CN104584128A - 信息记录介质用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种记录介质用玻璃基板的制造方法，其具备下述工序：精密研磨工序(S18)，其中，利用pH为4以下的酸性的含有胶态二氧化硅的研磨液对玻璃部件的主表面进行精密研磨；第1浸渍工序(S19)，其中，在精密研磨工序(S18)后，在溶液中浸渍5分钟以上；和超声波清洗工序(S20)，其中，在第1浸渍工序(S19)后对所述玻璃部件实施超声波清洗，在精密研磨工序(S18)中进行了精密研磨的玻璃部件的表面粗糙度Ra在1μm²的测定范围为以下，第1浸渍工序(S19)的溶液的pH为6.5以上8.5以下。

Description

信息记录介质用玻璃基板的制造方法

技术领域

本发明涉及信息记录介质用玻璃基板的制造方法。

背景技术

在用于计算机等的信息记录介质(磁盘记录介质)中，以往以来一直使用铝基板或玻璃基板。在这些基板上形成磁性薄膜层，利用磁头使磁性薄膜层磁化，由此在磁性薄膜层中记录信息。

近年来，在硬盘驱动器(HDD)装置中，记录密度愈发高密度化。因记录密度的高密度化，信息记录介质(载体)与在信息记录介质上浮起而进行记录的读写的磁头的间隙(浮起高度)缩小至几nm左右。

随着浮起高度变小，在将信息记录介质用于硬盘驱动器装置中的情况下，容易发生访问记录于介质中的数据时的读取错误和/或写入错误、及磁头与介质表面碰撞的磁头碰撞等问题。

因此，信息记录介质用玻璃基板所要求的清洁性非常高，例如为了可靠地去除研磨材料、异物通过如下方式进行对应：在研磨工序后，与液体接触而容易去除附着物后进行擦洗(スクラブ洗浄)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4623210号

发明内容

发明要解决的问题

但是，在对应630Gbit/inch²以上的面记录密度的下一代的信息记录介质用玻璃基板中，虽然在平滑性、清洁性方面不存在问题，但是在形成磁性薄膜层而作为信息记录介质的情况下，产生了电磁转换特性(SNR)降低、读取精度下降这样的问题。

对上述问题进行了彻底调查，结果可知：载体制造商为了进一步提高清洁性进行了在磁性膜形成前利用碱性溶液对信息记录介质用玻璃基板进行清洗从而将基板上的微小的颗粒去除这样的工序，在该工序中，玻璃成分略微溶出、表面状态发生了变化，因此之后，利用溅射等形成磁性薄膜层时的条件发生了偏差，产生了上述问题。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，根据该制造方法，即使为了提高清洁性而在磁性膜形成前利用碱性溶液对信息记录介质用玻璃基板进行清洗，也能够抑制表面状态发生变化。

用于解决问题的手段

本发明涉及的信息记录介质用玻璃基板的制造方法为用于信息记录介质的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，该信息记录介质中，在玻璃基板的主表面上形成有磁性薄膜层，且磁性记录面中的记录密度为630Gbit/平方英寸以上。上述信息记录介质用玻璃基板的制造方法具备下述工序：精密研磨工序，其中，利用pH为4以下的酸性的含有胶态二氧化硅的研磨液对玻璃部件的主表面进行精密研磨；第1浸渍工序，其中，在所述精密研磨工序后，在溶液中浸渍5分钟以上；和超声波清洗工序，其中，在所述第1浸渍工序后对所述玻璃部件实施超声波清洗。在上述精密研磨工序中进行了精密研磨的玻璃部件的表面粗糙度Ra在1μm²的测定范围为以下。上述第1浸渍工序的溶液的pH为6.5以上8.5以下。

优选的是，在上述超声波清洗工序后进一步具备将玻璃部件在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上的第2浸渍工序。优选的是，进一步具备下述工序：擦洗工序，其中，在上述超声波清洗工序后对玻璃部件实施擦洗；和第3浸渍工序，其中，在擦洗工序后在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上。

优选的是，上述溶液的pH小于6.5时，进一步具备向溶液添加调节剂从而使pH为6.5以上8.5以下的工序。优选的是，上述第1浸渍工序的溶液的pH为7以上8以下。优选的是，所述第1浸渍工序中的浸渍时间为120分钟以下。

