JP5983897B1 - 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ディスクの歩留まりを向上させることのできる磁気ディスク用ガラス基板を提供する。【解決手段】主表面を有し、中心部に円形状の孔を有する円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板であって、前記磁気ディスク用ガラス基板の中心部側の内周側面部において、原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．７ｎｍ以下であって、原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、前記主表面に平行な方向に対して角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図５

Description

本発明は、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクに関する。

ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ装置）に搭載される磁気記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスクは、金属基板やガラス基板の上に、磁性層を成膜することにより形成されており、従来は、磁気ディスク用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高記録密度化に伴い、アルミニウム合金基板に比べて表面の平滑性が高く、薄板における強度に優れたガラス基板が多く用いられている。

特許文献１には、磁気ディスク用ガラス基板における品質要求に対応するため、磁気ディスク用ガラス基板の端面を低コストで効率良く高品位に仕上げることのできる磁気ディスク用ガラス基板の加工方法が開示されている。また、引用文献２には、磁気ディスク用ガラス基板の中心の円孔の真円度等を所望の条件にすることにより、磁気ディスクにした場合に高速回転時のフラッタリングを改善することのできる磁気ディスク用ガラス基板が開示されている。

特許第５６３９２１５号公報 特許第５７０３４３０号公報

ところで、ガラス基板の場合、アルミニウム合金基板よりも割れやすいことから、引用文献１及び２に開示されている磁気ディスク用ガラス基板においても、内周端面や外周端面では、割れ、チッピング、欠け等が発生しやすい。

また、磁気ディスクでは、基板の主表面の上に成膜されている磁性膜において情報の記録が行われ、磁性膜はスパッタリング等の真空成膜により形成されている。このような磁性膜を磁気ディスク用基板に成膜する際、磁気ディスク用基板の主表面のみならず、端面にも、磁性膜を成膜するための粒子が回り込み付着し膜が成膜される。このような磁気ディスク用基板の端面に成膜された膜は、磁気ディスク用基板の端面の表面状態によっては、膜が剥がれる場合があり、このように剥がれた膜は塵となり、主表面に付着すると、磁気ディスクが不良となってしまう。

例えば、次世代の磁気記録方式として期待される高温熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）用の媒体においては、磁性層としてＦｅ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｐｔ系合金薄膜等が用いられる。これらの磁性層を成膜する際や、成膜の前後においては、５００℃〜７００℃の温度に加熱されるが、この後の保護層の成膜の際には、１００℃〜室温程度まで冷却される。このようなガラス基板の急加熱及び急冷を行うと、ガラス基板の端面においてクラックや割れが発生する場合がある。また、このような急激な温度変化により、ガラス基板と磁性膜との熱膨張率の差より、ガラス基板の端面に付着していた磁性膜が剥がれる場合がある。このように、端面においてクラックや割れが発生したガラス基板や、端面から磁性層が剥がれ主表面に付着した磁気ディスクは、不良品となるため、歩留まりの低下を招く。

このため、磁気ディスク用ガラス基板において、磁性膜を成膜しても、クラックや割れが発生しにくく、また、端面に成膜された磁性膜が剥がれにくいものが求められている。また、研磨において用いられる研磨剤が端面の凹凸部に入り込み、後の洗浄槽における洗浄の際に、凹凸部に入り込んでいた研磨剤が、洗浄槽に漂い、主表面に再付着する等の悪影響を及ぼす問題があり、その改善が求められている。

本実施の形態の一観点によれば、主表面を有し、中心部に円形状の孔を有する円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板であって、前記磁気ディスク用ガラス基板の中心部側の内周側面部において、原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．７ｎｍ以下であって、原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、前記主表面に平行な方向に対して角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下であることを特徴とする。

開示の磁気ディスク用ガラス基板によれば、磁性膜を成膜しても、クラックや割れの発生が抑制され、端面からの磁性膜の剥がれが抑制されるため、磁気ディスクの歩留まりを向上させることができる。また洗浄を容易にし付着パーティクルの少ない磁気ディスク用ガラス基板を提供できる。更には、ハードディスクドライブ装置を作製する際のスピンドルへの挿入を容易にすることが可能となる。

本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板の構造図 磁気ディスク用ガラス基板内周端面のブラシ研磨を説明するガラス基板概略断面説明図 磁気ディスク用ガラス基板外周端面のブラシ研磨を説明する概略斜視説明図 本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板端面の評価方法の説明図（１） 本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板端面の評価方法の説明図（２） 本実施の形態における磁気ディスクの模式構造図 磁気ディスク用ガラス基板の内周端面及び外周端面のパッド研磨の説明図 磁気ディスク用ガラス基板の内周端面及び外周端面のテープ研磨の説明図

実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。

最初に、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面及び外周端面について説明する。磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板の主表面に下地層、垂直磁性層等の磁性層、保護層等を成膜することにより作製される。

このように作製された磁気ディスクは、磁性層を成膜する際の温度上昇、温度降下の際に、磁気ディスク用ガラス基板の端面にクラックが発生したり、割れが発生したりする場合がある。また、磁性層の成膜の際には、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面及び外周端面にも、磁性粒子が回り込み磁性層が成膜されるが、このように成膜された磁性層は、ガラスと磁性層との熱膨張率差等に起因して剥がれる場合がある。

ところで、発明者達は、このような磁気ディスクを製造する際に生じる磁気ディスク用ガラス基板の端面におけるクラックの発生や、割れ、成膜された磁性層の膜剥がれは、磁気ディスク用ガラス基板の端面表面の状態に大きく依存することを見出した。具体的には、高輝度下において目視により、研磨痕が見えない状態の基板であっても、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）等の高解像度の表面測定においては、ある方向に方向性を有する筋状パターンが存在している。このような方向性を有する筋状パターンが、磁気ディスク用ガラス基板の端面におけるクラックの発生や、割れ、成膜された磁性層の膜剥がれに大きく影響を与えることを見出した。

