JP6227357B2 - 磁気ディスク用基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法等に関する。

情報記録媒体の１つとして用いられる磁気ディスクには、従来よりガラス基板が好適に用いられている。今日、ハードディスクドライブ装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。これに伴って、磁気ヘッドの磁気記録面からの浮上距離を極めて短くして磁気記録情報エリアを微細化することが行われている。このような磁気ディスク用ガラス基板においては、基板の表面凹凸、特に微小うねりに対する低減要求は、高記録密度ハードディスクドライブ装置に必須の磁気ヘッド低浮上量化を達成するために、ますます強まっている。
微小うねりの品質は研磨加工によって決定され、前記研磨加工は基板加工の最終工程で行われる。ここで、ガラス基板の研磨加工とは、研磨装置の定盤表面にポリウレタン樹脂等からなる研磨パッドを装着し、該研磨パッドの表面（研磨面）をガラス基板の主平面に押し当てた状態で、砥粒を含有した研磨液をガラス基板と研磨パッドの間に供給しながら、ガラス基板と研磨パッドを相対的に移動させることによって行われる加工方式のことをいう。

このような研磨加工の工程において安定した研磨性能を維持するためには、研磨パッドの使用開始前において表面を修正しておくことや、研磨加工中において研磨パッドの表面を修正することを定期的に行う必要がある。この研磨パッド表面の修正は、台金の表面に砥粒としてダイヤモンドが固着された研磨パッド用ドレッサを用いて、研磨パッドの表面をドレッシングすることによって行われる。
研磨パッド用ドレッサとしては、金属製の台金の表面にダイヤモンド砥粒をニッケルめっきによって固着したタイプ、ダイヤモンド砥粒を含有したメタルボンドのペレットを金属製の台金の表面に固着したタイプ、研磨装置のキャリア面に扇形形状のダイヤモンド焼結体を直接貼付けたタイプ等が用いられている。これらのタイプに用いられるダイヤモンド砥粒としては、たとえば平均粒径が２０〜４００μｍであり（特許文献１）、５〜２０μｍである（特許文献２）。前者のような平均粒径が２０μｍを超えるダイヤモンド砥粒が用いられるのは、主として研磨パッドのドレッシング速度、すなわち、研磨パッドの表面部分を研削除去する速度を考慮したためである。
一方、後者のような平均粒径が５〜２０μｍと比較的小さい砥粒が用いられるのは、平均粒径を小さくした砥粒を備えるドレッサを用いて表面を修正した研磨パッドを用いると、被加工物である基板の表面品質が規定値を満足するまで行われる、ダミーポリッシング（ダミー基板を使用した基板研磨）の時間を著しく短縮することができるからである。

特開２００１−１８１７２号公報 特開２００３−１１７８２３号公報

上述したように、基板表面の微小うねりに対する低減要求は、ますます強まっている。 本発明者は、基板表面の微小うねりに対する更なる低減要求に答えるべく、鋭意検討を行った。
その過程で、本発明者は、研磨パッドの表面状態がそのまま基板表面に転写されるといった、基板表面の微小うねり形成メカニズムから、研磨パッドの表面を修正する研磨パッド用ドレッサにおいては、ドレッシング後の研磨パッドの表面状態を悪化させないことが重要であると考えた。また、最近では研磨パッド用ドレッサだけでなく、研磨パッドそのものに関する研究、開発も盛んに行われており、研磨パッドの表面状態は、磁気ディスク用ガラス基板に求められる微小うねりの品質とともに、平滑化が進んでいる。したがって、研磨パッド用ドレッサに対しても、使用する研磨パッドの特性に応じたドレッサ、すなわち最適な平均粒径の砥粒を選択することが非常に重要であるのではないかと本発明者は考えた。
そして、種々検討の結果、従来技術のように、使用する研磨パッドに対し、ドレッサに使用される砥粒の平均粒径を単に規定するだけでは不十分であり、研磨パッドとドレッサの相対的な関係（相性など）によっては、ドレッシング後の研磨パッドの表面状態が悪化し、この研磨パッドを使用して研磨を行った基板の微小うねりが悪化（上昇）するといった問題があることがわかった。

そこで、本発明では、上記の問題点を解消するとともに、基板表面の微小うねりに対する更なる低減要求に対応しうる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、研磨パッド用ドレッサにおける砥粒の粒径と、研磨パッドにおける開口の開口径と、の相対的な大きさに着目し、種々の検討を行った。その結果、基板表面の微小うねりの低減に関しては、研磨パッド用ドレッサにおける砥粒粒径の低減に比べ、研磨パッドの開口径の低減の方が微小うねりの低減率（低減量への寄与度）が相対的にかなり高く、効果的である知見を得た。さらに、研磨パッドの開口径を低減しつつ、研磨パッドの平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒を備えた研磨パッド用ドレッサを用いて研磨パッドのドレッシング処理を行うことで、基板表面の微小うねりに対する更なる低減要求に対応しうることを見い出した。

さらに本発明者は以下の知見を得た。
以下に述べることは、研磨パッドの表面における開口の平均開口径を小さくしていくに従って、研磨パッド用ドレッサに使用される砥粒の平均粒子径との相対的な関係において、重要となり今後さらに小径化していく場合においても重要である。
例えば、磁気ディスク用ガラス基板の研磨加工で使用される研磨パッドは、軟質のポリウレタン樹脂製であり、表面（研磨面）は複数の開口からなる開口部と、開口の開口部を仕切る複数のナップ壁で構成されている。一方、ナップ壁については、ナップ壁における基板との接触面の平滑性が重要な要素であり、基板の微小うねりは、これらの開口の開口部の大きさと、ナップ壁表面の平滑性が複雑に絡み合って形成されると考えられている。また、研磨性能を維持するためには、研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理を定期的に行う必要があるが、この再生時のドレッシング処理の目的は、研磨パッド表面に付着または蓄積した研磨屑の除去である。研磨屑は基板との接触面であるナップ壁表面に多く付着しているため、ドレッシング処理ではこのナップ壁の最表面のみを研削除去できれば良い。
この発明で用いる研磨パッド用ドレッサは、研磨パッドの表面（研磨面）における開口の平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒が固着されていることを特徴とする。このように、研磨パッド用ドレッサに使用される砥粒の平均粒子径を、研磨パッドの表面における開口の平均開口径よりも小さくすると、ナップ壁の表面のみを選択的に研削除去することができることに加え、ナップ壁の形状変化を著しく抑制することができるため、ドレッシング処理によって研磨パッドの開口径が大きくなるといったことがなく、研磨パッドの表面状態の悪化を抑制できる。これと同時に、再生時のドレッシング処理の一つの目的である、研磨パッド表面に付着または蓄積した研磨屑の除去を実現できる。一方、研磨パッド用ドレッサに使用される砥粒の平均粒子径が研磨パッドの平均開口径よりも大きい場合は、ナップ壁の形状が変化してしまい、研磨パッドの開口径が大きくなってしまうので好ましくない。さらに、ドレッサの平均粒子径が研磨パッドの平均開口径よりも大きい場合は、ドレッシング処理による研削除去量が高くなり、研磨パッドの表面状態が悪化してしまうので好ましくない。

