装置における感度を説明するための図である。 図４に示す装置における感度を説明するための図である。 磁気ディスク用基板上の欠陥を検出する装置の他の例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態においては、磁気ディスク用基板がガラス基板である場合について説明する。

本発明の技術的思想は、磁気ディスク用基板上に、図１Ａに示すような断面を有する欠陥、すなわち、凸領域がブロードである欠陥がない状態にして、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることである。

ここで、図１Ａに示すような断面を有する欠陥、すなわち、凸領域がブロードである欠陥とは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点と４５％の点とを結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥をいう。

原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブとは、図２Ａに示す３次元構造を構成する各ピクセルの高さ（ｚ−座標）の分布を、図２Ｂに示すＺ方向の高さに対して０％（全ての画素が含まれる、すなわち、３次元像で一番低いｚ座標の位置）から１００％まで（３次元像で一番高いｚ座標の位置）で示すカーブをいう。図２Ｂに示すＡの平面で３次元像を切断すると全ての画素が含まれるが、図２Ｂに示すＢ，Ｃ，Ｄへと切断面のｚ方向の高さを少しずつ増加すると、それぞれの切断面に含まれる画素が一般的には少なくなっていく。

図３に、原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブの一例を示す。図３において縦軸は基板面からの高さであり、０％が基板面を示し、基板面から最も離れた位置（最高点）を１００％と示す。また、図３において横軸は基板表面からの累積カウント数の割合である。ここで、原子間力顕微鏡は、図２Ａに示すように、少なくとも２μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度を有する原子間力顕微鏡である。記録密度が２４０ＧＢの磁気ディスクの場合、ビット長は１７ｎｍであり、記録密度が３２０ＧＢの磁気ディスクの場合、ビット長は１５ｎｍである。したがって、このようなレベルの記録密度の磁気ディスク用基板の欠陥を測定するためには、少なくとも２μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度が必要となる。また、ここでは、図３に示すベアリングカーブについては、欠陥を正確に測定するために、対象欠陥が４５％を占めるようにエリア設定している。

このような条件の下で、図１Ａに示す形状の欠陥のベアリングカーブを求めると、図３に示すＣ１のようになる。これは、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線（基準線）よりも欠陥高さの高い領域に位置する、すなわち、図３においては基準線（直線）よりも右側の領域に位置している。一方、図１Ｂに示す形状の欠陥のベアリングカーブを求めると、図３に示すＣ２のようになる。これは、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線（基準線）よりも欠陥高さの低い領域に位置する、すなわち、図３においては基準線（直線）よりも左側の領域に位置している。

なお、ベアリングカーブにおいて、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線（基準線）よりも欠陥高さが高いか低いかの判断領域については、頂点から５％の領域にノイズが含まれていることを考慮すると、５％から４５％の領域であることが好ましい。

したがって、上述したように、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えるためには、凸領域がブロードである欠陥がない状態にする、すなわち、原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が存在しないようにする必要がある。

このような欠陥の判断は、事前に、図４に示すような光学式欠陥検査装置（Optical Surface Analyzer：ＯＳＡ）を用いて特定してから行う。図４に示す装置は、欠陥検出用プローブレーザ１１と、レーザ光のほぼ全方向の散乱光を検出する検出器１２とを備えている。図４に示す装置においては、レーザ径が例えば５μｍ程度で小さく、レーザ波長が短くパワーが大きいので欠陥検出感度が高い。

図４に示す装置を用いた欠陥数については、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の前記基板からの散乱光を検出した際に０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満であるかどうかを判断する。ここで、欠陥サイズについては、欠陥検出を正確に行うこと（Ｓ／Ｎ比）を考慮すると０．１μｍ以上であり、２４０ＧＢ以上の高記録密度の磁気ディスクに要求される磁気特性などを考慮すると０．３μｍ以下である。