本発明は、上記の見出された知見に基づくものであり、基板の端面において、ＡＦＭによって観測されるレベルの筋状パターンの状態を規定することにより、端面におけるクラックや割れ、磁性層の剥がれの少ない磁気ディスク用ガラス基板を提供するものである。また、洗浄を容易にし付着パーティクルの少ない磁気ディスク用ガラス基板を提供するものである。即ち、筋状パターンが顕著だと、付着パーティクルが増えるため、これを防いだ磁気ディスク用ガラス基板を提供するものである。更には、ＨＤＤ用のスピンドルに挿入しやすい磁気ディスク用ガラス基板を提供するものである。

（磁気ディスク用ガラス基板）
本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板について説明する。図１に示されるように、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０は、ドーナツ形状、即ち、中心部に円形状の孔１１を有している円盤形状となるように形成されており、主表面１２を有している。磁気ディスク用ガラス基板１０は、中心部側となる円形状の孔１１が形成されている内側が内周端面２０、外側が外周端面３０となる。本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０の主表面１２の上に、磁性層を成膜することにより磁気ディスクが作製される。

内周端面２０は、内周側面部２１と内周面取り部２２とを有しており、内周面取り部２２は、内周側面部２１と主表面１２との間において、面取り加工をすることにより形成される。外周端面３０は、外周側面部３１と外周面取り部３２とを有しており、外周面取り部３２は、外周側面部３１と主表面１２との間において、面取り加工をすることにより形成される。

（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、素板加工工程、面取部加工工程、端面研磨工程、および主表面研磨工程などを有する。これらの工程の間や、これらの工程の後に、エッチング工程、洗浄工程、乾燥工程などを行ってもよい。

素板加工工程は、ガラス素板を加工することにより、中心部に円形状の孔を有する円盤形状のガラス基板を得る。ガラス素板は、例えばフロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法、リドロー法などで成形される。

面取部加工工程は、面取砥石でガラス基板の端面（内周端面および外周端面）を研削することにより、ガラス基板の外周端面に外周側面部及び外周面取り部を形成し、ガラス基板の内周端面に内周側面部及び内周面取り部を形成する。外周面取り部及び内周面取り部は、ガラス基板の主表面に対して斜めに形成されており、外周側面部及び内周側面部は、ガラス基板の主表面に対して略垂直に形成されている。尚、外周面取り部及び内周面取り部は平面でなくてもよく、丸みを帯びた曲面でもよい。

端面研磨工程は、研磨液を供給しながら回転ブラシで、ガラス基板の内周端面における内周側面部及び内周面取り部、外周端面における外周側面部及び外周面取り部を研磨することにより、加工変質層を除去する。回転ブラシによる研磨部位には研磨液が供給される。

図２及び図３は、磁気ディスク用ガラス基板１０の内周端面２０及び外周端面３０における端面研磨工程の一例として、ブラシ研磨の様子を示すものである。図２に示されるように、複数のブラシ毛１２１が植毛されている回転ブラシ１２０を、積層した磁気ディスク用ガラス基板１０の円形状の孔１１内に挿入し、回転ブラシ１２０を回転させて、回転ブラシ１２０のブラシ毛１２１の先端を磁気ディスク用ガラス基板１０の内周端面２０における内周側面部２１及び内周面取り部２２に接触させることにより、内周端面２０の端面研磨が行われる。また、図３に示されるように、複数のブラシ毛１３１が植毛されている回転ブラシ１３０を、積層した磁気ディスク用ガラス基板１０の外側より近づけて、回転ブラシ１３０を回転させて、回転ブラシ１３０のブラシ毛１３１の先端を磁気ディスク用ガラス基板１０の外周端面３０における外周側面部３１及び外周面取り部３２に接触させることにより、外周端面３０の端面研磨が行われる。

尚、複数の端面研磨工程が順次行われてもよく、回転ブラシだけで加工変質層を除去しなくてもよい。回転ブラシによるブラシ研磨の他に、パッド研磨、テープ研磨、スポンジ研磨、粘性流体研磨、磁性流体研磨などが行われてもよい。複数の端面研磨工程の間には、洗浄工程や乾燥工程が行われてよい。

端面研磨工程を実施する際には、研磨液を用いることができ、該研磨液には分散剤を添加することができる。

そして、端面研磨工程で用いる研磨液に好適に添加することができる分散剤としては、ポリアクリル酸ナトリウムや、ポリスルフォン酸塩、アクリル酸−マレイン酸共重合体の塩、クエン酸塩または２リン酸塩が挙げられる。

例えば研磨液に含まれる酸化セリウムを主成分とする粒子や、酸化セリウムを主成分とする粒子以外の酸化物粒子等の研磨砥粒の種類により、適宜好ましい種類の分散剤を研磨液に添加することができる。研磨液に酸化セリウムが含まれる場合の分散剤としては、ポリアクリル酸塩、ポリスルフォン酸塩、アクリル酸−マレイン酸共重合体の塩、クエン酸塩、または２リン酸塩が好ましい。

研磨液に添加する分散剤としては、研磨砥粒同士が付着しないようにするため、高分子タイプの分散剤を用いることが好ましい。

なお、界面活性作用のある分散剤は、研磨レートが低下する点、泡が発生する点で好ましくない。分散剤として界面活性剤を用いた場合、研磨レートが低下し、研磨時間が延びるため、研磨筋が増える。研磨時間を短縮しようとした場合、研磨圧を上げる必要があり、その結果研磨筋が増える傾向となる。また、界面活性剤を使用すると研磨液が泡立つ問題もある。

これらを解消するため、一般的に界面活性剤に分類されないポリアクリル酸塩などのカルボシキル基を多く有する添加剤を添加することで研磨砥粒を分散させ、研磨レートの低下をなくすことが好ましい。また、研磨液の泡立ちも問題とならないレベルとすることができる。

