CN103978422A - 磁记录介质用玻璃基板的制造方法及磁记录介质用玻璃基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供磁记录介质用玻璃基板的制造方法及磁记录介质用玻璃基板。即提供一种在磁记录介质用玻璃基板的主表面中能够使短波长的表面波纹度和中波长的表面波纹度足够小的磁记录介质用玻璃基板的制造方法。该磁记录介质用玻璃基板的制造方法包含研磨工序：使用具有研磨面的软质研磨垫，对玻璃基板的主表面进行研磨，所述研磨面在测定波长2.5～80μm时的表面粗糙度Ra为0.40～1.40μm、且在测定波长2.5～800μm时的表面粗糙度Ra为0.40～2.00μm。

Description

磁记录介质用玻璃基板的制造方法及磁记录介质用玻璃基板

技术领域

本发明涉及磁记录介质用玻璃基板的制造方法及磁记录介质用玻璃基板。 

背景技术

近年来，随着磁盘（以下，也称为磁记录介质。）的高记录密度化的要求，磁记录介质上的比特尺寸正逐渐微型化。因此，要求能够将与更小的比特尺寸对应的微弱的磁信号正确地记录和/或再生。 

为了将微弱的磁信号正确地记录和/或再生，需要尽量减小磁记录介质与磁头的距离（磁头的浮起量）。磁头一定程度地追随磁记录介质的主表面的表面波纹度，但磁记录介质的主表面的表面波纹度过大时，难以使磁头稳定地浮起。为了在磁头的浮起量小的状态下稳定地进行记录的读写，需要减小作为磁记录介质的基板的磁记录介质用玻璃基板的主表面的表面波纹度。 

为了减小表面波纹度，使用表面粗糙度小的软质研磨垫对磁记录介质用玻璃基板的主表面进行精研磨。具体而言，在专利文献1中，首先，将软质研磨垫安装于研磨平台后，使用具有金刚石粒子等作为磨粒的修整器对其表面实施修整处理。然后，使用经修整处理的软质研磨垫对磁记录介质用玻璃基板进行研磨，制造表面波纹度小的磁记录介质用玻璃基板。对于软质研磨垫，由于通过除去由研磨平台的表面的凹凸形状产生的软质研磨垫的表面的波纹度等而使研磨面更平滑，因此在安装于研磨平台后实施修整处理。 

专利文献1：日本特开2008-112572号公报 

发明内容

然而，即使使用由专利文献1中记载的方法实施了修整处理的软质研磨垫，也难以提供与满足近年的高记录密度化要求的磁记录介质对应 的磁记录介质用玻璃基板。 

随着磁记录介质的高记录密度化，磁头滑块的尺寸变小，对磁头的浮起量变小。磁头容易追随具有比其滑块的长度长的波长的磁记录介质的主表面的波纹度，但不易追随具有与滑块的长度相同程度以下的波长的波纹度。因此，磁头滑块的尺寸变小时，需要减小更短的波长区域的表面波纹度而使磁头能够稳定地在磁记录介质上浮起。而且，对于作为磁记录介质的基板的磁记录介质用玻璃基板的主表面，也开始要求减小更短的波长区域的表面波纹度。 

本申请发明的目的在于，提供在磁记录介质用玻璃基板的主表面能够充分减小短波长的表面波纹度和中波长的表面波纹度的磁记录介质用玻璃基板的制造方法。 

本申请发明提供一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，该方法包含研磨工序：使用具有研磨面的软质研磨垫，对玻璃基板的主表面进行研磨，所述研磨面在测定波长2.5～80μm时的表面粗糙度Ra为0.40～1.40μm、且在测定波长2.5～800μm时的表面粗糙度Ra为0.40～2.00μm。 

