CN102930874B - 磁记录介质用玻璃基板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面、外周端面和内周端面，其特征在于，所述外周端面具有外周侧表面部和外周倒角部，在所述外周端面上，在以所述磁记录介质用玻璃基板的圆心角计间隔15度而设置的总计24个外周端面测定位置处测定表面粗糙度Ra时，所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下，且所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下。

Description

磁记录介质用玻璃基板

技术领域

本发明涉及磁记录介质用玻璃基板。

背景技术

作为磁盘记录装置等中使用的磁记录介质用基板，一直使用铝合金基板。但是，伴随着近年来高密度记录化的要求，比铝合金基板硬且平坦性和平滑性优良的玻璃基板已成为主流。

而且，伴随着近年来磁盘的高密度记录化，为了有效利用玻璃基板的主平面的面积，开始使磁头通过至玻璃基板的端部。另外，为了将大容量的信息快速地记录到磁盘中并进行重放，也正在进行使磁盘的转速高速化的研究。

在使磁头通过至玻璃基板的端部或者使磁盘的转速高速化的情况下，当磁记录介质用玻璃基板的端面部、主平面的形状不整齐时，可能会扰乱磁头的上浮姿态。磁头的上浮姿态被扰乱时，磁头可能会与磁盘接触而产生故障，因而成为问题。因此，对磁记录介质用玻璃基板日益要求高加工精度。

磁记录介质用玻璃基板通过在经过形状赋予工序、倒角加工工序后对玻璃基板的端面(内外周面)和主平面进行研磨来加工成预定形状。

作为对玻璃基板的主平面进行研磨的方法，首先，在设置于能够收容多个玻璃基板的托板(主平面研磨用夹具)上的玻璃基板保持孔中设置玻璃基板。然后，在将设置有玻璃基板的托板夹持在两片研磨垫之间的状态下，一边向玻璃基板与研磨垫之间供给研磨剂一边移动托板，从而对玻璃基板的主平面进行研磨(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-214219号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，以往的玻璃基板中，未对端面部分的表面粗糙度Ra在整个圆周面上是否均匀进行评价，因此，有时存在局部表面粗糙度Ra较高的部分，因而成为问题。另外，有时会形成主平面的平行度不充分、即在同一玻璃基板内板厚分布宽度较大的玻璃基板，从而在加工精度、成品率、磁记录介质用玻璃基板的特性方面存在问题。

鉴于上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种磁记录介质用玻璃基板，当在多个位置处测定外周端面的侧表面部的表面粗糙度Ra时，其最大值、标准差在预定的范围内，并且进行主平面研磨时平行度优良。而且，本发明的目的在于，通过使用平行度优良的磁记录介质用玻璃基板形成磁盘并制成磁盘记录装置来抑制磁头的上浮姿态被扰乱、磁盘旋转时振动增大等问题。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面、外周端面和内周端面，其特征在于，所述外周端面具有外周侧表面部和外周倒角部，在所述外周端面上，在以所述磁记录介质用玻璃基板的圆心角计间隔15度而设置的总计24个外周端面测定位置处以截止值为64μm的条件测定表面粗糙度Ra时，所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下，所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下，两个相邻的外周端面测定位置处的所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下，所述外周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下，所述外周倒角部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下，且两个相邻的外周端面测定位置处的所述外周倒角部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下。

发明效果

本发明的磁记录介质用玻璃基板在外周面的多个位置处测定外周侧表面部的表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra时，表面粗糙度Ra在预定的范围内。另外，表面粗糙度Ra的标准差也在预定的范围内。因此，外周侧表面部的圆周面上不存在局部表面粗糙度Ra高的部位，从而形成在整个外周侧表面部具有高平滑度的玻璃基板。另外，能够制成在进行主平面研磨时平行度良好的磁记录介质用玻璃基板。

附图说明

图1是本发明的磁记录介质用玻璃基板的截面立体图。

图2是本发明的实施方式中的外周端面测定位置和内周端面测定位置的说明图。

图3是本发明的实施方式中的主平面用研磨装置和托板说明图。

标号说明

10磁记录介质用玻璃基板

12外周端面

120外周侧表面部

121外周倒角部

13内周端面

130内周侧表面部

131内周倒角部

具体实施方式

以下，参考附图对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明并不受下述实施方式的限制，在不脱离本发明的范围的情况下可以对下述实施方式进行各种变形和替换。