本発明は、以上の解明事実を基に更に鋭意検討の結果完成したものであり、以下の構成を有する。
（構成１）
表面に複数の開口を有する研磨パッドとガラス基板との間に、研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給し、前記研磨パッドと前記ガラス基板とを相対的に移動させることにより、前記ガラス基板の表面を加工する研磨加工と、使用開始前及び研磨加工後の少なくとも一方の研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理を含み、
前記ドレッシング処理は、研磨パッドの表面における開口の平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒を基材の表面に備えた研磨パッド用ドレッサを用いて行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成２）
前記研磨パッドは、多数の独立した気泡を内在した内層と該気泡が開口した表層とからなるナップ層を有することを特徴とする構成１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成３）
前記ドレッシング処理は、基材の表面に砥粒を備えた研磨パッド用ドレッサを、前記研磨パッドの表面と接触させて、前記研磨パッド用ドレッサと前記研磨パッドとを相対的に移動させることで前記研磨パッドの表面の修正を行うことを特徴とする構成１または２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成４）
前記研磨パッドの表面における開口の平均開口径Ｐと前記研磨パッド用ドレッサが備える砥粒の平均粒子径Ｄの比（Ｄ／Ｐ）は、０．６以上１未満であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成５）前記ドレッシング処理の後に、ドレッシング処理により研磨パッド用ドレッサから脱落し、研磨パッドに付着した砥粒を、低減する処理を行うことを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
（構成６）
構成１乃至５のいずれかに記載の製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

本発明によれば、基板表面の微小うねりに対する更なる低減要求に対応しうる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法を提供できる。

（ａ）、（ｂ）は、この発明の１つの実施形態における研磨パッドを説明するための模式面である。 この発明の１つの実施形態における研磨パッド用ドレッサを示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、この発明の１つの実施形態における研磨に用いる研磨装置の概略構成図である。

以下、本発明の実施の形態を詳述する。
磁気ディスク用ガラス基板は、通常、粗研削工程（粗ラッピング工程）、形状加工工程、精研削工程（精ラッピング工程）、端面研磨工程、主表面研磨工程（第１研磨工程、第２研磨工程）、化学強化工程、等を経て製造される。

この磁気ディスク用ガラス基板の製造は、まず、溶融ガラスからダイレクトプレスにより円盤状のガラス基板（ガラスディスク）を成型する。なお、このようなダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で製造された板ガラスから所定の大きさに切り出してガラス基板（ガラスディスク）を得てもよい。次に、この成型したガラス基板（ガラスディスク）に寸法精度及び形状精度を向上させるための研削（ラッピング）を行う。この研削工程は、通常両面ラッピング装置を用い、ダイヤモンド等の硬質砥粒を用いてガラス基板主表面の研削を行う。こうしてガラス基板主表面を研削することにより、所定の板厚、平坦度に加工するとともに、所定の表面粗さを得る。なお、この工程は、炭化ケイ素、アルミナなどの遊離砥粒をスラリーとするラッピングにより行ってもよい。その際の仕上げ面粗さは、加工に用いる砥粒の大きさで決まる。加工速度及び後工程での研磨の負担を考えると、平均砥粒粒径１〜１０μｍ程度の砥粒を使用してＲａ０．１μｍ〜０．５μｍ程度が一般的である。

上記研削（ラッピング）工程後の基板の表面は、摺りガラス状態で、クラックなどの加工変質層が厚く存在する。従って、この後、この加工変質層を除去し鏡面化するための研磨加工を行う。遊離砥粒による研磨加工は砥粒の大きさによって仕上げ面粗さが決まり、加工速度も影響を受ける。すなわち、大きな砥粒で加工すれば加工速度は大きいが、仕上げ面粗さも大きく、小さな砥粒で研磨すると加工速度は小さいが仕上げ面粗さも小さくできる。また、砥粒材質によっても異なり、酸化セリウムは加工速度も大きいが仕上げ面粗さも大きく、コロイダルシリカの場合、加工速度は酸化セリウムより小さいが仕上げ面粗さは小さくできる。しかし、これら以外にもダイヤモンドなども用いることができ、砥粒材質は限定されるわけではない。

研削（ラッピング）後の研磨には、鏡面化及び加工変質層除去のためには、数ミクロンの除去が必要であることから、酸化セリウムを含むスラリーなどの加工速度の大きなスラリーによる第１研磨を行い、その後、仕上げ面粗さを小さくするためのコロイダルシリカなどのスラリーを用いて第２研磨を行う工法が用いられている。研磨は両面研磨機を用い、上下定盤に研磨パッドを貼ってその間に所定のスラリーを流して行う。
第１研磨の場合、スラリーは、０．５μｍの粒径を持つ酸化セリウム砥粒などが用いられる。研磨パッドは硬質のウレタンなどが用いられる。加工圧力は、５０ｇｆ／ｃｍ^２〜１５０ｇｆ／ｃｍ^２であり、好ましくは８０〜１２０ｇｆ／ｃｍ^２程度である。こうして研磨された基板表面はＲａ＝０．４〜１ｎｍ程度である。

第２研磨工程には、コロイダルシリカを主体としたスラリーが用いられ、コロイダルシリカの平均粒径は０．００５〜０．５μｍ程度のものが用いられる。しかし、コロイダルシリカに限定されるわけではなく、ダイヤモンドや酸化ジルコニアなどを用いてもよい。
さらにこの後、所定の基板表面粗さに調整するための第３研磨工程を有する場合もある。

研磨加工に用いられるスラリー（研磨液）は、基本的には研磨材と溶媒である水の組合せであり、さらにスラリーのｐＨを調整するためのｐＨ調整剤や、その他の添加剤が必要に応じて含有されている。