根据本发明，能够提供在磁记录介质用玻璃基板的主表面，能够充分减小短波长的表面波纹度和中波长的表面波纹度的磁记录介质用玻璃基板的制造方法。 

附图说明

图1是本实施方式涉及的修整器的一个例子的概略构成图。 

图2是双面研磨装置的一个例子的示意纵截面图。 

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明涉及的实施方式。 

［磁记录介质用玻璃基板的制造方法的概要］ 

对本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的制造方法的概要进行说明。 

首先，在本发明中，磁记录介质用玻璃基板可以是非晶玻璃，也可以是结晶化玻璃，还可是在玻璃基板的表层具有强化层的强化玻璃（例如，化学强化玻璃）。举一个例子：对磁记录介质用玻璃基板要求高机械强度时，实施在玻璃基板的表层形成强化层的强化工序（例如，化学强化工序）。强化工序可以在最初的研磨工序之前、最后的研磨工序之后、或者各研磨工序之间的任意时刻实施。 

本发明的磁记录介质用玻璃基板的原材料玻璃基板利用浮式法、熔融法、冲压成型法、下拉法或者再拉法等方法成型，但本发明不限于此。 

磁记录介质用玻璃基板通过对上述方法中成型的玻璃素板实施包含下述工序的工序来制造，即， 

（工序1）形状赋予工序，将原材料玻璃基板加工成在中央部具有圆形孔的圆盘形状后，对内周侧面和外周侧面实施倒角加工； 

（工序2）端面研磨工序，对玻璃基板的端面（内周端面和外周端面）进行研磨； 

（工序3）主表面研磨工序，对研磨玻璃基板的上下两个主表面进行研磨； 

（工序4）清洗工序，对玻璃基板进行精密清洗并干燥。 

然后，利用包含上述工序的制造方法得到的磁记录介质用玻璃基板经由形成磁性层等薄膜的工序而成为磁记录介质。 

可以在主表面研磨工序之前实施主表面的打磨（ラップ）（例如，游离磨粒打磨、固定磨粒打磨等），另外，可以在各工序间实施玻璃基板的清洗（工序间清洗）、玻璃基板表面的蚀刻（工序间蚀刻）。应予说明，这里所说的主表面的打磨是广义的主表面的研磨。另外，研磨工序可以仅进行一级研磨，也可以进行一级研磨和二级研磨，还可以在二级研磨之后进行三级研磨。 

接着，对各工序进行说明。 

（工序1）形状赋予工序 

在形状赋予工序中，将原材料玻璃基板加工成中央部具有圆形孔的圆盘形状后，对内周侧面和外周侧面实施倒角加工。形状赋予工序中的内周和外周侧面部的倒角加工通常使用固定有金刚石磨粒的磨具进行。 

（工序2）端面研磨工序 

在端面研磨工序中，对玻璃基板的内周端面和外周端面进行端面研磨。 

外周端面和内周端面的研磨先实施哪个都可以。 

（工序3）主表面研磨工序 

在主表面研磨工序中，使用双面研磨装置，边对玻璃基板的主表面供给研磨液边研磨玻璃基板的上下主表面。应予说明，作为双面研磨装置，没有特别限定，例如可以使用16B型双面研磨装置、20B型双面研磨装置、22B型双面研磨装置等。 

研磨工序可以是仅为一级研磨（精研磨）的一步研磨，也可以是进行一级研磨和二级研磨（精研磨）的二步研磨，还可以是经过一级研磨、二级研磨后再进行三级研磨（精研磨）的三步研磨。通常可以在各研磨工序之间设置清洗工序（工序间清洗）。 

本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的制造方法通过在该精研磨工序中实施后述的特定方法，从而制造主表面的表面波纹度足够小的磁记录介质用玻璃基板。后述精研磨的详细内容。 

（工序4）清洗工序 

在清洗工序中，对精研磨后的玻璃基板依次进行例如使用了洗剂的擦洗、在浸渍于洗剂溶液的状态下进行的超声波清洗、在浸渍于纯水的状态下进行的超声波清洗等，并利用异丙醇等的蒸气进行干燥。 

［本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的制造方法］ 

在本实施方式中，作为上述（工序3）中的精研磨的研磨工具，使用具有后述的研磨面特性的软质研磨垫并使用含有胶态二氧化硅的研磨液，利用双面研磨装置对上下主表面进行研磨。 

