JPH11198028A - 磁気ディスク基板用研磨剤および研磨方法 - Google Patents
磁気ディスク基板用研磨剤および研磨方法Info
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- JPH11198028A JPH11198028A JP1797898A JP1797898A JPH11198028A JP H11198028 A JPH11198028 A JP H11198028A JP 1797898 A JP1797898 A JP 1797898A JP 1797898 A JP1797898 A JP 1797898A JP H11198028 A JPH11198028 A JP H11198028A
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- Japan
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- abrasive
- polishing
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- rutile
- magnetic disk
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決課題】 アルミ磁気ディスク基板の製造工程にお
けるＮｉ−Ｐめっき処理後の研磨工程において、Ｒa≦1
0Å、Ｒmax≦150Å、好ましくはＲa≦５Å、Ｒmax≦80
Å、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピットもないと
いう高表面研磨品質の磁気ディスク基板を得るための研
磨剤を提供する。 【解決手段】 本発明に係る磁気ディスク基板用研磨剤
は、Ｎｉ−Ｐめっき後の磁気ディスク基板を鏡面研磨す
るための研磨剤であって、砥粒がチタニヤでありそのル
チル化率（ルチル量／（ルチル量＋アナターゼ量）×10
0％）が50％以下、平均粒径が0.4μｍ以下、最大粒径が
1.5μｍ以下であることを特徴とするものである。本発
明において研磨剤の研磨促進のために混入されるエッチ
ャントとしては硝酸アルミニウム、しゅう酸または塩化
鉄のいずれかとすることが好ましい。また本発明研磨方
法は上記チタニヤ研磨剤を用いるものである。
けるＮｉ−Ｐめっき処理後の研磨工程において、Ｒa≦1
0Å、Ｒmax≦150Å、好ましくはＲa≦５Å、Ｒmax≦80
Å、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピットもないと
いう高表面研磨品質の磁気ディスク基板を得るための研
磨剤を提供する。 【解決手段】 本発明に係る磁気ディスク基板用研磨剤
は、Ｎｉ−Ｐめっき後の磁気ディスク基板を鏡面研磨す
るための研磨剤であって、砥粒がチタニヤでありそのル
チル化率（ルチル量／（ルチル量＋アナターゼ量）×10
0％）が50％以下、平均粒径が0.4μｍ以下、最大粒径が
1.5μｍ以下であることを特徴とするものである。本発
明において研磨剤の研磨促進のために混入されるエッチ
ャントとしては硝酸アルミニウム、しゅう酸または塩化
鉄のいずれかとすることが好ましい。また本発明研磨方
法は上記チタニヤ研磨剤を用いるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭＲヘッド等を使用
するような高容量タイプでかつ高品質の磁気ディスク基
板用研磨剤およびそれら研磨剤を用いた研磨方法に関す
る。
するような高容量タイプでかつ高品質の磁気ディスク基
板用研磨剤およびそれら研磨剤を用いた研磨方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、磁気ディスク基板は、アルミニウ
ム合金の圧延コイルを打ち抜いてブランクを得、それを
研削加工して基板の傷、うねり等を除去してサブストレ
ートを得、次いでＮｉ−Ｐめっきを施し、仕上げ研磨加
工後、磁性スパッタにより磁性膜を形成し、オーバーコ
ートしてスパッタリングメディアを得る工程を経ること
により得られる。この工程よりその表面粗さと平坦度を
所要の範囲内とするために、磁気ディスク基板は（ブラ
ンク）Ｎｉ−Ｐめっき工程後に施される研磨加工におい
て、不織布状の有機高分子系の研磨布を貼り付けた研磨
盤で基板を挾み込み、アルミナ等の酸化物粒子を砥粒と
する研磨剤を研磨面に供給し、一定圧力を加えながら研