如图1所示，磁记录介质用玻璃基板10具有在中央部具有中心相同的圆孔部的圆盘形状。

另外，玻璃基板的上下表面为主平面11。图1中，A1和A6表示磁记录介质用玻璃基板的外径侧区域的板厚，A2和A5表示磁记录介质用玻璃基板的中间区域的板厚，A3和A4表示磁记录介质用玻璃基板的内径侧区域的板厚。

磁记录介质用玻璃基板的各区域的板厚(例如A1～A6)越均匀，则磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度(板厚分布)越优良。相反地，各区域的板厚越不均匀即板厚分布宽度(板厚偏差)越大，则两主平面的平行度越差。两主平面的平行度(板厚分布)越均匀，则在磁记录介质用玻璃基板的主平面研磨中越能够将主平面研磨均匀。另外，使用两主平面的平行度(板厚分布)均匀的磁记录介质用玻璃基板来形成磁盘并制成磁盘记录装置时，能够抑制磁头的上浮姿态被扰乱、磁盘旋转时振动增大等问题。

外周端面12由与主平面部分垂直的外周侧表面部120和配置在外周侧表面部的上下部分且相对于主平面成角度(倾斜)的外周倒角部121构成。

内周端面13也同样地由与主平面垂直的内周侧表面部130和配置在内周侧表面部的上下部分且相对于主平面成角度(倾斜)的内周倒角部131构成。

并且，本发明的磁记录介质用玻璃基板中，在磁记录介质用玻璃基板的外周端面上，在以圆心角计间隔15度而设置的总计24个外周端面测定位置处测定表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra时，外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下。

在此，上述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值更优选为0.4μm以下，进一步优选为0.3μm以下。特别优选为0.2μm以下。

此外，本发明的磁记录介质用玻璃基板的特征在于上述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下。上述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的标准差更优选为0.15μm以下，特别优选为0.1μm以下。

在此，使用图2对测定位置进行说明。图2示出了从上方对本发明的玻璃基板进行观察时的示意图，作为外周端面的测定位置，如用箭头A～C所例示的那样，使两个相邻的测定位置以圆心角计各相隔15度的间隔(例如图中的a)而配置。并且，在磁记录介质用玻璃基板的外周侧表面部的总计24个位置处进行测定。另外，在后述的外周倒角部、内周侧表面部、内周倒角部的情况下也同样地在以圆心角计各相隔15度的总计24个位置处进行测定。

本发明的磁记录介质用玻璃基板的特征在于，在上述24个位置处测得的表面粗糙度Ra的最大值和标准差在预定的范围内。通过具有该范围，不会存在表面粗糙度Ra局部较高的部分，从而使磁记录介质用玻璃基板的外周侧表面部在整个圆周上均匀且平滑。

此外，本发明人还发现，通过使外周侧表面部满足上述条件，能够得到在进行主平面的研磨时平行度高的玻璃基板。

以下对该此进行说明。

首先，在现有技术中也已说明，对主平面进行研磨时，将多个玻璃基板设置到图3(A)所示的具有能够保持玻璃基板的玻璃基板保持孔31的托板(主平面研磨用夹具)30上。

接着，将设置有玻璃基板的托板30设置到图3(B)所示的两面研磨装置32中，使中心齿轮33、内齿轮34以预定的旋转比率进行旋转驱动。由此，使托板30以自转的同时在中心齿轮33的周围公转的方式移动。

此时，保持在托板30上的玻璃基板的两主平面被夹持并挤压在与玻璃基板相对的表面上安装有研磨垫的上平台35的研磨面36与下平台37的研磨面38之间，含有磨粒的研磨液(研磨浆料)被供给至研磨面与玻璃基板之间，从而对玻璃基板的两主平面同时进行研磨。

可同时研磨的玻璃基板的片数因托板30、两面研磨装置32的尺寸而异。例如，在使用22英寸的托板的22B型两面研磨装置中，每一批次可以同时对150～222片的玻璃基板进行研磨。需要说明的是，在进行研磨时，无需在托板的所有玻璃基板保持孔31中设置玻璃基板。

并且，在对玻璃基板的主平面进行研磨时，配合托板的自转和在中心齿轮33周围进行的公转，使设置的玻璃基板也在玻璃基板保持孔31内进行自转，由此将玻璃基板的整个主平面研磨均匀。

