CN104395959B - 信息记录介质用玻璃基板和信息记录介质用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

该信息记录介质用玻璃基板在玻璃基板的主表面上形成有磁性记录层，其是用于磁性记录面中的记录密度为600Gbit/平方英寸以上的信息记录介质的信息记录介质用玻璃基板，其中，对于该信息记录介质用玻璃基板而言，在进行将该信息记录介质用玻璃基板在40℃、pH11的氢氧化钠溶液中浸渍30分钟的第1碱处理的情况下，上述第1碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下，在进行将该信息记录介质用玻璃基板在25℃、pH12的氢氧化钠溶液中浸渍2.5小时的第2碱处理的情况下，上述第2碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下。

Description

信息记录介质用玻璃基板和信息记录介质用玻璃基板的制造 方法

技术领域

本发明涉及信息记录介质用玻璃基板和信息记录介质用玻璃基板的制造方法。

背景技术

以往，在用于计算机等的信息记录介质(磁盘记录介质)中，使用了铝基板或玻璃基板。在这些基板上形成有磁性薄膜层，利用磁头使磁性薄膜层磁化，由此在磁性薄膜层中记录信息。

近年来，在硬盘驱动器(HDD)装置中，记录密度愈发高密度化。因记录密度的高密度化，信息记录介质(载体)与在信息记录介质上浮起而进行记录的读写的磁头的间隙(浮起高度)缩小至几nm左右。

随着浮起高度变小，在将信息记录介质用于硬盘驱动器装置中的情况下，容易发生访问记录于介质中的数据时的读取错误和/或写入错误、及磁头碰撞介质表面的磁头碰撞等问题。为了抑制这些问题，作为信息记录介质而被容许的基板表面的缺陷的大小也进一步减小，因此，作为信息记录介质用玻璃基板，进一步追求表面平滑性的水准。为了抑制在玻璃基板表面所附着的异物、以及璃基板表面的波纹，对制造方法进行了各种钻研。

另一方面，近年来，HDD的存储容量被进一步提高，现在开发出具有如下记录密度的记录介质：在一张2.5英寸的记录介质中，记录容量为500GB(单面250GB)、面记录密度为600Gbit/平方英寸以上。在这种高记录密度的记录介质中，即使在使用平滑性非常高的玻璃基板的情况下，可知有时也会发生数据访问时的读取错误和/或写入错误，对其原因进行了分析，结果可知并不是现有的磁头碰撞所导致的错误。

针对上述问题，对于制造后的玻璃基板，包括表面状态在内进行了详细调查，但并未发现成为读取错误和/或写入错误发生的主要原因的缺陷，尚未找到具体的解决方案，但是由详细调查的结果发现，对制造后的玻璃基板设置磁性层后，会产生磁信号的信噪比的偏差，有可能成为发生读取错误和/或写入错误的主要原因。本发明中，将这种磁信号的信噪比的偏差也称为电磁转换特性(SNR)的降低。

对于这种磁信号的信噪比的偏差的主要原因进一步进行了研究，可知下述结果。一般来说，记录介质用的玻璃基板在制造后暂时被密封捆包并被运送，之后取出并供涂设磁性层的工序。此时，由于捆包时、运送时、取出时的条件的不同，玻璃基板的表面状态不均匀化，或者有时会附着少量的颗粒，因此为了使表面状态均匀，会使用碱溶液之类的清洗性比较高的清洗剂进行清洗，根据情况，也会使用具有使表面略微溶解的特性的清洗剂进行清洗(参照日本特开2006-127624号公报(专利文献1))。已经明确的是，上述磁信号的信噪比的偏差是在即将涂设这种磁性层前进行的清洗中玻璃表面的稳定状态受损所产生的，即使在制造后对玻璃基板本身进行检查，也无法判明主要原因。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-127624号公报

发明内容

发明要解决的课题

如上所述，在记录密度为600Gbit/平方英寸以上的硬盘驱动器装置中所用的玻璃基板中，虽然玻璃基板本身的平滑性、清洁性没有问题，但是作为信息记录介质，发生了电磁转换特性(SNR)降低的问题。

