CN105702265A - 磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质。本发明的课题在于提供可以稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介质用玻璃基板。一种磁记录介质用玻璃基板，其为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，在将上述玻璃基板的上述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1(原子％)、将上述表层的Si元素的原子浓度设为C2(原子％)、将上述玻璃基板的内部的第13族元素的合计设为C3(原子％)、将上述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4(原子％)时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90。<maths num="0001"></maths>

Description

磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质

技术领域

本发明涉及磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质。

背景技术

对于磁记录介质用玻璃基板而言，为了实现记录密度的更高密度化，要求减小表面粗糙度、减少在表面上存在的缺陷。例如在专利文献1中记载了使用含有添加剂的抛光液对玻璃基板的主平面进行抛光、并使用含有添加剂的清洗液对抛光后的玻璃基板进行清洗，由此制造适合于高记录密度磁盘用的基板的磁盘用玻璃基板。通过在抛光后的玻璃基板的主平面上形成磁性层等膜而得到磁记录介质。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2010/038741A1

发明内容

发明所要解决的问题

希望通过磁记录介质的高密度化而减小进行磁记录介质的读写的磁头的距离磁记录介质的浮动高度(以下，简称为“磁头的浮动高度”)。

伴随着磁记录介质的高密度化，产生了难以减小磁头的浮动高度、难以稳定地进行磁记录介质的读写的问题。

本发明鉴于上述课题而作出，其主要目的在于提供可以稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介质用玻璃基板。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，根据本发明的一个方式，提供一种磁记录介质用玻璃基板，其为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，

在将上述玻璃基板的上述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1(原子％)、将上述表层的Si元素的原子浓度设为C2(原子％)、将上述玻璃基板的内部的第13族元素的合计设为C3(原子％)、将上述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4(原子％)时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90。

$R1=\frac{C1/C2}{C3/C4}\mathrm{...}\left(1\right)$

发明效果

根据本发明的一个方式，可以提供能够稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介质用玻璃基板。

附图说明

图1是表示基于本发明的一个实施方式的磁记录介质用玻璃基板的立体图。

图2是表示使用基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的磁记录介质的剖视图。

图3是表示基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的制造方法的流程图。

图4是表示用于测定基于本发明的一个实施方式的玻璃基板中的各元素的原子浓度的X射线光电子能谱仪的图。

附图标记

10磁记录介质用玻璃基板

11第1主平面

12第2主平面

20磁记录介质

21磁性层

22保护层

23润滑层

具体实施方式

以下，对用于实施本发明的方式参照附图进行说明。各附图中，对于相同的或对应的构成，标记相同的或对应的符号并省略说明。本说明书中，表示数值范围的“～”是指包含其前后的数值的范围。

图1是表示基于本发明的一个实施方式的磁记录介质用玻璃基板的立体图。磁记录介质用玻璃基板10(以下，也简称为“玻璃基板10”)为圆盘状，并在中央部具有圆孔13。玻璃基板10具有第1主平面11和第2主平面12。

图2是表示使用基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的磁记录介质的剖视图。磁记录介质20具有玻璃基板10、磁性层21、保护层22和润滑层23等。磁性层21、保护层22和润滑层23依次形成在玻璃基板10的第1主平面11上，但也可以形成在玻璃基板10的第2主平面12上，还可以形成在这两个主平面(第1主平面11和第2主平面12)上。

磁性层21可以为垂直磁记录用磁性层，此时，具有相对于记录面垂直的易磁化轴。从提高记录密度的观点考虑，记录方式优选能量辅助磁记录方式。

磁性层21为垂直磁记录用磁性层时，由含有Co、Cr、Pt中的至少1种的材料形成，例如由CoCrPt基合金形成。磁性层21为粒状结构，因此优选为在CoCrPt基合金等磁性材料中添加了氧化物、类金属元素或金属元素的磁性层。作为氧化物，使用例如SiO₂、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₅或TiO₂。作为类金属元素，使用例如B。作为金属元素，使用例如Cr、Cu、Ta或Zr。

磁性层21可以与非磁性层交替层叠。由此，可以使磁性层21反铁磁性交换耦合。非磁性层由例如Ru或Ru合金形成，具有例如0.6nm～1.2nm的厚度。

在磁性层21与玻璃基板10之间可以进一步形成基底层。磁性层21为垂直磁记录用磁性层时，基底层由Co、Fe或Ni等软磁性材料形成，发挥使来自磁头的记录磁场闭合的作用。作为软磁性材料，使用FeCo基合金、FeNi基合金、FeAl基合金、FeCr基合金、FeTa基合金、FeMg基合金、FeZr基合金、FeC基合金、FeN基合金、FeSi基合金、FeP基合金、FeNb基合金、FeHf基合金、或FeB基合金等。

