CN103050133A - 磁记录介质用玻璃基板、及使用了该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种磁记录介质用玻璃基板及使用了该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质，其中，在磁记录介质用玻璃基板的至少一个主平面（记录再生面）的整体设定的格子状的各评价区域测定了表面粗糙度Ra时，其最大值处于规定的范围内。提供一种磁记录介质用玻璃基板及使用了该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质，该磁记录介质用玻璃基板具有一对主平面，其特征在于，在至少一个主平面上，在主平面整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的最大值为所述表面粗糙度Ra的平均值的1.7倍以下。

Description

磁记录介质用玻璃基板、及使用了该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质

技术领域

本发明涉及磁记录介质用玻璃基板、及使用了该磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质。 

背景技术

作为在磁盘记录装置等中使用的磁记录介质用基板，以往，使用了铝合金基板。然而，近年来，伴随着高密度记录化的要求，与铝合金基板相比更硬且平坦性、平滑性优异的玻璃基板成为主流。 

并且，伴随着近年来的磁盘（以下，也称为磁记录介质）的高记录密度化，在磁盘上微细地记录磁信号，伴随于此，信号变得微弱。为了该微弱的信号的读取及记录，要求尽量缩短磁盘与磁头的距离。 

为了减小以高速旋转的磁盘与磁头之间的距离、即磁头的浮起量，需要使磁盘的基板即磁记录介质用玻璃基板的表面为极其均一的表面，以避免磁盘与磁头发生接触。 

为了减小磁头与磁盘之间的距离，而对于磁记录介质用玻璃基板的表面特性进行了各种讨论。例如在专利文献1中记载了存在于磁盘用玻璃基板的缺陷的形状造成影响，而使表面粗糙度Ra为规定的值以下的情况。 

【在先技术文献】 

【专利文献】 

【专利文献1】国际公开第2010/001843号 

然而，在专利文献1中，通过原子间力显微镜只不过对于磁记录介质用玻璃基板的记录再生区域中的有限的一部分的区域评价了表面粗糙度Ra，在记录再生区域的大部分的区域未测定表面粗糙度Ra，因此在记录再生区域上存在表面粗糙度Ra的值增大的区域，有时会成为问题。例如，存在难以减小磁头的浮起量且磁盘与磁头之间的距离不稳定而产生磁噪音等的问题。 

另外，在制造磁记录介质时，在磁记录介质用玻璃基板的表面成膜出磁性层，但在磁记录介质用玻璃基板的主平面存在表面粗糙度Ra的值高的区域（表面粗糙度Ra不均一的区域）时，成膜的磁性层的晶粒的尺寸有时会产生不均一性。具有不均一的磁性层（晶粒的尺寸不均一的磁性层）的磁记录介质可能会产生在晶粒的尺寸不均一的区域上的磁噪音增加，基于磁头的向磁记录介质的读写的精度下降、记录密度下降等的问题。 

发明内容

本发明鉴于上述现有技术具有的问题，其目的在于提供一种在磁记录介质用玻璃基板的至少一个主平面（记录再生区域）的整个面上，使表面粗糙度Ra处于规定的范围内的磁记录介质用玻璃基板。 

为了解决上述课题，本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面，其特征在于，在至少一个主平面上，在主平面整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的最大值为所述表面粗糙度Ra的平均值的1.7倍以下。 

【发明效果】 

本发明的磁记录介质用玻璃基板（以下，也有时仅记载为“玻璃基板”），在玻璃基板的至少一个主平面的整个面设定的格子状的各评价区域中测定了表面粗糙度（算术平均粗糙度）Ra时，其最大值与 平均值处于规定的关系。 

因此，在玻璃基板的至少一个主平面的整个面上，表面粗糙度Ra处于规定的范围内，没有表面粗糙度Ra局部高的区域，从而成为主平面的整个面均一且平滑的玻璃基板。 

根据本发明的磁记录介质用玻璃基板，能够提供一种在玻璃基板的表面上形成磁性层时抑制晶粒的粗大化，且具有晶粒的尺寸均一的磁性层的表面平滑的磁记录介质。 

由此，能够抑制磁记录介质的磁噪音的发生，使磁记录介质与磁头之间的距离比以往减小，使磁记录介质与磁头之间的距离稳定化，能够使磁记录介质的记录的读写精度和记录密度比以往升高。 