本发明人进行了反复验证，结果发现，在上述碱清洗工序的前后Ra(表面平均粗糙度)的变化大的玻璃基板中，显著地发生了电磁转换特性(SNR)的降低。

在碱清洗工序后玻璃基板的Ra发生大幅变化的情况下，会引起磁性薄膜层(磁性层)的取向性的偏差。其结果，可知：在Ra大幅变化的玻璃基板上形成了磁性薄膜层的信息记录介质中，会引起信噪比(S/N比:SNR)的降低。

本发明是鉴于上述实际情况而进行的，其目的在于提供一种即使在用于磁性记录面中的记录密度为600Gbit/平方英寸以上的记录密度非常高的信息记录介质的情况下也不会引起信噪比(S/N比)的降低的信息记录介质用玻璃基板以及信息记录介质用玻璃基板的制造方法。

用于解决课题的方案

基于本发明的信息记录介质用玻璃基板中，在玻璃基板的主表面上形成有磁性记录层，该信息记录介质用玻璃基板用于磁性记录面中的记录密度为600Gbit/平方英寸以上的信息记录介质，其中，对于该信息记录介质用玻璃基板而言，在进行将该信息记录介质用玻璃基板在40℃、pH11的氢氧化钠溶液中浸渍30分钟的第1碱处理的情况下，上述第1碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下，在进行将该信息记录介质用玻璃基板在25℃、pH12的氢氧化钠溶液中浸渍2.5小时的第2碱处理的情况下，上述第2碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下。

在其它方式中，对于上述信息记录介质用玻璃基板而言，上述第1碱处理前后的Ra变化值的平均值为以下，上述第2碱处理前后的Ra变化值的平均值为以下。

在其它方式中，利用原子力显微镜所测定的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra在1μm²区域的测定中为且在10μm²区域的测定中为

基于本发明的信息记录介质用玻璃基板的制造方法中，其为上述任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，对圆盘状玻璃部件的主表面进行研磨工序，在上述研磨工序后，实施下述处理：使研磨后的所述圆盘状玻璃部件与0.1ppm～1.4ppm的含氢水接触1分钟～10分钟，之后使上述圆盘状玻璃部件与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟，之后使上述圆盘状玻璃部件与0.05％～0.5％的有机酸接触5分钟～20分钟；其后实施最终清洗工序。

基于本发明的另一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法中，其为上述任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，对圆盘状玻璃部件的主表面进行研磨工序，在上述研磨工序后，实施下述处理：使研磨后的上述圆盘状玻璃部件与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟后，使上述圆盘状玻璃部件与0.05％～0.5％的有机酸接触5分钟～20分钟；其后实施最终清洗工序。

基于本发明的另一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法中，其为上述任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，对圆盘状玻璃部件的主表面进行研磨工序，在上述研磨工序后，实施下述处理：使研磨后的上述圆盘状玻璃部件与1.5ppm的含氢水接触3分钟，之后使该研磨后的上述圆盘状玻璃部件与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟；其后实施最终清洗工序。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种即使在用于磁性记录面中的记录密度为600Gbit/平方英寸以上的记录密度非常高的信息记录介质的情况下也不会引起信噪比(S/N比)的降低的信息记录介质用玻璃基板以及信息记录介质用玻璃基板的制造方法。

附图说明

图1是实施方式中的信息记录介质用玻璃基板的立体图。

图2是实施方式中的信息记录介质的立体图。

图3是示出实施方式中的信息记录介质的制造方法的流程图。

图4是示出实施例1～3和比较例1～2的信息记录介质用玻璃基板的评价结果的图。

具体实施方式

下面，对实施方式和实施例进行说明。对于相同或者相当的部分，有时标注相同的参照标号，且不再重复其说明。在以下说明的实施方式和实施例中，在提及个数、数量等的情况下，除了特别说明的情况以外，本发明的范围未必限于该个数、数量等。在以下的实施方式中，除了特别说明的情况以外，各个构成要素对本发明不一定是必须的。