在玻璃基板10与基底层之间可以进一步形成密合层。密合层抑制由玻璃基板10的吸附气体或吸附水分、来自玻璃基板10的扩散成分等引起的基底层的腐蚀。作为密合层的材料，使用Cr、Cr合金、Ti、或Ti合金等。密合层的厚度例如为2nm～40nm。作为密合层的形成方法，使用例如溅射法等。

在磁性层21与基底层之间可以进一步形成取向控制层。取向控制层将磁性层的晶粒细化，从而使记录再生特性提高。作为取向控制层的材料，使用Ru、Ru合金、含有Pt、Au和Ag中的至少1种的材料、CoCr基合金、Ti、或Ti合金。取向控制层具有便于垂直磁记录用磁性层21的外延生长的功能和切断基底层与磁性层的磁交换耦合的功能。

在取向控制层与基底层之间可以进一步形成晶种层。晶种层控制取向控制层的晶粒尺寸。晶种层由例如NiW基合金形成。

保护层22用于防止磁性层21的腐蚀、并且防止由与磁头的接触导致的磁性层21的划痕的产生。作为保护层22的材料，使用C、ZrO₂或SiO₂等。作为保护层22的形成方法，使用例如溅射法或CVD法等。

润滑层23用于减小与磁头的摩擦。作为润滑层23的材料，使用全氟聚醚、氟化醇或氟化羧酸等。作为润滑层23的形成方法，使用例如浸渍法或喷雾法等。

磁记录介质20的记录密度例如为660Gbit/平方英寸、750Gbit/平方英寸、1Tbit/平方英寸中的任一个，可以超过1Tbit/平方英寸。

图3是表示基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的制造方法的流程图。如图3所示，玻璃基板的制造方法包括原板加工工序S11、第1研磨工序S12、倒角工序S13、端面抛光工序S14、第2研磨工序S15、第1抛光工序S16、第1清洗工序S17、第2抛光工序S18和第2清洗工序S19。

原板加工工序S11中，通过加工玻璃原板而得到在中央部具有圆孔的圆盘状的玻璃基板。玻璃原板通过例如浮法、熔融法、压制成形法、引下法、重新引下法等成形。

第1研磨工序S12中，对玻璃基板的两个主平面进行磨削。使用对玻璃基板的两个主平面同时进行磨削的双面磨削装置。该双面磨削装置使用例如氧化铝、碳化硅、氧化锆、硼化碳、金刚石等游离磨粒，对玻璃基板的两个主平面同时进行磨削。需要说明的是，可以在原板加工工序前实施一部分的研磨工序。

倒角工序S13中，用倒角磨石对玻璃基板的端面(内周端面和外周端面)进行磨削，由此在玻璃基板的端面形成倒角部(例如2个倾斜部和垂直部)。各倾斜部相对于玻璃基板的主平面倾斜，垂直部相对于玻璃基板的主平面垂直，并将2个倾斜部连接。需要说明的是，各倾斜部可以不为平面，可以为呈圆形的曲面。

端面抛光工序S14中，通过对2个倾斜部和垂直部进行抛光而将2个倾斜部和垂直部中的加工变质层除去。作为端面抛光方法，可举出刷子抛光、海绵抛光、粘性流体抛光、磁性流体抛光等。

另外，可以依次进行多个端面抛光工序，也可以在第2研磨工序S15后、在第1抛光工序S16前进行一部分的端面抛光工序。在多个端面抛光工序之间，可以进行清洗工序、干燥工序。

第2研磨工序S15中，对玻璃基板的两个主平面进行磨削。使用对玻璃基板的两个主平面同时进行磨削的双面磨削装置。该双面磨削装置使用例如金刚石磨粒等固定磨粒，对玻璃基板的两个主平面同时进行磨削。

第1抛光工序S16中，对玻璃基板的两个主平面进行抛光。可以使用对玻璃基板的两个主平面同时进行抛光的双面抛光机。双面抛光机使用含有例如氧化铈等抛光磨粒的抛光液，对玻璃基板的两个主平面同时进行抛光。

