CN105590638A

CN105590638A - 磁盘用玻璃基板及磁盘

Info

Publication number: CN105590638A
Application number: CN201510752153.6A
Authority: CN
Inventors: 伊藤正文; 志田德仁; 高野茂喜; 大塚晴彦
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2014-11-07
Filing date: 2015-11-06
Publication date: 2016-05-18
Also published as: JP5915718B1; JP2016091582A

Abstract

本发明提供一种对应于高记录密度化的磁盘用玻璃基板及磁盘。所述磁盘用玻璃基板具有主表面，其特征在于，通过原子力显微镜在所述主表面上测定的算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下，基于通过原子力显微镜测定的结果，对预定的区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将所述算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下，由此解决了上述课题。

Description

磁盘用玻璃基板及磁盘

技术领域

本发明涉及磁盘用玻璃基板及磁盘。

背景技术

作为搭载于硬盘驱动器装置(HDD装置)中的磁记录介质，存在有磁盘。磁盘是通过在金属基板、玻璃基板上形成磁性层的膜而形成，以往广泛使用铝合金基板作为磁盘用的基板，但近年来随着磁盘的小型化、薄板化、高记录密度化，多使用与铝合金基板相比表面的平滑性高、薄板时的强度优良的玻璃基板。

但是，对于磁盘而言，高记录密度化的要求进一步提高，今后，仅使用玻璃基板作为磁盘用基板时，有时不能充分应对磁盘的高记录密度化。即，在磁盘中，在形成于基板的主表面上的磁性膜中进行信息的记录，但该磁性层中的磁特性取决于基板的主表面的表面状态等。因此，由于基板的主表面的表面状态等有时不能充分应对磁盘的高记录密度化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/038741号小册子

专利文献2：日本特开2007-26536号公报

发明内容

发明所要解决的问题

具体而言，对于磁盘用玻璃基板而言，为了磁盘的高记录密度化，要求降低磁盘用玻璃基板的主表面的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)。例如，对于与500GB/PL(2.5英寸尺寸的磁盘)相对应的磁盘用玻璃基板的主表面，要求使算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下。

但是，欲进一步使磁盘高记录密度化时，仅减小磁盘用玻璃基板的主表面的算术平均粗糙度Ra，也不能充分抑制磁盘的记录再现特性中的例如作为指标之一的漏脉冲等错误。

因此，本申请的目的在于提供一种针对660Gbit/in²、750Gbit/in²、1Tbit/in²等或者其以上的高记录密度的磁盘、或者每一片2.5英寸磁盘为660GB、750GB、1TB等或者其以上的高记录密度的磁盘能够充分抑制漏脉冲等记录再现特性中的错误的、对应于高记录密度化的磁盘用玻璃基板。

用于解决问题的手段

根据本实施方式的一个方案，其为具有主表面的磁盘用玻璃基板，其特征在于，通过原子力显微镜在上述主表面上测定的算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下，基于通过原子力显微镜测定的结果，对预定区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将上述算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下。

发明效果

利用该公开的磁盘用玻璃基板，能够提供对应于高记录密度化的磁盘用玻璃基板。

附图说明

图1为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的结构图。

图2为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的评价方法的说明图(1)。

图3为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的评价方法的说明图(2)。

图4为本实施方式中的磁盘的结构图。

[符号说明]

10磁盘用玻璃基板

11开口部

21内周面

22外周面

30主表面

具体实施方式

以下对用于实施的方式进行说明。需要说明的是，对于相同构件等赋以相同符号而省略说明。

首先，对磁盘用玻璃基板的主表面进行说明。对于可用作磁盘的垂直磁性层的垂直磁材料而言，垂直磁性层中的磁性合金的结晶取向一致会对记录再现特性(S/N比)带来很大影响。具体而言，理想的是磁性合金的结晶的易磁化轴为垂直取向的状态，但取向不一致时，再现信号中的干扰成分增加。