发明效果

根据本发明的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，即使为了提高清洁性而在磁性膜形成前利用碱性溶液对信息记录介质用玻璃基板进行清洗，也可以制造能够抑制表面状态发生变化的信息记录介质用玻璃基板。

附图说明

图1是信息记录介质用玻璃基板1G的立体图。

图2是信息记录介质的立体图。

图3是示出玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法的流程图。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式和实施例进行说明。对于相同或者相当的部分标注相同的参照标号，有时不再重复其说明。在以下说明的实施方式和实施例中，在提及个数、数量等的情况下，除了特别说明的情况以外，本发明的范围不一定限于该个数、数量等。在以下的实施方式中，除了特别说明的情况以外，各个构成要素对本发明不一定是必须的。

(信息记录介质1的构成)

参照图1和图2，对信息记录介质用玻璃基板1G和信息记录介质1的结构进行说明。图1是信息记录介质用玻璃基板1G的立体图，图2是信息记录介质的立体图。

如图1所示，在信息记录介质1中使用的信息记录介质用玻璃基板1G(以下称作“玻璃基板1G”)呈在中心形成有孔11的环状的圆板形状。玻璃基板1G具有外周端面12、内周端面13、正面主表面14以及背面主表面15作为玻璃基板1G，使用了非晶质玻璃等，例如，外径约65mm，内径约20mm，厚度约0.8mm，表面粗糙度约以下。

对玻璃基板1G的英寸尺寸没有特别限定，可以制造0.8英寸、1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸、3.5英寸各种玻璃基板1G作为信息记录介质用的盘片。

出于有效应对由下落冲击导致的玻璃基板1G的破裂，玻璃基板1G的厚度优选为0.30mm～2.2mm。此处所谓玻璃基板1G的厚度是指，在基板上成为点对称的任意数点处测定的值的平均值。

如图2所示，信息记录介质1在上述玻璃基板1G的正面主表面14上形成有磁性薄膜层23。在图示中，仅在正面主表面14上形成磁性薄膜层23，但是，也可以在背面主表面15上设置磁性薄膜层23。

作为磁性薄膜层23的形成方法，可以使用现有公知的方法，例如可以举出在玻璃基板1G上旋涂分散有磁性颗粒的热固化性树脂来形成的方法、通过溅射来形成的方法以及通过非电镀来形成的方法。

旋涂法得到的膜厚为约0.3μm～1.2μm左右，溅射法得到的膜厚为0.04μm～0.08μm左右，非电镀法得到的膜厚为0.05μm～0.1μm左右，出于薄膜化以及高密度化的观点，基于溅射法和非电镀法的膜形成较好。

作为在磁性薄膜层23中使用的磁性材料，没有特别限定，可以使用现有公知的材料，但是，为了得到高保持力，Co系合金等是合适的，Co系合金是以晶体各向异性高的Co为基础并出于调整剩余磁通密度的目的添加Ni、Cr而成的。近年来，作为适合于热辅助记录用的磁性层材料，使用了FePt系的材料。

为了改善磁头的光滑度，可以在磁性薄膜层23的表面薄薄地涂覆润滑剂。作为润滑剂，例如可以举出用氟利昂系等的溶剂对作为液体润滑剂的全氟聚醚(PFPE)稀释而成的润滑剂。

根据需要，可以设置基底层、保护层。信息记录介质1中的基底层可根据磁性膜来进行选择。作为基底层的材料，例如可以举出选自Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性金属中的至少一种以上的材料。

基底层不限于单层，也可以设为层叠相同种类或不同种类的层而成的多层结构。例如，可以设为Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等多层基底层。

作为防止磁性薄膜层23的磨损、腐蚀的保护层，例如，可举出Cr层、Cr合金层、碳层、氢化碳层、氧化锆层、二氧化硅层等。保护层可以通过内联型溅射装置，与基底层、磁性膜等一起连续地形成。保护层可以是单层，或者由相同种类或不同种类的层构成的多层结构。