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的磁记录介质用玻璃基板及其评价区域的说明图。 

具体实施方式

以下，参照附图，说明用于实施本发明的方式，但本发明并不局限于下述的实施方式，在不脱离本发明的范围内能够对下述的实施方式施加各种变形及置换。 

[第一实施方式] 

在本实施方式中，对于本发明的磁记录介质用玻璃基板进行说明。 

本发明的磁记录介质用玻璃基板的特征在于，在磁记录介质用玻璃基板的至少一个主平面上，在主平面整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的最大值为表面粗糙度Ra的平均值的1.7倍以下。 

关于具体的评价方法，使用图1进行说明。 

如图1（A）所示，磁记录介质用玻璃基板呈现出在中心部具有圆孔的圆盘形状。并且，在本发明中，在该玻璃基板的至少一个主平面、即作为磁记录介质时的记录再生区域整个面上所设定的格子状的各评价区域中，测定表面粗糙度Ra。如图1（A）和（B）所示，通过将主平面没有间隙地分割为多个部分而形成评价区域。优选将评价区域形成为相同形状。 

对于表面粗糙度（算术平均粗糙度）Ra的测定方法，并未特别限定，只要能够测定在整个面设定为格子状的各评价区域的表面粗糙度即可。例如，可以通过扫描型干涉显微镜等来测定。 

设定为格子状的评价区域的形状、尺寸并未特别限定，例如，作为评价区域的形状，可列举出正方格子、三角格子、六角格子、菱形格子、矩形格子、平行体格子等格子的形状。 

作为1个评价区域的尺寸，例如在评价区域的形状为正方格子时，可以将1边的长度设定在5μm~50μm的范围内，例如可以设定为50μm见方、40μm见方、30μm见方、20μm见方等所希望的尺寸。 

另外，在评价区域的形状为正方格子以外的情况下，可以设定以此为标准的尺寸，即，以使评价区域的面积成为与所述正方格子的情况相同的面积范围（例如，25μm²~2500μm²）的方式设定该尺寸。需要说明的是，以下，对于评价区域的尺寸，记载了以正方格子的1边的长度为基准的情况，但并未限定为正方格子，在正方格子以外的情况下表示以此为标准的尺寸（面积）。 

此外，设定为格子状的评价区域的形状、尺寸在主平面的整个面 上，可以不同（例如，将主平面的整个面分割为规定的区域，在各个区域设定评价区域的形状、尺寸等），优选相同。 

尤其是优选在与磁头相同的尺寸、或比其小的尺寸的各区域进行评价，因此作为评价区域的尺寸，优选以50μm见方以下进行评价，更优选为30μm见方以下。 

但是，当评价区域的尺寸过小时，评价区域的个数增多，因此数据量增加且其处理变得困难，因此优选为5μm见方以上，更优选为10μm见方以上。 

在此，对评价区域进行说明。图1（A）、（B）示意性地表示各评价区域。需要说明的是，图中表示了线，但这是用于说明评价区域的线，实际上并未在玻璃基板上划线。在此，使用正方格子的例子说明评价区域。 

图1（B）为了说明评价区域而将图1（A）的一部分放大。图1（B）所示的正方格子（正方形）的各块（例如（a）~（d）所示的部分）表示评价区域，例如将1边的长度A~F均设定为30μm。 

并且，本发明的磁记录介质用玻璃基板中，将根据对于一个主平面整体的各评价区域测定的表面粗糙度的结果而算出的表面粗糙度Ra的平均值设为Ra_ave。此外，将表面粗糙度Ra的最大值、即所述主平面整体的评价区域中的表面粗糙度的值最高的评价区域的表面粗糙度Ra设为Ra_max时，满足Ra_max≤1.7·Ra_ave的关系，即，表面粗糙度Ra的最大值为表面粗糙度Ra的平均值的1.7倍以下。 