(信息记录介质1的结构)

参照图1和图2，对信息记录介质用玻璃基板1G和信息记录介质1的结构进行说明。图1是信息记录介质用玻璃基板1G的立体图，图2是信息记录介质的立体图。

如图1所示，在信息记录介质1中使用的信息记录介质用玻璃基板1G(以下，称作“玻璃基板1G”)呈在中心形成有孔11的环状的圆板形状。玻璃基板1G具有外周端面12、内周端面13、正面主表面14以及反面主表面15。作为玻璃基板1G，使用了非晶质玻璃等，例如，外径约65mm，内径约20mm，厚度约0.8mm，表面粗糙度约以下。

对玻璃基板1G的英寸尺寸没有特别限定，可以制造0.8英寸、1.0英寸、1.8英寸、2.5英寸、3.5英寸各种玻璃基板1G作为信息记录介质用的盘片。

由于可有效应对由下落冲击导致的玻璃基板1G的破裂，玻璃基板1G的厚度优选为0.30mm～2.2mm。此处所谓玻璃基板1G的厚度意味着，在作为基板上的点对象的任意数点处测定的值的平均值。

如图2所示，信息记录介质1在上述玻璃基板1G的正面主表面14上形成有磁性薄膜层23。在图示中，仅在正面主表面14上形成磁性薄膜层23，但是，也可以在反面主表面15上设置磁性薄膜层23。

作为磁性薄膜层23的形成方法，可以使用现有公知的方法，例如可以举出在玻璃基板1G上旋涂分散有磁性粒子的热固化性树脂来形成的方法、通过溅射来形成的方法、通过非电解镀覆来形成的方法。

旋涂法得到的膜厚为约0.3μm～1.2μm左右，溅射法得到的膜厚为0.01μm～0.08μm左右，非电解镀覆法得到的膜厚为0.01μm～0.1μm左右，出于薄膜化以及高密度化的观点，基于溅射法和非电解镀覆法的膜形成较好。

作为在磁性薄膜层23中使用的磁性材料，没有特别限定，可以使用现有公知的材料，但是，为了得到高保持力，Co系合金等是合适的，Co系合金是以结晶各向异性高的Co为基础并出于调整剩余磁通密度的目的添加Ni、Cr而成的。近年来，作为适合于热辅助记录用的磁性层材料，使用了FePt系的材料。

为了提高磁头的光滑度，可以在磁性薄膜层23的表面薄薄地涂覆润滑剂。作为润滑剂，例如可以举出用氟利昂系等的溶剂将作为液体润滑剂的全氟聚醚(PFPE)稀释而成的润滑剂。

根据需要，可以设置基底层、保护层。信息记录介质1中的基底层可根据磁性膜来进行选择。作为基底层的材料，例如可以举出从Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性金属中选出的至少一种以上的材料。

基底层不限于单层，也可以设为层叠相同种类或不同种类的层而成的多层结构。例如，可以设为Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等的多层基底层。

作为防止磁性薄膜层23的磨损、腐蚀的保护层，例如，可举出Cr层、Cr合金层、碳层、氢化碳层、氧化锆层、二氧化硅层等。保护层可以通过内联型溅射装置，与基底层、磁性膜等一起连续地形成。保护层可以是单层，或者由相同种类或不同种类的层构成的多层结构。

可以在上述保护层上形成其它保护层，或者，替代上述保护层而形成其它保护层。例如，替代上述保护层，在Cr层上，在用醇系的溶剂稀释四烷氧基硅烷得到的产物中分散胶态二氧化硅微粒进行涂覆，进一步进行烧制，形成二氧化硅(SiO₂)层。

如上所述，信息记录介质用的玻璃基板1G在制造后被捆包材料密闭捆包并被流通，之后从捆包材料中取出，设置磁性薄膜层23等，在即将设置磁性薄膜层23等之前，为了除去捆包时和/或运输时附着的微小颗粒，或者为了消除因条件的不同导致的表面状态的不均匀性，利用碱溶液等实施清洗处理。