主表面研磨工程は、ガラス基板の主表面（表側主表面および裏側主表面）を研磨する。主表面研磨工程では、ガラス基板の表側主表面および裏側主表面を同時に研磨する両面研磨機が用いられてよい。両面研磨機は、複数のガラス基板を同時に研磨してよい。

なお、主表面研磨工程は、複数回実施することもでき、この場合、複数回の主表面研磨工程を順次実施できる。複数回行われる主表面研磨工程では、研磨パッドの種類や研磨液に含まれる砥粒の粒度を変えて行われる。また、各回行われる主表面研磨工程の間には、洗浄工程や乾燥工程が挿入されてもよい。

また、各工程の順序は、特に限定されない。例えば、主表面研磨工程の後に、端面研磨工程が行われてもよい。また、上述の各工程以外の工程が行われてもよい。例えば、主表面研磨工程の前に、ガラス基板の主表面のラップ（例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップなど）が行われてよい。また、端面研磨工程や主表面研磨工程の後、または主表面研磨工程の間に、化学強化が行われてもよい。化学強化は、ガラス基板の表面に含まれる小さなイオン半径のイオン（例えばＬｉイオンやＮａイオン）を大きなイオン半径のイオン（例えばＫイオン）に置換し、表面から所定の深さの強化層を形成する。強化層には圧縮応力が残留するため、傷が付きにくい。

また、磁気ディスク用ガラス基板は、洗剤等を用いたスクラブ洗浄、および洗剤、純水等に浸漬した状態で超音波を印加した精密洗浄等が行われ、イソプロピルアルコール等を用いた乾燥工程を経て、磁気ディスク製造工程に供される。

（角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）
次に、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板において、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎの算出方法について説明する。

最初に、ＡＦＭを用いて磁気ディスク用ガラス基板端面の測定を行う。ＡＦＭ装置においては、機構的には磁気ディスク用ガラス基板の傾斜を完全には解消することができないため、ＡＦＭにより得られた測定結果に基づき、算術的に傾斜補正を行う。このように傾斜補正が行われたものに、ハイパスフィルタ（ローカットフィルタ）、例えば、カットオフ波長が５０ｎｍのハイパスフィルタをかける。この後、係る所定の処理を行った後のＡＦＭで測定した値を用いて、図４に示されるように、所定の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを各々の角度θにおける角度方向ごとに算出できる。尚、図４（ａ）は、磁気ディスク用ガラス基板の側面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）における一点鎖線４Ａで囲まれた領域の拡大図である。

具体的には、図４は、磁気ディスク用ガラス基板の端面の側面部を見たもので、図上左右方向が磁気ディスク用ガラス基板平行方向（端面の円周方向）、上下方向が磁気ディスク用ガラス基板の板厚さ方向である。長手方向の長さＬ、短手方向の長さＬ／１９の領域における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出する。本実施の形態においては、例えば、長手方向の長さＬは８μｍとする。この長手方向、短手方向を有する長方形の領域を、この領域の対角線の交点を回転の中心として、主表面に平行な方向から時計回りに角度を変化させるときに基準から変化させる角度θを角度方向とし、磁気ディスク用ガラス基板の主表面に平行な方向を角度方向が０°の基準とし、これより時計方向に角度方向を１°ごとに変化させ、角度を増加させて角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出している。０°の基準から、磁気ディスク用ガラス基板の板厚方向まで角度を増加すると角度方向θが９０°となる。なお、内周側面部、及び外周側面部における上記長方形の領域の位置はＡＦＭの測定領域内であればよく、特に限定されないが、例えば長方形の領域の対角線の交点が、内周側面部、外周側面部の板厚方向の中央部に位置することが好ましい。

このようにして得られた角度方向の角度θと角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇとの関係を図５に示す。図５に示される角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最大の値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最小の値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとする。

図５のグラフを算出するに当たっては、ＡＦＭ装置において測定の際、所定の測定領域は１０μｍ□とし、サンプリング点は２５６点×２５６点で、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面における内周側面部の板厚方向の中央部分及び外周端面における外周側面部の板厚方向の中央部分において測定を実施した。なお、図５では外周側面部についてのＡＦＭの測定結果から算出したＲａ＿ｄｅｇの結果のみを示している。

尚、本実施の形態においては、まず、ＡＦＭにより得られた磁気ディスク用ガラス基板の端面のデータにおいて、短手方向と長手方向による長方形の領域のデータを抽出し、各短手方向のデータについて高さの平均値（短手方向の平均高さ）を求める。次に、短手方向の平均高さにより形成される長手方向の曲線をその角度方向における断面曲線（その角度における長手方向の断面曲線）とする。そして、長手方向の断面曲線の算術平均粗さを算出し、これを角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇとしている。

このようにして得られた角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ及び角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎに基づき、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値を算出する。

本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板は、磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部２１において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａが０．７ｎｍ以下であって、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）と（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）との差ΔＲａ、即ち、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）が、０．１５ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下となるものであり、より好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．６０ｎｍ以下となるものであり、更に好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．５０ｎｍ以下となるものであり、更に好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．４０ｎｍ以下となるものであり、より一層好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．３２ｎｍ以下となるものである。

また、磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部２１において、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値となる角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘの値が、０．３０ｎｍ以上、１．４ｎｍ以下となるものであり、より好ましくは０．３０ｎｍ以上、０．９０ｎｍ以下となるものであり、更に好ましくは０．３０ｎｍ以上、０．８６ｎｍ以下となるものである。

また、磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部３１において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａが０．６ｎｍ以下であって、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）と（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）との差ΔＲａ、即ち、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）が、０．１５ｎｍ以上、０．７０ｎｍ以下となるものであり、より好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．４０ｎｍ以下となるものであり、更に好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．３５ｎｍ以下となるものであり、より一層好ましくは０．１５ｎｍ以上、０．３０ｎｍ以下となるものである。

また、磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部３１において、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値となる角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘの値が、０．２０ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下となるものであり、より好ましくは０．２０ｎｍ以上、０．６５ｎｍ以下となるものであり、更に好ましくは０．２０ｎｍ以上、０．６０ｎｍ以下となるものである。