第1清洗工序S17在第1抛光工序S16后、第2抛光工序S18前进行，将第1抛光工序S16中附着于玻璃基板的附着物(例如抛光屑、抛光磨粒)等洗掉。

第2抛光工序S18中，对玻璃基板的两个主平面进行抛光。可以使用对玻璃基板的两个主平面同时进行抛光的双面抛光机。在后面详细叙述第2抛光工序S18。

第2清洗工序S19在第2抛光工序S18后进行，将第2抛光工序S18中附着于玻璃基板的附着物等洗掉。在后面详细叙述第2清洗工序S19。

需要说明的是，玻璃基板的制造方法不限定于图3所示。例如各工序的顺序不限定于图3所示的顺序。另外，可以不实施图3所示的多个工序中的一部分的工序。另外，可以实施图3所示的工序以外的工序(例如化学强化工序)。

可以在例如第1抛光工序S16与第2抛光工序S18之间、或在第2抛光工序S18后进行化学强化工序。化学强化工序中，将玻璃表面中所含的离子半径小的离子(例如Li离子、Na离子)置换为离子半径大的离子(例如K离子)，形成距玻璃表面规定深度的强化层。由于在强化层中残留压应力，因此不易产生划痕。

接着，对第2抛光工序S18进行详细说明。第2抛光工序S18中，使用酸性抛光液。玻璃表层中所含的碱金属或第2族元素、第13族元素等离子溶出，从而抛光速度提高。作为碱金属，可举出Li、Na、K等。作为第2族元素，可举出Mg、Ca、Sr、Ba等。作为第13族元素，可举出例如B、Al、Ga等。将溶出这些离子后的层称为表面改性层。通过抛光使表面改性层的表面平坦。

抛光液的pH例如为3～5。抛光液的pH为5以下时，离子的溶出速度快，抛光速度充分提高。抛光液的pH为3以上时，抛光后的表面改性层的厚度薄，因此可以抑制详细情况在后面叙述的第2清洗工序S19中除去表面改性层的一部分后的表面粗糙。

作为抛光液中所含的酸，可以使用例如柠檬酸、乙酸、乙醇酸(羟基乙酸)、甲氧基乙酸、氰乙酸、丙二酸、甲基丙二酸、苹果酸、马来酸、富马酸、苯甲酸、抗坏血酸、邻苯二甲酸、琥珀酸、天冬氨酸、乳酸、酒石酸、葡萄糖酸、戊二酸、己二酸、谷氨酸和亚氨基二乙酸中的至少1种。它们之中，特别优选酸解离常数的负的常用对数(pK_a)为3～5的柠檬酸、乙酸、乙醇酸、甲氧基乙酸、丙二酸、苹果酸、富马酸、抗坏血酸。

另外，为了制成缓冲液，可以含有氢氧化钾、氢氧化钠等无机碱。

作为分散于抛光液的抛光磨粒，使用例如胶体二氧化硅、热解法二氧化硅、胶体氧化铈和胶体氧化铝中的至少1种。这些抛光磨粒的粒径例如为10nm～40nm。抛光磨粒的粒径为10nm以上时，抛光磨粒的表面活性小，可以抑制抛光磨粒向玻璃基板的附着，从而抛光磨粒的除去容易。另一方面，抛光磨粒的粒径为40nm以下时，可以抑制抛光面的表面粗糙。

接着，对第2清洗工序S19进行说明。在第2清洗工序S19中，使用pH12～13.5、40～60℃的碱清洗液(以下，也称为“强碱清洗液”)将玻璃基板清洗1次以上。利用强碱清洗液的总清洗时间例如为30秒～5分钟。表面改性层溶于强碱清洗液而变薄，从而表面改性层的一部分被除去。使用强碱清洗液的清洗优选为超声波清洗。

作为强碱清洗液中所含的碱，优选例如NaOH或KOH。

在强碱清洗液中，可以不含通常的碱清洗液(碱性洗剂溶液)中所含的表面活性剂、助洗剂。

第2清洗工序S19中，利用强碱清洗液的清洗后，可以进行利用通常的碱清洗液的清洗。另外，第2清洗工序S19中，可以进行利用纯水的清洗。

第2清洗工序S19后，可以进行干燥工序。在干燥工序中，可以进行例如IPA干燥。

通过图3所示的制造方法可以得到图1所示的玻璃基板10。根据本实施方式，通过酸性抛光液形成表面改性层，并通过强碱清洗液将表面改性层的一部分除去。由此，可以将玻璃基板的表层(例如表面改性层的残余部分等)的元素组成与玻璃基板的内部的元素组成之比调节为适当的范围。可以使用市售的X射线光电子能谱仪测定玻璃基板的表层、内部的元素组成。