软质研磨垫通常是指具有基础层和由泡沫塑料等制作的表面层（通常被称为NAP层）的研磨垫。在本实施方式中，通过修整处理而将软质研磨垫表面层的表皮磨削除去。由此，使泡沫塑料所含的气泡开口，形成研磨玻璃基板的研磨面。这样，将表面层的表皮磨削除去而使泡沫塑料的气泡开口的状态的软质研磨垫也可以称为绒面型的研磨垫。软质研磨垫常被用于玻璃基板的精研磨。 

作为含有胶态二氧化硅的研磨液，优选使用以一次粒子的平均粒子直径为1～50nm、优选为5～30n、，进一步优选为10～30nm的胶态二氧化硅为主成分的研磨液。 

软质研磨垫在研磨玻璃基板之前，预先使用修整器实施修整处理，调整研磨垫的研磨面的形状和表面粗糙度。 

例如聚氨酯制的软质研磨垫在内部具有发泡层，其中具有暂时保持研磨剂粒子的构成。因此，为了使该发泡层开口，需要使用修整器对软质研磨垫的研磨面实施修整处理，将研磨垫的表面层磨削除去，形成研磨面。作为修整处理，将研磨垫安装于后述的研磨装置的平台后，使用后述的修整器将研磨垫的表面层磨削除去。 

图1中示出本实施方式涉及的修整器的一个例子的概略构成图。 

如图1所示，修整器10具有将不锈钢或者铝合金等金属加工成圆盘形状而成的底座12、和形成于底座12的上平面14的金刚石磨粒等的磨粒层16。磨粒层16利用例如电沉积法或者钎焊法等方法形成规定的图案。作为磨粒层16的层叠图案的一个例子，图1中示出了沿底座12的周向形成有多个扇形的磨粒层16的构成，但本发明不局限于此。 

应予说明，作为磨粒的形成方法的一个例子的钎焊法是指利用钎焊形成保持（固定）金刚石磨粒等磨粒的磨粒层的方法。更具体而言，是通过使高温的熔融状态的钎焊料附着于金刚石磨粒等磨粒的表面后使其固化来固定磨粒的方法。 

用钎焊法形成磨粒层的修整器的磨粒层的表面与用后述的电沉积法形成磨粒层的修整器的磨粒层的表面相比，磨粒的突出量多，且磨粒上部的高度均匀。因此，如果使用由钎焊法形成磨粒层的修整器对研磨 垫的表面实施修整处理，则能够得到更平滑的研磨面。 

另一方面，用电沉积法形成磨粒层时，由于通过镀覆等在底座的上平面形成固定（保持）磨粒的磨粒层的金属而将磨粒埋入磨粒层，所以磨粒直径的一半以上被埋入金属的磨粒层中。因此，用电沉积法形成磨粒层的修整器的磨粒层的表面与钎焊法的修整器的表面相比，磨粒的突出量变小。另外，为了防止修整处理中磨粒从磨粒层脱落，要混合粒径不同的磨粒，成为粒径小的磨粒进入粒径大的磨粒之间的构成。因此，用电沉积法形成磨粒层的修整器的表面与用钎焊法形成的修整器的表面相比，不均匀。因此，如果使用由电沉积法形成磨粒层的修整器对研磨垫实施修整处理，则有研磨垫的研磨面的表面粗糙度变大的趋势。然而，利用由电沉积法形成磨粒层的修整器进行的修整处理与利用由钎焊法形成磨粒层的修整器进行的修整处理相比，修整处理速度快、且研磨垫的磨削时的阻力小。 

修整处理可以使用上述主表面研磨工序中的双面研磨装置实施。图2中示出在主表面研磨工序、修整处理工序中可使用的双面研磨装置的一个例子的示意纵截面图。如图2所示，双面研磨装置100以同时研磨多个玻璃基板的两个主表面的方式被构成。双面研磨装置100具有基座200、下平台300、上平台400、升降机构500和旋转传递机构600。下平台300被可旋转地支撑于基座200的上部，基座200的内部安装有作为后述的驱动部的旋转驱动上平台400等的驱动马达。 