このようなサイズの欠陥数の検出については、図４に示す装置のノイズレベルに大きく影響される。また、当該装置は、欠陥サイズの規定を装置毎に行う必要がある。欠陥サイズを規定するために、例えば、図５Ａに示すように、ガラス基板上に粒径０．３μｍの標準粒子（ポリスチレン粒子）を散布した状態Ｘで測定を行い、信号強度のヒストグラムを作成すると図５Ｂに示すようになる。このときのピークＰが分離できるようなノイズレベル、例えば、ピーク強度よりも大きい信号強度に分布する欠陥検出数とピーク付近の欠陥検出数の差が１対１０以上である必要がある。

また、図４と同様に図６に示すような全方向散乱光をほぼ検知できる検知器２１を備えた装置であれば、本発明において同様に使用することができる。

このように、本発明においては、図４に示す装置を用いて、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の基板からの散乱光を検出した際の０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥を２４ｃｍ^２当たり５０個未満とし、その上で、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点から４５％までの部分が前記欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないように管理する。すなわち、本発明の磁気ディスク用基板１においては、０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズの欠陥の数を所定の数以下とした上で、凸領域がブロードである欠陥がない状態にしている。このため、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることができる。

以下に、磁気ディスク用基板について説明する。

磁気ディスク用基板の材料としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、アルミニウム−マグネシウム合金などを用いることができる。特に、アモルファスガラスとしては、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦性及び基板強度において優れた磁気ディスク用基板を供給することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好ましく用いることができる。また、ガラスの材質としては、アモルファスガラスやガラスセラミクス（結晶化ガラス）を利用できる。

上記構成を有する磁気ディスク用基板上に、少なくとも磁性層を形成することにより磁気ディスクが構成されている。すなわち、磁気ディスクは、通常、磁気ディスク用基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層を順次積層することにより製造される。なお、磁気ディスクにおける下地層は、磁性層に応じて適宜、選択される。

次に、本発明に係る磁気ディスク用基板の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。

磁気ディスク用基板の製造においては、（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程、（２）端部形状工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））、（３）端面研磨工程（外周端部及び内周端部）、（４）第２ラッピング工程、（５）主表面研磨工程（第１及び第２研磨工程）を備えている。なお、磁気ディスク用基板がガラス基板である場合においては、主表面研磨工程の後に必要に応じて化学強化工程を行ってもよい。また、端部研磨工程と第２ラッピング工程とは前後する場合もある。

このように、磁気ディスク用基板は、様々な工程を経て製造されるが、本実施の形態にかかる磁気ディスク用基板のように、基板主表面に形成される欠陥形状のうち、特定の欠陥形状を作り出さないようにするためには、特に、最終研磨工程（第２研磨工程）が重要になる。

記録密度の向上に伴い、求められる基板主表面尾形状に対する要求は一段と厳しくなってきており、その形状・大きさが決定する要因のほとんどが最終研磨工程の研磨条件に依存している。そして、最終研磨工程における様々な研磨条件の多くが、上記基板主表面の形状に影響を与えているが、上記特定形状の欠陥を発生させないようにするには、特に加工レート（加工速度）と加工圧とが影響している。

以下に、遊星歯車方式の研磨装置を使用してガラス基板の主表面を研磨する最終研磨工程について説明する。なお、上記最終研磨工程を行うためには、遊星歯車方式の研磨装置を使用しなくても行うことができることは言うまでもない。例えば、枚葉式の研磨装置を用いて上記ガラス基板に対して最終研磨工程を行っても良い。

最終研磨工程では、当該ガラス基板の両主表面を研磨パッドで押圧しながら、研磨パッドとガラス基板とを相対的に移動させることにより、上記ガラス基板の研磨を行う。このとき、単位時間当たりの取代が加工レートであり、ガラス基板を押圧する圧力が加工圧である。

本実施の形態にかかる磁気ガラス基板を製造するためには、加工レートを０．２０μｍ／分〜０．４５μｍ／分の範囲内とし、かつ、加工圧を８．０Ｐａ〜１０．５Ｐａの範囲内とすることが好ましい。他の研磨条件は影響が比較的小さいために限定的ではないが、例えば２．５インチ型ディスク（φ６５ｍｍ）の場合、研磨パッドの硬度を８５（アスカーＣ硬度）、研磨材の粒径を０．８（μｍ）とすることができる。