图4是表示用于测定基于本发明的一个实施方式的玻璃基板中的各元素的原子浓度的X射线光电子能谱仪的图。X射线光电子能谱仪30具有X射线源31和检测器32。将检测器32相对于玻璃基板10的主平面的角度θ设定为15°来测定玻璃基板10的主平面的表层的各元素的原子浓度。另一方面，在X射线光电子能谱仪内实施离子溅射而将表面改性层完全除去后，将上述角度θ设定为75°来测定玻璃基板10的内部的各元素的原子浓度。玻璃基板10的内部的各元素的原子浓度与使用酸性的抛光液、强碱清洗液前的玻璃基板的各元素的原子浓度大致相同。在离子溅射中使用例如C₆₀离子溅射枪。

本实施方式中，在将玻璃基板10的主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1(原子％)、将上述表层的Si元素的原子浓度设为C2(原子％)、将玻璃基板10的内部的第13族元素的合计设为C3(原子％)、将玻璃基板10的内部的Si元素的原子浓度设为C4(原子％)时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90。

$R1=\frac{C1/C2}{C3/C4}\mathrm{...}\left(1\right)$

式(1)的右边的分子(C1/C2)表示将上述表层的第13族元素的原子浓度的合计C1用上述表层的Si元素的原子浓度C2标准化而得到的值。式(1)的右边的分子通过使用酸性的抛光液而减小，之后通过使用强碱清洗液而接近原来的值。

另一方面，式(1)的右边的分母(C3/C4)表示将上述内部的第13族元素的原子浓度的合计C3用上述内部的Si元素的原子浓度C4标准化而得到的值。式(1)的右边的分母通过使用酸性抛光液或强碱清洗液而几乎不会变化。

R1为0.90以下时，第13族元素的离子的溶出多，且附着于玻璃基板10的主平面的OH基多。由于玻璃基板10的主平面的OH基多，因此磁性层21等膜与玻璃基板10的密合性良好。可以抑制磁性层21等膜的剥离，可以减小进行磁记录介质20的读写的磁头的距离磁记录介质20的浮动高度。

另外，R1为0.30以上时，存在于玻璃基板10的主平面的OH基不会过多，可以抑制粉尘等有机物的附着。有机物附着时，磁性层21等膜与玻璃基板10的密合性劣化。

玻璃基板10的两个主平面中的至少一者的R1为0.30～0.90即可。在R1为0.30～0.90的主平面上形成磁性层21等膜。

R1优选为0.35～0.90，更优选为0.35～0.80，进一步优选为0.35～0.70。

需要说明的是，玻璃基板10含有Al和B中的至少一者作为第13族元素即可，可以不含有两者。

本实施方式中，在将上述表层的碱金属的原子浓度的合计设为C5(原子％)、将上述表层的第2族元素的原子浓度的合计设为C6(原子％)、将玻璃基板10的内部的碱金属的原子浓度的合计设为C7(原子％)、将玻璃基板10的内部的第2族元素的原子浓度的合计设为C8(原子％)时，由下述式(2)表示的R2为0.20～0.90。

$R2=\frac{(C5+C6)/C2}{(C7+C8)/C4}\mathrm{...}\left(2\right)$

式(2)的右边的分子((C5+C6)/C2)表示将上述表层的碱金属和第2族元素的原子浓度的合计(C5+C6)用上述表层的Si元素的原子浓度C2标准化而得到的值。式(2)的右边的分子通过使用酸性的抛光液而减小，之后通过使用强碱清洗液而接近原来的值。

另一方面，式(2)的右边的分母((C7+C8)/C4)表示将上述内部的碱金属和第2族元素的原子浓度的合计(C7+C8)用上述内部的Si元素的原子浓度C4标准化而得到的值。式(2)的右边的分母通过使用酸性抛光液或强碱清洗液而几乎不会变化。

R2为0.90以下时，玻璃基板10的主平面的表层的碱金属和第2族元素少，可以抑制这些元素与硫酸气体、碳酸气体等的反应。发生该反应时，在玻璃基板10的主平面上形成硫酸盐、碳酸盐等凸状缺陷。根据本实施方式，可以抑制凸状缺陷的形成，且可以减小磁头的浮动高度。另外，可以避免磁头与磁记录介质20的碰撞。