在此，关于Ra_ave、Ra_max的关系，更优选为Ra_max≤1.4·Ra_ave，特别优选为Ra_max≤1.3·Ra_ave。 

这是因为随着表面粗糙度Ra的最大值和平均值的比率接近1.0，在主平面整个面上，表面粗糙度Ra的变动减小，表示玻璃基板的主平面更平滑（即，Ra_max≥1.0·Ra_ave）。 

需要说明的是，主平面在磁记录介质用玻璃基板的上下存在两面，但也有时作为磁盘时成为记录再生区域的为任一方，此时仅任一方满足上述要件即可。在作为磁盘时，上下两面均成为记录再生区域的情况下，优选上下两面按照各自的面测定、算出的表面粗糙度Ra的平均值和最大值均满足上述要件。这对于后述的平均值、标准偏差也同样。 

此外，设定在所述主平面的整个面上的格子状的各评价区域中所测定的表面粗糙度Ra的标准偏差优选为0.012nm以下，更优选为0.010nm以下，特别优选为0.008nm以下。 

这是因为，通过减小标准偏差，关于玻璃基板的主平面的整个面，是指表面粗糙度Ra的变动小，表示玻璃基板的主平面更平滑。 

如此，主平面的整个面平滑且不存在局部高的表面粗糙度Ra的区域，因此在形成磁性层而作为磁记录介质时，抑制晶粒局部的粗大化，晶粒的尺寸均一，从而能够得到表面平滑的磁性膜。 

因此，能够缩短磁盘（磁记录介质）与磁头之间的距离。而且，磁盘与磁头之间的距离稳定，因此能够抑制磁噪音的产生，能够使记录的读写精度、记录密度比以往提高。此外，通过具有晶粒的尺寸小且均一的磁性层的磁记录介质，能够减小存储点尺寸，从而能够实现磁记录介质的面记录密度的提高。 

另外，设定在所述主平面的整个面上的格子状的各评价区域中所测定的表面粗糙度Ra的平均值优选为0.08nm以下，更优选为0.07nm以下。 

这是因为，通过减小表面粗糙度Ra的平均值，表示玻璃基板的主平面整体更平滑。 

若玻璃基板的主平面整体平滑，则在形成磁性层时，能抑制晶粒的粗大化，能够使晶粒的尺寸减小且均一，从而能够得到表面均一且平滑的磁性膜。 

通过使晶粒的尺寸减小且均一而能够减小存储点尺寸，从而能够实现磁记录介质的面记录密度的提高。而且，能够减小磁盘与磁头之间的距离，且能够减小磁盘与磁头之间的距离的变动，能够抑制磁噪音的发生，比以往更加提高记录的读写精度、记录密度。 

在此，对本发明的磁记录介质用玻璃基板的制造方法进行说明。 

磁记录介质用玻璃基板能够通过包括以下的工序1~4的制造方法制造。 

（工序1）由玻璃原基板，加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板之后，对内周端面和外周端面进行倒角加工的形状赋予工序。 

（工序2）对玻璃基板的端面（内周端面及外周端面）进行研磨的端面研磨工序。 

（工序3）对所述玻璃基板的主平面进行研磨的主平面研磨工序。 

（工序4）对所述玻璃基板进行精密清洗并进行干燥的清洗工序。 

然后，利用包含上述各工序的制造方法而得到的磁记录介质用玻璃基板还进行在其上形成磁性层等薄膜的工序，由此能够作为磁记录介质。 

在此，（工序1）的形状赋予工序将通过浮法、熔化法、冲压成形法、下拉法或再曳引法而成形的玻璃原基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板。需要说明的是，使用的玻璃原基板既可以是非晶形玻璃，也可以是结晶化玻璃，还可以是在玻璃基板的表层具有压缩应力层（强化层）的强化玻璃。 

然后，（工序2）的端面研磨工序中对玻璃基板的端面（侧面部和倒角部）进行端面研磨。 

关于（工序3）的主平面研磨工序，使用双面研磨装置，一边向玻璃基板的主平面供给研磨液一边同时研磨玻璃基板的上下主平面。本发明的玻璃基板的研磨既可以仅实施1次研磨，也可以实施1次研磨和2次研磨，还可以在2次研磨之后实施3次研磨。 