下平台300具有下侧研磨垫，该下侧研磨垫对保持于未图示的载体上的多个玻璃基板的下表面进行研磨。另外，上平台400具有上侧研磨垫，该上侧研磨垫与下平台300的上方对置配置并对多个玻璃基板的上表面进行研磨。 

升降机构500被竖立于基座200的上方的圆形框架700支撑，具有在载体交换时使上平台400升降的升降用汽缸装置520。升降用汽缸装置520以沿垂直向下的方向进行伸缩动作的方式被安装于框架700的横梁720的中央。升降用汽缸装置520的活塞杆540延伸至下方。 

活塞杆540的下侧前端部与悬挂部件800的中央部结合。悬挂部件800以悬挂上平台400的方式被安装。悬挂部件800具备在上下方向延 伸的多个支柱800a、被固定在支柱800a的下端部的圆环状安装部件800b、和被固定在支柱800a的上端部的板状安装部件800c。上平台400的上表面被固定在圆环状安装部件800b的下表面。因此，向上方或者下方驱动升降用汽缸装置520的活塞杆540时，活塞杆540与介由悬挂部件800连接的上平台400也同时被驱动，从而上升或者下降。 

旋转传递机构600在上平台400的驱动马达的马达驱动轴610的上端具有形成为圆筒形状的结合部620。另外，旋转传递机构600具有可与形成于贯穿上平台400的中心孔的结合部620的上侧侧面的键槽（凹部）620a嵌合的键（爪）810。在上平台400的内周侧突出的键810以支轴820为摆动中心，通过支轴820被可摆动地安装于圆环状安装部件800b。 

双面研磨装置100具有控制上平台400、升降机构500、和旋转传递机构600的控制部900。控制部900具备CPU等运算处理装置，根据由运算处理装置处理的规定的程序，能够执行规定的处理。 

作为使用了图2所示的双面研磨装置的修整处理的方法，首先，将软质研磨垫安装于双面研磨装置的平台表面。然后，使用预先制作的修整器，边流通水边以规定的压力、规定的时间实施修整处理。由此，将软质研磨垫的表面层细致地磨削除去，使微小的开口部出现在研磨面，并且将软质研磨垫的研磨面调整至规定的表面粗糙度。应予说明，修整处理可以使用1种修整器实施一级修整处理，也可以使用2种以上的修整器实施二级以上的修整处理。 

在本实施方式中，使用如下的软质研磨垫对玻璃基板的主表面进行精研磨，即，修整处理后的软质研磨垫的研磨面 

（a）在测定波长2.5～80μm时的表面粗糙度Ra为0.40～1.40μm，更优选为0.40～1.34μm，进一步优选为0.40～1.24μm，且（b）在测定波长2.5～800μm时的表面粗糙度Ra为0.40～2.00μm，更优选为0.40～1.80μm，进一步优选为0.40～1.75μm。 

通过使用上述软质研磨垫进行精研磨，从而能够制造在测定波长40～200μm时的表面波纹度Wa（短波长的表面波纹度）为0.06nm以 下、且在测定波长200～1250μm时的表面波纹度Wa（中波长的表面波纹度）为0.08nm以下的磁记录介质用玻璃基板。即，利用本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，能够制造从短波长区域直到中波长区域的表面波纹度足够小的磁记录介质用玻璃基板。 

近年来，随着磁记录介质的高记录密度化，磁头滑块的大小变小，滑块的浮起量变小。在与磁头滑块的长度相同程度的波长区域的磁记录介质的主表面的波纹度大时，滑块难以追随该波纹度，滑块的浮起姿态变得不稳定，难以使滑块稳定地浮起于磁记录介质的主表面。 