为了使垂直磁性层中的结晶取向一致，公开了在垂直磁性层之下层叠取向膜、进一步层叠基底膜等方法，层叠有这些膜的玻璃基板的主表面的表面状态对结晶取向也带来很大影响。

为了使垂直磁性层的结晶取向一致而提高磁记录再现特性，有如下方法：对玻璃基板的主表面进行研磨(研磨)，使得研磨后的主表面的表面粗糙度规定为预定值以下；或者使用在高亮度下通过目视观察到研磨痕少或者观察不到研磨痕的状态的玻璃基板。

但是，本发明人发现即使使用使基板的主表面的表面粗糙度为预定值以下的玻璃基板制作磁盘也不能充分提高记录再现特性。另外，即使是在高亮度下通过目视观察不到研磨痕的状态的基板，在AFM(AtomicForceMicroscope：原子力显微镜)等高分辨率的表面测定中，也存在有在某一方向具有方向性的条状图案，这样的具有方向性的条状图案有可能会导致使得形成的磁性膜的结晶取向紊乱。

本发明的目的在于解决上述课题，通过在基板的主表面上规定利用AFM观测的水平的条状图案的状态，由此提供对于高记录密度而言记录再现特性优良的磁盘用玻璃基板。

(磁盘用玻璃基板)

接着，对本实施方式中的磁盘用玻璃基板进行说明。如图1所示，本实施方式中的磁盘用玻璃基板10形成为圆环形状，在中央部分具有圆形的开口部11。对于本实施方式中的磁盘用玻璃基板而言，形成有开口部11的内侧为内周面21，外侧为外周面22，在内周面21与外周面22之间的主表面30之上形成磁性层的膜，由此制作出磁盘。

(磁盘用玻璃基板的制造方法)

磁盘用玻璃基板的制造方法具有坯板加工工序、倒角部加工工序、端面研磨工序以及主表面研磨工序等。可以在这些工序之间或这些工序之后进行蚀刻工序、清洗工序、干燥工序等。

坯板加工工序是通过对玻璃坯板进行加工而得到中央部具有圆孔的圆盘状玻璃基板。玻璃坯板通过例如浮法、熔融法、压制成形法、下拉法、再拉法等进行成形。

倒角部加工工序中，利用倒角磨石对玻璃基板的端面(内周端面及外周端面)进行研削(研削)，由此在玻璃基板的端面形成倒角部及侧面部。倒角部可以相对于玻璃基板的主面倾斜，侧面部可以相对于玻璃基板的主面垂直。需要说明的是，倒角部也可以不为平面，可以为带有圆弧的曲面。

端面研磨工序中，在供给研磨液的同时利用旋转刷对倒角部及侧面部进行研磨，由此除去倒角部、侧面部中的加工变质层。将研磨液供给至利用旋转刷进行研磨的部位。

需要说明的是，可以依次进行多个端面研磨工序，也可以不只利用旋转刷除去加工变质层。除了利用旋转刷进行的刷研磨以外，还可以进行海绵研磨、粘性流体研磨、磁性流体研磨等。在多个端面研磨工序之间，可以进行清洗工序、干燥工序。

主表面研磨工序中，对玻璃基板的主表面(第1主表面及第2主表面)进行研磨。在主表面研磨工序中，可以使用对玻璃基板的第1表面及第2表面同时进行研磨的双面研磨机。双面研磨机可以同时对多个玻璃基板进行研磨。

需要说明的是，可以依次进行多个主面研磨工序。多个主面研磨工序是改变研磨垫的种类、研磨液中所含的磨粒的粒度而进行。在多个主面研磨工序之间，可以进行清洗工序、干燥工序。

需要说明的是，各工序的顺序没有特别限定。例如，可以在主表面研磨工序之后进行端面研磨工序。另外，也可以进行各工序以外的工序。例如，可以在主面研磨工序之前进行玻璃基板的主表面的磨削(lapping)(例如游离磨粒磨削、固定磨粒磨削等)。另外，在端面研磨工序、主表面研磨工序之后，主表面研磨工序之间，可以进行化学强化。化学强化是将玻璃板的表面所含的小离子半径的离子(例如Li离子、Na离子)置换成大离子半径的离子(例如K离子)从而形成自表面起预定深度的强化层。由于在强化层中残留有压应力，因此不易划伤。