并且，在研磨工序中使用的研磨垫优选使用预先利用纯水进行了10分钟以上的清洗的研磨垫。这是为了抑制研磨液中含有的磨粒的凝集。 

需要说明的是，作为在主平面研磨工序的最后实施的研磨（精研磨）时使用的研磨液，优选使用含有一次粒子径为5nm以上的胶态氧化硅作为磨粒的、pH为3以上的研磨液。 

这是因为，在研磨液中含有的胶态氧化硅的一次粒子径比5nm小时容易凝集，会产生无法稳定地研磨、主表面的表面粗糙度Ra增大等问题。 

胶态氧化硅的1次粒子径优选为5nm以上，更优选为8nm以上，特别优选为10nm以上。而且，胶态氧化硅的1次粒子径优选为30nm以下，更优选为28nm以下，特别优选为18nm以下。 

另外，在研磨液的pH小于3时，由于酸的影响而研磨的玻璃基板的主平面的表面粗糙度Ra的值有可能升高。因此，研磨液的pH优选为3以上，更优选为3.5以上，特别优选为4以上。 

在上述（工序3）的主平面研磨工序之前，也可以实施主平面的打磨（lapping）（例如，游离磨粒打磨、固定磨粒打磨等）。而且，在各工序间也可以实施玻璃基板的清洗（工序间清洗）、玻璃基板表面的蚀刻（工序间蚀刻）。需要说明的是，主平面的打磨是指广义的主平面的研磨。 

此外，在磁记录介质用玻璃基板要求高的机械强度时，在玻璃基板的表层形成压缩应力层（强化层）的强化工序（例如，化学强化工序）也可以在研磨工序前、或研磨工序后、或研磨工序间实施。 

[第二实施方式] 

在本实施方式中，说明使用了在第一实施方式中说明的磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质（磁盘）。 

本发明的磁记录介质只要使用了在第一实施方式中说明的磁记录介质用玻璃基板即可，其结构并未被限定，例如可列举出在磁记录介质用玻璃基板表面具备磁性层、保护层、润滑层的结构。 

磁记录介质具有水平磁记录方式、垂直磁记录方式，但在此以垂直磁记录方式为例，以下说明具体的制造方法。 

磁记录介质至少在其表面具备磁性层、保护层、润滑层。并且，在垂直磁记录方式的情况下，通常配置有起到使来自磁头的记录磁场环流的作用的软磁性材料构成的软磁性基底层。因此，从玻璃基板的主平面依次层叠有例如软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层、保护层、润滑膜。 

以下，对各层进行说明。 

作为软磁性基底层，可以使用例如CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoFeB、CoZrN等。 

并且，非磁性中间层由Ru、Ru合金等构成。该非磁性中间层具有用于使垂直记录用磁性层的外延生长容易的功能、及将软磁性基底层与记录用磁性层之间的磁交换结合切断的功能。 

垂直记录用磁性层是磁化容易轴朝向与基板面垂直的垂直方向的磁性膜，至少包括Co、Pt。并且，为了减少成为高的固有介质噪音的原因的粒间交换结合，而优选良好地隔离的微粒子结构（颗粒结构）。具体而言，使用向CoPt系合金等添加了氧化物（SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃、TiO₂等）、Cr、B、Cu、Ta、Zr等的结构。 

到此为止说明的软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层可以通过在线溅射法、DC磁控管溅射法等来连续制造。 

接下来，保护层防止垂直记录用磁性层的腐蚀，且为了即使在磁头与介质接触的情况下也会防止介质表面的损伤而设置，并设置在垂直记录用磁性层上。作为保护层，可以使用包含C、ZrO₂、SiO₂等的材料。 

作为其形成方法，例如可以使用在线溅射法、CVD法、旋涂法等。 

在保护层的表面形成有润滑层，以减少磁头与记录介质（磁盘）的摩擦。润滑层可以使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等。对于润滑层，可以通过浸渍法、喷射法等形成。 