另外，磁记录介质的主表面的波纹度受到作为磁记录介质的基板的磁记录介质用玻璃基板的主表面的波纹度很大的影响。因此，为了使滑块的浮起姿态稳定化，重要的是使在与滑块的长度相同程度的波长区域的磁记录介质用玻璃基板的主表面的波纹度足够小。 

应予说明，使用采用表面粗糙度大的修整器实施了修整处理的软质研磨垫对玻璃基板的主表面进行研磨时，能够减小主表面的长波长区域的表面波纹度，但难以减小短波长区域的表面波纹度。另一方面，使用采用表面粗糙度小的修整器实施了修整处理的软质研磨垫对玻璃基板的主表面进行研磨时，能够减小主表面的短波长区域的表面波纹度，但难以减小长波长区域的表面波纹度。 

在本实施方式涉及的磁记录介质用玻璃基板的制造方法中，为了应对随着近年来的磁记录介质的高记录密度化而尺寸逐渐减小的磁头滑块，通过使用具有满足上述特性的研磨面的软质研磨垫进行精研磨，从而能够充分减小磁记录介质用玻璃基板的主表面的短波长区域的表面波纹度（在测定波长40～200μm时的表面波纹度Wa），以及中波长区域的表面波纹度（在测定波长200～1250μm时的表面波纹度Wa）。 

另外，近年来，为了提高磁记录装置的读取速度，有在硬盘驱动器（HDD）中使磁记录介质的旋转速度高速化的趋势，但被指出存在如下问题，即，由于在使磁记录介质在HDD中高速旋转时产生的称为颤振的磁盘的振动，使磁头的浮起姿态变得不稳定。 

产生颤振的原因有多种，认为数mm级的表面的波纹度也是原因之 一。通过减小这样的长波长区域的表面波纹度，从而能够抑制高速旋转时的颤振，有望使磁头的浮起姿态更稳定化。因此，作为磁记录介质的基板的磁记录介质用玻璃基板的主表面也被要求减小长波长区域的表面波纹度。 

在本实施方式中，优选使用在测定波长8.3～2500μm时的表面粗糙度Ra为0.60～2.30μm的软质研磨垫进行精研磨。由此，能够制造测定波长1250～5000μm之类的长波长区域的表面波纹度Wa为0.13nm以下的磁记录介质用玻璃基板。 

通过减小磁记录介质用玻璃基板的从短波长区域直到中波长区域的表面波纹度，并且也减小长波长区域的表面波纹度，从而可期待使磁记录介质在HDD中高速旋转时的磁头的浮起姿态更稳定化。 

另外，通过减小磁记录介质用玻璃基板的从短波长区域直到中波长区域的表面波纹度，且减小长波长区域的表面波纹度，从而即使是作为最精密的（小的）磁头滑块的“飞米滑块”（长度约0.85mm）、或者比它大的滑块，也可成为可适用的磁记录介质用玻璃基板。 

因此，能够同时制造使用了不同尺寸的滑块的不同品种的HDD用的磁记录介质用玻璃基板，能够生产率良好地制造面向多品种的HDD的磁记录介质用玻璃基板。 

应予说明，研磨垫的研磨面的表面粗糙度Ra可以根据JIS B0651-2001，使用探针式的表面粗糙度仪测定。 

另外，磁记录介质用玻璃基板的主表面的表面波纹度Wa可以使用光散射方式表面观察机来测定。作为测定方法，将激光入射到测定对象物的表面，检测从测定对象物反射的光，从而得到主表面的高度信息。 

（磁盘的制造方法） 

本发明的磁记录介质利用例如如下所述的方法，在磁记录介质用玻璃基板上形成包含磁性层的多层膜而得到。这里举出一个例子，但本发明不局限于下述方法。 

磁记录介质成为例如在玻璃基板的主表面上至少层叠有磁性层（磁 记录层）、保护层、润滑层的构成。此时，也可以在磁性层下形成附着层和/或基底层等其他层。 

磁性层可以是水平（长边方向）记录方式也可以是垂直记录方式，但从提高记录密度的方面考虑，优选为垂直记录方式。 

为垂直记录方式时，通常形成CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoFeB或者CoZrN等（软磁性）基底层。通过形成（软磁性）基底层，从而使由磁头产生的记录磁场环流。 