磁気ディスク用ガラス基板においては、内周側面部２１及び外周側面部３１における（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）と（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）との差ΔＲａが、大きすぎると、凹凸が特定の方向に沿って形成されるため、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程中、或いは磁気ディスク製造工程中に、ジグ等との接触によりチッピングやクラックが生じやすく、磁気ディスク製造工程において磁気ディスク用ガラス基板に急激な温度変化が生じた際に、クラックが伸展し割れが生じやすくなる。また、研磨において用いられる研磨剤が筋状パターンに入り込み、後の洗浄槽における洗浄の際に、筋状パターンに入り込んでいた研磨剤が、洗浄槽に漂い、悪影響を及ぼす。一方、差が小さすぎると、磁性層の剥がれ等が生じやすくなる。また、特に外周端面に於いては、磁気ディスク製造工程における急激な温度変化の際に、外周端面と接触する金属製のジグからの伝熱が、ΔＲａの比較的大きい場合に比べ、速すぎるために、磁気ディスク用ガラス基板内の局部的な温度分布による応力が大きくなり、割れが生じやすくなる。従って、クラックや割れが生じにくく、磁性層の剥がれを生じにくくするためには、内周側面部２１及び外周側面部３１の少なくとも一方についてΔＲａは、上記範囲であることが好ましい。

また、磁気ディスク用ガラス基板においては、内周側面部２１及び外周側面部３１における角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘが、大きすぎると、凹凸が大きいため、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程中、或いは磁気ディスク製造工程中に、ジグ等との接触によりチッピングやクラックが生じやすく、磁気ディスク製造工程において磁気ディスク用ガラス基板に急激な温度変化が生じた際に、クラックが伸展し割れが生じやすくなる。また、研磨において用いられる研磨剤が筋状パターンに入り込み、後の洗浄槽における洗浄の際に、筋状パターンに入り込んでいた研磨剤が、洗浄槽に漂い、悪影響を及ぼす。一方、Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘが小さすぎると、表面が平坦すぎるため磁性膜の付着力が低下し、磁性層の剥がれが生じやすくなる。従って、クラックや割れが生じにくく、磁性層の剥がれを生じにくくするためには、内周側面部２１及び外周側面部３１の少なくとも一方について角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは、上記範囲であることが好ましい。

また、磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部２１において、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値となる角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向が、好ましくは磁気ディスク用ガラス基板の主表面に垂直方向に対し、−１０°以上、＋１０°以下の範囲となるように形成されている。より好ましくは、−５°以上、＋５°以下の範囲となるように形成されている。なお、この角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板の主表面に対して垂直方向を基準に算出しており、図５とは角度の位相がずれており、基準を替えて表現している。これにより、磁性膜の成膜のなされた磁気ディスクをスピンドルに挿入する際、挿入しやすくなり、作業時間や作業工程が簡略化され、低コスト化することができる。

なお、磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部についても、同様に、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値となる角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向が、好ましくは磁気ディスク用ガラス基板の主表面に垂直方向に対し、−１０°以上、＋１０°以下の範囲となるように形成されている。より好ましくは、−５°以上、＋５°以下の範囲となるように形成されている。

尚、角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇは、測定の際のノイズや磁気ディスク用ガラス基板自体のうねり等に阻害されずに、筋状パターンの状態を正確に把握するために、筋状パターンの周期の２倍程度の波長のハイパスフィルタを使用するのが好ましい。

（磁気ディスク）
本実施の形態における磁気ディスクは、図６に示されるように、上述した本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０の主表面１２の上に、垂直磁化膜５０となる垂直磁性層等の磁性層をスパッタリング等により成膜することにより作製される。すなわち、本実施の形態における磁気ディスクは、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に磁性層を配置した構造を有することができる。垂直磁性層を形成する磁性材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金等が挙げられる。

具体的には、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０に、以下の方法にて垂直磁性層等を成膜することにより、磁気ディスクが作製される。作製される磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板の主表面において、少なくとも垂直磁性層、保護層、潤滑膜が形成されている。垂直磁性層は垂直磁気記録方式に対応した材料が用いられる。尚、記録密度を更に向上させたい場合は、エネルギーアシスト磁気記録方式（例えば、熱アシスト磁気記録方式、マイクロ波アシスト磁気記録方式など）が好ましく、この場合には、垂直磁性層にはエネルギーアシスト磁気記録方式に対応した材料が用いられる。

垂直記録方式の場合には、磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たす軟磁性材料からなる軟磁性下地層を形成するのが一般的である。軟磁性下地層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等を含む軟磁性材料が用いられる。具体的には、ＦｅＣｏ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＣｒ系合金、ＦｅＴａ系合金、ＦｅＭｇ系合金、ＦｅＺｒ系合金、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金等が用いられる。

また、磁気ディスク用ガラス基板１０の主表面１２における吸着ガスや吸着水分の影響、或いは磁気ディスク用ガラス基板１０に含まれる成分の拡散等による軟磁性下地層の腐食を抑制するために、磁気ディスク用ガラス基板１０と軟磁性下地層との間に、密着層を設けてもよい。密着層を形成する材料としては、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等が挙げられ、厚さ２ｎｍ〜４０ｎｍ程度が好ましい。密着層は、例えば、スパッタリングによる成膜により形成することができる。

軟磁性下地層と垂直磁性層との間に、配向制御層を設けることにより、垂直磁性層の結晶粒を微細化し、記録再生特性を向上させることができる。配向制御層は、ＲｕやＲｕ合金、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｇを含む材料ならびにＣｏＣｒ系合金、ＴｉまたはＴｉ合金等の材料を用いることができ、膜厚は約２〜２０ｎｍが好ましい。この配向制御層は、垂直磁性層のエピタキシャル成長を容易にする機能及び軟磁性下地層と垂直磁性層との磁気交換結合を断つ機能を有している。更に、軟磁性下地層と配向制御層との間に、配向制御層の結晶粒径を制御するためのシード層を設けてもよい。シード層は、例えば、ＮｉＷ系合金を用いることができる。垂直磁性層は、磁化容易軸が磁気ディスク用ガラス基板における主表面に対して垂直方向に向いている磁性膜であり、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等を含む材料により形成されている。