通过以上说明的顺序而使用本发明的磁记录介质用玻璃基板制成的磁记录介质（磁盘）中，由于玻璃基板的主平面整体的表面粗糙度Ra处于规定的范围，因此在成膜磁性层时能够抑制晶粒的粗大化，从而能够使晶粒的尺寸小且均一。由此，能够减小磁记录介质的存储点尺寸，能够提高磁记录介质的面记录密度。而且，由于能够使磁记录介质与磁头之间的距离比以往减小，能够减小磁记录介质与磁头之间的距离的变动，因此能够抑制磁噪音的产生，与以往相比能够提高记录的读写精度、记录密度。 

【实施例】 

以下，举出具体的实施例进行说明，但本发明并未限定为这些实施例。 

首先，说明以下的实施例、比较例中的磁记录介质用玻璃基板的评价方法、及在玻璃基板表面上成膜出磁性层等薄膜的磁记录介质的评价方法。 

（1）表面粗糙度（算术平均粗糙度）Ra 

表面粗糙度Ra使用扫描型干涉显微镜（Zygo公司制，ZeMapper）进行了测定。表面粗糙度Ra的测定区域是包括磁记录介质用玻璃基板的记录再生区域整个面的范围。 

在本实施例中，在磁记录介质用玻璃基板的一个主平面的整个面上设定1边为30μm的正方格子状的评价区域，对于各个评价区域，求出了表面粗糙度Ra。 

（2）证明测试 

证明测试评价了磁记录介质的磁性层等的缺陷（信号品质）。证明测试用磁头使用设置于头滑动件的测试头，使磁盘装置的磁头与磁盘的关系再现，对于盘的各磁道的每一个进行写入信号的写入、再生、 消去、再再生等而进行了评价。在本实施例中，评价了EP（Extra Pulse：冒脉冲）错误。 

EP错误是指在磁记录介质上存在伤痕、异物、粗糙度不良、晶粒的尺寸不均一的区域时，产生从测试头的再生信号的振幅较大脱离的再生信号。EP错误不能进行磁盘的适当的信号处理。 

在本实施例中，评价了1000张磁记录介质，并将发生了EP错误的磁记录介质的比率设为EP发生率。 

以下的例1~例10中，说明磁记录介质用玻璃基板及在磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等而作为磁记录介质的例子。在此，例1~7是满足本发明的规定的实施例，例8~10是比较例。 

以下说明的例1~例10的磁记录介质用玻璃基板通过以下的顺序制成。 

为了得到外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm的磁记录介质用玻璃基板，将通过浮法成形的以SiO₂为主成分的玻璃基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板。 

为了得到倒角宽度0.15mm、倒角角度45°的磁记录介质用玻璃基板而对该圆盘形状玻璃基板的内周端面和外周端面进行了倒角加工（内周倒角工序、外周倒角工序）。 

倒角加工后，使用氧化铝磨粒对玻璃基板上下主平面进行打磨加工，将磨粒清洗除去。 

接着，使用研磨刷和含有氧化铈磨粒的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的外周侧面部和外周倒角部进行研磨，将外周侧面和外周倒角 部的加工变质层（伤痕等）除去，将外周端面研磨加工成镜面（外周端面研磨工序）。 

在外周端面研磨后，使用研磨刷和含有氧化铈磨粒的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的内周侧面部和内周倒角部进行研磨，将内周侧面部和内周倒角部的加工变质层（伤痕等）除去，将内周端面研磨加工成镜面（内周端面研磨工序）。对于进行了内周端面研磨后的玻璃基板，将磨粒清洗除去。 

在对玻璃基板的端面进行了加工之后，使用含有金钢石磨粒的固定粒工具和研削液，对玻璃基板上下主平面进行打磨加工、清洗。 

接着，作为研磨用具，使用硬质聚氨酯制的研磨垫和含有氧化铈磨粒的研磨液（平均粒子直径，以下，简称为平均粒径，含有约1.3μm的氧化铈的研磨液组成物），通过22B型双面研磨装置（SpeedFam公司制，产品名：DSM22B-6PV-4MH）在上下主平面以研磨量成为20μm的方式对玻璃基板进行1次研磨，将氧化铈清洗除去。需要说明的是，1批同时研磨216张玻璃基板。 