本实施方式中的磁盘用玻璃基板为：在磁盘用玻璃基板的主表面30上通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下，根据通过AFM得到的结果在预定的区域中在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下。

(角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min)

接着，关于本实施方式中的磁盘用玻璃基板，对角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的算出方法进行说明。

首先，使用AFM进行磁盘用玻璃基板的测定。在AFM装置中，机理上不能完全消除磁盘用玻璃基板的倾斜，因此基于通过AFM得到的测定结果，进行算术性倾斜校正。对如此进行了倾斜校正后的结果施加高通滤波器(低截止滤波器)、例如截止波长为50nm的高通滤波器。然后，如图2所示，针对各角度θ时的每个角度方向算出预定角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg。

具体而言，在磁盘用玻璃基板的主表面中，算出长边方向的长度L、短边方向的长度L/3的区域中的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg。在本实施方式中，将长边方向设为角度方向，例如，长边方向的长度L设定为500nm。在使角度方向以每次变化1°的方式变化的同时进行算出角度方向算术平均粗糙度Ra_deg的工序，由此得到角度方向的角度θ与角度方向算术平均粗糙度Ra_deg的关系。将如此得到的角度方向的角度θ与角度方向算术平均粗糙度Ra_deg的关系示于图3中。将如图3所示的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min。

需要说明的是，在本实施方式中，首先，在通过AFM得到的磁盘用玻璃基板的主表面的数据中，提取出短边方向和长边方向的长方形的部分的数据，针对各短边方向的数据求出高度的平均值(短边方向的平均高度)。接着，将由短边方向的平均高度形成的长边方向的曲线作为其角度方向上的截面曲线(该角度时的长边方向的截面曲线)。并且，算出长边方向的截面曲线的算术平均粗糙度，将其作为角度方向算术平均粗糙度Ra_deg。

基于如此得到的角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max及角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min，算出(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值。

对于本实施方式中的磁盘用玻璃基板而言，根据通过AFM得到的结果在预定的区域中在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下。

通过使(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下，在磁盘用玻璃基板的主平面上形成磁性层等而制成磁盘后对记录再现信号的强度进行评价时，能够抑制再现时所得到的输出功率为阈值以下，能够使磁盘进一步高记录密度化。

需要说明的是，在本实施方式中，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值更优选为2.4以下、进一步优选为2.2以下、更进一步优选为2.0以下。

另外，对于本实施方式中的磁盘用玻璃基板而言，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.024nm以下。

通过使(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.024nm以下，在磁盘用玻璃基板的主平面上形成磁性层等而制成磁盘后对记录再现信号的强度进行评价时，能够抑制再现时所得到的输出功率为阈值以下，能够使磁盘进一步高记录密度化。

需要说明的是，在本实施方式中，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值更优选为0.022nm以下、进一步优选为0.018nm以下、更进一步优选为0.016nm以下。

需要说明的是，对于角度方向算术平均粗糙度Ra_deg而言，为了在不受测定时的干扰、磁盘用玻璃基板自身的起伏等阻碍的情况下准确地把握条状图案的状态，优选使用波长为条状图案的周期的约2倍的高通滤波器。

(磁盘)

如图4所示，本实施方式中的磁盘通过在上述本实施方式中的磁盘用玻璃基板10的主表面30上形成作为垂直磁化膜50的垂直磁性层的膜而制作。作为形成垂直磁性层的磁性材料，可以列举CoCrPt系合金、FePt系合金等。

具体而言，通过下述方法在本实施方式中的磁盘用玻璃基板10上形成垂直磁性层的膜等，由此制作出磁盘。所制作的磁盘在磁盘用玻璃基板的主表面上至少形成有垂直磁性层、保护层、润滑膜。垂直磁性层使用与垂直磁记录方式相对应的材料。需要说明的是，欲进一步提高记录密度的情况下，优选能量辅助磁记录方式(例如，热辅助磁记录方式、微波辅助磁记录方式等)，这种情况下，在垂直磁性层中可以使用与能量辅助磁记录方式相对应的材料。