可以在上述保护层上形成其它保护层，或者，替代上述保护层而形成其它保护层。例如，替代上述保护层，可以在Cr层上，在用醇系的溶剂稀释四烷氧基硅烷得到的产物中分散胶态二氧化硅微粒进行涂覆，进一步进行烧制，形成二氧化硅(SiO₂)层。

如上所述，信息记录介质用的玻璃基板1G在制造后被捆包材料密闭捆包并被流通，之后从捆包材料中取出，设置磁性薄膜层23等，在即将设置磁性薄膜层23等之前，为了去除捆包时和运输时附着的微小颗粒，或者为了消除因条件的不同导致的表面状态的不均匀性，利用碱溶液等实施清洗处理。

即使在实施这种碱处理的情况下，在进行将该信息记录介质用玻璃基板在40℃、pH11的氢氧化钠溶液中浸渍30分钟的碱处理时，若为上述玻璃基板的主表面14、15的SiOH/Si的平均值是0.20以上0.50以下的信息记录介质用玻璃基板，则即使在用于磁性记录面中的记录密度为630Gbit/平方英寸以上的记录密度非常高的信息记录介质的情况下，也能够充分抑制信噪比(S/N比)的降低。

接着，对于玻璃基板的制造方法进行说明，根据该制造方法，即使在磁性薄膜层的形成前实施碱处理，也能够抑制S/N比的降低。

(玻璃基板1G的制造工序)

接下来，参照图3，对本实施方式的玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法进行说明。图3是示出玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法的流程图。

首先，在步骤10(以下，省略为“S10”，步骤11以后也同样)的“玻璃熔融工序”中，使构成玻璃基板的玻璃坯料熔融。

在S11的“模压成型工序”中，通过使用了上模和下模的模压，将熔融玻璃坯料制造成玻璃基板。所使用的玻璃组成使用了通常的铝硅酸盐玻璃。作为玻璃基板的制造方法，不限于成型，也可以是作为公知的方法的从板状玻璃的切割等，玻璃组成也不限于此。

在S12的“第1磨削工序(第1研削工序)”中，对玻璃基板的两主表面进行磨削加工。该第1磨削工序是使用利用了行星齿轮机构的双面磨削装置来进行的。具体而言，从上下方将磨削盘按压于玻璃基板的两面，向玻璃基板的主表面供给研削液，使它们相对地移动来进行磨削加工。通过该磨削加工，得到具有大致平坦的主表面的玻璃基板。

在S13的“取心工序”中，使用圆筒状的金刚石钻头，在玻璃基板的中心部形成孔，制造出圆环状的玻璃基板。通过金刚石磨石对玻璃基板的内周端面和外周端面进行研削，实施规定的倒角加工。

在S14的“第2磨削工序(第2研削工序)”中，与上述第1磨削工序(S12)同样，对玻璃基板的两主表面进行磨削加工。通过进行该第2磨削工序，能够预先将在前工序的取心和端面加工中形成在主表面的细微的凹凸形状去除。其结果是，能够缩短后续工序中的主表面的研磨时间。

在S15的“内外周研磨工序”中，在玻璃基板的外周端面，进行基于磨刷(brush)研磨的镜面研磨。作为此时的研磨磨粒，使用了包含通常的氧化铈磨粒的浆料。

在S16的“第1抛光工序(粗研磨工序)”中，进行主表面研磨。该第1抛光工序的主要目的是对在上述第1磨削工序和第2磨削工序(S12、S14)中残留在主表面的划痕和/或翘曲进行矫正。在该第1抛光工序中，利用具有行星齿轮机构的双面研磨装置来进行主表面的研磨。作为研磨剂，使用了通常的氧化铈磨粒。

在S17的“化学强化工序”中，在玻璃基板1G的主表面形成表面强化层。具体而言，在加热到300℃的硝酸钾(70％)和硝酸钠(30％)的混合溶液中，使玻璃基板1G接触约30分钟，由此进行化学强化。其结果是，玻璃基板的内周端面和外周端面的锂离子和钠离子分别被化学强化溶液中的钠离子和钾离子置换，形成压缩应力层，由此使玻璃基板的主表面和端面得到强化。