另外，可以在基底层与磁性层之间形成Ru、Ru合金等的非磁性中间层。通过形成非磁性中间层，从而能够更容易形成通过外延生长成膜的磁性层。另外，能够切断软磁性基底层与记录用磁性层的磁交换耦合。 

垂直记录方式的磁性层是易磁化轴相对于基板面朝向垂直方向的磁性膜，通常使用CoPt系合金。此时，为了降低导致高固有介质噪声的晶粒间交换耦合，优选形成被充分隔离的微粒结构。具体而言，优选在CoPt系合金等中添加SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃或TiO₂等氧化物，或者Cr、B、Cu、Ta或Zr等金属，将CoPt系合金间充分隔离。 

软磁性基底层、中间层以及磁性层可以通过在对由上述玻璃基板的制造方法得到的玻璃基板进行精密清洗（成膜前清洗），除去表面的粒子之后，利用在线溅射法、DC磁控溅射法等方法连续地形成。 

保护层是为了防止磁性层的腐蚀而形成的。另外，磁头与磁记录介质接触时，也起到防止磁记录介质表面的损伤的作用。作为具体的保护层的例子，可举出含有C、ZrO₂或SiO₂等的材料。作为保护层的形成方法，例如可举出在线溅射法、CVD法或者旋涂法等。 

为了减少磁头与磁记录介质的摩擦，在保护膜的表面形成润滑膜。作为润滑膜的具体例，例如可以使用全氟聚醚、氟化醇或者氟化羧酸等。润滑膜可以利用浸渍法或者喷雾法等方法形成。 

［实施例］ 

以下，举出实施例进一步详细说明本发明，但本发明不受这些实施例任何限制。 

［修整处理］ 

（例1） 

作为修整处理，首先将聚氨酯制的软质研磨垫安装于研磨装置的上下平台。 

接着，作为第1阶段的修整处理，边对软质研磨垫的研磨面流通水，边在压力3.0kPa、修整处理时间10分钟的条件下实施修整处理。作为修整器，使用利用电沉积法使#800的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢圆盘而成的修整器。 

接着，作为第2阶段的修整处理，边对软质研磨垫的研磨面流通水，边在压力3.0kPa、修整处理时间30分钟的条件下实施修整处理。作为修整器，使用利用钎焊法使#1000的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器。 

（例2） 

在第2阶段的修整处理中，使用利用钎焊法使#800的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器，将修整处理时间变更为10分钟，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

（例3） 

在第1阶段的修整处理中，使用利用钎焊法使#800的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器，将修整处理时间变更为20分钟，不实施第2阶段的修整处理，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

（例4） 

不实施第2阶段的修整处理，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

（例5） 

在第1阶段的修整处理中，使用利用钎焊法使#1000的金刚石磨粒 附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器，将修整处理时间变更为30分钟，不实施第2阶段的修整处理，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

（例6） 

在第1阶段的修整处理中，使用利用电沉积法使#600的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器，将修整处理时间变更为8分钟，不实施第2阶段的修整处理，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

（例7） 

在第1阶段的修整处理中，使用利用电沉积法使#400的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器，将修整处理时间变更为5分钟，不实施第2阶段的修整处理，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

（例8） 

在第1阶段的修整处理中，使用利用钎焊法使#800的金刚石磨粒附着于直径95mm的不锈钢制圆盘而成的修整器，将修整处理时间变更为10分钟，不实施第2阶段的修整处理，除此之外，采用与例1相同的方法进行修整处理。 

使用激光显微镜（Olympus公司制，型号：LEXT-OLS3500），对修整器的附着有磨粒的表面测定表面粗糙度（算术平均粗糙度Ra）。由于在附着有磨粒的修整器的表面磨粒突出，所以在使用探针式表面粗糙度仪的表面粗糙度测定中，有可能无法稳定地保持测定中的探针的状态。因此，在本实施方式中，采用使用了上述激光显微镜的光学方法测定表面粗糙度（算术平均粗糙度Ra）。应予说明，采用光学方法测定的表面粗糙度与使用探针式表面粗糙度仪测定的表面粗糙度的测定方式不同，因此所得表面粗糙度为不同的值。 