垂直记录方式的情况下，通常形成由软磁性材料构成的软磁性基底层，所述软磁性材料发挥使来自磁头的记录磁场回流的作用。软磁性基底层可以使用含有Co、Fe、Ni等的软磁性材料。具体而言，可以使用FeCo系合金、FeNi系合金、FeAl系合金、FeCr系合金、FeTa系合金、FeMg系合金、FeZr系合金、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金等。

另外，为了抑制磁盘用玻璃基板10的主表面30处的吸附气体、吸附水分的影响，或者抑制因磁盘用玻璃基板10中所含的成分的扩散等导致的软磁性基底层的腐蚀，可以在磁盘用玻璃基板10与软磁性基底层之间设置有密合层。作为形成密合层的材料，可以列举Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等，优选厚度约为2nm～40nm。密合层例如可以通过利用溅射进行成膜来形成。

通过在软磁性基底层与垂直磁性层之间设置取向控制层，可以使垂直磁性层的晶粒微细化、提高记录再现特性。取向控制层可以使用Ru或Ru合金，含有Pt、Au及Ag的材料，以及CoCr系合金，Ti或Ti合金等材料，膜厚优选约2～20nm。该取向控制层具有使垂直磁性层的外延生长变得容易的功能、及隔断软磁性基底层与垂直磁性层的磁交换耦合的功能。此外，可以在软磁性基底层与取向控制层之间设置用于控制取向控制层的结晶粒径的籽晶层。籽晶层例如可以使用NiW系合金。垂直磁性层是易磁化轴朝向相对于磁盘用玻璃基板中的主表面的垂直方向的磁性膜，由含有Co、Cr、Pt等的材料形成。

为了降低导致高固有介质干扰的晶粒间交换耦合，垂直磁性层优选为良好隔离开的微粒结构、即颗粒状结构。具体而言，优选在CoCrPt系合金等中添加氧化物(SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₅、TiO₂等)、Cr、B、Ta、Zr等。

垂直磁性层可以为磁性层与非磁性层交替层叠的结构。这种情况下，非磁性层例如使用Ru或Ru合金的材料并使厚度为0.6～1.2nm，由此能够使磁性层AFC结合(反强磁性交换耦合)。

为了防止垂直磁性层的腐蚀、并且在磁头与介质接触时防止磁盘表面的损伤，在垂直磁性层之上形成有保护层。保护层由含有C、ZrO₂、SiO₂等的材料形成，可以通过溅射、CVD(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)等进行成膜而形成。

为了降低磁头与记录介质的摩擦，在保护膜的表面上形成有润滑膜。润滑膜例如可以使用全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等。这些润滑膜可以通过浸涂法、喷涂法等形成。

实施例

(磁盘用玻璃基板的制造方法)

作为本实施方式中的例1～9中的磁盘用玻璃基板，对外径为65mm、内径为20mm、板厚为0.64mm的磁盘用玻璃基板的制造方法进行说明。本申请中，例1～7为实施例，例8、9为比较例。

对通过浮法成形出的以SiO₂作为主要成分的玻璃坯板进行圆形(圆环形状)加工，即加工成圆环状圆形玻璃基板(在中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板，以下有时仅记载为玻璃基板)。

接着，对该圆环状圆形玻璃基板的内周侧面和外周侧面进行倒角加工从而得到倒角宽度为0.15mm、倒角角度45°的磁盘用玻璃基板。

接着，使用氧化铝磨粒，对玻璃基板的上下的主表面进行磨削，清洗除去磨粒。使用作为研磨工具的铸铁台板(定盤)和含有氧化铝磨粒的研削液，通过双面研磨装置(SPEEDFAM公司制、产品名：DSM-16B-5PV-4MH)，对玻璃基板的上下的主表面进行一次研削。