在S18的“第2抛光工序(精密研磨工序)”中，对主表面实施精密研磨。该第2抛光工序的目的是，消除在到上述为止的工序中产生并残存在主表面上的微小缺陷等，精加工成镜面状；消除翘曲，精加工成所期望的平坦度。在该第2抛光工序中，利用具有行星齿轮机构的双面研磨装置来进行研磨。作为研磨剂，为了得到平滑面，使用了pH为4以下的酸性的含有胶态二氧化硅的研磨液。对于研磨后的玻璃基板1G的主表面而言，若利用原子力显微镜(AFM：Atomic Force Microscope)进行测定，则在测定范围为1μm见方(1μm²)中，表面粗糙度Ra(测定范围：1μm见方)为以下。

假设使玻璃基板1G与酸性溶液接触，则碱成分从玻璃基板1G溶出，成为骨架变形且结合非常容易切断的状态。对于这种状态的玻璃基板1G而言，因在磁性薄膜层的形成前实施的碱清洗而导致表面状态发生变化。研磨之后不久，玻璃基板1G非常活性化，结合也延伸而成为容易切断的状态。若在该状态与酸性溶液接触，则磁性膜形成前的碱清洗耐性非常低。

在本实施方式的制造方法中，对于使用了胶态二氧化硅的精密研磨而言，为了将胶态二氧化硅的粒径凝集为适用于研磨的尺寸，在酸性条件下进行使用。另一方面，利用研磨不断地对旧的表面部分进行切削，不断地露出有新的表面，因此流出碱成分的旧的表层部分因研磨而被去除，逐渐有新的表层部分露出。因此，在本实施方式的制造方法中，并不会特别存在表层的碱成分流出而使结合强度变弱这样的问题。

在S19的“第1浸渍工序”中，将实施了精密研磨的玻璃基板1G在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上。溶液的pH优选为7以上8以下。使玻璃基板1G在溶液中浸渍的浸渍时间为120分钟以下。对第1浸渍工序中使用的溶液的pH进行测定，若该溶液的pH小于6.5，则向溶液添加调节剂，从而使pH为6.5以上8.5以下。作为调节剂，向溶液供给碱性的调节剂。

在S20的“超声波清洗工序”中，使用高频波对第1浸渍工序后的玻璃基板1G实施超声波清洗。

在S21的“第2浸渍工序”中，将实施了超声波清洗的玻璃基板1G在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上。溶液的pH优选为7以上8以下。使玻璃基板1G在溶液中浸渍的浸渍时间为120分钟以下。对第2浸渍工序中使用的溶液的pH进行测定，若该溶液的pH小于6.5，则向溶液添加调节剂，从而使pH为6.5以上8.5以下。作为调节剂，向溶液供给碱性的调节剂。

在S22的“擦洗工序”中，使用擦洗装置对实施了第2浸渍工序的玻璃基板1G实施擦洗。

在S23的“第3浸渍工序”中，将实施了擦洗的玻璃基板1G在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上。溶液的pH优选为7以上8以下。使玻璃基板1G在溶液中浸渍的浸渍时间为120分钟以下。对第3浸渍工序中使用的溶液的pH进行测定，若该溶液的pH小于6.5，则向溶液添加调节剂，从而使pH为6.5以上8.5以下。作为调节剂，向溶液供给碱性的调节剂。

在S24的“最终清洗工序(Final Cleaning)”中，实施玻璃基板的主表面、端面的最终清洗。由此，将残存在玻璃基板上的附着物去除。最终清洗工序是在玻璃基板的制造工序的最后进行的工序，适宜地也包括干燥工序。

本实施方式中的玻璃基板的制造方法如上构成。通过使用该玻璃基板的制造方法，可得到图1所示的玻璃基板1G。其后，对如此得到的玻璃基板1G实施碱清洗，之后形成磁性薄膜层。

接着，根据如上构成的玻璃基板1G，可以得到即使实施碱处理也可充分抑制信噪比(S/N比)的降低的信息记录介质用玻璃基板。

实施例1

本申请的实施例使用下述玻璃组成进行验证，该玻璃组成包含60～65(mol％)的SiO₂、8～12(mol％)的Al₂O₃、5～12(mol％)的Na₂O、0～3(mol％)的K₂O、6～10(mol％)的MgO和0～5(mol％)的CaO。但是，玻璃组成并不限于此，可以适用信息记录介质用玻璃基板中所使用的所有组成。