磨することで行われてきた。これら従来の研磨方法で
は、研磨後の基板は、Ｒa＝７〜15Å、Ｒmax＝80〜150
Åで、研磨後の表面に深さ80〜150Åのスクラッチが数
本、深さ100Å以下のピットが数個存在することを避け
ることはできなかった。
ム合金の圧延コイルを打ち抜いてブランクを得、それを
研削加工して基板の傷、うねり等を除去してサブストレ
ートを得、次いでＮｉ−Ｐめっきを施し、仕上げ研磨加
工後、磁性スパッタにより磁性膜を形成し、オーバーコ
ートしてスパッタリングメディアを得る工程を経ること
により得られる。この工程よりその表面粗さと平坦度を
所要の範囲内とするために、磁気ディスク基板は（ブラ
ンク）Ｎｉ−Ｐめっき工程後に施される研磨加工におい
て、不織布状の有機高分子系の研磨布を貼り付けた研磨
盤で基板を挾み込み、アルミナ等の酸化物粒子を砥粒と
する研磨剤を研磨面に供給し、一定圧力を加えながら研
磨することで行われてきた。これら従来の研磨方法で
は、研磨後の基板は、Ｒa＝７〜15Å、Ｒmax＝80〜150
Åで、研磨後の表面に深さ80〜150Åのスクラッチが数
本、深さ100Å以下のピットが数個存在することを避け
ることはできなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、コンピュータ
等の記憶装置のハードディスク用のＮｉ−Ｐめっきされ
たアルミニウム製の磁気ディスク基板はその記録密度が
年々向上してきており、記録密度を向上させるための要
求がますます厳しくなり、その上さらなる高密度化およ
び大容量化の傾向にあり、従ってそれに使用される磁気
ディスク基板としても所要の表面粗さと平坦度に仕上げ
ることが重要になってきている。特に、高密度記録の実
現には、ヘッド側の改良による低浮上化の進展が目覚ま
しく、ヘッドと媒体の間隔は狭まっており、それにとも
ないヘッドクラッシュの防止のため、磁気ディスク基板
は平滑で欠陥ができるだけ少ない高表面品質であること
が求められている。具体的にはＲa≦10Å、Ｒmax≦150
Å、好ましくはＲa≦５Å、Ｒmax≦80Å、深さ50Å以上
のスクラッチがなく、ピットもないという高表面研磨品
質が求められるようになっている。しかし、従来の研磨
法では、アルミナを砥粒とする研磨剤で行われてきた
が、これらのアルミナ酸化物は巨大な原料塊を粉砕、分
級して得るため、分級の段階でサイズの大きな粒子が微
量に混入するのを防止することができず、混入粒子の影
響で深さ50Å以上のスクラッチが発生するものであっ
た。
等の記憶装置のハードディスク用のＮｉ−Ｐめっきされ
たアルミニウム製の磁気ディスク基板はその記録密度が
年々向上してきており、記録密度を向上させるための要
求がますます厳しくなり、その上さらなる高密度化およ
び大容量化の傾向にあり、従ってそれに使用される磁気
ディスク基板としても所要の表面粗さと平坦度に仕上げ
ることが重要になってきている。特に、高密度記録の実
現には、ヘッド側の改良による低浮上化の進展が目覚ま
しく、ヘッドと媒体の間隔は狭まっており、それにとも
ないヘッドクラッシュの防止のため、磁気ディスク基板
は平滑で欠陥ができるだけ少ない高表面品質であること
が求められている。具体的にはＲa≦10Å、Ｒmax≦150
Å、好ましくはＲa≦５Å、Ｒmax≦80Å、深さ50Å以上
のスクラッチがなく、ピットもないという高表面研磨品
質が求められるようになっている。しかし、従来の研磨
法では、アルミナを砥粒とする研磨剤で行われてきた
が、これらのアルミナ酸化物は巨大な原料塊を粉砕、分
級して得るため、分級の段階でサイズの大きな粒子が微
量に混入するのを防止することができず、混入粒子の影
響で深さ50Å以上のスクラッチが発生するものであっ
た。
【０００４】また、公知の微細で均一な粒子である懸濁
状態のシリカ粒子を用いて研磨を行うと、粒子が小さい
ため、研磨に長時間を要し、さらに研磨速度を上げるた
めに腐食性の薬剤を加えるとシリカがゲル化し、シリカ
粒子の均一性が失われ、ＲａおよびＲmaxはそこそこ満
足できるものの、スクラッチ50Å以下の表面が得られな
い現状にあった。
状態のシリカ粒子を用いて研磨を行うと、粒子が小さい
ため、研磨に長時間を要し、さらに研磨速度を上げるた
めに腐食性の薬剤を加えるとシリカがゲル化し、シリカ
粒子の均一性が失われ、ＲａおよびＲmaxはそこそこ満
足できるものの、スクラッチ50Å以下の表面が得られな
い現状にあった。
【０００５】本発明は、アルミ磁気ディスク基板の製造