修整器的算术平均粗糙度Ra在将激光显微镜的物镜设为5倍、变焦设为1倍、测定视场设为2560μm×1920μm、截止波长设为853.3μm 的条件下测定。将测定得到的修整器的算术平均粗糙度Ra示于表1。另外，将各例中的修整处理的条件示于表1。 

表1 

各例中的修整处理后的软质研磨垫的表面粗糙度Ra使用能够在将研磨垫安装于研磨装置的平台的状态下容易测定表面粗糙度的探针式表面粗糙度仪（东京精密社制：Surfcom130A）测定。应予说明，截止值（λs，λc）设定为（2.5μm，80μm）、（2.5μm，800μm）、（8.3μm，2500μm）这3个条件。 

将修整处理后的软质研磨垫的表面粗糙度Ra集中示于表2。 

表2 

［磁记录介质用玻璃基板的制造］ 

将用浮式法成型的硅酸盐玻璃板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板。对该圆盘形状玻璃基板的内周侧面和外周侧面实施倒角加工，其后，使用氧化铝磨粒进行玻璃基板的上下面的研磨，清洗除去磨粒。 

使用研磨刷和氧化铈磨粒对内周侧面和内周倒角部进行研磨，除去内周侧面和内周倒角部的划伤，加工成镜面。接着，将进行了内周端面研磨的玻璃基板使用研磨刷和氧化铈磨粒对外周侧面和外周倒角部进行研磨，除去外周侧面和外周倒角部的划伤，加工成镜面。进行了内周端面研磨和外周端面研磨的玻璃基板通过超声波清洗将磨粒清洗除去。 

接着，使用图2的双面研磨装置，对玻璃基板的主表面进行一级研磨，接着清洗、干燥。其后，对玻璃基板的主表面进行二级研磨，接着清洗、干燥。 

对清洗后的玻璃基板实施三级研磨（精研磨）。作为精研磨的研磨工具，使用实施上述修整处理之后的软质聚氨酯制的研磨垫并使用含有一次粒子的平均粒子直径为20～30nm的胶态二氧化硅的研磨液，使用16B型双面研磨装置（SpeedFam公司制：DSM-16B-5PV）对上下主表面进行研磨。研磨时间以总研磨量在上下两个主平面的厚度方向的合计成为1μm的方式设定。 

清洗后，使用光散射方式表面观察机（KLA Tencor公司制：OSA6100），对研磨后的玻璃基板测定表面波纹度Wa。作为测定方法，将波长405nm的激光以60度的角度入射到测定对象物的表面，检测从测定对象物反射的光，得到主表面的高度信息。在本实施方式中，将上下主表面的半径15mm～31mm的范围作为测定区域，对φ65mm的玻璃基板进行测定。上述测定范围包括磁记录介质的记录再生区域。 

表2中还示出了各例中所得玻璃基板的表面波纹度Wa。 

［评价］ 

（滑动高度测试） 

对各例中制作的玻璃基板进行精密清洗后，使用在线型溅射装置依次层叠作为软磁性基底层的NiFe层、作为非磁性中间层的Ru层、作为垂直磁记录层的CoCrPtSiO₂的颗粒结构层。其后，形成非晶金刚石状碳膜作为保护层。其后，利用浸渍法形成全氟聚醚膜作为润滑膜，制成磁记录介质。 

通过滑动高度测试（滑动雪崩测试），对得到的磁记录介质实施磁头浮起特性的评价。 

滑动高度测试是评价在磁记录介质的主表面中滑块能够稳定浮起的高度的最小值的测试。 

对实施滑动高度测试的测试装置进行说明。测试装置具备：使磁记录介质旋转的主轴、位于磁记录介质上且通过磁盘的旋转而浮起的滑动滑块、声·发射（AE）传感器、以及接触探测部。 