垂直磁性層は、高い固有媒体ノイズの原因となる粒間交換結合を低減するため、良好に隔離された微粒子構造、即ち、グラニュラ構造とすることが好ましい。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ系合金等に、酸化物（ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２等）や、Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ等を添加することが好ましい。

垂直磁性層は、磁性層と非磁性層とが交互に積層された構造としてもよい。この場合、非磁性層は、例えば、ＲｕまたはＲｕ合金の材料を用い、厚さ０．６〜１．２ｎｍとすることにより、磁性層をＡＦＣ結合（反強磁性交換結合）させることができる。

垂直磁性層の腐食を防ぎ、かつ、磁気ヘッドが媒体に接触した際において、磁気ディスクの表面の損傷を防ぐため、垂直磁性層の上に保護層が形成される。保護層は、Ｃ、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２等を含む材料により形成されており、スパッタリング、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）等による成膜により形成することができる。

保護層の表面には、磁気ヘッドと記録媒体との摩擦を低減するため、潤滑膜が形成されている。潤滑膜は、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。これら潤滑膜は、ディップ法、スプレー法等により形成することができる。

（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
本実施の形態における例１〜例１５における磁気ディスク用ガラス基板として、外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍ、板厚が０．６４ｍｍの磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。本願においては、例１〜例１０は実施例であり、例１１〜例１５は比較例である。

フロート法で成形されたＳｉＯ_２を主成分とするガラス素板をドーナツ状円形ガラス基板（中心部に円形状の孔を有する円盤形状ガラス基板、以下、単にガラス基板と記載する場合がある）に加工する、円形（ドーナツ形状）加工を行った。尚、ガラス基板を形成しているガラスの熱膨張係数は、７０×１０^−７／℃である。

次に、このガラス基板の内周端面と外周端面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°の磁気ディスク用ガラス基板が得られるように面取り加工した。

次に、アルミナ砥粒を用いて、ガラス基板の上下における主表面をラッピングし、砥粒を洗浄除去した。研磨具として鋳鉄定盤と、アルミナ砥粒を含有する研削液を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により、ガラス基板の上下における主表面を１次研削した。

次に、ガラス基板の外周端面となる外周側面部と外周面取り部を研磨し、外周側面部と外周面取り部のキズを除去し、外周端面を研磨加工した。この後、外周端面研磨後のガラス基板を洗浄した。

次に、ガラス基板の内周端面となる内周側面部と内周面取り部を研磨し、内周側面部と内周面取り部のキズを除去し、内周端面を研磨加工した。この後、内周端面研磨後のガラス基板を洗浄した。

なお、各実験例において、後述する研磨加工条件により外周端面、及び内周端面の研磨を実施している。

次に、研磨具として固定砥粒工具（平均粒径４μｍのダイヤモンド粒子を含有）と界面活性剤を含有する研削液を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により上下の主表面を２次研削（固定砥粒による研削）し、２次研削後のガラス基板を洗浄し、研削液その他の汚れを除去した。

この後、このガラス基板の主表面を研磨することにより、外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍ、板厚が０．６４ｍｍの実施例及び比較例となる磁気ディスク用ガラス基板を作製した。

主表面研磨工程では、最初に１次研磨を行った。具体的には、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッド（スエード系研磨パッド）と酸化セリウム砥粒を含有する研磨液（平均粒子直径（以下、平均粒子径と略す）約１．０μｍの酸化セリウムを主成分した研磨液組成物）を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により、ガラス基板の上下の主表面を１次研磨した。１次研磨は、メインの研磨加工圧力は１２０ｇ/ｃｍ^２、下定盤回転数は３０ｒｐｍ、上定盤回転数は下定盤と逆方向に１０ｒｐｍ、研磨キャリア公転数１０ｒｐｍ、自転数３ｒｐｍで、上下両主表面を板厚方向で合計３０μｍ研磨し、研磨後のガラス基板において、酸化セリウムを洗浄除去した。

次に、２次研磨（仕上研磨）を行った。具体的には、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、平均粒子径が２０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により、１次研磨後のガラス基板の上下の主表面を２次研磨した。２次研磨は、メインの研磨加工圧力は１０ｋｐａ、下定盤回転数は１０ｒｐｍ、上定盤回転数は下定盤と逆方向に５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数は４．９ｒｐｍ、自転数は１．７ｒｐｍで、上下両主表面を板厚方向で合計１μｍ研磨した。

次に、研磨後洗浄を行った。具体的には、研磨後のガラス基板において、研磨液を洗浄除去した。

次に、最終洗浄を行った。具体的には、２次研磨及び研磨後洗浄を行ったガラス基板を、アルカリ性洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、イソプロピルアルコール蒸気により乾燥させた。

（磁気ディスク用ガラス基板の算術平均粗さＲａに基づく評価方法）
磁気ディスク用ガラス基板の評価として、ＡＦＭを用いて磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部及び外周側面部における算術平均粗さＲａを測定した。また、前述の角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇの算出方法に基づき、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎを得て、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値を算出した。

ＡＦＭ装置は、ＰＡＲＫ Ｓｙｓｔｅｍｓ社製、ＸＥ−ＨＤＭを使用した。所定の測定領域は１０μｍ□とし、サンプリング点は２５６点×２５６点である。ＡＦＭの測定は、磁気ディスク用ガラス基板の内周端面における内周側面部の板厚方向の中央部分及び外周端面における外周側面部の板厚方向の中央部分において実施した。

尚、前述したように、測定データについては傾斜補正を行っており、傾斜補正のなされた測定データにカットオフが５０ｎｍのハイパスフィルタをかけた後、角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出した。