1次研磨后的玻璃基板使用软质聚氨酯制的研磨垫和含有平均粒径比上述的氧化铈磨粒小的氧化铈磨粒的研磨液（含有平均粒径约0.5μm的氧化铈的研磨液组成物）作为研磨用具，通过22B型双面研磨装置以研磨量成为5μm的方式对上下主平面进行2次研磨，将氧化铈清洗除去。 

对于2次研磨后的玻璃基板进行3次研磨（精研磨）。作为3次研磨的研磨用具，使用软质聚氨酯制研磨垫和含有胶态氧化硅的研磨液，通过双面研磨装置对上下主平面进行了研磨加工。上述软质聚氨酯制研磨垫在粘贴于研磨平台之后，进行修整处理，根据情况以规定时间进行了基于纯水的清洗。 

另外，双面研磨装置构成为能够供给、排出研磨液，以研磨液的供给流量成为规定的值的方式调整研磨液的供给量并进行了研磨。 

关于进行3次研磨时的研磨垫的清洗时间、胶态氧化硅的一次粒子径、研磨液的pH、研磨液中含有的胶态氧化硅的凝集性、研磨液的流量，在后述的例1~10中有记载。 

使用粒度分布测定装置（大塚电子公司制：FPAR-1000），测定研磨玻璃基板之前的研磨液的粒度分布和研磨了玻璃基板之后的研磨液的粒度分布，根据各自的粒度分布而求出d50值，算出玻璃基板的研磨前后的d50值的变化量（差），由此对研磨液中含有的胶态氧化硅的凝集性进行了评价。 

需要说明的是，上述d50值是指由散射强度分布进行了个数换算时的累计值成为50%的粒子径。 

具体而言，通过利用以下的式子算出的研磨前后的d50值的变化量进行了评价。由[研磨后的研磨液的d50值（nm）]-[研磨前的研磨液的d50值（nm）]表示。 

通过上述式算出的研磨前后的d50值的变化量为15nm以下时，研磨液中含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集几乎不产生而分散性良好（A），为16nm~30nm时稍产生凝集（B）。此外，在31nm以上时，产生了会对玻璃基板的主平面的研磨造成影响的程度的凝集（C）。 

为了得到满足本发明的规定的磁记录介质用玻璃基板，优选使用研磨液中含有的磨粒的凝集几乎不产生而分散性良好的（A）的研磨液。这是因为，在使用了磨粒容易凝集的研磨液时，在磁记录介质用玻璃基板的表面可能会产生表面粗糙度Ra局部高的部分，进行了精研磨（3 次研磨）的玻璃基板依次进行擦洗、浸渍在洗涤剂溶液中的状态下的超声波清洗、浸渍在纯水中的状态下的超声波清洗（精密清洗），利用异丙醇蒸气进行了干燥。 

对于通过以上的顺序得到的磁记录介质用玻璃基板的主平面的整个面，通过上述的方法评价了表面粗糙度Ra。 

另外，在通过以上的顺序得到的磁记录介质用玻璃基板的表面，通过以下的顺序成膜出具有磁性层的多层膜而作为磁记录介质，评价了EP发生率。 

在进行了成膜前清洗的磁记录介质用玻璃基板的表面，使用在线型溅射装置，依次层叠作为软磁性基底层的NiFe层、作为非磁性中间层的Ru层、作为垂直磁记录层的CoCrPtSiO₂的颗粒结构层。接着，利用CVD法形成类金刚石碳膜作为保护层。然后，通过浸渍法形成了含有全氟聚醚的润滑膜。 

对于得到的磁记录介质，利用上述方法评价了EP错误，求出了EP发生率。 

主平面的精研磨（3次研磨）的研磨液的条件在以下的例1~例10中有记载。例1~例7是实施例，例8~例10是比较例。 

在例1~例10的加工条件下加工的磁记录介质用玻璃基板的主平面的整个面上的、表面粗糙度Ra最大值/表面粗糙度Ra平均值、表面粗糙度Ra平均值（nm）、表面粗糙度Ra标准偏差（nm）如表1所示。而且，关于磁记录介质的EP发生率（%）也如表1所示。 