即使在实施这种碱清洗处理的情况下，若为下述信息记录介质用玻璃基板，则即使在用于磁性记录面中的记录密度为600Gbit/平方英寸以上的记录密度非常高的信息记录介质的情况下，也可以充分抑制信噪比(S/N比)的降低：对于该信息记录介质用玻璃基板而言，在进行将上述信息记录介质用玻璃基板在40℃、pH11的氢氧化钠溶液中浸渍30分钟的第1碱处理时，上述第1碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下，在进行将上述信息记录介质用玻璃基板在25℃、pH12的氢氧化钠溶液中浸渍2.5小时的第2碱处理时，上述第2碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下。

(玻璃基板1G的制造工序)

接下来，参照图3，对本实施方式的玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法进行说明。图3是示出玻璃基板1G和信息记录介质1的制造方法的流程图。

首先，在步骤10(以下，省略为“S10”，在步骤11以后也相同)的“玻璃熔融工序”中，使构成玻璃基板的玻璃坯料熔融。

在S11的“模压成型工序”中，通过使用了上模和下模的模压，将熔融玻璃坯料制造成玻璃基板。所使用的玻璃组分使用了通常的铝硅酸盐玻璃。作为玻璃基板的制造方法，不限于成型，也可以是作为公知的方法的从板状玻璃的切割等，玻璃组分也不限于此。

在S12的“第1磨削工序”中，对玻璃基板的两主表面进行磨削加工。该第1磨削工序是使用利用了行星齿轮机构的双面磨削装置来进行的。具体而言，从上下方将磨削盘按压于玻璃基板的两面，向玻璃基板的主表面供给磨削液，使它们相对地移动来进行磨削加工。通过该磨削加工，得到具有大致平坦的主表面的玻璃基板。

在S13的“取心工序”中，使用圆筒状的金刚石钻头，在玻璃基板的中心部形成孔，制造出圆环状的玻璃基板。通过金刚石磨石对玻璃基板的内周端面和外周端面进行磨削，实施规定的倒角加工。

在S14的“第2磨削工序”中，与上述第1磨削工序(S12)同样，对玻璃基板的两主表面进行磨削加工。通过进行该第2磨削工序，能够预先将在前工序的取心和端面加工中形成在主表面的细微的凹凸形状去除。其结果是，能够缩短后续工序中的主表面的研磨时间。

在S15的“外周研磨工序”中，在玻璃基板的外周端面，进行基于磨刷(brush)研磨的镜面研磨。作为此时的研磨磨粒，使用了包含通常的氧化铈磨粒的浆料。

在S16的“第1抛光工序”中，进行主表面研磨。该第1抛光工序的主要目的是对在上述第1磨削工序和第2磨削工序(S12、S14)中残留在主表面的划痕和翘曲进行矫正。在该第1抛光工序中，利用具有行星齿轮机构的双面研磨装置来进行主表面的研磨。作为研磨剂，使用了通常的氧化铈磨粒。

在S17的“化学强化工序”中，在玻璃基板1G的主表面形成表面强化层。具体而言，在加热到300℃的硝酸钾(70％)和硝酸钠(30％)的混合溶液中，使玻璃基板1G接触约30分钟，由此进行化学强化。其结果是，玻璃基板的内周端面和外周端面的锂离子和钠离子分别被化学强化溶液中的钠离子和钾离子置换，形成压缩应力层，由此使玻璃基板的主表面和端面得到强化。

在S18的“第2抛光工序”中，实施主表面研磨工序。该第2抛光工序的目的是，消除在到上述为止的工序中产生并残存在主表面上的微小缺陷等，精加工成镜面状；消除翘曲，精加工成所期望的平坦度。在该第2抛光工序中，利用具有行星齿轮机构的双面研磨装置来进行研磨。为了得到平滑面，使用平均粒径为约20nm的胶态二氧化硅作为研磨剂。