但是，在磁记录介质用玻璃基板的外周侧表面部的表面粗糙度Ra存在波动的现有玻璃基板的情况下，会与托板的玻璃基板保持孔31发生不均匀的摩擦，有时使磁记录介质用玻璃基板在玻璃基板保持孔31内的自转受到抑制。因此，有时无法对玻璃基板的整个主平面进行均匀研磨，从而产生磁记录介质用玻璃基板的平行度不充分的玻璃基板。

与此相对，本发明的磁记录介质用玻璃基板中，24个测定位置处的表面粗糙度Ra及其标准差在预定的范围内，因此，在磁记录介质用玻璃基板的整个外周侧表面部，表面粗糙度Ra大致均匀。因此，在主平面研磨工序中，能够使玻璃基板在托板30的玻璃基板保持孔内均匀地自转，从而能够得到主平面的平行度高的磁记录介质用玻璃基板。

在上述条件的基础上，进一步地，两个相邻的外周端面测定位置处的外周侧表面部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下。

两个相邻的外周端面测定位置是指作为基准的外周端面测定位置的左右相邻的测定位置。用图2来具体地进行说明，将测定位置B视为基准时，相邻的测定位置是指其左右相邻的A、C，表示测定位置B处的表面粗糙度Ra的值与测定位置A和C处的表面粗糙度Ra的值的差分别为0.3μm以下。而且，表示所有测定位置与相邻测定位置的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下。

通过满足该规定，进一步使外周侧表面部不存在表面粗糙度Ra的值突出的部分，从而在整个外周侧表面部具有更均匀的平滑性，因此优选。另外，通过对主平面进行研磨而得到的磁记录介质用玻璃基板的平行度也提高，因此，就这一点而言也优选。另外，上述两个相邻的外周端面测定位置处的外周侧表面部的表面粗糙度Ra的差更优选为0.2μm以下，进一步优选为0.15μm以下。特别优选为0.1μm以下。

此外，不仅仅是外周侧表面部，对外周倒角部同样地测定表面粗糙度Ra时，上述外周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下且上述外周倒角部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下。

上述外周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值更优选为0.4μm以下，进一步优选为0.3μm以下。特别优选为0.2μm以下。

另外，外周倒角部的表面粗糙度Ra的标准差更优选为0.15μm以下，进一步优选为0.1μm以下。

此外，两个相邻的外周端面测定位置处的上述外周倒角部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下。两个相邻的外周端面测定位置处的外周倒角部的表面粗糙度Ra的差更优选为0.2μm以下，进一步优选为0.15μm以下。特别优选为0.1μm以下。

在此，如图1所示，在侧表面部的上下存在有两个外周倒角部，该情况下，仅其中任意一个外周倒角部满足上述条件就足够了，更优选两个外周倒角部都满足上述条件。

在满足上述条件的情况下，整个外周端面具有高平滑性，因此，作为磁盘使用时，不易发生故障，因此优选。进而，在其表面上设置具有磁性层的多层膜而制成磁记录介质(磁盘)时，不易引起膜剥落，从而提高成品率，因此就这一点而言也优选。

另外，在内周端面上，在以圆心角计间隔15度而设置的总计24个内周端面测定位置处测定表面粗糙度Ra时，内周侧表面部和内周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值也优选为0.5μm以下。另外，上述内周侧表面部和内周倒角部的表面粗糙度Ra的标准差优选为0.2μm以下。而且，两个相邻的内周端面测定位置处的内周侧表面部的表面粗糙度Ra的差和内周倒角部的表面粗糙度Ra的差优选为0.3μm以下。

需要说明的是，该情况下也与外周端面的情况下同样，对内周侧表面部、内周倒角部各自的测定位置而言，分别在以圆心角计相隔15度间隔的测定位置处进行测定。因此，在内周侧表面部、内周倒角部分别存在24个测定位置。另外，在此所称的表面粗糙度Ra的最大值、表面粗糙度Ra的标准差、两个相邻的测定位置之间的表面粗糙度Ra的差是指分别对内周侧表面部、内周倒角部进行考察时的值。此外，在内周侧表面部的上下存在有两个内周倒角部，该情况下，仅其中任意一个内周倒角部满足上述条件就足够了，更优选两个内周倒角部都满足上述条件。