また、本実施の形態にかかる磁気ディスク基板を製造するためには、最終研磨工程において、研磨加工を目的とした加工圧（本加工圧）で基板を研磨した後、この本加工圧よりも低い（例えば、１Ｐａ以下）加工圧で基板を研磨することがより好ましい。特に、本加工圧で基板を研磨する研磨時間の約半分程度の時間、この低い加工圧で研磨することが好ましい。このようにすることで、欠陥の数を少なくできるととともに、異常欠陥（特定の形状の欠陥）の発生を防止できる。

また、本実施形態にかかる磁気ディスク基板を製造するためには、化学強化処理が可能なガラス基板に対して、化学強化処理を行った後に、基板主表面を研磨することで、磁気ディスク用ガラス基板を得ることが好ましい。化学強化処理（イオン交換処理）を施した後で、基板主表面を研磨することにより、主表面の粗さをより一層低減させることができる。特に、近年の垂直磁気記録方式で要求される基板の表面粗さは、従来と比べて著しく下がってきている。この要求を満たすためには、化学強化処理後に主表面研磨処理を施して磁気ディスク用ガラス基板を得ることが好ましい。

なお、本実施の形態にかかる磁気ディスク用基板のＡＦＭ（電子間力顕微鏡）を用いて測定した表面粗さＲａが０．１５ｎｍ以下であることが好ましい。

また、本実施形態にかかる磁気ディスク用基板を製造するためには、遊星歯車方式の研磨装置を使用して最終研磨を行う場合には、キャリアの自転回数と装置内を公転する公転回数との関係も重要になってくる。

遊星歯車方式においては、複数枚のガラス基板がキャリアに保持される。そして、この保持されたガラス基板はキャリアと共に、その上下面に研磨パッドが圧接される。そしてこの状態で、キャリアが自転しながら公転することによって上記ガラス基板は研磨される。この状態を制御することにより、基板の表面形状を制御することができる。具体的には、本実施の形態にかかる磁気ディスク用基板（磁気ディスク用ガラス基板）を好適に得るためには、キャリアの自転回数と公転回数との比を０．１５〜６の範囲内と設定することが好ましい。

そして、このような工程を経て得られた磁気ディスク用基板は、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の基板からの散乱光を検出した際の０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥を２４ｃｍ^２当たり５０個未満とし、その上で、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点から４５％までの部分が前記欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないように欠陥管理されたものであるので、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることができるものである。

また、本発明にかかる磁気ディスク用基板は、中央に穴部を有する円盤形状であり、中心から最外周までの距離を１００％としたときの中心から８０％〜９０％の範囲内の主表面における算術平均粗さ（ＲａＯ）と１０〜２０％の主表面における算術平均粗さ（ＲａＩ）の差（ＲａＯ−ＲａＩ）が０．０１以下（原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの値である）である構成がより好ましい。このような構成とすることにより、磁気ディスクとしたときに、基板の内周側と外周側におけるS/Nのバラツキを少なくすることができる。なお、上記のような構成の磁気ディスク用基板を製造するためには、例えば、遊星歯車方式の研磨装置を用いて最終研磨を行えばよい。

また、本発明にかかる磁気ディスク用基板は、Heat Assisted Magnetic Recording（熱アシスト方式磁気記録媒体）方式の磁気ディスクの基板として用いられるものである構成がより好ましい。

Heat Assisted Magnetic Recording方式の磁気ディスクでは、情報を記録する領域を局所的に加熱して情報を記録し、記録した領域を急激に冷やすことで磁気の状態を安定させる。このような場合、上記の特定形状の欠陥が基板上に存在すると、その上に形成された磁性膜とそれ以外の場所の磁性膜との昇温度に差が生じることとなり、情報の記録に障害が起きる。また、信頼性も下がるため、Heat Assisted Magnetic Recording方式の磁気ディスクに用いられる磁気ディスク用基板としては本発明にかかる磁気ディスク用基板を用いることが好ましい。