接着，使用研磨刷和氧化铈磨粒对外周侧面和外周倒角部进行研磨，除去外周侧面和外周倒角部的伤痕，将外周端面研磨加工成镜面。然后，对外周端面研磨后的玻璃基板清洗除去磨粒。

接着，使用研磨刷和氧化铈磨粒对玻璃基板的内周侧面和内周倒角部进行研磨，除去内周侧面和内周倒角部的伤痕，将内周端面研磨加工成镜面，清洗除去磨粒。

接着，使用作为研磨工具的固定磨粒工具(含有平均粒径为4μm的金刚石粒子)和含有表面活性剂的研削液，通过双面研削装置(SPEEDFAM公司制、产品名：DSM-16B-5PV-4MH)对上下的主表面进行二次研削(利用固定磨粒进行的研削)，清洗二次研削后的玻璃基板，除去研削液及其他污渍。

然后，对该玻璃基板的主表面进行研磨，由此制作出外径为65mm、内径为20mm、板厚为0.64mm的作为实施例和比较例的磁盘用玻璃基板。

在主表面研磨工序中，首先进行一次研磨。具体而言，使用作为研磨工具的软质氨基甲酸酯制的研磨垫(绒面革系研磨垫)和含有氧化铈磨粒的研磨液(以平均粒子直径(以下简称为平均粒径)约为1.0μm的氧化铈作为主要成分的研磨液组合物)，通过16B型双面研磨装置(SPEEDFAM公司制、产品名：DSM16B-5PV-4MH)，对玻璃基板的上下的主表面进行一次研磨。一次研磨中，在主研磨加工压力为120g/cm²、下台板转速为30rpm、上台板转速以与下台板反方向地为10rpm、研磨载具公转转速10rpm、自转转速3rpm的条件下，对上下两主平面进行板厚方向上合计30μm的研磨，对研磨后的玻璃基板清洗除去氧化铈。

接着，进行二次研磨(最终研磨)。具体而言，使用作为研磨工具的软质氨基甲酸酯制的研磨垫和含有平均粒径为20nm的胶态二氧化硅磨粒的研磨液，通过16B型双面研磨装置(SPEEDFAM公司制、产品名：DSM16B-5PV-4MH)，对一次研磨后的玻璃基板的上下的主表面进行二次研磨。二次研磨应用了后述的在途中切换研磨压力、上下台板的转速及研磨载具的自转、公转转速的两阶段的条件。

接着，进行研磨后清洗。具体而言，对研磨后的玻璃基板清洗除去研磨剂。

接着，进行最终清洗。具体而言，对进行了二次研磨及研磨后清洗的玻璃基板依次进行利用碱性洗涤剂的擦洗清洗、在浸渍于碱性洗涤剂溶液中的状态下的超声波清洗、在浸渍于纯水中的状态下的超声波清洗，利用异丙醇蒸气进行干燥。

(磁盘用玻璃基板的评价方法)

作为磁盘用玻璃基板的评价，使用AFM对磁盘用玻璃基板的主表面的算术平均粗糙度Ra进行测定。另外，基于上述角度方向算术平均粗糙度Ra_deg的算出方法，得到角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min，从而算出(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值、(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值。

AFM装置使用PARKSystems公司制造的XE-HDM。测定区域为1μm□、采样点为256点×256点。AFM的测定在磁盘用玻璃基板的主平面的中央部实施，在本实施方式中，在自磁盘用玻璃基板的中心起21mm的区域内实施。

需要说明的是，如上所述，对测定数据进行倾斜校正，对进行倾斜校正后的测定数据施加40nm的高通滤波器后，算出角度方向算术平均粗糙度Ra_deg。

(磁盘的制造方法)