对实施了图3所示的S18的“第2抛光工序(精密研磨工序)”的玻璃基板进行“第1浸渍工序”时，在pH分别不同的溶液中浸渍10分钟，之后经由S20的“超声波清洗工序”、S22的“擦洗工序”和S24的“最终清洗工序”，从而制作得到下述表1所示的实施例1～3和比较例1～3的玻璃基板。

下述表1中，对于由各实施例1～3和各比较例1～3制作的玻璃基板，从100片中抽取10片，利用原子力显微镜(AFM：Atomic Force Microscope)进行Ra测定(测定范围：1μm×1μm)。之后，在pH11的NaOH溶液(40℃)中进行30分钟处理，再次利用AFM进行Ra测定(测定范围：1μm×1μm)，示出了处理前后的Ra变化的评价结果。

对于由各实施例1～3和各比较例1～3制作的玻璃基板，在剩余的90片中的20片上形成磁性薄膜层，对电磁转换特性进行评价、对相对于基准基板的SNR变化值进行比较，将结果示于下述表1。

对于玻璃基板，以100片为单位(100片/1批次)进行制造，由于同一批次内的偏差小，因此采用了上述评价。

进行电磁转换特性评价的情况下，首先利用碱性溶液对得到的玻璃基板进行清洗，之后形成磁性膜，从而制作信息记录介质。对于制作的信息记录介质，使用自旋支架对基于磁头的记录再现特性进行调查，从而进行上述电磁转换特性评价。具体而言，改变记录频率、变化记录密度而记录信号，读取该信号的再现输出功率，从而进行调查。作为磁头，使用了垂直记录用单磁极磁头(记录用)、GMR磁头(再现用)整体化的垂直记录用合并型磁头。

[表1]

作为上述表1的判定基准，采用下述的“A”、“B”、“C”、“D”。“A”表示SNR变化为-0.1db以下。“B”表示SNR变化为-0.11～-0.20db。“C”表示SNR变化为-0.21～-0.30db。“D”表示SNR变化为-0.31db以下。

关于比较例1，Ra变化小，但浸渍工序后的Ra变高，产生了不符合标准的物质。关于比较例3，同样浸渍工序后的Ra变差。由表1可知，第1浸渍工序的溶液的pH优选为6.5以上8.5以下。可知，第1浸渍工序的溶液的pH优选为7以上8以下。

接着，对上述S21的“第2浸渍工序”中使用的溶液的pH、与SNR变化和Ra变化的关系进行研究。具体而言，在S19的“第1浸渍工序”中，对在pH为7的溶液中浸渍10分钟的玻璃基板实施S20的超声波清洗后，使玻璃基板浸渍于各种pH的溶液(S21的“第2浸渍工序”)，之后经由S22的“擦洗工序”和S24的“最终清洗工序”，从而制作得到下述实施例A、B、C的玻璃基板。

[表2]

关于实施例A、B、C的玻璃基板，与上述实施例1～3和比较例1～3同样地对SNR变化(db)和Ra变化进行测定，将结果示于上述表2。作为判定基准，采用下述的“AA”、“BB”、“CC”、“DD”。“AA”表示SNR变化为-0.1db以下。“BB”表示SNR变化为-0.11～-0.20db。“CC”表示SNR变化为-0.21～-0.30db。“DD”表示SNR变化为-0.31db以下。

由上述表2可知，在S19的“第1浸渍工序”中，对在pH为7的溶液中浸渍10分钟的玻璃基板实施S20的超声波清洗后，浸渍于pH为6.5以上8.5以下的溶液，经由S22的“擦洗工序”和S24的“最终清洗工序”，由此得到玻璃基板，根据该玻璃基板，可以得到电磁转换特性优异的信息记录介质。

接着，对第3浸渍工序中使用的溶液的pH、与SNR变化和Ra变化的关系进行研究。具体而言，经由在pH为7的溶液中浸渍10分钟的“第1浸渍工序(S19)”、“超声波清洗工序(S20)”、在pH为7的溶液中浸渍10分钟的“第2浸渍工序(S21)”、“擦洗工序(S22)”后，将玻璃基板浸渍于各种pH的溶液(“第3浸渍工序(S23)”)，之后经由“最终清洗工序(S24)”，从而制作得到下述实施例a、b、c的玻璃基板。关于实施例a、b、c，与上述实施例1～3和比较例1～3同样地对SNR变化(db)和Ra变化进行测定，将结果示于上述表3。