シリカ砥粒等を含むスラリーを組成するには、純水、例えばＲＯ水を用いてスラリーとすればよい。ここでＲＯ水とは、ＲＯ（逆浸透圧膜）処理された純水のことである。ＲＯ処理及びＤＩ処理（脱イオン処理）されたＲＯ−ＤＩ水を用いると特に好ましい。ＲＯ水或いはＲＯ−ＤＩ水は不純物、例えばアルカリ金属の含有量が極めて少ない上に、イオン含有量も少ないからである。
本発明において、前記研磨工程におけるスラリーの砥粒濃度は特に制約される必要はないが、３重量％以上４０重量％以下であることが好ましく、更には２重量％以上２０重量％以下であることが好適である。

所定の仕上げ面粗さは媒体仕様により様々であるが、Ｒａ＝０．０１〜１ｎｍ程度が必要とされている。通常は第２研磨工程時に所定の仕上げ面粗さに応じてスラリーを選択する。つまり、Ｒａが０．２ｎｍの仕様であるならば平均粒子半径が３０ｎｍ程度のコロイダルシリカを用い、さらに粗い場合はより大きな粒径の砥粒を含むスラリーを使用する。分散性や再付着防止の点からスラリーを酸性又はアルカリ性に調整してもよい。なお、平均粒径３０ｎｍ以下のコロイダルシリカを研磨砥粒として用いて、主表面の粗さ（Ｒａ）を０．２ｎｍ以下とすると、ＤＦＨ機能を搭載した極低浮上量の設計の磁気ヘッドと組み合わせた場合においても長期に安定した動作が可能な信頼性の高い磁気ディスクを得ることができるので特に好ましい。
なお、上記平均粒径は、例えば、粒子径・粒度分布測定装置を用いて測定される。

上記研磨工程に用いる研磨装置としては、例えば図３に示すような両面研磨装置が挙げられる。図３は、ガラス基板の鏡面研磨工程に用いることができる遊星歯車方式の両面研磨装置の概略構成を示す縦断面図である。図３に示す両面研磨装置は、太陽ギヤ（太陽歯車）２２と、その外方に同心円状に配置されるインターナルギヤ（内歯歯車）２４と、太陽ギヤ２２及びインターナルギヤ２４に噛み合い、太陽ギヤ２２やインターナルギヤ２４の回転に応じて公転及び自転するキャリア１８と、このキャリア１８に保持された被研磨加工物１９（ガラス基板Ｇ）を挟持可能な研磨パッド２０がそれぞれ貼着された上定盤１４及び下定盤１２と、を備えている。
研磨工程においては、遊離砥粒を含む研磨液（スラリー）を供給しながら研磨を行う。容器２６に貯留された研磨液２８はポンプ３０によって上定盤１４に供給され、研磨に供された後に下定盤１２から回収し、容器２６へと戻して循環させる。粒径の大きな砥粒や研磨屑を回収するフィルタ３２を、下定盤１２の出口や、配管から容器２６への出口などに設けている。修正工程においては研磨液２８に代えてクーラント（冷却水）を用いる。

このような両面研磨装置によって、研磨加工時には、キャリア１９に保持された被研磨加工物、即ちガラス基板Ｇを上定盤１４及び下定盤１２とで挟持するとともに、上下定盤１４、１２の研磨パッド２０とガラス基板Ｇとの間に容器２６からスラリー２８を供給しながら、太陽歯車２２やインターナルギヤ２４の回転に応じてキャリア１８が公転及び自転しながら、ガラス基板Ｇの上下両面が研磨加工される。

本発明では、前記の通り、前記使用開始前及び研磨加工後の少なくとも一方の研磨パッドの表面（研磨面）を修正するドレッシング処理は、研磨パッドの表面における開口の平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒を基材の表面に備えた研磨パッド用ドレッサを用いて行うことを特徴としている。

表面に複数の開口を有する研磨パッドとしては、例えば、多孔質の研磨層を備える研磨パッド、ウレタン樹脂を発泡させて得られる発泡ポリウレタンパッド、不織布にウレタン樹脂を含浸し、湿式凝固させて製造される多孔質ウレタンパッド、微小中空球体をウレタン樹脂に含有させた硬質ポリウレタンパッドなどが挙げられる。
特に仕上げ鏡面研磨用の研磨パッドとしては、軟質ポリッシャの研磨パッド（スウェードパッド）であることが好ましい。研磨パッドの硬度はアスカーＣ硬度で、６０以上９０以下とすることが好適である。研磨パッドのガラス基板との当接面は、発泡ポアが開口した発泡樹脂、取り分け発泡ポリウレタンとすることが好ましい。このようにして研磨を行うと、ガラス基板の表面を平滑な鏡面状に研磨することができる。

図１は、この発明の１つの実施形態における研磨パッドを説明するための模式面であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は平面図である。
研磨パッド１は、基材（基層）２と、基材（基層）２の表面に積層されたナップ層３とからなる。ナップ層３は、多数の独立した気泡（ポア）３ａが内在した内層と、気泡３ａが開口した表層とからなる。ナップ層３の表面（研磨面）は、複数の開口３ｂと、開口３ｂを仕切る複数のナップ壁３ｃで構成されている。気泡３ａはナップ層３の厚み方向に雫形状（奥側の断面積が大きく表層側に行くにしたがって断面積が小さくなる形状）に形成され、表層に形成する極めて微細な開口３ｂをナップ孔と称する。このような研磨パッド１の硬度は、混入する気泡３ａの量によって調節することができる。また開口３ｂ（ナップ孔）は遊離砥粒を保持し、効果的にガラス基板の主表面を研磨することができる。

本発明において、研磨パッドの表面における開口の平均開口径の上限は、１００μｍであることが好ましく、５０μｍであることがより好ましく、２０μｍであることがさらに好ましく、１０μｍであると特に好ましい。後述する研磨パッド用ドレッサとの相互作用に基づいてガラス基板表面の微小うねりの低減を図るためである。
本発明において、研磨パッドの表面における開口の平均開口径の下限は、５μｍであることが好ましい。平均開口径が小さ過ぎると、スラリー中の研磨砥粒の保持が困難となり、研磨加工が進行しなくなるためである。