また、本発明にかかる磁気ディスク用基板は、主表面の一方の面のみが、上記特定の形状の欠陥が存在しない構成としてもよい。この場合には、特定の形状の欠陥が存在しない面を記録面とすることにより、片面のみが磁気記録面である磁気ディスクを製造することができる。

次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、ここでは、磁気ディスク用基板としてガラス基板を用いた場合について説明する。

（実施例）
以下に、本発明を適用した磁気ディスク用基板及び磁気ディスクの製造方法について実施例を説明する。この磁気ディスク用基板及び磁気ディスクは、３．５インチ型ディスク（φ８９ｍｍ）、２．５インチ型ディスク（φ６５ｍｍ）などの所定の形状を有する磁気ディスクとして製造される。

（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程
本実施例に係る磁気ディスク用基板の製造方法においては、まず、板状ガラスの表面をラッピング（研削）加工してガラス母材とし、このガラス母材を切断してガラスディスクを切り出す。板状ガラスとしては、様々な板状ガラスを用いることができる。この板状ガラスは、例えば、溶融ガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらのうち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。

本実施例においては、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ_２：５８重量％〜７５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：５重量％〜２３重量％、Ｌｉ_２Ｏ：３重量％〜１０重量％、Ｎａ_２Ｏ：４重量％〜１３重量％を主成分として含有するガラスを使用した。

次いで、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、板状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス母材を得た。

（２）切り出し工程（コアリング、フォーミング、チャンファリング）
次に、ダイヤモンドカッタを用いてガラス母材を切断し、このガラス母材から円盤状のガラス基板を切り出した。次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（フォーミング、チャンファリング）。

（３）第２ラッピング工程
次に、得られたガラス基板の両主表面について、第１ラッピング工程と同様に、第２ラッピング加工を行った。この第２ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。

（４）端面研磨工程
次に、ガラス基板の外周端面および内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。

（５）主表面研磨工程（第１研磨工程）
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。

（６）化学強化工程
次に、前述のラッピング工程および研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を３００℃に予熱し、化学強化溶液中に約３時間浸漬することによって行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。

このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さは、約１００μｍであった。

化学強化処理を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した１０重量％硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。

（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）
次に、最終研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。この第２研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒（平均粒子径０．８μｍ）を用いた。この第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡの各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波を印加した。

上記のように、第１ラッピング工程、切り出し工程、第２ラッピング工程、端面研磨工程、第１研磨工程、化学強化工程および第２研磨工程を施すことにより、平坦、かつ、平滑な、高剛性の磁気ディスク用基板を得た。

（８）磁気ディスク製造工程
上述した工程を経て得られたガラス基板の両面に、ガラス基板の表面にＣｒ合金からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ基合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる下地層、グラニュラー構造を有する非磁性下地層、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなるグラニュラー構造を有する垂直磁気記録層、炭化水素からなる保護層、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録ディスクを製造した。より具体的には、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の上に、ＣｒＴｉの付着層、ＣｏＴａＺｒ／Ｒｕ／ＣｏＴａＺｒの軟磁性層、Ｒｕの中間層、ＣｏＣｒＳｉＯ２の非磁性グラニュラー下地層、ＣｏＣｒＰｔ-ＳｉＯ２・ＴｉＯ２のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜し、さらに、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜して磁気ディスクを得た。

（９）磁気ディスク装置製造工程
また、上記磁気ディスクを装置に組み込むことにより磁気ディスク装置を製造した。なお、磁気ディスク装置の構成については、公知であるのでここでは詳細な説明は省略する。

（実施例１）
上記（７）主表面研磨工程（最終研磨工程）の第２研磨工程を、以下に示す研磨条件を適用して、磁気ディスク用基板、磁気ディスク、磁気ディスク装置を製造した。なお、本実施例では２．５インチ型ディスク（φ６５ｍｍ）を製造した。具体的な研磨条件は、研磨パッドの硬度を８５（アスカーＣ硬度）、研磨材の粒径を０．８μｍ、加工レートを０．３０μｍ／分、加工圧を９Ｐａとした。より具体的には、最終研磨工程における加工圧を２段階で変更し、９Ｐａの本加工圧で所定時間、研磨加工した後、１Ｐａの加工圧で所定時間の半分の時間、研磨加工を施した。また、このときの本加工圧と加工レートとの積（本加工圧×加工レート）は、２．７であった。