在进行了上述“第2抛光工序”后，对于即将在信息记录介质用玻璃基板设置磁性薄膜层之前实施的碱清洗处理，为了提高玻璃基板的稳定性、抑制涂布了磁性薄膜层的信息记录介质中的电磁转换特性(SNR)的降低，实施S19的前处理工序，该工序用于抑制对于碱处理的玻璃基板表面的Ra(表面平均粗糙度)的变化。

具体而言，按照下述方式实施前处理工序：在进行将信息记录介质用玻璃基板在40℃、pH11的氢氧化钠溶液中浸渍30分钟的第1碱处理的情况下，上述第1碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下，在进行将信息记录介质用玻璃基板在25℃、pH12的氢氧化钠溶液中浸渍2.5小时的第2碱处理的情况下，上述第2碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下。

作为前处理工序，对于与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟的工序，适当组合用0.1ppm～1.4ppm的含氢水接触1分钟～10分钟的工序和与0.05％～0.5％的有机酸接触5分钟～20分钟的处理，从而可以如上所述调整碱处理后的Ra变化值。

在与碱溶液接触的工序中，通过预先将存在于玻璃基板表面的从碱溶液中溶出的成分去除，从而可以抑制碱处理导致的Ra变化，其结果，即使在即将设置磁性薄膜层之前进行碱清洗的情况下，也可得到抑制信噪比(S/N比)的降低的效果。

但是，此处若提高碱溶液的pH、或延长接触时间，则从玻璃基板表面的溶出变得过剩，Ra变大，难以维持作为信息记录介质用玻璃基板所需要的平滑性，因此仅仅通过与碱溶液接触的工序难以充分抑制对于碱处理的Ra变化，因此需要组合其它的稳定化工序而进行。作为碱溶液，优选使用氢氧化钠溶液等。

此处，与含氢水接触的工序具有使玻璃基板的表面电荷降低的作用。因此，可以抑制碱处理中的Ra的劣化，同时可以提高玻璃基板表面对于碱处理的稳定性。

通过与有机酸接触的工序，可在不损害对于碱处理的稳定的情况下得到使因与碱溶液接触而恶化的Ra平滑化的效果。另一方面，若过度提高有机酸的浓度、或者长时间接触，则会导致Ra的恶化。作为有机酸，例如优选使用抗坏血酸、氨基磺酸等。其中，优选抗坏血酸。

本发明中的在溶液中的“接触”可以是对玻璃基板表面喷淋溶液，也可以是将玻璃基板浸渍到溶液中，只要是与液体接触的状态持续规定时间就没有特别限定。

接下来，在S20的“最终清洗工序(Final Cleaning)”中，实施玻璃基板的主表面、端面的最终清洗。由此，将残存在玻璃基板上的附着物去除。最终清洗工序是在玻璃基板的制造工序的最后进行的工序，适宜地也包括干燥工序。

本实施方式中，信息记录介质用玻璃基板是指结束了最终清洗工序的信息记录介质用玻璃基板，通常用捆包材料密封并进行流通。

本实施方式中，通过对信息记录介质用玻璃基板设置磁性薄膜层而即将制成磁记录介质前所实施的碱清洗处理，可以充分抑制设置磁性薄膜层后的磁记录介质的信噪比(S/N比)的降低，作为其指标，利用对玻璃基板实施特定的碱处理时的Ra变化。

具体而言，为了满足本实施方式中的碱处理中的Ra变化的范围，调整上述前处理工序，确定玻璃基板的制造条件。由此，可以提供下述信息记录介质用玻璃基板：其可以降低磁性薄膜层(磁性层)的取向性的偏差，该取向性的偏差是因在涂布磁性薄膜层前进行的碱清洗工序而导致表面状态劣化而产生的；即使在实施碱清洗处理后设置磁性薄膜层而制造信息记录介质的情况下，也可以充分抑制信噪比(S/N比)的降低。

玻璃基板的表面粗糙度例如使用AFM(Atomic Force Microscope：原子力显微镜)进行测定。关于玻璃基板的表面的Ra，测定玻璃基板上的1μm×1μm的正方形区域。关于Ra的平均值，测定3处以上的玻璃基板上的1μm×1μm的正方形区域，求出其平均值。