通过使内周侧表面部和内周倒角部满足上述条件，使整个内周端面具有高平滑性。

然后，为了制成磁记录介质(磁盘)，在本发明的玻璃基板表面上形成具有磁性层的多层膜，但外周端面、内周端面的平滑性低时，即表面粗糙度不均匀且表面粗糙度存在急剧的变化时，有时会产生膜应力的差异而引起膜剥落，从而导致成品率降低。与此相对，在外周端面、内周端面的表面粗糙度Ra满足上述条件的情况下，膜剥落的发生率为0%或接近0%的值，能够达到高成品率，因此优选。

以上说明的本发明的磁记录介质用玻璃基板可以通过具有形状赋予工序、倒角工序、主平面的磨削(ラッピング)工序、端面研磨工序、主平面研磨工序、精密清洗工序的制造方法来制造。

形状赋予工序是将通过浮法、熔融法、下拉法或冲压成形法等成形而得到的玻璃原板加工成圆盘形状的工序。在此，玻璃原板没有特别限制，可以是非晶玻璃或晶化玻璃，也可以是在玻璃基板的表层上具有强化层的强化玻璃。

此外，倒角工序是对形状赋予工序中加工成圆盘形状的玻璃基板的内周端面、外周端面进行倒角的工序。本工序中，对所使用的磨石没有限定，根据所需的研磨量、速度等来选择磨石。

倒角加工可以为一个阶段的加工，也可以为粗加工、精加工这样的两个阶段的加工，还可以为三个阶段以上的加工。另外，作为各阶段中使用的磨石，可以使用磨石的粒度号或粘合剂的种类等不同的磨石来进行倒角加工。

但是，进行倒角加工时，如果使用粗目磨石作为最后的精加工倒角工序中使用的磨石，则为了得到预定的表面粗糙度Ra，要在随后的端面研磨工序中增加研磨量。因此，在精加工倒角工序中，优选使用例如粒度号为#400以上的磨石，更优选使用粒度号为#500以上的磨石。

端面研磨工序是对外周端面和内周端面的侧表面部和倒角部进行研磨的工序。作为研磨的方法，并没有特别限定，例如，使研磨刷或研磨垫与外周端面和内周端面接触，向上述端面供给含有磨粒的研磨液(研磨浆料)的同时进行研磨，以达到期望的表面粗糙度Ra。此时，优选根据倒角工序中使用的磨石的粗度(粒度号)进行预定量的研磨。

这是为了将倒角工序中在玻璃基板的表面上产生的加工变质层(划伤等)通过以大于加工变质层(划伤等)的深度的研磨量进行研磨来除去，通过根据倒角工序中使用的磨石的种类来确定端面研磨工序中的研磨量，可以得到具有预定表面粗糙度Ra的磁记录介质用玻璃基板。

具体而言，例如在精加工的倒角工序中使用粒度号为#500的磨石时，优选使端面的研磨量为30μm以上，使用粒度号为#800的磨石时，优选使端面的研磨量为20μm以上而进行研磨。

关于主平面研磨工序，如已说明的那样，使用例如图3所示的两面研磨装置，使研磨垫与玻璃基板的主平面的两面接触，在向研磨垫与玻璃基板之间供给含有磨粒的研磨液(研磨浆料)的同时对玻璃基板进行研磨。

此外，精密清洗工序是将附着在玻璃基板表面上的颗粒等除去并对玻璃基板进行干燥的工序。

上述磁记录介质用玻璃基板的制造方法中，可以在各工序之间实施玻璃基板清洗(工序间清洗)、玻璃基板表面的蚀刻(工序间蚀刻)。此外，在磁记录介质用玻璃基板要求高机械强度的情况下，可以在研磨工序前或研磨工序后、或者在研磨工序之间实施在玻璃基板的表层上形成强化层的强化工序(例如化学强化工序)。

此外，对于各研磨工序而言，可以仅进行一级研磨，也可以进行二级研磨、三级研磨等多阶段研磨。

需要说明的是，磁记录介质用玻璃基板的外周端面和内周端面的侧表面部和倒角部的表面粗糙度Ra在倒角工序和端面研磨工序中形成。因此，主平面研磨工序后或精密清洗工序后的磁记录介质用玻璃基板的外周端面和内周端面的表面粗糙度Ra与端面研磨工序后的表面粗糙度Ra相同。

根据以上说明的制造方法，可以得到本发明的磁记录介质用玻璃基板。

然后，可以通过进一步在所得到的磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等来制成磁记录介质(磁盘)。