（例1） 

对于通过上述的顺序，实施了到主平面研磨的2次研磨为止的处 理后的磁记录介质用玻璃基板，进行了主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）。 

精研磨使用预先利用纯水进行了10分钟清洗的软质聚氨酯制研磨垫和含有1次粒子径为12nm的胶态氧化硅作为磨粒的pH4的研磨液来实施。在评价了研磨液中含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性时，研磨前后的研磨液的d50值的变化量为15nm以下，为良好（A）。 

另外，以向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板成为6毫升/分的方式进行了研磨。 

对主平面加工后的玻璃基板实施精密清洗而得到磁记录介质用玻璃基板，测定磁记录介质用玻璃基板的主平面的表面粗糙度Ra，进行了评价。 

另外，如上所述，在磁记录介质用玻璃基板的表面成膜出具有磁性层的多层膜而形成磁记录介质，评价了EP发生率。 

（例2） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了使向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，与例1的情况同样为良好（A）。 

另外，对于得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例3） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了设研磨液为pH5、设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，与例1的情况同样为良好（A）。 

另外，对于得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例4） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了使用研磨液中所含有的胶态氧化硅的一次粒子径为20nm的研磨液，且设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，与例1的情况同样为良好（A）。 

另外，对于得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例5） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了使用研磨液中所含有的胶态氧化硅的一次粒子径为25nm的研磨液，且设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基 板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，与例1的情况同样为良好（A）。 

另外，对于所得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例6） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了设研磨液中所含有的胶态氧化硅的一次粒子径为30nm，且设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，与例1的情况同样为良好（A）。 

另外，对于所得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例7） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了使研磨液为pH3，且设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，与例1的情况同样为良好（A）。 

另外，对于得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例8） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了使用未进行基于纯水的清洗的研磨垫，且设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，在研磨的前后，研磨液的粒度分布d50进行31nm以上变化，为（C）。 

另外，对于所得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例9） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了设研磨垫的基于纯水的清洗时间为5分钟，且设向双面研磨装置的研磨面供给的研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，在研磨的前后，研磨液的d50值的变化量为16nm以上且30nm以下，为（B）。 

另外，对于得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

（例10） 

在主平面研磨的精研磨（3次研磨工序）中，除了设研磨液为pH2，且设研磨液的流量对于每一张磁记录介质用玻璃基板为2毫升/分以外，通过与例1同样的方法制造了磁记录介质用玻璃基板及磁记录介质（磁盘）。 

需要说明的是，关于在精研磨时使用的研磨液中所含有的磨粒（胶态氧化硅）的凝集性，在研磨的前后，研磨液的d50值的变化量为15nm以下，为良好（A）。 

另外，对于得到的磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质，与例1同样地进行了评价。结果如表1所示。 

从表1的结果可以确认的是，使用满足本发明的规定的例1~7的磁记录介质用玻璃基板制成的磁记录介质的EP发生率均减小为1.6%以下。相对于此，可知，作为比较例的例8~10的EP发生率最低也高达2.5%左右。 

这认为是因为，本发明的磁记录介质用玻璃基板的主平面的整个面没有表面粗糙度Ra局部高的区域，主平面的整个面变得平滑，因此在形成磁性层等而作为磁记录介质时，能够抑制晶粒局部性地变大的情况。 

因此，认为是因为，能够抑制磁噪音的发生，能够提高基于磁头的向磁记录介质的读写的精度，能够防止记录密度的下降。 

【表1】 

Claims (5)

1.一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面，其特征在于，

在至少一个主平面上，在主平面整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的最大值为所述表面粗糙度Ra的平均值的1.7倍以下。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，

在所述主平面的整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的最大值为所述表面粗糙度Ra的平均值的1.4倍以下。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，

在所述主平面的整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的标准偏差为0.012nm以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，

在所述主平面的整个面上设定的格子状的各评价区域所测定到的表面粗糙度Ra的平均值为0.08nm以下。

5.一种磁记录介质，其使用了权利要求1~4中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板。