工程におけるＮｉ−Ｐめっき処理後の研磨工程におい
て、Ｒa≦10Å、Ｒmax≦150Å、好ましくはＲa≦５Å、
Ｒmax≦80Å、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピッ
トもないという高表面研磨品質の磁気ディスク基板を得
るための研磨剤およびそれを用いた研磨方法を提供する
ことを目的とするものである。
工程におけるＮｉ−Ｐめっき処理後の研磨工程におい
て、Ｒa≦10Å、Ｒmax≦150Å、好ましくはＲa≦５Å、
Ｒmax≦80Å、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピッ
トもないという高表面研磨品質の磁気ディスク基板を得
るための研磨剤およびそれを用いた研磨方法を提供する
ことを目的とするものである。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明に係る磁気ディ
スク基板用研磨剤は、Ｎｉ−Ｐめっき後の磁気ディスク
基板を鏡面研磨するための研磨剤であって、砥粒がチタ
ニヤでありそのルチル化率（ルチル量／（ルチル量＋ア
ナターゼ量）×100％）が50％以下、平均粒径が0.4μｍ
以下、最大粒径が1.5μｍ以下であることを特徴とする
ものであり、これにより前記課題を達成したものであ
る。本発明において研磨剤の研磨促進のために混入され
るエッチャントは硝酸アルミニウム、しゅう酸または塩
化鉄のいずれかとする。また本発明研磨方法は上記研磨
剤を用いて磁気ディスク基板を研磨するものである。
スク基板用研磨剤は、Ｎｉ−Ｐめっき後の磁気ディスク
基板を鏡面研磨するための研磨剤であって、砥粒がチタ
ニヤでありそのルチル化率（ルチル量／（ルチル量＋ア
ナターゼ量）×100％）が50％以下、平均粒径が0.4μｍ
以下、最大粒径が1.5μｍ以下であることを特徴とする
ものであり、これにより前記課題を達成したものであ
る。本発明において研磨剤の研磨促進のために混入され
るエッチャントは硝酸アルミニウム、しゅう酸または塩
化鉄のいずれかとする。また本発明研磨方法は上記研磨
剤を用いて磁気ディスク基板を研磨するものである。
【０００７】
【発明の実施の態用】以下、本発明をさらに詳しく説明
する。本発明において、研磨剤に含有される砥粒とし
て、チタニヤ粒子を用いる。チタニヤには公知のように
その結晶構造により、ルチルタイプ（硬い、モース硬度
約6.5）とアナターゼタイプ（柔らかい、モース硬度約
5.5）の二種類に分類されるが、本発明に使用するに
は、ルチルタイプとアナターゼタイプのチタニヤを所定
割合で混合したものを用いる。すなわち、ルチル量／
（ルチル量＋アナターゼ量）＝ルチル化率と規定した場
合、ルチル化率が表面粗さに及ぼす影響を表１に示す。
この表１からも明らかなようにルチル化率が50％以下に
なるように配合することにより表面粗さＲaが５Å以下
に抑制される。
する。本発明において、研磨剤に含有される砥粒とし
て、チタニヤ粒子を用いる。チタニヤには公知のように
その結晶構造により、ルチルタイプ（硬い、モース硬度
約6.5）とアナターゼタイプ（柔らかい、モース硬度約
5.5）の二種類に分類されるが、本発明に使用するに
は、ルチルタイプとアナターゼタイプのチタニヤを所定
割合で混合したものを用いる。すなわち、ルチル量／
（ルチル量＋アナターゼ量）＝ルチル化率と規定した場
合、ルチル化率が表面粗さに及ぼす影響を表１に示す。
この表１からも明らかなようにルチル化率が50％以下に
なるように配合することにより表面粗さＲaが５Å以下
に抑制される。
【０００８】
【表１】
【０００９】チタニヤ砥粒は平均粒径（Ｒａ）0.4μｍ
以下、最大粒径（Ｒmax）1.5μｍ以下ものとする。その
ためには、チタニヤ砥粒は塩化チタンを原料とし、これ
を気相法で生成したものとする。これによりチタニヤ粒
子は平均粒径0.4μｍ以下、最大粒径が1.5μｍ以下のも
のが得られ、従来のアルミナ砥粒に比べて極めて微細な
もので、このチタニヤ粒子を砥粒として用いた研磨剤に
より磁気ディスク基板表面のＲａが10Å以下、Ｒmaxが1
50Å以下、好ましくはＲａが５Å以下、Ｒmaxが80Å以
下であり、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピットも
ないという高表面研磨品質の磁気ディスク基板が得られ
る。
以下、最大粒径（Ｒmax）1.5μｍ以下ものとする。その
ためには、チタニヤ砥粒は塩化チタンを原料とし、これ