在碱处理的前后测定玻璃基板的表面的Ra，从而得到碱处理的前后的Ra变化值(Ra值之差)，根据测定部位数求出Ra变化值的平均值。

本实施方式中的玻璃基板的制造方法如上构成。通过使用该玻璃基板的制造方法，可得到图1所示的玻璃基板1G。其后，利用如此得到的玻璃基板1G，得到图2所示的信息记录介质1。

另外，作为信息记录介质的制造中的磁性薄膜层成膜工序，在经过上述工序而得到的玻璃基板1G的清洗后，在玻璃基板1G的两个主表面，依次形成由Cr合金构成的密合层、由CoFeZr合金构成的软磁性层、由Ru构成的取向控制基底层、由CoCrPt合金构成的垂直磁性记录层、C系的保护层、由F系构成的润滑层的膜，由此，制造出垂直磁性记录方式的信息记录介质。该结构是垂直磁性记录方式的结构的一例，可以构成磁性层等作为面内信息记录介质。然后，通过实施后热处理工序等，完成信息记录介质1。

(实施例)

在上述实施方式中示出的玻璃基板的制造方法中，在进行了“第2抛光工序”后，作为抑制玻璃基板1的表面的Ra(表面平均粗糙度)的变化的前处理工序(S19)，进行实施例1至实施例3所示的处理，制造出玻璃基板1G。对所制造的玻璃基板1G实施碱清洗后，实施磁性薄膜层成膜工序，制造出信息记录介质。同样地，还进行了比较例1至比较例2所示的处理。

(实施例1)

实施例1中，在进行了“第2抛光工序”后，利用1.5ppm的含氢水对玻璃基板通过喷淋实施了3分钟漂洗。其后，使玻璃基板与pH10.5的氢氧化钠溶液接触5分钟，之后使玻璃基板与0.1％的抗坏血酸接触15分钟。其后，利用纯水进行了玻璃基板的最终清洗。

(实施例2)

实施例2中，在进行了“第2抛光工序”后，利用纯水对玻璃基板通过喷淋实施了漂洗。其后，使玻璃基板1G与pH10.5的氢氧化钠溶液接触5分钟，之后使玻璃基板与0.1％的抗坏血酸接触15分钟。其后，利用纯水进行了玻璃基板的清洗。

(实施例3)

实施例3中，在进行了“第2抛光工序”后，利用1.5ppm的含氢水对玻璃基板通过喷淋实施了3分钟漂洗。其后，使玻璃基板与pH10.5的氢氧化钠溶液接触5分钟，其后，利用纯水进行了玻璃基板的清洗。

(比较例1)

比较例1中，在进行了“第2抛光工序”后，使玻璃基板与0.1％的抗坏血酸接触15分钟。其后，利用纯水进行了玻璃基板的清洗。

(比较例2)

比较例2中，在进行了“第2抛光工序”后，利用纯水进行了玻璃基板1G的清洗。

<碱处理引起的Ra变化的测定>

从实施上述实施例1～实施例3、和比较例1～比较例2而得到的100张玻璃基板1G选出10张玻璃基板1G，利用AFM在各玻璃基板中于玻璃基板的1μm×1μm的正方形区域测定了各3处的Ra。

作为基于第1条件的碱处理工序，用40℃、pH11的氢氧化钠溶液对玻璃基板进行了30分钟的碱清洗。其后，利用AFM，在碱处理工序后的各玻璃基板中于玻璃基板的1μm×1μm的正方形区域测定了各3处与碱处理前的Ra的测定相同位置的Ra。

作为第2碱处理工序，用25℃、pH12的氢氧化钠溶液进行了2.5小时的第2碱清洗。其后，利用AFM，在碱处理工序后的各玻璃基板中于玻璃基板的1μm×1μm的正方形区域测定了各3处与碱处理前的Ra的测定相同位置的Ra。