磁记录介质有两种记录方式即水平磁记录方式、垂直磁记录方式，在此，以垂直磁记录方式为例，对步骤进行如下说明。

磁记录介质在其表面上至少具备磁性层、保护层、润滑膜。此外，在垂直磁记录方式的情况下，一般配置有用于发挥使磁头产生的记录磁场发生环流的作用的包含软磁性材料的软磁性基底层。因此，自玻璃基板表面开始依次层叠有例如软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层、保护层、润滑膜。

以下对各层进行说明。

作为软磁性基底层，可以使用例如：CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoFeB、CoZrN等。

此外，非磁性中间层由Ru、Ru合金等构成。该非磁性中间层具有容易使垂直记录用磁性层进行外延生长的功能以及阻断软磁性基底层与垂直记录用磁性层之间的磁交换耦合的功能。

垂直记录用磁性层是易磁化轴相对于基板表面朝向垂直方向的磁性膜，其至少含有Co、Pt。此外，为了降低导致高固有介质噪音的晶粒间交换耦合，优选形成良好隔离的微粒结构(颗粒结构)。具体而言，优选使用在CoPt系合金等中添加有氧化物(SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃、TiO₂等)或者Cr、B、Cu、Ta、Zr等的材料。

以上说明过的软磁性基底层、非磁性中间层、垂直记录用磁性层可以通过连续溅射法、DC磁控溅射法等连续地进行制造。

其次，保护层是为了防止垂直记录用磁性层的腐蚀并且在磁头与介质接触时也防止介质表面的损伤而设置的层，其设置在垂直记录用磁性层上。作为保护层，可以使用含有C、ZrO₂、SiO₂等的材料。

作为其形成方法，可以使用例如连续溅射法、CVD法、旋涂法等。

为了降低磁头与记录介质(磁盘)的摩擦，在保护层的表面上形成润滑层。润滑层可以使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等。润滑层可以通过浸渍法、喷雾法等形成。

通过如上所述的方法在本发明的磁记录介质用玻璃基板的表面上形成有具有磁性层的多层膜的情况下，多层膜的膜剥落发生概率优选为0.7%以下，更优选为0.3%以下。

在此所称的膜剥落发生概率表示1000片磁记录介质(磁盘)的产品中在成膜工序后发生膜剥落的产品数的发生概率。该膜剥落发生概率通过利用激光显微镜对成膜后的玻璃基板的表面进行观察以确认有无发生磁记录介质的膜剥落并计数成膜工序后发生膜剥落的产品数来进行计算。

发生了膜剥落的磁记录介质(磁盘)难以稳定地实施记录的读写，使磁盘驱动器的成品率降低而成为问题。

实施例1

以下列举具体的实施例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。

首先，对以下的实施例、比较例中的磁记录介质用玻璃基板的评价方法以及在玻璃基板表面上形成有磁性层等薄膜的磁记录介质的评价方法进行说明。

(1)外周端面、内周端面的表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra

表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra通过使用激光显微镜(奥林巴斯公司制造，产品名：LEXTOLS3500)拍摄具有高信息的观察图像并对拍摄的观察图像进行分析来测定。

具有高信息的激光显微镜的观察图像通过使用20倍的物镜对640μm×640μm的观察区域进行拍摄而得到。表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra通过在拍摄的观察图像(640μm×640μm的观察区域)的中心部、例如在外周侧表面部的情况下在外周侧表面部的中心(中央)线上以测定长度为640μm且截止值为64μm的条件进行分析而求出。

表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra的测定如具体实施方式中说明的那样，在以圆心角计间隔15度而设置的总计24个测定位置处进行测定。另外，各端面上，在侧表面部的上下形成有两个倒角部，对其中的任意一个倒角部进行测定。

(2)平行度

平行度通过以下两种方法进行评价。平行度表示板厚的分布宽度，值越小则板厚越均匀，即表示平行度越优良。

平行度a

平行度a使用激光位移计(キーエンス公司制造，激光头为LK-G15/增幅器为LK-G3000V)进行测定。在磁记录介质用玻璃基板的主平面内，以圆心角计每隔90度对外周部、内周部(合计8点)进行板厚测定，求出最大板厚值与最小板厚值的差，将其作为平行度a。