[表3]

作为判定基准，采用“AAA”、“BBB”、“CCC”、“DDD”。“AAA”表示SNR变化为+。“BBB”表示SNR变化为0～-0.1db。“CCC”表示SNR变化为-0.1～-0.20db。“DDD”表示SNR变化为-0.21～-0.30db。“EEE”表示SNR变化为-0.31db以下。所谓+是表示与基准相比S/N比提高。

由上述表3可知，在实施例a、b、c中均可得到会形成电磁转换特性优异的信息记录介质的玻璃基板。

如上述表1～3所示，通过设置使用了特定的pH的溶液的浸渍工序，确认到SNR降低得以改善。尤其是在研磨工序和/或擦洗工序等会受到物理性的刺激的工序之后设置浸渍工序时，可观察到较好的效果。

接着，对溶液的浸渍时间与Ra变化和SNR变化(db)的关系进行研究。

具体而言，对实施了图3所示的S18的“第2抛光工序(精密研磨工序)”的玻璃基板，按照各种方式变化浸渍于pH为7的溶液(“第1浸渍工序”)的浸渍时间，之后经由S20的“超声波清洗工序”、S22的“擦洗工序”和S24的“最终清洗工序”，从而制作得到下述表4所示的实施例i～iv的玻璃基板。

[表4]

判定基准采用“A1”、“A2”、“A3”、“A4”、“A5”。“A1”表示SNR变化为+。“A2”表示SNR变化为0～-0.1db。“A3”表示SNR变化为-0.11～-0.20db。“A4”表示SNR变化为-0.21～-0.30db。“A5”表示SNR变化为-0.31db以下。

由表4可知，第1浸渍工序中的浸渍时间优选为120分钟以下。

以上，对本发明的实施方式和实施例进行了说明，但是应该认识到，本次公开的实施方式和实施例在所有方面仅为例示而不是限制。要表达的是，本发明的范围由权利要求书表示，包含与权利要求书等同的含义和范围内的全部变更。

工业实用性

本发明可适用于信息记录介质用玻璃基板的制造方法。

符号说明

1信息记录介质、1G信息记录介质用玻璃基板、12外周端面、13内周端面、14，15主表面、23磁性薄膜层。

Claims (6)

1.一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其用于信息记录介质，该信息记录介质中，在玻璃基板的主表面上形成有磁性薄膜层，且磁性记录面中的记录密度为630Gbit/平方英寸以上，其中，

该制造方法具备下述工序：

精密研磨工序，其中，利用pH为4以下的酸性的含有胶态二氧化硅的研磨液对玻璃部件的主表面进行精密研磨；

第1浸渍工序，其中，在所述精密研磨工序后，在溶液中浸渍5分钟以上；和

超声波清洗工序，其中，在所述第1浸渍工序后对所述玻璃部件实施超声波清洗，

在所述精密研磨工序中进行了精密研磨的所述玻璃部件的表面粗糙度Ra在1μm²的测定范围为以下，

所述第1浸渍工序的所述溶液的pH为6.5以上8.5以下。

2.如权利要求1所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，在所述超声波清洗工序后进一步具备将所述玻璃部件在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上的第2浸渍工序。

3.如权利要求1或2所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，进一步具备下述工序：

擦洗工序，其中，在所述超声波清洗工序后对所述玻璃部件实施擦洗；和

第3浸渍工序，其中，在所述擦洗工序后在pH6.5以上8.5以下的溶液中浸渍5分钟以上。

4.如权利要求1～3任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，所述溶液的pH小于6.5时，进一步具备向所述溶液添加调节剂从而使pH为6.5以上8.5以下的工序。

5.如权利要求1～4任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，所述第1浸渍工序的所述溶液的pH为7以上8以下。

6.如权利要求1～5任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，所述第1浸渍工序中的所述浸渍时间为120分钟以下。