另外，R2为0.20以上时，可以抑制运送玻璃基板10后、紧接着磁性层21等膜的成膜前进行的碱清洗工序中玻璃基板10的主平面的表面粗糙度的变化。这是因为，R2为0.20以上时，通过第2清洗工序S19，表面改性层的厚度充分变薄，预先充分除去了表面改性层。

R2优选为0.40～0.90，更优选为0.50～0.90，进一步优选为0.55～0.90，特别优选为0.55～0.75。

玻璃基板10例如以氧化物基准的摩尔％计含有62～74％的SiO₂、5～30％的Al₂O₃和B₂O₃中的任意1种以上成分、合计0～10％的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意1种以上成分、且含有合计0～23％的Li₂O、Na₂O和K₂O中的任意1种以上成分。

[实施例]

[例1～4]

例1～4中，除了准备不同组成的玻璃A～D以外，在相同的条件下制造了外径65mm、内径20mm、板厚0.6mm的玻璃基板。另外，例1～4中，使用制造的各玻璃基板制造了磁记录介质。将磁记录介质的制造条件设定为相同。

玻璃A以氧化物基准的摩尔％计含有66％的SiO₂、10％的Al₂O₃、3％的MgO、4％的CaO、7％的Li₂O、10％的Na₂O。

玻璃B以氧化物基准的摩尔％计含有65％的SiO₂、9％的Al₂O₃、3％的ZrO₂、12％的Li₂O、11％的Na₂O。

玻璃C以氧化物基准的摩尔％计含有65％的SiO₂、11％的Al₂O₃、2％的ZrO₂、13％的Li₂O、6％的Na₂O、3％的K₂O。

玻璃D以氧化物基准的摩尔％计含有66％的SiO₂、11％的Al₂O₃、8％的B₂O₃、5％的MgO、5％的CaO、5％的SrO。

原板加工工序S11中，通过加工由玻璃A～玻璃D形成的玻璃原板而得到在中央部具有圆孔的圆盘状的玻璃基板。

第1研磨工序S12中，通过双面磨削装置(滨井产业公司制，制品名：16BF-4M5P)对各玻璃基板的两个主平面进行磨削。作为游离磨粒，使用平均粒径为1.5μm的氧化铝磨粒。两个主平面的板厚方向上的总磨削量为约300μm。

倒角工序S13中，通过用倒角磨石对各玻璃基板的端面(内周端面和外周端面)进行磨削，在各玻璃基板的端面形成2个倾斜部和垂直部。各倾斜部的倾斜角为45°。

端面抛光工序S14中，通过对2个倾斜部和垂直部进行刷子抛光，除去2个倾斜部和垂直部的加工变质层。

第2研磨工序S15中，通过双面磨削装置(滨井产业公司制，制品名：16BF-4M5P)对各玻璃基板的两个主平面进行磨削。作为固定磨粒，使用平均粒径为4μm的金刚石磨粒。两个主平面的板厚方向上的总磨削量为136μm。

第2研磨工序S15后，在将磨削后的各玻璃基板浸渍于碱性洗剂溶液的状态下进行超声波清洗。

第1抛光工序S16中，通过双面抛光装置对各玻璃基板的两个主平面进行抛光。作为抛光液，使用含有平均粒径0.8μm～1μm的氧化铈磨粒的抛光液。作为抛光垫，使用绒面革垫。两个主平面的板厚方向上的总抛光量为25μm。

第1清洗工序S17中，在将各玻璃基板浸渍于纯水，然后浸渍于碱性洗剂溶液的状态下进行超声波清洗。接着，利用纯水冲洗后，将硫酸71.4质量％、过氧化氢水溶液7.7质量％的水溶液加热至80°，将各玻璃基板浸渍在该水溶液中进行清洗。之后，利用纯水进行冲洗。

第2抛光工序S18中，通过双面磨削装置(滨井产业公司制，制品名：16BF-4M5P)对各玻璃基板的两个主平面进行抛光。使用一次粒子的平均粒径为15nm的胶体二氧化硅作为抛光磨粒，在该胶体二氧化硅中加入柠檬酸而将pH调节为4.0，将所得的溶液作为抛光液使用。抛光垫使用肖氏A硬度为60°、密度为0.62g/cm³的绒面革垫。抛光后，用纯水进行水洗。