そして、このときの、磁気ディスク用ガラス基板の表面粗さを、２μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定した結果、算術平均粗さ（Ｒａ）は０．１２ｎｍであった。

そして、上記実施例によって得られた磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを図４に示す光学式欠陥検査装置（KLA-Tencor社製、商品名：ＯＳＡ６１００）で欠陥を検査した。このとき、測定条件としては、レーザ波長４０５ｎｍ、レーザスポット径５μｍとし、基板の中心から１５ｍｍ〜３１．５ｍｍの間の領域を測定した。その結果、０．１μｍ〜０．３μｍのサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり４０個（磁気ディスクの場合は４２個であった）であった。さらに、欠陥についてＡＦＭを用いたベアリングカーブプロット法によりベアリングカーブを求めたところ、いずれの欠陥も、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの低い領域に位置する欠陥（図３に示すＣ２のようなカーブを示す欠陥）であり、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥（図３に示すＣ１のようなカーブを示す欠陥）（以下、特定欠陥と称する場合がある）は存在しなかった。

このガラス基板上に、下地層、磁性層、保護層及び潤滑層を順次積層して磁気ディスクを作製した。このとき、ガラス基板の主表面上のコンタミ量が非常に低いレベルであったので、スパッタリングによる磁性粒子の配向が揃い、高密度記憶が可能な磁性層の形成が可能であった。

この磁気ディスクについて、サーティファイ試験を行った。サーティファイ試験については、サーマルアスペリティ（Thermal Asperity：ＴＡ（磁気ディスクに磁気ヘッドが衝突する際に起こる現象））テストによるＴＡ率を調べることにより行った。なお、ＴＡテストは、ＧＭＲ（Giant MagnetoResistance）ヘッドを備えたＨＤＤ装置に磁気ディスクを装着し、ディスク周速度を８ｍ／ｓとし、ＧＭＲヘッドから出力される信号を増幅してそれをデジタルオシロスコープで観察し、そこで見られたＴＡ波形をカウントすることにより行った。その結果、ＴＡカウントは、面当たり５個以下であり、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突が少ないことが分った。このとき、ヘッドの浮上量は、8nmであった。

また、この磁気ディスクについて、長期信頼性試験を行った。長期信頼性試験としては、ロード／アンロード方式のＨＤＤ装置に搭載した際の耐久性を調べた。耐久性試験は、ＤＦＨヘッドを用いてヘッド浮上量（スライダ浮上量）を９ｎｍ（リード素子の浮上量は２nmである）でロード・アンロード試験を規定回数（１００万回）実施することにより行った。その結果、ガラス基板から作製された磁気ディスクにヘッドクラッシュなどの不具合は生じなかった。これは、ベアリングカーブにおいて、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥（ヘッドに不具合を生ぜしめる欠陥）（特定欠陥）が存在していないからであると考えられる。

（比較例１）
上記第２研磨工程における研磨条件を以下の条件にした以外は、上記の製造方法にて比較例にかかる磁気ディスク用基板、磁気ディスク、磁気ディスク装置を製造した。具体的な研磨条件は、比較例の研磨条件は、研磨パッドの硬度を８５（アスカーＣ硬度）、研磨材の粒径を１．０μｍ、加工レートを０．６０μｍ／分、加工圧を１２．０Ｐａとした。このときの研磨工程は、本加工圧１２．０Ｐａのまま研磨加工を行い、その後加工圧を落とすことなく研磨加工を行った。また、このときの本加工圧と加工レートとの積（本加工圧×加工レート）は、７．２であった。得られた磁気ディスク用基板及び磁気ディスクについて実施例と同様にしてＯＳＡ装置により０．１μｍ〜０．３μｍのサイズと検出された欠陥を調べたところ、２４ｃｍ^２当たり４１個（磁気ディスクの場合は４４個）であった。さらに、実施例と同様にして、欠陥についてＡＦＭを用いたベアリングカーブプロット法によりベアリングカーブを求めたところ、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥（図３に示すＣ１のようなカーブを示す欠陥）（特定欠陥）が存在した。