（磁気ディスクの製造方法）
例１〜例１５における磁気ディスク用ガラス基板を用いて磁気ディスクを製造する製造方法について説明する。

具体的には、磁気ディスク用ガラス基板を精密洗浄して表面のパーティクルを除去した後、インライン型スパッタリング装置により、密着層を、Ｃｒターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で成膜した。密着層の上には、軟磁性下地層を、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ合金をターゲットとして、３０ｎｍの膜厚で形成した。次に、シード層を、ＮｉＷ合金をターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で形成した。シード層の上には、配向制御層を、Ｒｕをターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で形成した。配向制御層の上には、垂直磁性層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２のグラニュラ構造層を１０ｎｍの膜厚で形成し、非磁性中間層としてＲｕ膜を０．６ｎｍの膜厚で形成し、更に磁性層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２のグラニュラ構造層を６ｎｍの膜厚で形成した。上記の各層が積層された磁気ディスク用ガラス基板をインライン型スパッタリング装置から取り出し、ＣＶＤ法により保護層としてカーボン膜を３ｎｍの膜厚で形成した。この後、ディップ法により、保護層の上に、パーフルオロポリエーテルの潤滑膜を２ｎｍの膜厚で形成した。

（磁気ディスク用ガラス基板の評価）
作製した磁気ディスク用ガラス基板において、側面部パーティクル数、チッピング数、スピンドルへの挿入容易性、端面割れ発生率に関する評価を行った。側面部パーティクル数、チッピング数については、磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部及び外周側面部について行った。スピンドルへの挿入容易性については、磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部について行った。端面割れ発生率については、磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部について行った。

側面部パーティクル数については、磁気ディスク用ガラス基板において、内周側面部及び外周側面部をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察により、大きさが５μｍ以上のパーティクルの数を数え、１ｍｍ^２あたり面積におけるパーティクルの個数を算出した。

なお、内周側面部、または外周側面部について、例えば１ｍｍ^２当りにおけるパーティクルの個数が１０個／ｍｍ^２以下であれば、該側面部を含む端面について研磨剤等の付着を十分に抑制し、例えば洗浄槽に供した際に主表面に研磨砥粒等が再付着することを十分に抑制できているといえる。

チッピング数については、磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部及び外周側面部を２００倍の光学顕微鏡により観察し、０．０５ｍｍ以上のチッピングの数を数え、１００ｍｍあたりの長さにおけるチッピング数を算出した。尚、チッピング数には、割れも含まれている。

チッピング数については、例えば内周側面部、または外周側面部について、例えば０．１２個／１００ｍｍ以下の場合、チッピングや割れの発生を十分に抑制できているといえる。

スピンドルへの挿入容易性は、ＨＤＤ用のスピンドルを想定した標準径のシャフトに、標準内径±１μｍの磁気ディスク用ガラス基板を挿入し、挿入しやすさの評価を行った。評価では、ディスク基板の開口部をスピンドルに挿入した際、スムースに挿入されるを◎とし、やや引っ掛かるものの概ねスムースに挿入されるを○とし、挿入の際引っ掛かりやすく挿入しにくいを△とした。

スピンドルの挿入容易性は、その評価が◎または〇の場合、スピンドルに磁気ディスクを装着する際に、スムースに挿入することができ、内周端面に成膜された磁性膜が剥がれることを十分に抑制できるが、△の場合、磁性膜の少なくとも一部が剥がれる可能性が高い。このため、◎または〇の場合に合格とすることができる。

端面割れ発生率は、磁気ディスク用ガラス基板の外周を３点で支持するスパッタ用アルミニウム製ジグにディスクを搭載し、真空中、ランプヒーターで、６００℃の温度まで加熱した後、室温、常圧室に移動させジグを３０秒間で１００℃の温度まで急冷する。この後、ジグと接触している磁気ディスク用ガラス基板の端面を５０倍の光学顕微鏡で観察し、クラックの発生している磁気ディスク用ガラス基板の数を数えた結果である。評価においては、各々の例ごとに２００枚の磁気ディスク用ガラス基板を用い、（クラックの発生している磁気ディスク用ガラス基板の数）／２００により得られた値をクラックの発生率とした。評価では、クラックの発生率が０％のものをＡランクとし、０％を超えるが１％以下のものをＢランクとし、１％を超えるが２％以下のものをＣランクとし、２％を超えるものをＤランクとした。

端面割れ発生率は、磁性膜を成膜する際の磁気ディスク用ガラス基板にクラックや割れが発生する確率を示しており、ＡランクまたはＢランクの場合に、磁性膜の成膜時のクラックや割れの発生を抑制できているといえ、合格とすることができる。一方、ＣランクまたはＤランクの場合は、磁性膜を成膜する際に磁気ディスク用ガラス基板にクラックや割れを発生する可能性が高く、不合格となる。

上記において用いたＳＥＭは、Ｓ−３４００（（株）日立ハイテクノロジーズ製）であり、また、光学顕微鏡は、ＶＨＸ２０００（（株）キーエンス製）である。尚、膜はがれは、各実施例の磁気ディスク用ガラス基板を磁気ディスク製造工程にて下地層、磁性膜、保護層、潤滑膜を形成して磁気ディスクとしとものを、各実施例２００枚を目視検査し、膜はがれが０枚を○、１〜２枚を△、３枚以上を×として評価した。

膜はがれについての評価は、上述のように磁性層を成膜した際の、膜はがれの発生の程度を示しており、〇の場合に合格と評価することができる。

尚、表１は内周端面、表２は外周端面における条件、結果及び評価を示す。

以下、例１〜例１５の相違点となる内周端面及び外周端面の研磨加工条件と、評価結果について説明する。

尚、一部の実験例においては、研磨をする際の研磨液（研磨用スラリー）に分散剤を用いている。具体的には、例１〜例１０では分散剤Ａとして、高分子タイプであるポリアクリル酸ナトリウムを添加した。また、例１４では分散剤Ｂとしてステアリン酸ナトリウムを添加した。なお、ステアリン酸ナトリウムは界面活性作用を有する。