本発明において、研磨パッドの表面における開口の平均開口径は、例えば、顕微鏡を用いてパッド表面を撮影し、ランダムに１００個選んだ開口の開口径を測定して平均して得た値を採用することができる。
また、微小うねりは、波長５０〜２００μｍにおける平均粗さ（Ｒａ）であり、光学式の表面形状測定機を用いて、基板中心より半径１５ｍｍから３０ｍｍの間の主表面を測定することにより評価できる。光学式の表面形状測定機としては、例えばポリテック社製AVT1000が挙げられる。

本発明において、研磨パッドの表面における開口の開口径の範囲（最小値〜最大値）は、開口の平均開口径が１０μｍの場合は１５μｍ、開口の平均開口径が２０μｍの場合は３０μｍ、であることが好ましい。
本発明においては、研磨パッドの表面における開口の平均開口径が１０μｍの場合は標準偏差４μｍ、開口の平均開口径が２０μｍの場合は標準偏差６μｍ、であることが好ましい。

本発明における研磨パッドのドレッシング処理は、上記研磨加工工程の前後で行うことが好適である。研磨加工工程が段階的に行われる場合には、その最終研磨工程（例えば上記第２又は第３研磨工程）の前後で行うことが好適である。

本発明において、研磨工程と研磨パッドのドレッシング処理を同じ研磨機を用いて行うと、簡便に、高精度かつ低コストで研磨パッドのドレッシング処理を行うことができるため好ましい。遊星歯車方式で基板の両面を同時に研磨する研磨機を用いて、一度（１バッチ）に１００枚以上の基板を研磨する場合、簡便に、高精度かつ低コストで研磨パッドのドレッシング処理を行うことができるため、このような場合に本発明は特に効果的である。
磁気ディスク用ガラス基板の研磨パッド用ドレッサの場合には、基材（台金）の形状を被加工物である基板の形状と同一形状か、または類似した形状にすることによって、研磨装置において被加工物である基板の代わりに研磨パッド用ドレッサを配置して研磨パッドをドレッシングすることが通常行われており、本発明においてもこれを利用できる。

図２は、この発明の１つの実施形態における研磨パッド用ドレッサを示す平面図である。 図２に示すように、研磨パッド用ドレッサ１００は、例えば、ステンレス鋼製で円板形状の基材（台金）１０１と、基材（台金）１０１の表面上で周方向に沿って複数配置した砥粒層１０２とから構成されている。砥粒層１０２は、例えば、その厚さ方向における砥粒の層は１層で構成される。
図２に示す研磨パッド用ドレッサ１００は、図３（ｂ）に示すガラス基板Ｇと置換可能な構成を有する。
砥粒層１０２は、基材（台金）１０１の表面の一方の面に形成することができ、双方の面に形成することがもできる。砥粒層１０２を、基材（台金）１０１の表面の一方の面に形成した場合には、図３（ｂ）に示すガラス基板Ｇと置換する際に、交互に上下の向きを変えて置換することで、上下の研磨パッド２０を同時にドレッシングできる。

なお、研磨パッド用ドレッサ１００の全面に砥粒層１０２を設けていない。これは、仮に全面に設けると研磨パッド２０と接触した場合に摩擦力が大きくなりすぎて、研磨パッド２０に対して研磨パッド用ドレッサ１００を回転させることができず、研磨パッド２０のパッド表面の修正という目的が達成できなくなるからである。また、研磨パッド用ドレッサ１００の全面を砥粒層１０２によって被覆する必要もないことから、砥粒その他の材料コストを節約する利点もある。

研磨パッド用ドレッサ１００としては、図３（ｂ）に示すキャリヤ１８と置換可能な構成を有するキャリヤを準備し、これを研磨パッド用ドレッサとして使用することもできる。
この場合、置換可能な構成を有するキャリヤは、図３（ｂ）に示すキャリヤ１８と同様の構成としつつキャリヤに配備される研磨パッド用ドレッサ１００の数、サイズ、形状等を変更した構成とすることができる。また、置換可能な構成を有するキャリヤを、円板形状の基材（台金）で構成し、この基材（台金）の表面上に砥粒層を配置した構成（即ちキャリヤ自体をドレッサとして使用する構成）とすることができる。
研磨パッド用ドレッサにおける基材（台金）の材質としてはガラスエポキシ樹脂、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ＳＵＳ等を用いることができるが、繊維の脱落がないＰＶＣ、ＳＵＳを用いることが好ましい。その平坦度は１０μｍ以下であることが好ましい。

砥粒層１０２の平面視形状は、扇形、円弧状、円形、矩形、正方形や、それぞれにおいて角がトリミングされた形状とすることができる。
砥粒層１０２は、基材（台金）１０１の表面に直接砥粒を担持させてもよい。例えば、電着、メッキ、接着剤、樹脂（レジンボンド）、金属（メタルボンド）、粘土質結合材（ビトリファイドボンド）等を用いて、基材（台金）１０１の表面に直接砥粒を担持させることができる。
砥粒層１０２は、基材（台金）１０１の表面に、貼り付けタイプの砥粒部材、接着タイプの砥粒部材、を用いて配備してもよい。

また砥粒層１０２を設けた位置の厚みは、図３（ｂ）に示すガラス基板Ｇ以上の厚さを有するとよい。研磨パッド用ドレッサ１００にこのような厚さを持たせる理由は、研磨パッド用ドレッサ１００の修正能力を高めるためである。上定盤１４および下定盤１２を有する両面研磨機の場合、それらの間に挟まれる被加工対象の厚さが厚いほど、曲げ強度が強くなるため、加工がしやすい。研磨パッド用ドレッサ１００によって上定盤１４および下定盤１２を修正するときも同様であり、研磨パッド用ドレッサ１００が厚いほど修正能力は向上する。すなわち、ガラス基板Ｇのように薄い被加工対象を加工して発生したうねりは、被加工対象より厚い対象を加工することで、低減させることが可能である。

このような厚さで構成された研磨パッド用ドレッサ１００の表面（修正面）と、上定盤１４および下定盤１２に配備された研磨パッド２０の表面とを、クーラント（冷却液）を供給しながら、互いに押圧させて摺動させることにより、上下の定盤１４、１２に配備された研磨パッド２０の表面の平滑性を高めることができる。

本発明において、研磨パッド用ドレッサが備える砥粒の粒径の範囲（最小値〜最大値）は、砥粒の平均粒径が１０μｍの場合は１５μｍ、砥粒の平均粒径が２０μｍの場合は３０μｍ、であることが好ましい。
本発明において、研磨パッド用ドレッサが備える砥粒は、砥粒の平均粒径が１０μｍの場合は標準偏差４μｍ、砥粒の平均粒径が２０μｍの場合は標準偏差６μｍ、であることが好ましい。
なお、砥粒の粒子径は、レーザ回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定する。これにより、平均粒径、粒径の範囲（最小値〜最大値）、標準偏差等を求めることができる。