求出各测定点下的碱处理前的Ra测定值与碱处理后的Ra测定值之差，求出它们的平均值，之后将10张样品的平均值作为各实施例中的Ra变化值的平均值。

将实施例1～实施例3和比较例1～比较例2的条件下的Ra变化值的平均值示于表1。

对于玻璃基板1G，每一批制造100张，由于同一批次内的评价的偏差小，因此采用了上述评价。

<信息记录介质中的电磁转换特性评价>

在电磁转换特性评价中，在实施例1～比较例2中，从在碱处理试验中未使用的90张样品中取出任意的20张玻璃基板1G，进行评价。此时，为了与通常的流通状态相对应，用捆包材料暂时密封制造后的玻璃基板，保存1天后取出使用。

此处，关于上述实施例1～实施例3和比较例1～比较例2的20张，测定了Ra。具体而言，作为1μm²区域中的测定，利用AFM在各玻璃基板中于玻璃基板的1μm×1μm的正方形区域进行各3处的Ra的测定，求出平均值。作为100μm²区域中的测定，在10μm×10μm的正方形区域中进行各3处的Ra的测定，求出平均值。

在进行磁性薄膜层成膜工序前，作为碱清洗处理，利用30℃的pH11.5的氢氧化钠溶液在流水清洗槽中进行60分钟浸渍处理。

在电磁转换特性评价中，通过上述的磁性薄膜层成膜工序对20张玻璃基板1G形成磁性薄膜层而得到信息记录介质后，评价电磁转换特性。具体而言，比较了相对于作为基准的信息记录介质的SNR值。

对于信息记录介质的电磁转换特性评价通过调查基于磁头的记录再现特性而进行。具体而言，改变记录频率、变化记录密度而记录信号，读取该信号的再现输出功率，从而进行调查。信息记录介质的记录密度设为650Gbit/平方英寸。

作为磁头，使用了垂直记录用单磁极磁头(记录用)和GMR磁头(再现用)整体化的垂直记录用合并型磁头。SNR值若为～-0.1db则评价为“A”；若为-0.11db～-0.20db则评价为“B”；若为-0.21～-0.30db则评价为“C”；若为-0.31db～则评价为“D”。此处所谓的SNR值表示相对于预先规定的基准值的差。

为了确认为电磁转换特性所引起的错误，利用设定为特定的检测灵敏度的以OSA(Optical Surface Analyzer：光学表面分析仪)为代表的光学系统表面分析装置，通过缺陷检查确认了上述碱清洗处理前的玻璃基板1G的清洁性。关于利用光学系统表面分析装置的缺陷的计数值，每一张信息记录介质的附着物、凹坑等缺陷的数量越大，则表示表面的清净性越不好。

图4中示出实施例1～实施例3和比较例1～比较例2中的评价结果。具体而言，图4中示出：实施例1～实施例3和比较例1～比较例2中的相对于作为基准的信息记录介质的信息记录介质的SNR值(db)；(iv)实施例1～3和比较例1～2中的OSA计数值；(v)实施例1～3和比较例1～2的评价。

实施例1中，(i)第1碱处理的前后的Ra变化值为(ii)第2碱清洗的前后的Ra变化值为使用在实施例1的条件下制造的玻璃基板所制造的信息记录介质的SNR值(db)为“0.21(db)”，(iv)OSA计数值为“7”。其结果，评价得到了“A”。

实施例2中，(i)第1碱处理的前后的Ra变化值为(ii)第2碱清洗的前后的Ra变化值为使用在实施例2的条件下制造的玻璃基板所制造的信息记录介质的SNR值(db)为“-0.12(db)”，(iv)OSA计数值为“10”。其结果，评价得到了“B”。

实施例3中，(i)第1碱处理的前后的Ra变化值为(ii)第2碱清洗的前后的Ra变化值为使用在实施例3的条件下制造的玻璃基板所制造的信息记录介质的SNR值(db)为“-0.23(db)”，(iv)OSA计数值为“8”。其结果，评价得到了“C”。

比较例1中，(i)第1碱清洗的前后的Ra变化值为(ii)第2碱清洗的前后的Ra变化值为使用在比较例1的条件下制造的玻璃基板所制造的信息记录介质的SNR值(db)为“-0.39(db)”，(iv)OSA计数值为“9”。其结果，评价得到了“D”。