なお、既述のように界面活性作用のある分散剤は、研磨レートが低下する点、泡が発生する点で好ましくない。分散剤として界面活性剤を用いた場合、研磨レートが低下し、研磨時間が延びるため研磨筋が増える。研磨時間を短縮しようとした場合、研磨圧を上げる必要があり、その結果研磨筋が増える傾向となる。また、界面活性剤を使用すると研磨液が泡立つ問題もある。

これに対して、例１〜例１０では、分散剤Ａを用いることで、研磨砥粒を分散させ、研磨レートの低下をなくすことができた。また、研磨液の泡立ちも問題とならないレベルとすることができた。

また、表１、表２に示したように、一部の実験例ではブラシ研磨に加えてパッド研磨を実施している。パッド研磨を行う場合には、図７に示されるように、内周端面を研磨するパッド２２０と外周端面を研磨するパッド２３０を用いて研磨を行った。研磨部材となるパッド２２０、２３０は、表１、表２に示すように、発泡ポリウレタン、スウェード等により形成されているものを用い、研磨砥粒としては、平均粒子径１μｍの酸化セリウムを用いた。内周端面を研磨するパッド２２０は、回転速度２０ｍ／ｍｉｎ、押しつけ圧力１２ｋＰａの条件で研磨を行い、外周パッド面を研磨するパッド２３０は、回転速度２０ｍ／ｍｉｎ、押しつけ圧力１２ｋＰａの条件で研磨を行った。

なお、パッド２２０、２３０のＡ硬度が３０以下の場合、パッドが軟質であることからパッド表面の発泡の不均一性を分散させることができ、研磨筋を低減させる点で好ましい。その一方、パッド２２０、２３０のＡ硬度が６５より大きい場合、パッドのツルーイングを正確に行うことによりパッドの形状を作り込むことができ、端部の形状を維持する加工が可能となる。また、パッド表面のトリートメントを行うことにより研磨筋を低減させることが可能となった。

また、テープ研磨を行う場合には、図８に示されるように、内周端面を研磨するテープ３２０と外周端面を研磨するテープ３３０を用いて研磨を行った。内周端面を研磨するテープ３２０は、不織布により形成されており、２つのローラ３２１、３２２に巻かれている。内周端面を研磨する際には、ローラ３２１、３２２が回転することにより、テープ３２０が動き研磨が行われる。外周端面を研磨するテープ３３０は、不織布により形成されており、２つのローラ３３１、３３２に巻かれている。外周端面を研磨する際には、ローラ３３１、３３２が回転することにより、テープ３３０が動き研磨が行われる。スラリーには平均粒子径１μｍの酸化セリウムを用いた。内周端面を研磨するテープ３２０は、移動速度８ｍ／ｍｉｎ、押しつけ圧力１０ｋＰａの条件で研磨を行い、外周端面を研磨するテープ３３０は、移動速度８ｍ／ｍｉｎ、押しつけ圧力１０ｋＰａの条件で研磨を行った。また、各例で角度方向は磁気ディスク用ガラス基板の主表面に対して平行方向を基準に算出している。

（例１）
例１における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子直径（以下、平均粒子径と略す）約１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は１２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度１８のポリウレタンパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は６．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度１８のポリウレタンパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

この条件で作製された例１における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．２３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．３４ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．１９ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．１５ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９３°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は０．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．３２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．１７ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．１５ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９３°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は０．６個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例２）
例２における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径約１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は１２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度２９のスウェードパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は６．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度２９のスウェードパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

この条件で作製された例２における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．２９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．３８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２０ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．１８ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９２°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋２°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は０．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．２１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．３７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．１８ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．１９ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９３°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は０．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例３）
例３における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は１２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度６６のスウェードパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。
また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は６．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度６６のスウェードパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

この条件で作製された例３における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．４０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２０ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．２０ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８８°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−２°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は０．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０４個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．２７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．４２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．２０ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９４°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋４°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は０．７個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０４個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例４）
例４における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は１２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度８３の発泡ポリウレタンパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、最初に、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は６．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。この後、研磨部材としてＡ硬度８３の発泡ポリウレタンパッドと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いてパッド研磨を行った。

この条件で作製された例４における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．４４ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．２２ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９３°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は０．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０４個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．２８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．４７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２４ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．２３ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９２°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋２°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は０．７個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０３個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例５）
例５における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２４００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は０．３ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。

また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は３００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は２．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例５における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．５５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．３０ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９４°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋４°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は１．４個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．５１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．２９ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８６°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−４°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は１．０個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例６）
例６における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２４００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は０．４ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は３００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は３．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例６における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．６１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２７ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．３４ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９７°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋７°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部おける側面部パーティクル数は１．６個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０４個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．５５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２４ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．３１ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９３°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は１．０個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０３個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例７）
例７における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２４００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は０．５ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．７ｗｔ％となるように添加した。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は３００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は４．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．７ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例７における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．４５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．８０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．３２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．４８ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９６°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋６°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は２．２個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０５個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部は、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．４５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．６３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．３８ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９４°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋４°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は１．９個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０４個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＡランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例８）
例８における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２０００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は０．５ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．５ｗｔ％となるように添加した。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２５０ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は５．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．５ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例８における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．５８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．９８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．３２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．６７ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８２°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−８°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は４．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０８個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．４３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．７２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２７ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．４６ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８２°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−８°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は４．３個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０５個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＢランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例９）
例９における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２０００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．５ｗｔ％となるように添加した。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２５０ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は５．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．５ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例９における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．６０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．３４ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．３７ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．９７ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９５°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋５°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は５．８個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０８個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．４３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．９２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２７ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．６５ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９８°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋８°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は５．５個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０５個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＢランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例１０）
例１０における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２０００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は０．７ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．５ｗｔ％となるように添加した。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２５０ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は５．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ａを濃度が０．５ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例１０における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．６５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．０５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．４２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．６３ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８７°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は５．２個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．１１個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は○であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．４２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．６９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２４ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．４４ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９０°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は０°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は６．３個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０８個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＢランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例１１）
例１１における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、テープと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、テープと平均粒子径１．０μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。