本発明においては、研磨パッドの表面における開口の平均開口径Ｐと研磨パッド用ドレッサが備える砥粒の平均粒子径Ｄの比（Ｄ／Ｐ）は、０．６以上１未満が好ましく、更には、０．７以上１未満、０．８以上１未満、０．９以上１未満、がより望ましい。

本発明において、研磨パッド用ドレッサが備える砥粒（粒子）としては、ダイヤモンド（合成、天然）、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）、炭化ケイ素、アルミナなどの砥粒（粒子）が挙げられる。
本発明において、研磨パッド用ドレッサが備える砥粒の形態（形状）としては、ブロッキー（角があまり張り出していないブロック形状を意味する）、フラット、ニードル、キューブ、イレギュラーなどの形状が挙げられる。

本発明においては、研磨加工前（即ち新品）の研磨パッドのドレッシング処理について、例えば、研磨パッドの表面における開口の平均開口径（以下、研磨パッドの平均開口径という）と同等な平均粒子径の砥粒が固着された研磨パッド用ドレッサ（以下、平均粒子径のドレッサという）を用いる態様が含まれる。この場合、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用いる本発明の場合に比べれば微小うねりは大きくなるが、研磨パッドの平均開口径より大きな平均粒子径のドレッサを用いる場合に比べれば微小うねりは小さくできる。微小うねりは比較的短時間のダミーポリッシングを行うことで低減できる。
本発明においては、研磨加工前（即ち新品）の研磨パッドのドレッシング処理について、次の態様が含まれる。例えば、まず、研磨パッドの平均開口径と同等又は平均開口径より大きな平均粒子径のドレッサを用いドレッシング処理を行う。次いで、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用い本発明のドレッシング処理を行う。このように、使用開始前の研磨パッドのドレッシング処理は、２段階または３段階以上とすることができ、その一部に本発明を適用できる。
本発明においては、研磨加工前（即ち新品）の研磨パッドのドレッシング処理について、次の態様が含まれる。例えば、まず、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用い本発明のドレッシング処理を行う。次いで、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用い本発明のドレッシング処理を行う。このように、使用開始前の研磨パッドのドレッシング処理は、２段階または３段階以上とすることができる。この場合、各段階の平均粒子径は、同一とすることができ、あるいは、異なる粒径とすることもできる。
本発明においては、上記のそれぞれの態様（場合）において、各段階で使用する砥粒の形態（形状）は、同一とすることができ、あるいは、異なる形態（形状）とすることもできる。例えば、１段目及び２段目を同じブロッキー形状とすることができ、１段目を例えば角が張り出している形状（例えばイレギュラー）とし２段目を他の形状（例えばブロッキー形状）とすることもできる。

本発明においては、研磨加工後の研磨パッドのドレッシング処理に関して、次の態様が含まれる。例えば、まず、研磨パッドの平均開口径と同等又は平均開口径より大きな平均粒子径のドレッサを用いドレッシング処理を行う。次いで、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用い本発明のドレッシング処理を行う。このように、研磨加工後の研磨パッドのドレッシング処理は、２段階または３段階以上とすることができ、その一部に本発明を適用できる。
本発明においては、研磨加工後の研磨パッドのドレッシング処理について、次の態様が含まれる。例えば、まず、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用い本発明のドレッシング処理を行う。次いで、研磨パッドの平均開口径より小さな平均粒子径のドレッサを用い本発明のドレッシング処理を行う。このように、使用開始前の研磨パッドのドレッシング処理は、２段階または３段階以上とすることができる。この場合、各段階の平均粒子径は、同一とすることができ、あるいは、異なる粒径とすることもできる。
本発明においては、上記のそれぞれの態様（場合）において、各段階で使用する砥粒の形態（形状）は、同一とすることができ、あるいは、異なる形態（形状）とすることもできる。例えば、１段目及び２段目を同じブロッキー形状とすることができ、１段目を例えば角が張り出している形状（例えばイレギュラー）とし２段目を他の形状（例えばブロッキー形状）とすることもできる。

使用開始前及び研磨加工後の双方において本発明のドレッシング処理を適用した態様によれば、研磨加工の工程において安定した研磨性能を維持でき、研磨パッドの使用開始前に研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理から研磨加工後に研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理までの間（複数バッチの基板間）で微小うねりの品質を所定範囲に維持できる。
詳しくは、使用開始前の研磨パッドのドレッシング処理でドレッシング処理の直後に研磨したガラス基板の、微小うねりを極めて小さくできる。その後、研磨パッドのドレッシング処理が必要になるまで、研磨加工を続行したとき微小うねりは小さくなっていく。これに続き、研磨加工後の研磨パッドのドレッシング処理でドレッシング処理の直後に研磨したガラス基板の、微小うねりをの上昇を極めて小さくすることができる。
これにより、研磨パッドの使用開始前に研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理から研磨加工後に研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理までの間（複数バッチの基板間）で、研磨加工の工程において極めて安定した研磨性能を維持でき、微小うねりの変動幅（最大値と最小値との差）が小さく、微小うねりの品質を所定範囲に維持した高品質の製品を提供できる。

なお、ドレッシング処理後の研磨パッドを使用して研磨したガラス基板について、基板の表面にスクラッチを発生させて被加工物が不良となる場合があることがわかった。
本発明者は、研磨パッドのドレッシングによる修正工程において、研磨パッド用ドレッサの砥粒層中の砥粒が脱落すると、この脱落した砥粒の方が研磨パッドの開口径よりも小さいことから、脱落した砥粒が、研磨パッドの内部、もしくは表面に残存して、被加工物である基板の表面にスクラッチを発生させて被加工物が不良となる場合があることを突き止めた。
本発明においては、前記使用開始前及び研磨加工後の少なくとも一方の研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理の後に、ドレッシング処理により研磨パッド用ドレッサから脱落し、研磨パッドに付着した砥粒を、低減する処理を行うことが好ましい。
これにより、研磨パッドの開口内に入り込んだ砥粒、研磨パッドの開口に挟まったり付着した砥粒、研磨パッドの表面に付着した砥粒等を、取り除き、低減することができる。
この低減処理は、上記スクラッチの発生を効果的に防止できるまで行うことが好ましい。