そして、この磁気ディスクについて、実施例と同様にしてサーティファイ試験を行ったところ、ＴＡカウントは、面当たり３０個以上であり、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突が比較的多かった。また、この磁気ディスクについて、実施例と同様にして長期信頼性試験を行ったところ、３０万回でヘッドクラッシュが発生した。これは、ベアリングカーブにおいて、欠陥の頂点から４５％までの部分が欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥（ヘッドに不具合を生ぜしめる欠陥）（特定欠陥）が存在しているからであると考えられる。

このように、本発明によれば、研磨工程において使用する研磨液に含まれる添加剤を洗浄工程において使用する洗浄液に含めることにより、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の基板からの散乱光を検出した際の０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥を２４ｃｍ^２当たり５０個未満とし、その上で、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点から４５％までの部分が前記欠陥の頂点から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥（特定欠陥）が、存在しないように欠陥管理することができるので、ＤＦＨヘッドのようにフライングハイトが非常に小さい磁気ヘッドが搭載されたＨＤＤ装置における不具合の発生を抑えることができる。

（基板表面粗さにおける影響）
以下に、基板表面粗さにおける本発明の影響を調べた。具体的には、基板の表面粗さ（原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの表面粗さ）と特定欠陥の個数が変化した際の、Ｓ/Ｎ、ＴＡカウント、長期信頼性の影響を調べた（磁気ディスクを製造して実験を行った）。そのときの結果を表１に示す。なお、以下の実施例Ａ・比較例Ａともに、０．１μｍ〜０．３μｍのサイズと検出された欠陥の個数に大きな差はなく約４０個のものを用いた。

なお、長期信頼性試験は、パスした回数を１０万回単位で表示しており、最大１００万回まで試験を行った。また、表中の「×」は30万回以前にクラッシュしたことを示している。

上記結果より、特定欠陥が存在すると長期信頼性試験の結果が悪く磁気ディスクとして使用できないことが分かる。また、比較例Ａ１〜Ａ３のクラッシュしたヘッドを顕微鏡で観察すると、ＤＨＦヘッドのリード素子が削られて無くなっていた。そして、長期信頼性試験を行った後の比較例Ａ１の磁気ディスクの特定欠陥の周囲を元素分析するとＤＦＨヘッドを構成している元素の一部が検出された。このことより、ＤＦＨヘッドが特定欠陥と衝突したと推定される。つまり、本発明にかかる磁気ディスク用ガラス基板は、ＤＦＨ（dynamic fly Hight）ヘッド対応の磁気ディスクの基板として好適に用いられることがわかる。

（欠陥サイズ・形状における影響）
次に、欠陥サイズ・形状における影響を調べた。具体的には、上述した製造条件を変更して、特定欠陥は存在しないが、０．３μｍ以上の欠陥の個数が後述する比較例B-1より多い磁気ディスク用ガラス基板（実施例B-1）と、特定欠陥が存在するが、０．３μｍ以上の欠陥の個数が上述するを実施例B-1よりも少ない磁気ディスク用ガラス基板（比較例B-1）をそれぞれ１００枚づつ製造し、この２つについて長期信頼性試験を行った。その結果を表２に示す。なお、実施例Ｂ・比較例Ｂともに、０．１μｍ〜０．３μｍのサイズと検出された欠陥の個数に大きな差はなく約４０個のものを用いた。

ここで、長期信頼性試験は、５０万回のロード・アンロード試験をパスした割合を示す。

また、特定欠陥個数および０．３μｍ以上の欠陥個数については、１００枚のうちの最大・最小値を表し、長期信頼性試験については平均値で表している。

この結果より、欠陥の大きさと個数だけでなく、特定欠陥の個数によって、磁気ディスクの信頼性が大きく影響を受けていることが分かる。具体的には、特定欠陥よりもサイズの大きい欠陥の個数ではなく、特定欠陥の個数が信頼性試験に大きな影響を与えていることが分かる。