AE传感器具有检测滑动滑块的浮起姿态变得不稳定、滑动滑块与磁记录介质的主表面接触时产生的弹性波的功能。另外，接触探测部具有检测通过AE传感器的滤波器的输出是否超过规定的值以上的功能。 

对滑动高度测试的具体的实施方法进行说明。首先，使磁记录介质旋转，使滑动滑块浮起。接着，使滑动滑块在磁记录介质上的记录区域整面移动。然后，用AE传感器检测滑动滑块的浮起姿态变得不稳定、滑动滑块与磁记录介质的主表面接触时产生的弹性波。 

使磁记录介质以一定的旋转速度旋转后，逐渐降低旋转速度，降低滑动滑块的浮起高度。然后，通过AE传感器的滤波器的输出达到规定值以上时，将滑动滑块的浮起高度作为滑动高度。应予说明，滑动滑块的浮起高度可以由磁记录介质的旋转速度算出。 

从高记录密度化的观点考虑，利用磁记录介质的滑动高度测试测定得到的滑动高度优选为2.5nm以下，更优选为2.0nm以下，进一步优选为1.8nm以下。 

将各例中的滑动高度测试的结果示于表3。 

表3 

由表3的结果可知，使用了例1～例4的磁记录介质用玻璃基板的磁记录介质的滑动高度为2.5nm以下，结果良好，例1～例4的磁记录介质用玻璃基板是使用具有在测定波长2.5～80μm时的表面粗糙度Ra为0.40～1.40μm、且在测定波长2.5～800μm时的表面粗糙度Ra为0.40～2.00μm的研磨面的软质研磨垫进行了精研磨的基板。另一方面，使用例5～例8的磁记录介质用玻璃基板制成的磁记录介质的这些测试结果均不充分。 

特别是在例3与例5的比较中，例5中采用使用表面粗糙度比例3中使用的修整工具小的修整工具、并且以更长的修整时间实施了修整处理的软质研磨垫来实施精研磨。其结果，例5的玻璃基板的测定波长为短波长区域（40～200μm）的表面波纹度比例3的玻璃基板小，但测定波长为中波长区域（200～1250μm）的表面波纹度大。因此，例5的玻璃基板的滑动高度测试的结果不满足优选的值。 

即，根据本发明，通过使用具有在测定波长2.5～80μm时的表面粗糙度Ra为0.40～1.40μm、且在测定波长2.5～800μm时的表面粗糙度Ra为0.40～2.00μm的研磨面的软质研磨垫，对磁记录介质用玻璃基板的主表面进行精研磨，从而能够提供与高记录密度对应的磁记录介质。 

符号说明 

10  修整器 

12  底座 

14  上平面 

16  磨粒层 

100 双面研磨装置 

200 基座 

300 下平台 

400 上平台 

500 升降机构 

600 旋转传递机构。 

Claims (5)

1.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，包含研磨工序：使用具有研磨面的软质研磨垫对玻璃基板的主表面进行研磨，所述研磨面在测定波长2.5～80μm时的表面粗糙度Ra为0.40～1.40μm、且在测定波长2.5～800μm时的表面粗糙度Ra为0.40～2.00μm。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，所述研磨面在测定波长8.3～2500μm时的表面粗糙度Ra为0.60～2.30μm。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，所述研磨工序包含使用含有平均粒径为1～50nm的二氧化硅粒子的研磨液对玻璃基板的主表面进行研磨的工序。

4.一种磁记录介质用玻璃基板，是在中央部具有圆孔的圆盘形状的磁记录介质用玻璃基板，

所述磁记录介质用玻璃基板的主表面在测定波长40～200μm时的表面波纹度Wa为0.06nm以下，且在测定波长200～1250μm时的表面波纹度Wa为0.08nm以下。

5.根据权利要求4所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，所述主平面在测定波长1250～5000μm时的表面波纹度Wa为0.13nm以下。