上記スクラッチの発生を効果的に防止するためには、ドレッシング処理の後に開口内に入り込んだ砥粒を効率よく排出する処理を行うことが好ましい。これと同時に、研磨パッドの開口に挟まったり付着した砥粒、研磨パッドの表面に付着した砥粒等を、効率よく取り除くことができる処理を行うことが好ましい。
これらの観点から、上記低減処理としては、例えば、加圧された流体、高圧状態の流体、流速の大きい流体等を微細ノズルから研磨パッドの表面（研磨面）に噴射する装置を使用できる。このような装置としては、例えば、ウオータージェット、高圧ジェットと称される装置が挙げられる（特許4412192号）。ウォータージェット（water jet）とは、例えば、300MPa程に加圧された水を0.1mm〜1mmほどの小さい穴などを通して得られる細い水流のことである。
上記低減処理おいて、例えば、圧縮エアと、水（純水）や洗浄水とを、ノズル内部又は先端部あるいはノズルの手前（上流側）で混合し、ノズルの先端（吐出口）から噴射する装置を使用できる。また、ノズル本体内部においてノズル先端と対向する後端部に設けた超音波振動子により、超音波振動を印加した水（純水）や洗浄水をノズルの先端（吐出口）から噴射する装置を使用できる。これらにおいて、微粒化して噴射できる装置を使用できる。これらの装置においては、１μm〜１００μmオーダ（好ましくは数μm〜数十μmオーダ）の液滴で開口の内部まで洗浄することが可能なものが好ましい。

上記低減処理は、金属板を研磨パッドの表面に押し当てた状態（その部分の研磨パッドの表面が沈み込んだ状態）で、金属板やガラス板等を相対移動させる処理であってもよい。これにより、ドレッシング処理により研磨パッド用ドレッサから脱落し、研磨パッドに付着した砥粒を、掻き出させ、取り除き、低減することができる。この際、流水やを併用できる。また、
上記低減処理は、吸着や吸引作用を利用して、ドレッシング処理により研磨パッド用ドレッサから脱落し、研磨パッドに付着した砥粒を、低減する処理であってもよい。

本発明においては、ガラス基板を構成するガラス（の硝種）は、アモルファスのアルミノシリケートガラスとすることが好ましい。このようなガラス基板は表面を鏡面研磨することにより平滑な鏡面に仕上げることができ、また加工後の強度が良好である。このようなアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ_２が５８重量％以上７５重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３が５重量％以上２３重量％以下、Ｌｉ_２Ｏが３重量％以上１０重量％以下、Ｎａ_２Ｏが４重量％以上１３重量％以下を主成分として含有するアルミノシリケートガラス（ただし、リン酸化物を含まないアルミノシリケートガラス）を用いることができる。さらに、例えば、ＳｉＯ_２ を６２重量％以上７５重量％以下、Ａｌ_２Ｏ_３を５重量％以上１５重量％以下、Ｌｉ_２ Ｏを４重量％以上１０重量％以下、Ｎａ_２ Ｏを４重量％以上１２重量％以下、ＺｒＯ_２を５．５重量％以上１５重量％以下、主成分として含有するとともに、Ｎａ_２Ｏ／ＺｒＯ_２ の重量比が０．５以上２．０以下、Ａｌ_２Ｏ_３ ／ＺｒＯ_２ の重量比が０．４以上２．５以下であるリン酸化物を含まないアモルファスのアルミノシリケートガラスとすることができる。なお、ＣａＯやＭｇＯといったアルカリ土類金属酸化物を含まないガラスであることが望ましい。このようなガラスとしては、例えばＨＯＹＡ株式会社製のＮ５ガラス（商品名）を挙げることができる。

また、次世代基板の特性として耐熱性を求められる場合もある。この場合の耐熱性ガラスとしては、例えば、モル％表示にて、ＳｉＯ_２を５０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜６％、ＢａＯを０〜２％、Ｌｉ_２Ｏを０〜３％、ＺｎＯを０〜５％、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏを合計で３〜１５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で１４〜３５％、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＨｆＯ_２を合計で２〜９％、含み、モル比［（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）］が０．８５〜１の範囲であり、且つモル比［Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）］が０〜０．３０の範囲であるガラスを好ましく用いることができる。

また、ＳｉＯ_２を５６〜７５モル％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１１モル％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏからなる群から選ばれるアルカリ金属酸化物を合計で６〜１５モル％、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯからなる群から選ばれるアルカリ土類金属酸化物を合計で１０〜３０モル％、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＴａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれる酸化物を合計で０％超かつ１０モル％以下、含むガラスであってもよい。

本発明においては、上記鏡面研磨加工およびリンス後のガラス基板の表面は、算術平均表面粗さＲａが０．２０ｎｍ以下、特に０．１５ｎｍ以下である鏡面とされることが好ましい。更に、最大粗さＲｍａｘが２．０ｎｍ以下である鏡面とされることが好ましい。なお、本発明においてＲａ、Ｒｍａｘというときは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に準拠して算出される粗さのことである。
また、本発明において表面粗さ（例えば、最大粗さＲｍａｘ、算術平均粗さＲａ）は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて１μｍ×１μｍの範囲を５１２×２５６ピクセルの解像度で測定したときに得られる表面形状の表面粗さとすることが実用上好ましい。

また、本発明においては、材料強度の点から化学強化やエッチングにより強度を向上させる工程を付加してもよい。アモルファスガラスを化学強化する場合は上記第１研磨工程後あるいは上記第２研磨工程（最終研磨工程）後に施すことが可能である。エッチングによる強化の場合は、上記第１研磨工程後に行うことができる。
なお、化学強化工程後に第２研磨工程を行う場合は、低粗さ、低欠陥と強度との両立が図れるので特に好ましい。ここで「欠陥」とは、スクラッチやパーティクル等のことである。
なお、化学強化工程後に主表面の研磨工程を行う場合、圧縮応力層（後述）を残すように研磨する（例えば研磨取り代が０．１〜３μｍ程度）とより高い強度が得られるので好ましいが、主表面の圧縮応力層がなくなってもよい。少なくとも端部の圧縮応力層による効果は残るためである。