第2清洗工序S19中，在将各玻璃基板浸渍于pH12、40℃的NaOH水溶液的状态下实施2分钟超声波清洗。接着，利用纯水冲洗后，用pH10的洗剂进行擦洗，接着用pH12的碱性洗剂溶液在室温下实施3分钟超声波清洗。之后，利用纯水冲洗，并实施IPA干燥。

通过X射线光电子能谱仪(ULVAC-PHI公司制，ESCA5500)测定了制造的各玻璃基板的各元素的原子浓度。

首先，通过下述(A)～(B)的方法求出玻璃基板的表层的各元素的原子浓度。(A)将通能设定为117.4eV、将能量步长设定为0.5eV/步、将检测器的孔设定为直径800μm的圆形、将角度θ设定为15°而取得XPS能谱。(B)使用分析软件(软件名：Multipack)，由XPS能谱的各元素的峰的积分强度求出原子浓度。此时，在峰的背景除去中应用Shirley法。

接着，通过下述(C)～(E)的方法求出玻璃基板的内部的各元素的原子浓度。(C)实施基于C₆₀离子溅射的深度方向组成分析。此时，进行测定直到各原子的浓度在深度方向达到恒定。需要说明的是，通过C₆₀离子溅射能够进行玻璃基板的准确的深度方向分析。(D)关于离子溅射实施面，将通能设定为117.4eV、将能量步长设定为0.5eV/步、将检测器的孔设定为直径800μm的圆形、并将角度θ设定为75°而取得XPS能谱。(E)使用分析软件(软件名：Multipack)，由XPS能谱的各元素的峰的积分强度求出原子浓度。此时，在峰的背景除去中应用Shirley法。

最后，使用这些测定结果，计算出上述式(1)所表示的R1和上述式(2)所表示的R2。

通过原子力显微镜(SII公司制，SPA400)测定制造的各玻璃基板的主平面的表面粗糙度Ra。将测定区域设定为一边1μm的正方形、将测定频率设定为1Hz、将测定点设定为每1边256个点、整个面65536个点。将测定模式设定为轻敲模式。使用原子力显微镜附带的软件进行斜率补正(2次曲面补正)后计算出表面粗糙度Ra。此处，表面粗糙度Ra是指日本工业标准(JISB0601)中记载的算术平均粗糙度。

使用制造的各玻璃基板并实施下述(F)～(I)的工序，由此制造了磁记录介质。

(F)在将各玻璃基板浸渍于pH12、40℃的NaOH水溶液的状态下进行10分钟、40kHz的超声波清洗。之后，进行利用纯水的冲洗、IPA干燥。之后，通过上述原子力显微镜测定各玻璃基板的主平面的表面粗糙度，求出了(F)的工序前后的表面粗糙度Ra的变化ΔRa。此处，在将(F)的工序后的表面粗糙度Ra设为Ra1、将(F)的工序前的表面粗糙度设为Ra2时，可以由式ΔRa＝Ra1-Ra2求出ΔRa。

(G)通过在线(In-line)型溅射装置，依次在玻璃基板的主平面上形成作为密合层的Cr层(层厚10nm)、作为基底层的Co-Fe-Zr-Ta合金层(层厚30nm)、作为晶种层的NiW合金层(层厚10nm)、作为取向控制层的Ru层(层厚10nm)、作为磁性层的粒状结构层(层厚10nm)、作为非磁性层的Ru层(层厚0.6nm)、作为磁性层的粒状结构层(层厚6nm)成膜。各粒状结构层是在CoCrPt合金中添加了SiO₂的粒状结构层。

(H)通过CVD法，形成作为保护层的碳膜(膜厚3nm)。

(I)通过浸渍法，形成全氟聚醚润滑层(层厚2nm)。

通过滑行高度(glideheight)和额外位(extrabit)评价了制造的磁记录介质。

滑行高度用于评价磁记录介质上的凸状缺陷的高度。使磁记录介质旋转，并使磁头悬浮至规定的高度。通过将磁头与凸状缺陷碰撞时的冲击变换为电信号，可以评价凸状缺陷的高度。作为磁头，使用了具有DFH(动态浮动高度)功能的磁头。将在浮动高度5nm时没有冲击的评价为“A”，将浮动高度10nm时没有冲击但在浮动高度5nm时有冲击的评价为“B”，将浮动高度10nm时有冲击的评价为“C”。