平行度b

平行度b使用激光干涉仪(フジノン公司制造，产品名：平面测定用菲佐干涉仪G102)进行测定。该方法为如下方法：观察由自两主平面反射的反射光的相位差形成的干涉条纹并对其进行分析，由此计算出两主平面的平行度。

具体而言，利用激光干涉仪观察到的明暗干涉条纹为等高线，其间隔由光源的波长、入射角决定。由于激光干涉仪以光的波长为基准，因此，能够以高精度测定磁记录介质用玻璃基板的平行度。

平行度b的测定区域设定为包括外径为65mm、内径为20mm的磁记录介质用玻璃基板(圆盘)的记录重放区域。本实施例中，测定区域设定为距圆盘中心部为10.0mm～32.5mm的区域。

(3)膜剥落发生概率(膜密合性)

准备1000片磁记录介质用玻璃基板，在磁记录介质用玻璃基板的表面上形成磁性层等膜，计数发生膜剥落的磁记录介质的数量，求出膜剥落发生概率。

膜剥落发生的有无通过使用激光显微镜(奥林巴斯公司制造，产品名：LEXTOLS3500)对成膜后的磁记录介质的主平面的内周区域和外周区域进行观察来确认。

磁记录介质用玻璃基板通过以下步骤制作。

为了得到外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm的磁记录介质用玻璃基板，将通过浮法成形得到的以SiO₂作为主要成分的玻璃基板加工成中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板。

对该圆盘形状玻璃基板的内周端面和外周端面进行倒角加工，以得到倒角宽度为0.15mm、倒角角度为45°的磁记录介质用玻璃基板(内周倒角工序、外周倒角工序)。

倒角加工后，使用氧化铝磨粒对玻璃基板的上下主平面进行磨削加工，并清洗除去磨粒。

接着，使用研磨刷和含有二氧化铈磨粒的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的外周侧表面部和外周倒角部进行研磨，除去外周侧表面和外周倒角部的加工变质层(划伤等)，并对外周端面进行研磨加工以使其形成镜面(外周端面研磨工序)。

外周端面研磨后，使用研磨刷和含有二氧化铈磨粒的研磨液对磁记录介质用玻璃基板的内周侧表面部和内周倒角部进行研磨，除去内周侧表面部和内周倒角部的加工变质层(划伤等)，并对内周端面进行研磨加工以使其形成镜面(内周端面研磨工序)。将内周端面研磨后的玻璃基板在浸渍于洗剂溶液中的状态下进行超声波清洗，由此将磨粒清洗除去。

内周倒角工序和外周倒角工序的加工方法、外周端面研磨工序和内周端面研磨工序的加工方法记载于后述的例1～例8中。

通过上述方法对加工后的玻璃基板的外周端面(外周侧表面部、外周倒角部)和内周端面(内周侧表面部、内周倒角部)的表面粗糙度Ra进行测定。

对玻璃基板的端面进行加工后，使用含有金刚石磨粒的固定粒工具和磨削液对玻璃基板上下主平面进行磨削加工，并清洗。

接着，使用硬质聚氨酯制研磨垫和含有二氧化铈磨粒的研磨液(含有以下简称为平均粒径的平均粒子直径为约1.3μm的二氧化铈磨粒的研磨液组合物)作为研磨工具，利用22B型两面研磨装置(スピードファム公司制造，产品名：DSM22B-6PV-4MH)以使研磨量达到20μm的方式对玻璃基板的上下主平面进行一级研磨，并清洗除去二氧化铈。需要说明的是，本实施例中，在一个批次中同时对216片玻璃基板进行研磨。

对于一级研磨后的玻璃基板，使用软质聚氨酯制研磨垫和含有平均粒径小于上述二氧化铈磨粒的二氧化铈磨粒的研磨液(以平均粒径为约0.5μm的二氧化铈作为主要成分的研磨液组合物)作为研磨工具，利用22B型两面研磨装置以使研磨量达到5μm的方式对上下主平面进行二级研磨，并清洗除去二氧化铈。

对二级研磨后的玻璃基板进行三级研磨。三级研磨中，使用软质聚氨酯制研磨垫和含有胶态二氧化硅的研磨液(以一级粒子的平均粒径为20～30nm的胶态二氧化硅作为主要成分的研磨液组合物)作为研磨工具，利用22B型两面研磨装置以使研磨量达到1μm的方式对上下主平面进行研磨加工。