本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板は、より厳しい環境での使用にも耐えうるように、強度のよりいっそうの向上が求められており、例えば化学強化による強度向上を行うことが好ましい。化学強化処理の方法としては、例えば、ガラス転移点の温度を超えない温度領域、例えば摂氏３００度以上５００度以下の温度で、イオン交換を行う低温型イオン交換法などが好ましい。化学強化処理とは、溶融させた化学強化塩とガラス基板とを接触させることにより、化学強化塩中の相対的に大きな原子半径のアルカリ金属元素と、ガラス基板中の相対的に小さな原子半径のアルカリ金属元素とをイオン交換し、ガラス基板の表層に該イオン半径の大きなアルカリ金属元素を浸透させ、ガラス基板の表面に圧縮応力を生じさせる（圧縮応力層形成）処理のことである。化学強化処理されたガラス基板は耐衝撃性に優れているので、例えばモバイル用途のＨＤＤに搭載するのに特に好ましい。化学強化塩としては、硝酸カリウムや硝酸ナトリウムなどのアルカリ金属硝酸塩を好ましく用いることができる。

また、本発明は、以上の磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクの製造方法についても提供する。本発明において磁気ディスクは、本発明による磁気ディスク用ガラス基板の上に少なくとも磁性層を形成して製造される。磁性層の材料としては、異方性磁界の大きな六方晶系であるＣｏＣｒＰｔ系やＣｏＰｔ系強磁性合金を用いることができる。 磁性層の形成方法としてはスパッタリング法、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板の上に磁性層を成膜する方法を用いることが好適である。またガラス基板と磁性層との間に、下地層を介挿することにより磁性層の磁性グレインの配向方向や磁性グレインの大きさを制御することができる。例えば、ＲｕやＴｉを含む六方晶系下地層を用いることにより、磁性層の磁化容易方向を磁気ディスク面の法線に沿って配向させることができる。この場合、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが製造される。下地層は磁性層同様にスパッタリング法により形成することができる。

また、磁性層の上に、保護層、潤滑層をこの順に形成するとよい。保護層としてはアモルファスの水素化炭素系保護層が好適である。例えばプラズマＣＶＤ法により保護層を形成することができる。また、潤滑層としては、パーフルオロポリエーテル化合物の主鎖の末端に官能基を有する潤滑剤を用いることができる。取り分け、極性官能基として水酸基を末端に備えるパーフルオロポリエーテル化合物を主成分とすることが好ましい。潤滑層はディップ法により塗布形成することができる。
本発明によって得られる磁気ディスク用ガラス基板を利用することにより、信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる。

以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
本実施例では、アモルファスガラス基板を用いる場合について説明する。
所定の寸法の円盤状に加工されたガラスディスク基板から製造する場合について、２．５インチ型（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．８ｍｍ）の大きさの基板を例にとって説明する。

内外径加工を行った板厚１ｍｍのガラス基板を元基板とする。まずラッピングにより板厚０．８３ｍｍまで研磨する。
ラッピング加工後、洗浄、乾燥する。このとき仕上げ面粗さはＲａ＝０．３μｍであった。なお、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて１μｍ×１μｍの範囲を５１２×２５６ピクセルの解像度で測定した（以下、同様）。

次に、基板主表面の研磨工程を行った。研磨工程は第１研磨工程、第２研磨工程の２段階で行った。第１研磨工程の研磨条件は次の通りで仕上げ面粗さＲａ＝０．６ｎｍであった。

主表面第１研磨工程
主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。
この第１研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。第１研磨工程後のガラス基板主表面の表面粗さは、算術平均粗さＲａ＝０．８ｎｍ、最大高さＲｖ＝１０ｎｍであった。

この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

主表面第２研磨工程
次に、主表面研磨工程として、第２研磨工程を施した。この第２研磨工程は、主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。
第２研磨工程後、精密洗浄工程（アルカリ洗剤と超音波を組み合わせた洗浄、超純水リンス、マランゴニー乾燥を有する洗浄工程）により洗浄、乾燥を行った。

第２研磨工程において、第２研磨工程と同じ両面研磨装置を用いて、研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理を以下の条件で実施した。但し、あくまでも一例であって、以下の条件に限定する趣旨ではない。
研磨パッド用ドレッサにおける砥粒の平均粒子径と、研磨パッドにおける開口の平均開口径を種々代えて研磨パッドのドレッシング処理を行い、このドレッシング処理後の研磨パッドを用いて基板の研磨を行った。
用いたガラス基板は、上記のように、２．５インチサイズの磁気ディスク用ガラス基板とした。
研磨パッドは、軟質のポリウレタン樹脂製であり、図２（ａ）、（ｂ）に示す研磨装置を用いてドレッシング処理を行った。研磨パッドは、使用開始前の研磨パッド、即ち、新品の研磨パッドとした。ドレッシング処理では、ダイヤモンド砥粒のドレッサを用い、処理条件を適宜調整した。
ガラス基板の研磨（第２研磨工程）では、図２（ａ）、（ｂ）に示す研磨装置を用いて、ガラス基板に０．０１ＭＰａの圧力をかけ、平均粒径が３０ｎｍであるコロイダルシリカの研磨砥粒を含むスラリーをガラス基板に供給しつつ研磨した。研磨の取り代は５μｍとした。
さらに、研磨後のガラス基板の表面凹凸を、光学式の表面形状測定機を用いて測定して微小うねり（波長５０〜２００μｍ）を求めた。
表１に、ドレッサの平均粒子径と、研磨パッドの平均開口径とを種々代えて研磨パッドのドレッシング処理を行い、このドレッシング処理後の研磨パッドを用いて基板を研磨をしたときの、ガラス基板の微小うねりの相対値を示す。相対値の数値が小さいほど微小うねりが小さく良好である。

表１より、ドレッサにおけるダイヤモンド砥粒の平均粒子径と、研磨パッドにおける開口の平均開口径をそれぞれ代えることで、微小うねりが変化した。
そして、特に研磨パッドの平均開口径が小さい場合に、ドレッサにおける砥粒の平均粒子径による影響度が高くなることがわかった。研磨パッドの平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒を備えたドレッサを用いることで、研磨パッドの平均開口径と同等の平均粒子径の砥粒を備えたドレッサを用いた場合に比べ、微小うねりをより小さくすることができることがわかった。さらに、研磨パッドの平均開口を小さくすると共に、研磨パッドの平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒を備えたドレッサを用いることで、微小うねりを極めて小さくすることができる（研磨パッドの平均開口径とドレッサにおける砥粒の平均粒子径との種々の組み合わせの中で最小値を実現できる）ことがわかった。