额外位通过磁头读取沿着磁记录介质上的轨道记录的多个数据，数出来自磁头的输出信号超过阈值的数据的个数，由此评价磁记录介质的品质。作为磁头，使用了具有DFH(动态浮动高度)功能的磁头。将磁头的浮动高度设定为1nm。将来自磁头的输出信号超过阈值的数据的平均个数少于0.4的评价为“A”，将0.4以上且少于0.6的评价为“B”，将0.6以上的评价为“C”。

[例5]

比较例1中，进行下述的清洗工序代替第2清洗工序S19，除此以外，在与实施例2相同的条件下制造、评价玻璃基板和磁记录介质。

比较例1中，作为代替第2清洗工序S19的清洗工序，用纯水实施2分钟超声波清洗。接着，利用纯水冲洗后，进行利用pH10的碱性洗剂溶液的擦洗，之后，用纯水在室温下实施2分钟超声波清洗。之后，实施利用纯水的冲洗、IPA干燥。

[例6]

比较例2中，进行下述的清洗工序代替第2清洗工序S19，除此以外，在与实施例3相同的条件下制造、评价玻璃基板和磁记录介质。

比较例2中，作为代替第2清洗工序S19的清洗工序，用纯水实施2分钟超声波清洗。接着，利用纯水冲洗后，进行利用pH10的碱性洗剂溶液的擦洗，之后，用纯水在室温下实施2分钟超声波清洗。之后，实施利用纯水的冲洗、IPA干燥。

[例7]

比较例3中，进行下述的清洗工序代替第2清洗工序S19，除此以外，在与实施例3相同的条件下制造、评价玻璃基板和磁记录介质。

比较例3中，作为代替第2清洗工序S19的清洗工序，用纯水实施2分钟超声波清洗。接着，利用纯水冲洗后，进行利用pH5的溶液的擦洗，之后，用纯水在室温下实施2分钟超声波清洗。之后，实施利用纯水的冲洗、IPA干燥。

[评价结果]

表1中示出例1～7中准备的玻璃的种类和评价结果。

[表1]

例1

例2

例3

例4

例5

例6

例7

玻璃的种类

B

C

D

A

C

D

D

R1

0.66

0.59

0.39

0.66

0.26

0.15

0.94

R2

0.63

0.65

0.58

0.79

0.11

0.06

0.48

ΔRa

0.02

0.01

0.03

0.01

0.05

0.08

0.06

滑行高度

A

A

A

B

B

C

B

额外位

A

A

A

B

B

C

C

由表1可知，例1～4中，在第2清洗工序S19中实施了利用强碱清洗液的清洗，因此可以使R1和R2处于适当的范围内。因此，ΔRa小至0.03以下、且滑行高度的评价和额外位的评价良好。另一方面，例5～6中，R1和R2过小、ΔRa大至0.05以上。特别是例6中，滑行高度的评价和额外位的评价都差。另外，例7中，R1过大，额外位的评价差。

以上，说明了磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质的实施方式等，但本发明不限定于上述实施方式等，在权利要求书中记载的本发明的要旨的范围内，可以进行各种变形、改良。

Claims (4)

1.一种磁记录介质用玻璃基板，其为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，

在将所述玻璃基板的所述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1原子％、将所述表层的Si元素的原子浓度设为C2原子％、将所述玻璃基板的内部的第13族元素的合计设为C3原子％、将所述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4原子％时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90，

$R1=\frac{C1/C2}{C3/C4}\mathrm{...}\left(1\right).$

2.如权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，在将所述表层的碱金属的原子浓度的合计设为C5原子％、将所述表层的第2族元素的原子浓度的合计设为C6原子％、将所述玻璃基板的内部的碱金属的原子浓度的合计设为C7原子％、将所述玻璃基板的内部的第2族元素的原子浓度的合计设为C8原子％时，由下述式(2)表示的R2为0.20～0.90，

$R2=\frac{(C5+C6)/C2}{(C7+C8)/C4}\mathrm{...}\left(2\right).$

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔％计，所述玻璃基板含有62～74％的SiO₂、5～30％的Al₂O₃和B₂O₃中的任意一种以上成分、合计0～10％的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一种以上成分，且含有合计0～23％的Li₂O、Na₂O和K₂O中的任意一种以上成分。

4.一种磁记录介质，其使用了权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板。