对使用例1～9中的磁盘用玻璃基板制造磁盘的制造方法进行说明。

具体而言，对例1～9中的磁盘用玻璃基板进行精密清洗除去表面的粒子后，通过在线型溅射装置以Cr靶的方式形成膜厚为10nm的密合层的膜。在密合层之上，以Co-Fe-Zr-Ta合金作为靶，形成30nm膜厚的软磁性基底层。接着，以NiW合金作为靶，形成10nm膜厚的籽晶层。在籽晶层之上，以Ru作为靶，形成10nm膜厚的取向控制层。在取向控制层之上，形成10nm膜厚的CoCrPt-SiO₂的颗粒状结构层作为垂直磁性层，形成0.6nm膜厚的Ru膜作为非磁性中间层，进一步形成6nm膜厚的CoCrPt-SiO₂的颗粒状结构层作为磁性层。将层叠有上述各层的磁盘用玻璃基板从在线型溅射装置中取出，通过CVD法形成3nm膜厚的碳膜作为保护层。然后，通过浸涂法，在保护层之上形成2nm膜厚的全氟聚醚的润滑层。

(磁盘评价)

接着，对制作出的磁盘进行基于缺失位(MissingBits)的磁盘评价。将其结果示于表1中。缺失位是在线记录密度为1600kBPI、磁道密度为500kTPI(面记录密度800Gbit/inch²)的条件下进行记录并测定再现时的信号强度来评价。再现时所得到的输出功率中，将为合格的阈值(第一阈值)以下的设为缺失位，将为第一阈值以下但可修正的第二阈值(第一阈值的80％)以上的设为可修正缺失位(CorrectableMissingBit)、将不能修正的(低于第一阈值的80％)设为不可修正缺失位(UncorrectableMissingBit)，对各条件500片的磁盘进行测定，以每个面的个数的方式算出。

在表1中，磁盘的评价基于如此测定的可修正缺失位、不可修正缺失位以A、B、C、D的等级表示。具体而言，如表2所示，将可修正缺失位小于0.3(个/面)、不可修正缺失位小于0.1(个/面)的设为等级A。另外，将可修正缺失位为0.3～小于0.4(个/面)、不可修正缺失位为0.1～小于0.2(个/面)的设为等级B。另外，将可修正缺失位为0.4～小于0.7(个/面)、不可修正缺失位为0.2～小于0.3(个/面)的设为等级C。另外，将可修正缺失位大于或等于0.7(个/面)、不可修正缺失位大于或等于0.3(个/面)的设为等级D。

[表2]

等级	可修正缺失位(个/面)	不可修正缺失位(个/面)
			A	小于0.3	小于0.1
B	0.3～小于0.4	0.1～小于0.2
			C	0.4～小于0.7	0.2～小于0.3
D	大于或等于0.7	大于或等于0.3

以下，对例1～9详细地进行说明。

(例1)

对于例1中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-7rpm、下台板转速为21rpm、研磨载具公转转速为7rpm、研磨载具自转转速为2.5rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段在40g/cm²的压力下且上台板转速为-3rpm、下台板转速为9rpm、研磨载具公转转速为3rpm、研磨载具自转转速为1.1rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对于在该条件下制作出的例1中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.08nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.031nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.016nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.0，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.015nm。另外，在例1中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级A、不可修正缺失位为等级A。

(例2)

对于例2中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-7rpm、下台板转速为21rpm、研磨载具公转转速为7rpm、研磨载具自转转速为2.5rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在50g/cm²的压力下且上台板转速为-3rpm、下台板转速为9rpm、研磨载具公转转速为3rpm、研磨载具自转转速为1.5rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例2中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.07nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.030nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.016nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为1.9，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.015nm。另外，在例2中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级A、不可修正缺失位为等级A。

(例3)

对于例3中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-7rpm、下台板转速为21rpm、研磨载具公转转速为7rpm、研磨载具自转转速为2.5rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在60g/cm²的压力下且上台板转速为-3rpm、下台板转速为9rpm、研磨载具公转转速为3rpm、研磨载具自转转速为1.1rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例3中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.11nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.037nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.018nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.1，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.020nm。另外，在例3中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级B，不可修正缺失位为等级A。

(例4)