对三级研磨后的玻璃基板依次进行使用洗剂的擦洗、在浸渍于洗剂溶液中的状态下进行的超声波清洗、在浸渍于纯水中的状态下进行的超声波清洗(精密清洗)，并利用异丙醇蒸气进行干燥。

清洗干燥后，测定磁记录介质用玻璃基板的平行度a和平行度b。

另外，通过上述方法对清洗干燥后的磁记录介质用玻璃基板的外周端面(外周侧表面部、外周倒角部)和内周端面(内周侧表面部、内周倒角部)的表面粗糙度Ra进行测定，确认到与外周端面研磨工序和内周端面研磨工序后测得的表面粗糙度Ra为相同的值。

在所得到的磁记录介质用玻璃基板的表面上形成具有磁性层的多层膜而制成磁记录介质，评价多层膜对磁记录介质用玻璃基板的密合性。

在磁记录介质用玻璃基板的表面上形成具有磁性层的多层膜的工序通过以下步骤来实施。

使用连续型溅射装置，在进行过成膜前清洗的磁记录介质用玻璃基板的表面上依次层叠作为软磁性基底层的NiFe层、作为非磁性中间层的Ru层、作为垂直磁记录层的CoCrPtSiO₂的颗粒结构层。接着，通过CVD法形成类金刚石碳膜作为保护层。然后，通过浸渍法形成具有全氟聚醚的润滑膜。

内周倒角工序和外周倒角工序的加工条件、外周端面研磨工序和内周端面研磨工序的加工条件记载于例1～例8中。例1～例5为实施例，例6～例8为比较例。

在例1～例8的加工条件下加工得到的玻璃基板的外周端面(外周侧而部、外周倒角部)和内周端面(内周侧表面部、内周倒角部)的表面粗糙度Ra、磁记录介质用玻璃基板的平行度a和平行度b以及磁记录介质的膜剥落发生概率示于表1中。

(例1)

对中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板的内周端面、外周端面进行倒角加工。

倒角工序中，使用具有倒角部和侧表面部形状的外周端面用金刚石磨石和内周端面用金刚石磨石，同时对外周端面和内周端面进行磨削，从而进行倒角加工。另外，为了兼顾倒角加工的磨削速度和加工面的质量，以粗加工和精加工两个阶段的加工来进行倒角加工。

倒角工序的精加工中，外周端面用金刚石磨石和内周端面用金刚石磨石均使用粒度号为#800的树脂金属复合粘结磨石和磨削液来进行。

倒角工序后，对玻璃基板的主平面进行磨削加工，并对外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)进行端面研磨。端面研磨通过使用研磨刷和研磨液作为研磨工具来实施。例1中，将外周端面的研磨量设定为30μm，将内周端面的研磨量设定为20μm。

以上述方式对端面加工后的玻璃基板实施主平面研磨和精密清洗，得到磁记录介质用玻璃基板。另外，在磁记录介质用玻璃基板的表面上形成具有磁性层的多层膜而制成磁记录介质，评价多层膜对磁记录介质用玻璃基板的膜密合性。

(例2)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石和内周端面用磨石均使用粒度号为#600的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)的端面研磨中，将外周端面的研磨量设定为40μm，将内周端面的研磨量设定为30μm，除此以外，在与例1相同的条件下实施端面研磨。

(例3)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石和内周端面用磨石均使用粒度号为#500的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)的端面研磨中，将外周端面的研磨量设定为40μm，将内周端面研磨量设定为30μm，除此以外，在与例1相同的条件下实施端面研磨。

(例4)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石和内周端面用磨石均使用粒度号为#500的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)的端面研磨中，将外周端面的研磨量设定为40μm，将内周端面研磨量设定为30μm，除此以外，在与例1相同的条件下实施。端面研磨后，将玻璃基板浸渍到氢氟酸硝酸混合溶液中，以使蚀刻量达到7μm的方式对整个磁盘进行蚀刻。

(例5)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石和内周端面用磨石均使用粒度号为#500的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

对于内周端面(倒角部、侧表面部)，在进行内周端面研磨之前，利用氢氟酸硝酸混合溶液以使蚀刻量达到15μm的方式对内周端面进行蚀刻，并将内周端面的研磨量设定为7μm，除此以外，在与例1相同的条件下进行内周端面研磨。另一方面，对于外周端面(倒角部、侧表面部)，将外周端面的研磨量设定为40μm，除此以外，在与例1相同的条件下进行外周端面研磨。