を気相法で生成したものとする。これによりチタニヤ粒
子は平均粒径0.4μｍ以下、最大粒径が1.5μｍ以下のも
のが得られ、従来のアルミナ砥粒に比べて極めて微細な
もので、このチタニヤ粒子を砥粒として用いた研磨剤に
より磁気ディスク基板表面のＲａが10Å以下、Ｒmaxが1
50Å以下、好ましくはＲａが５Å以下、Ｒmaxが80Å以
下であり、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピットも
ないという高表面研磨品質の磁気ディスク基板が得られ
る。
【００１０】本発明研磨剤はその砥粒が前記したような
特定の製法および粒度を有するものを用いることに特徴
を有するが、この本発明研磨剤において、研磨促進のた
めのエッチャントとして、硝酸アルミニウム、しゅう酸
または塩化鉄のいずれかを用いることが好ましい。その
他、適宜の分散剤、界面活性剤、水等を配合して研磨剤
を得る。
特定の製法および粒度を有するものを用いることに特徴
を有するが、この本発明研磨剤において、研磨促進のた
めのエッチャントとして、硝酸アルミニウム、しゅう酸
または塩化鉄のいずれかを用いることが好ましい。その
他、適宜の分散剤、界面活性剤、水等を配合して研磨剤
を得る。
【００１１】次に上記したような研磨剤を用いて磁気デ
ィスクを研磨する場合につき説明する。本発明方法にお
いては、従前のアルミナ砥粒を含む研磨剤でＲａ＝15Å
以下、Ｒmax＝200Å以下、好ましくはＲａ＝10Å以下、
Ｒmax＝150Å以下まで磁気ディスク基板を研磨した後、
本発明研磨剤を用いて研磨するようにする。すなわち、
本発明研磨剤であるチタニヤ砥粒を含む研磨剤だけでは
所定粗さとするためには長時間を要するため、まず常法
に従って例えば粒径0.3〜2.0μｍのアルミナ研磨剤を用
いて磁気ディスク基板をＲａ＝15Å以下、Ｒmax＝200Å
以下、好ましくはＲａ＝10Å以下、Ｒmax＝150Å以下ま
で加工する。しかる後に、チタニヤ粒子を含む本発明研
磨剤を用いて研磨する。なお、本研磨剤を使用してアル
ミニウム製磁気ディスク基板を研磨する際の研磨圧は50
ｇ/cm2以下、好ましくは30ｇ/cm2以下とするようにす
る。
ィスクを研磨する場合につき説明する。本発明方法にお
いては、従前のアルミナ砥粒を含む研磨剤でＲａ＝15Å
以下、Ｒmax＝200Å以下、好ましくはＲａ＝10Å以下、
Ｒmax＝150Å以下まで磁気ディスク基板を研磨した後、
本発明研磨剤を用いて研磨するようにする。すなわち、
本発明研磨剤であるチタニヤ砥粒を含む研磨剤だけでは
所定粗さとするためには長時間を要するため、まず常法
に従って例えば粒径0.3〜2.0μｍのアルミナ研磨剤を用
いて磁気ディスク基板をＲａ＝15Å以下、Ｒmax＝200Å
以下、好ましくはＲａ＝10Å以下、Ｒmax＝150Å以下ま
で加工する。しかる後に、チタニヤ粒子を含む本発明研
磨剤を用いて研磨する。なお、本研磨剤を使用してアル
ミニウム製磁気ディスク基板を研磨する際の研磨圧は50
ｇ/cm2以下、好ましくは30ｇ/cm2以下とするようにす
る。
【００１２】
【実施例】外径3.5インチ、厚さ約20μｍのドーナツ状
アルミニウム合金製ブランク材（5086相当品）を旋削加
工した後、厚さ約20μｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理し
た基板を本発明研磨剤を用いて研磨加工した。無電解Ｎ
ｉ−Ｐめっき処理後の基板表面粗さＲａは80Åであり、
これを砥粒径1.3μｍのアルミナ研磨剤を用いて、Ｒａ
＝10Å、Ｒmax＝150Åまで加工した材料を供試材とし
て、研磨工を施した。この研磨加工に用いたチタニヤ砥
粒はそのルチル化率が30％のものとし、平均粒子径、一
次粒子径、比表面積、最大粒子径をそれぞれ表２のよう
に変えて研磨した。その時のＲａ、Ｒmax、スクラッチ
深さを表２に併記する。ここで、一次粒子径とは気相法
で作成した一個一個の粒子径でＳＥＭ等で観察、計測し
たものである。
アルミニウム合金製ブランク材（5086相当品）を旋削加
工した後、厚さ約20μｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理し
た基板を本発明研磨剤を用いて研磨加工した。無電解Ｎ
ｉ−Ｐめっき処理後の基板表面粗さＲａは80Åであり、
これを砥粒径1.3μｍのアルミナ研磨剤を用いて、Ｒａ
＝10Å、Ｒmax＝150Åまで加工した材料を供試材とし
て、研磨工を施した。この研磨加工に用いたチタニヤ砥