比较例2中，(i)第1碱清洗的前后的Ra变化值为(ii)第2碱清洗的前后的Ra变化值为使用在比较例2的条件下制造的玻璃基板所制造的信息记录介质的SNR值(db)为“-0.55(db)”，(iv)OSA计数值为“11”。其结果，评价得到了“D”。

作为评价，若为“A”～“C”，则可以确保作为信息记录介质的信用，因此，若基于实施例1～实施例3和比较例1～比较例2的结果，玻璃基板优选在第1碱处理前后的玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下、第2碱处理前后的玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下的条件下进行制造；从评价“A”和评价“B”的观点来看，优选使用在第1碱处理前后的玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下、第2碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下的条件下所制造的玻璃基板。

在实施例和比较例中，表示玻璃基板表面的清洁性的OSA的测定值未大幅变化，可以确认Ra变化值对SNR特性可产生影响。

若利用使用了上述范围内的玻璃基板1G的信息记录介质，则可以提供即使在用于记录密度为600Gbit/平方英寸以上的硬盘驱动器装置的情况下也不会引起信噪比(S/N比)的降低的信息记录介质用玻璃基板。

以上，对本发明的实施方式和实施例进行了说明，但是应该认识到，本次公开的实施方式和实施例在所有方面仅为例示而不是限制。要表达的是，本发明的范围由权利要求书表示，包含与权利要求书等同的含义和范围内的全部变更。

符号说明

1信息记录介质、1G信息记录介质用玻璃基板、11孔、12外周端面、13内周端面、14正面主表面、15反面主表面、23磁性薄膜层。

Claims (6)

1.一种信息记录介质用玻璃基板，该信息记录介质用玻璃基板在玻璃基板的主表面上形成有磁性记录层，其用于磁性记录面中的记录密度为600Gbit/平方英寸以上的信息记录介质，其中，

对于该信息记录介质用玻璃基板而言，

在进行将该信息记录介质用玻璃基板在40℃、pH11的氢氧化钠溶液中浸渍30分钟的第1碱处理的情况下，所述第1碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下，

在进行将该信息记录介质用玻璃基板在25℃、pH12的氢氧化钠溶液中浸渍2.5小时的第2碱处理的情况下，所述第2碱处理前后的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra变化值的平均值为以下。

2.如权利要求1所述的信息记录介质用玻璃基板，其中，

对于所述信息记录介质用玻璃基板而言，

所述第1碱处理前后的Ra变化值的平均值为以下，

所述第2碱处理前后的Ra变化值的平均值为以下。

3.如权利要求1或2所述的信息记录介质用玻璃基板，其中，利用原子力显微镜所测定的该信息记录介质用玻璃基板的表面的Ra在1μm²区域的测定中为 且在10μm²区域的测定中为

4.一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，

对圆盘状玻璃部件的主表面进行研磨工序，

在所述研磨工序后，实施下述处理：使研磨后的所述圆盘状玻璃部件与0.1ppm～1.4ppm的含氢水接触1分钟～10分钟，之后使所述圆盘状玻璃部件与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟，之后使所述圆盘状玻璃部件与0.05％～0.5％的有机酸接触5分钟～20分钟；其后实施最终清洗工序。

5.一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，

对圆盘状玻璃部件的主表面进行研磨工序，

在所述研磨工序后，实施下述处理：使研磨后的所述圆盘状玻璃部件与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟后，使所述圆盘状玻璃部件与0.05％～0.5％的有机酸接触5分钟～20分钟；其后实施最终清洗工序。

6.一种信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其为权利要求1～3中任一项所述的信息记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，

对圆盘状玻璃部件的主表面进行研磨工序，

在所述研磨工序后，实施下述处理：使研磨后的所述圆盘状玻璃部件与1.5ppm的含氢水接触3分钟，之后使该研磨后的所述圆盘状玻璃部件与pH10.0～11.0的碱溶液接触5分钟～20分钟；其后实施最终清洗工序。