(例6)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石使用粒度号为#325的电镀磨石、内周端面用磨石使用粒度号为#500的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)的端面研磨中，将外周端面的研磨量设定为40μm，将内周端面研磨量设定为30μm，除此以外，在与例1相同的条件下进行端面研磨。

(例7)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石和内周端面用磨石均使用粒度号为#500的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)的端面研磨中，将外周端面的研磨量设定为10μm，将内周端面研磨量设定为30μm，除此以外，在与例1相同的条件下进行端面研磨。

(例8)

作为倒角工序的精加工磨石，外周端面用磨石使用粒度号为#325的电镀磨石、内周端面用磨石使用粒度号为#500的电镀磨石来进行精加工，除此以外，在与例1相同的条件下进行倒角加工。

外周端面(倒角部、侧表面部)和内周端面(倒角部、侧表面部)的端面研磨中，将外周端面的研磨量设定为20μm，将内周端面研磨量设定为30μm，除此以外，在与例1相同的条件下进行端面研磨。

由以上的例1～5的结果可知，通过确保与倒角工序的精加工中使用的精加工磨石的粒度号相对应的研磨量，能够得到满足本发明的规定的玻璃基板。

并且，在外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值和表面粗糙度Ra的标准差满足本发明的规定的情况下，磁记录介质用玻璃基板的平行度a、平行度b减小，确认得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

此外，在内周侧表面部、内周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值、该表面粗糙度Ra的标准差在预定的范围内且与相邻测定位置的差较小的例1～4中，特别是制成磁记录介质时的膜剥落发生概率为0%，确认磁记录介质的成品率提高。

另外，将例6～8的结果与例1～5的结果进行比较可知，外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值、该表面粗糙度Ra的标准差不满足本发明的规定的例6～8的玻璃基板中，磁记录介质用玻璃基板的平行度a、平行度b变差。

认为这是因为，如具体实施方式中说明的那样，在主平面研磨工序中，外周侧表面部不满足本发明的规定的玻璃基板的上下主平面未被研磨均匀。

此外，制成磁记录介质时的膜剥落发生概率也是例6～8的试样比例1～5差。

如上所述，本发明的磁记录介质用玻璃基板为其外周端面的侧表面部在整个圆周面上具有高平滑度(均匀的表面粗糙度)的玻璃基板。而且，能够制成其主平面的平行度也优良的玻璃基板。另外，在使用该磁记录介质用玻璃基板制成磁记录介质的情况下，膜剥落发生概率极低，因此，能够提高磁记录介质制造工序中的成品率并降低成本。

本申请基于2011年9月28日提出的日本专利申请2011-213463，将其内容作为参考并入本说明书中。

Claims (3)

1.一种磁记录介质用玻璃基板，具有一对主平面、外周端面和内周端面，其特征在于，

所述外周端面具有外周侧表面部和配置在外周侧表面部的上下部分且相对于主平面成角度的外周倒角部，

在所述外周端面上，在以所述磁记录介质用玻璃基板的圆心角计间隔15度而设置的总计24个外周端面测定位置处以截止值为64μm的条件测定表面粗糙度Ra时，

所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下，

所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下，

两个相邻的外周端面测定位置处的所述外周侧表面部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下，

所述外周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下，

所述外周倒角部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下，且

两个相邻的外周端面测定位置处的所述外周倒角部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下。

2.如权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板，其特征在于，

所述内周端面具有内周侧表面部和配置在内周侧表面部的上下部分且相对于主平面成角度的内周倒角部，

在所述内周端面上，在以所述磁记录介质用玻璃基板的圆心角计间隔15度而设置的总计24个内周端面测定位置处测定表面粗糙度Ra时，

所述内周侧表面部的表面粗糙度Ra的最大值和所述内周倒角部的表面粗糙度Ra的最大值为0.5μm以下，

所述内周侧表面部的表面粗糙度Ra的标准差和所述内周倒角部的表面粗糙度Ra的标准差为0.2μm以下，

两个相邻的内周端面测定位置处的所述内周侧表面部的表面粗糙度Ra的差和所述内周倒角部的表面粗糙度Ra的差为0.3μm以下。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板，其特征在于，在所述磁记录介质用玻璃基板的表面上形成具有磁性层的多层膜时，所述多层膜的膜剥落发生概率为0.7％以下。