この条件で作製された例１１における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．２３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．１３ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．１０ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては６°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−８４°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は０．９個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は△であった。スピンドルへの挿入が△（挿入の際引っ掛かりやすく挿入しにくい）であった原因は、挿入の際にやや斜めになった時、内径がスムースすぎて接触面が大きく、摩擦力が大きく働いたためと考えられる。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．１９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．１０ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０９ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９１°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋１°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は０．９個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．０２個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＣランクであった。割れ発生率が比較的悪かった原因は、加熱後急冷時に金属製ジグがガラス基板より早く冷却されるが、ジグと接触するガラス基板の端面が非常に平滑で接触面積が広く、熱の伝導がなされ易いため、ガラス基板内で端面のジグ接触部とその他の部分との温度差が顕著となり、熱収縮による応力が集中し易くなったためと考えられる。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、△であった。

（例１２）
例１２における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２０００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、分散剤は添加してはいない。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は６．０ｍｍであり、分散剤は添加してはいない。

この条件で作製された例１２における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは１．３１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは２．１５ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．７５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は１．４０ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９６°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋６°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は１５．２個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．２６個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は◎であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．８９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．３１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．５５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．７６ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９６°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋６°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は１３．４個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．１５個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＣランクであった。割れ発生率が比較的悪かった原因は、割れの起点となる微細なクラックが比較的多かったためと考えられる。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例１３）
例１３における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は１２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、分散剤は添加してはいない。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は６．０ｍｍであり、分散剤は添加してはいない。

この条件で作製された例１３における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは２．０７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは２．８４ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは１．４７ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は１．３７ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９５°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋５°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は３０．３個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．３３個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は◎であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは１．８７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは２．９７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．８９ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．０８ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９８°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋８°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は２６．２個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．２２個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＤランクであった。割れ発生率が悪かった原因は、例１２と同様に割れの起点となる微細なクラックが多かったためと考えられる。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例１４）
例１４における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２０００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ｂを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。

また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２５０ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は５．０ｍｍであり、研磨液に分散剤Ｂを濃度が１．０ｗｔ％となるように添加した。

この条件で作製された例１４における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．５９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．５０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．３５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は１．１５ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９５°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋５°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は１０．５個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．１７個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は◎であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．３９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．０９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２３ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．８６ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８７°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は１０．１個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．１１個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＣランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

（例１５）
例１５における磁気ディスク用ガラス基板は、内周端面における内周側面部と内周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２０００ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は１．０ｍｍであり、分散剤は添加してはいない。また、外周端面における外周側面部と外周面取り部は、研磨ブラシと平均粒子径１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨した。この研磨における条件は、研磨ブラシの回転数は２５０ｒｐｍであり、研磨ブラシの押込み量は５．０ｍｍであり、分散剤は添加してはいない。

この条件で作製された例１５における磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．６３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．６２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．４２ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は１．２０ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては８７°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は−３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の内周側面部における側面部パーティクル数は１２．１個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．２１個/１００ｍｍであり、スピンドルへの挿入容易性は◎であった。

また、外周側面部では、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．４４ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは１．０６ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．２５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．８１ｎｍであった。また、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に平行な方向に対する角度としては９３°、即ち、磁気ディスク用ガラス基板における主表面に垂直方向に対する角度は＋３°であった。この磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部における側面部パーティクル数は１１．５個／ｍｍ^２であり、チッピング数は０．１１個/１００ｍｍであり、割れ発生率はＤランクであった。

さらに、上記条件で作製した磁気ディスク用ガラス基板を用いて作製した磁気ディスクについて、既述の方法で膜はがれの評価を行ったところ、〇であった。

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

本実施の形態においては、領域の対角線の交点を回転の中心としたが、これはなにも対角線の交点に限らず、領域内の特定の一点を基準として角度方向を求めてもよいし、基準を主表面に平行な方向であっても垂直方向であってもよい。

１０ 磁気ディスク用ガラス基板
１１ 円形状の孔
１２ 主表面
２０ 内周端面
２１ 内周側面部
２２ 内周面取り部
３０ 外周端面
３１ 外周側面部
３２ 外周面取り部

Claims (11)

1. 主表面を有し、中心部に円形状の孔を有する円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板であって、
   前記磁気ディスク用ガラス基板の中心部側の内周側面部において、原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．７ｎｍ以下であって、
   原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、前記主表面に平行な方向に対して角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、
   （Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
2. （Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、０．５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
3. （Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、０．４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
4. 角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、前記主表面に垂直な方向に対して、−１０°以上、＋１０°以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
5. 主表面を有し、中心部に円形状の孔を有する円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板であって、
   前記磁気ディスク用ガラス基板の中心部側の内周側面部において、原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、前記主表面に平行な方向に対して角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値となる角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘの値が、０．３０ｎｍ以上、１．４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
6. 主表面を有し、中心部に円形状の孔を有する円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板であって、
   前記磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部において、原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．６ｎｍ以下であって、
   原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、前記主表面に平行な方向に対して角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、
   （Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、０．７０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
7. （Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．１５ｎｍ以上、０．４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
8. 角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとなる角度方向は、前記主表面に垂直な方向に対して、−１０°以上、＋１０°以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
9. 主表面を有し、中心部に円形状の孔を有する円盤形状の磁気ディスク用ガラス基板であって、
   前記磁気ディスク用ガラス基板の外周側面部において、原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、前記主表面に平行な方向に対して角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値となる角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘの値が、０．２０ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
10. 前記角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇは、原子間力顕微鏡により測定した結果に、カットオフを５０ｎｍとするハイパスフィルタをかけたものに基づき算出することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の主表面に、磁性層が成膜されていることを特徴とする磁気ディスク。

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