本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態においては、磁気ディスク用基板がガラス基板である場合について説明しているが、本発明は、磁気ディスク用基板がアルミニウム合金基板などである場合にも同様に適用することが可能である。また、上記実施の形態において、図４に示す装置の感度や散乱光の検出方法については一例であり、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で適宜変更することができる。また、上記実施の形態における部材の個数、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

１ 磁気ディスク用基板
１１ レーザ
１２，２１ 検出器

Claims (9)

1. 主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記磁気ディスク用ガラス基板は、ＤＦＨ（dynamic fly Hight）ヘッド対応の磁気ディスク用ガラス基板であり、
   上記主表面を、原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの表面粗さRaが0.15nm以下であり、
   波長４０５ｎｍ、パワー２５ｍＷのレーザ光を５μｍのスポット径で上記基板の主表面に対して照射して上記基板の主表面からの散乱光を検出した際に０．１μｍ以上０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満（０を含まない）であり、かつ、上記検出された全部の欠陥のうち、原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％における高さまでの部分が前記欠陥の頂点（０％における高さ）と４５％における高さの点とを結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
2. 一方の主表面のみが、上記主表面を、原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの表面粗さRaが0.15nm以下であり、
   波長４０５ｎｍ、パワー２５ｍＷのレーザ光を５μｍのスポット径で上記基板の主表面に対して照射して上記基板の主表面からの散乱光を検出した際に０．１μｍ以上０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満（０を含まない）であり、かつ、上記検出された全部の欠陥のうち、原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％における高さまでの部分が前記欠陥の頂点（０％における高さ）と４５％における高さの点とを結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板。
3. 前記磁気ディスク用ガラス基板は、Heat Assisted Magnetic Recording方式の磁気ディスクの基板として用いられるものであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
4. 前記基板は、中央に穴部を有する円盤形状であり、中心から最外周までの距離を１００％としたときの中心から８０％〜９０％の範囲内の主表面における算術平均粗さ（ＲａＯ）と１０〜２０％の主表面における算術平均粗さ（ＲａＩ）の差（ＲａＯ−ＲａＩ）が０．０１以下（原子間力顕微鏡を用いて、２μｍ×２μｍ角の測定領域を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの値である）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
5. 磁気ディスク用基板であって、前記磁気ディスク用基板は、ＤＦＨ（dynamic fly Hight）ヘッド対応の磁気ディスク用基板であり、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の前記基板からの散乱光を検出した際に０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満（０を含まない）であり、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％までの部分が前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないことを特徴とする磁気ディスク用基板。
6. 前記原子間力顕微鏡は、少なくとも２μｍ角で２５６×２５６ピクセルの解像度を有する原子間力顕微鏡であることを特徴とする請求項５記載の磁気ディスク用基板。
7. 前記磁気ディスク用基板は、アルミノシリケートガラスで構成されていることを特徴とする請求項５又は請求項６記載の磁気ディスク用基板。
8. 請求項５から請求項７のいずれかに記載の磁気ディスク用基板と、前記磁気ディスク用基板上に形成された磁気記録層と、を具備することを特徴とする磁気ディスク。
9. 磁気ディスクであって、前記磁気ディスクは、ＤＦＨ（dynamic fly Hight）ヘッド対応の磁気ディスクであり、レーザパワー２５ｍＷの波長４０５ｎｍのレーザ光を５μｍのスポット径で照射した際の前記磁気ディスクからの散乱光を検出した際に０．１μｍ〜０．３μｍ以下のサイズと検出された欠陥が２４ｃｍ^２当たり５０個未満（０を含まない）であり、前記欠陥について原子間力顕微鏡を用いたベアリングカーブプロット法により得られたベアリングカーブにおける前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％までの部分が前記欠陥の頂点（０％における高さ）から４５％を結んだ仮想線よりも欠陥高さの高い領域に位置する欠陥が、存在しないことを特徴とする磁気ディスク。

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