なお、従来は研磨パッドの表面は適度な粗さを有していることが必要であると考えられていた。このため、ドレッサに使用される砥粒の平均粒径につても、適度な粗さを付与し得る適度な大きさであることが必要であると考えられていた。
さらに、表１の如く、使用する研磨パッドに対し、ドレッサに使用される砥粒の平均粒径を単に小さくするだけでは、効果の違いが見い出せない場合が多いことがわかる（例えば開口４０及び２０μｍに対し砥粒の平均粒径１０と５μｍとでは効果の違いが見い出せない）。したがって、本発明の知見は技術的意義が大きい。
本発明は、研磨パッド用ドレッサにおける砥粒の粒径と、研磨パッドにおける開口の開口径と、の相対的な大きさ等の両者の関係に着目し、より有利な作用効果が得られる両者の関係を見い出し、これを利用する発明であり、技術的意義が大きい。
ちなみに、特許文献２に記載のように、従来は、ドレッサに使用される砥粒の平均粒径を小さくしすぎると、研磨パッドのドレッシング時間がダミーポリッシング時間に比較して長くなり、好ましくないと考えられている。しかしながら、本発明は、このような制約に捕らわれずに適用することができる。本発明の知見は、研磨パッドの平均開口径が今後はさらに小径化した場合においても、有効に活用できる。

（実施例２）
次に、研磨パッドの平均開口径よりも小さな平均粒子径のダイヤモンド砥粒が固着された研磨パッド用ドレッサを使用してドレッシング処理を行い、このドレッシング処理の後の研磨パッドについて、高圧ジェットによる洗浄処理を行った場合と行わなかった場合について、比較を行った。
高圧ジェットによる洗浄処理を行った研磨パッドと行わなかった研磨パッドを用い、それぞれ同じ条件下でガラス基板の研磨を行った後、ガラス基板を洗浄し、光学式表面解析装置を用いてガラス基板の主表面上に存在する微小スクラッチの数をカウントし、１０段階でレベル判定した。レベルが小さいほど微小スクラッチが少なく良好である。下記表２には、その結果を示す。

実施例２ではいずれも、本実施形態の方式を採用したため、研磨後のガラス基板の微小うねりは極めて良好であったが、表２より、微小スクラッチの発生レベルに差が見られた。 この微小スクラッチは研磨において研磨パッドの開口（ポア）の内部、もしくは表面に残存して、突発的にガラス基板の表面を傷つけることにより発生したと考えられる。したがって、研磨パッドのドレッシング処理の後に、高圧ジェットによる研磨パッドの洗浄処理を追加すると、微小スクラッチの発生を抑制できるので好ましい。

（実施例３）
実施例１において、上記研磨の後、同じ研磨装置を用いて、研磨パッドのドレッシング処理が必要になるまで、研磨加工を続行した。
上記研磨加工後の研磨パッドに関し、実施例１（表１）と同様に、研磨パッド用ドレッサにおける砥粒の平均粒子径と、研磨パッドにおける開口の平均開口径を種々代えて研磨パッドの再度のドレッシング処理を行い、このドレッシング処理後の研磨パッドを用いて基板の研磨を行った。
ドレッシング処理では、実施例１と同じダイヤモンド砥粒のドレッサを用い、処理条件を適宜調整した。ガラス基板の研磨では、実験例１と同じ研磨装置を用いて、同じ研磨条件で研磨した。研磨の取り代は５μｍとした。
その結果、実施例１と同様であることがわかった。

次に、上記実施例で得られた本発明の磁気ディスク用ガラス基板に以下の成膜工程を施して、垂直磁気記録用磁気ディスクを得た。
すなわち、上記ガラス基板上に、Ｔｉ系合金薄膜からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ合金薄膜からなる軟磁性層、Ｒｕ薄膜からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、カーボン保護層、潤滑層を順次成膜した。保護層は、磁気記録層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのもので、水素化カーボンからなり、耐磨耗性が得られる。また、潤滑層は、アルコール変性パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成した。
得られた磁気ディスクについて、DFHヘッドを用いたサーティファイテストを実施した。このテストによって、磁気ディスクのデータエリアにおいて、磁気信号の読み書きに関してエラーとなる場所の数を調査することができる。エラーの数は、基板表面に存在するスクラッチやパーティクル等の影響を受けると考えられる。
その結果、エラー数については、特に問題はなく良好であった。

１００ 研磨パッド用ドレッサ
１０１ 台金
１０２ 砥粒層
１０ 研磨装置
１２ 下定盤
１４ 上定盤
１６ インターナルギヤ
１８ キャリア
２０ 研磨パッド
２２ 太陽ギヤ
２４ インターナルギヤ
２６ 容器
２８ 研磨液（又はクーラント）
３０ ポンプ
３２ フィルタ
Ｇ ガラス基板

Claims (8)

1. 表面に複数の開口を有する研磨パッドと基板との間に、コロイダルシリカ研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給し、前記研磨パッドと前記基板とを相対的に移動させることにより、前記基板の表面を加工する研磨加工と、使用開始前及び研磨加工後の少なくとも一方の研磨パッドの表面を修正するドレッシング処理を含み、
   研磨パッドの表面における開口の平均開口径が５〜４０μｍの範囲内であって、
   前記ドレッシング処理は、研磨パッドの表面における開口の平均開口径よりも小さな平均粒子径の砥粒を基材の表面に備えた研磨パッド用ドレッサを用いて行うことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
2. 前記研磨パッドは、多数の独立した気泡を内在した内層と該気泡が開口した表層とからなるナップ層を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
3. 前記ドレッシング処理は、基材の表面に砥粒を備えた研磨パッド用ドレッサを、前記研磨パッドの表面と接触させて、前記研磨パッド用ドレッサと前記研磨パッドとを相対的に移動させることで前記研磨パッドの表面の修正を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
4. 前記研磨パッドの表面における開口の平均開口径Ｐと前記研磨パッド用ドレッサが備える砥粒の平均粒子径Ｄの比（Ｄ／Ｐ）は、０．６以上１未満であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
5. 前記ドレッシング処理の後に、ドレッシング処理により研磨パッド用ドレッサから脱落し、研磨パッドに付着した砥粒を、低減する処理を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
6. 前記ドレッシング処理の後に、少なくとも加圧された流体を研磨パッド表面に噴射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
7. 前記コロイダルシリカ研磨砥粒の平均粒径は３０ｎｍ以下であることをことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の製造方法によって得られた磁気ディスク用基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

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