对于例4中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-7rpm、下台板转速为21rpm、研磨载具公转转速为7rpm、研磨载具自转转速为2rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在50g/cm²的压力下且上台板转速为-3rpm、下台板转速为9rpm、研磨载具公转转速为3rpm、研磨载具自转转速为0.6rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例4中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.12nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.033nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.015nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.2，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.018nm。另外，在例4中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级B，不可修正缺失位为等级A。

(例5)

对于例5中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-7rpm、下台板转速为21rpm、研磨载具公转转速为7rpm、研磨载具自转转速为2rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在50g/cm²的压力下且上台板转速为-3rpm、下台板转速为9rpm、研磨载具公转转速为3rpm、研磨载具自转转速为0.5rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例5中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.10nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.033nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.014nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.3，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.019nm。另外，在例5中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级C，不可修正缺失位为等级A。

(例6)

对于例6中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-7rpm、下台板转速为21rpm、研磨载具公转转速为7rpm、研磨载具自转转速为2rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在50g/cm²的压力下且上台板转速为-3rpm、下台板转速为9rpm、研磨载具公转转速为3rpm、研磨载具自转转速为0.3rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例6中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.12nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.036nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.015nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.5，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.021nm。另外，在例6中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级C，不可修正缺失位为等级B。

(例7)

对于例7中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-15rpm、下台板转速为15rpm、研磨载具公转转速为0rpm、研磨载具自转转速为2rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在50g/cm²的压力下且上台板转速为-5rpm、下台板转速为5rpm、研磨载具公转转速为0rpm、研磨载具自转转速为0.7rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例7中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.09nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.033nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.016nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.1，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.017nm。另外，在例7中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级A，不可修正缺失位为等级A。

(例8)

对于例8中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-15rpm、下台板转速为15rpm、研磨载具公转转速为0rpm、研磨载具自转转速为2rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在50g/cm²的压力下且上台板转速为-5rpm、下台板转速为5rpm、研磨载具公转转速为0rpm、研磨载具自转转速为0rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例8中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.12nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.038nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.013nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.9，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.025nm。另外，在例8中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级D，不可修正缺失位为等级D。

(例9)

对于例9中的磁盘用玻璃基板而言，二次研磨的第一阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-15rpm、下台板转速为15rpm、研磨载具公转转速为0rpm、研磨载具自转转速为2rpm、研磨时间为20分钟的条件下进行。另外，二次研磨的第二阶段是在100g/cm²的压力下且上台板转速为-5rpm、下台板转速为5rpm、研磨载具公转转速为0rpm、研磨载具自转转速为0.3rpm、研磨时间为0.5分钟的条件下进行。

对在该条件下制作出的例9中的磁盘用玻璃基板而言，通过AFM得到的算术平均粗糙度Ra为0.11nm，角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max为0.040nm，角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min为0.015nm，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.8，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.026nm。另外，在例9中的磁盘用玻璃基板上形成垂直磁性层的膜而得到的磁盘的磁盘评价的结果是可修正缺失位为等级D，不可修正缺失位为等级C。

以上，对实施方式详细地进行了说明，但并非限定于特定的实施方式，在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变形和变更。

Claims

1.一种磁盘用玻璃基板，其具有主表面，其特征在于，

通过原子力显微镜在所述主表面上测定的算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下，

基于通过原子力显微镜测定的结果，对预定的区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将所述算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下。

2.如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.4以下。

3.如权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.020nm以下。

4.一种磁盘用玻璃基板，其具有主表面，其特征在于，

基于通过原子力显微镜测定的结果，对预定的区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将所述算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.024nm以下。

5.如权利要求4所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于，(Ra_deg_max)-(Ra_deg_min)的值为0.022nm以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的磁盘用玻璃基板，其特征在于，所述角度方向算术平均粗糙度Ra_deg是基于对通过原子力显微镜测定的结果施加截止波长设为40nm的高通滤波器后的结果而算出的。

7.一种磁盘，其特征在于，在权利要求1至6中任一项所述的磁盘用玻璃基板的主表面上形成有磁性层的膜。