粒はそのルチル化率が30％のものとし、平均粒子径、一
次粒子径、比表面積、最大粒子径をそれぞれ表２のよう
に変えて研磨した。その時のＲａ、Ｒmax、スクラッチ
深さを表２に併記する。ここで、一次粒子径とは気相法
で作成した一個一個の粒子径でＳＥＭ等で観察、計測し
たものである。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２より、Ｒａ≦５Å以下にするために
は、平均粒径Ｄ50が0.4μｍ以下であること、比表面積
（ベット法で測定）が30m2/g以上であること、一次粒子
径で100nm以下であることが必要であり、特に一次粒子
径が100nm以下でかつ比表面積が30m2/g以上であること
が必要十分な条件である。Ｄ50は砥粒の凝集状態を確認
する指標で0.4μｍ以下であることが必要である。また
スクラッチ深さ50Å以下とするにはレーザー粒度測定器
で測定した最大粒子径が1.5μｍ以下とする。この最大
粒子径は研磨液の分級の状態を確認する指標であり、1.
5μｍ以下が必要である。
は、平均粒径Ｄ50が0.4μｍ以下であること、比表面積
（ベット法で測定）が30m2/g以上であること、一次粒子
径で100nm以下であることが必要であり、特に一次粒子
径が100nm以下でかつ比表面積が30m2/g以上であること
が必要十分な条件である。Ｄ50は砥粒の凝集状態を確認
する指標で0.4μｍ以下であることが必要である。また
スクラッチ深さ50Å以下とするにはレーザー粒度測定器
で測定した最大粒子径が1.5μｍ以下とする。この最大
粒子径は研磨液の分級の状態を確認する指標であり、1.
5μｍ以下が必要である。
【００１５】次に、平均粒径Ｄ50＝0.3μｍを有するチ
タニヤ粒子であってそのルチル化率が30％であるチタニ
ヤ砥粒を用い、エッチャントを変えて研磨圧を80g/cm2
（高圧）および30g/cm2（低圧）として研磨加工を行っ
た。それぞれ得られた基板表面のＲa、Ｒmax、スクラッ
チ、ピット判定、固着物判定の評価を表３に示す。な
お、スクラッチ評価の場合、×は本数５本／面以上、深
さ８nm以深、○は本数２〜５本／面、深さ４〜８nm、◎
は本数２本／面、深さ４nm以浅を示す。ピット判定評価
の場合、×は５個／面以上、深さ10nm以深、○は１〜５
個／面、深さ２〜10nm、◎は発生が認められなかったを
示す。また固着物判定の評価としてはAFMで粗さ曲線の
平均線より高さ100Å以上で、断面方向の長さが30μｍ
以下の凸状になっている部分（表面）で、ヘッドが衝突
した場合にヘッドを十分に破壊できる程度の強さで表面
に付着している異物および凸状表面を意味し、その評価
は◎は基板10枚の表裏面に１個以下、○は２〜９枚の表
裏面に１個、×は基板１枚に１個以上の場合を示す。
タニヤ粒子であってそのルチル化率が30％であるチタニ
ヤ砥粒を用い、エッチャントを変えて研磨圧を80g/cm2
（高圧）および30g/cm2（低圧）として研磨加工を行っ
た。それぞれ得られた基板表面のＲa、Ｒmax、スクラッ
チ、ピット判定、固着物判定の評価を表３に示す。な
お、スクラッチ評価の場合、×は本数５本／面以上、深
さ８nm以深、○は本数２〜５本／面、深さ４〜８nm、◎
は本数２本／面、深さ４nm以浅を示す。ピット判定評価
の場合、×は５個／面以上、深さ10nm以深、○は１〜５
個／面、深さ２〜10nm、◎は発生が認められなかったを
示す。また固着物判定の評価としてはAFMで粗さ曲線の
平均線より高さ100Å以上で、断面方向の長さが30μｍ
以下の凸状になっている部分（表面）で、ヘッドが衝突
した場合にヘッドを十分に破壊できる程度の強さで表面
に付着している異物および凸状表面を意味し、その評価
は◎は基板10枚の表裏面に１個以下、○は２〜９枚の表
裏面に１個、×は基板１枚に１個以上の場合を示す。
【００１６】
【表３】
【００１７】表３より、本発明研磨剤のエッチャントと
しては、硝酸アルミニウム、塩化鉄およびしゅう酸が好
ましく、しかも研磨加工は比較的低圧（実施例では30g/
cm2）で行うことが好ましいことが分かる
しては、硝酸アルミニウム、塩化鉄およびしゅう酸が好
ましく、しかも研磨加工は比較的低圧（実施例では30g/
cm2）で行うことが好ましいことが分かる
【００１８】
【発明の効果】以上のような本発明研磨剤によれば、Ｒ
a≦10Å、Ｒmax≦150Å、好ましくはＲa≦５Å、Ｒmax
≦80Å、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピットもな
いという高表面研磨品質を有するディスク基板が短時間
に、簡単な方法で得られ、近時の高密度記録化に伴う磁
気ヘッドの低浮上化のよるヘッドと媒体との間隔の狭ま
りにも十分対応できる磁気ディスク基板が得られる。
a≦10Å、Ｒmax≦150Å、好ましくはＲa≦５Å、Ｒmax
≦80Å、深さ50Å以上のスクラッチがなく、ピットもな
いという高表面研磨品質を有するディスク基板が短時間
に、簡単な方法で得られ、近時の高密度記録化に伴う磁
気ヘッドの低浮上化のよるヘッドと媒体との間隔の狭ま
りにも十分対応できる磁気ディスク基板が得られる。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎｉ−Ｐめっき後の磁気ディスク基板を
鏡面研磨するための研磨剤において、砥粒がチタニヤで
あってそのルチル化率（ルチル量／（ルチル量＋アナタ
ーゼ量）×100％）が50％以下、平均粒径が0.4μｍ以
下、最大粒径が1.5μｍ以下であることを特徴とする磁
気ディスク基板用研磨剤。 - 【請求項２】 研磨剤の研磨促進のために混入されるエ
ッチャントが硝酸アルミニウムである請求項１記載の磁
気ディスク基板用研磨剤。 - 【請求項３】 研磨剤の研磨促進のために混入されるエ
ッチャントがしゅう酸である請求項１記載の磁気ディス
ク基板用研磨剤。 - 【請求項４】 研磨剤の研磨促進のために混入されるエ
ッチャントが塩化鉄である請求項１記載の磁気ディスク
基板用研磨剤。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨
剤を用いて磁気ディスク基板を研磨する磁気ディスク基
板の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797898A JPH11198028A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | 磁気ディスク基板用研磨剤および研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797898A JPH11198028A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | 磁気ディスク基板用研磨剤および研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11198028A true JPH11198028A (ja) | 1999-07-27 |
Family
ID=11958823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1797898A Pending JPH11198028A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | 磁気ディスク基板用研磨剤および研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11198028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001000745A1 (fr) * | 1999-06-28 | 2001-01-04 | Showa Denko K.K. | Composition pour le polissage d'un substrat de disque magnetique et procede de fabrication de ce substrat |
| US6478837B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-11-12 | Showa Denko K.K. | Abrasive composition substrate for magnetic recording disks and process for producing substrates for magnetic recording disk |
| WO2009038690A3 (en) * | 2007-09-18 | 2009-05-14 | Cabot Microelectronics Corp | Low ph barrier slurry based on titanium dioxide |
-
1998
- 1998-01-14 JP JP1797898A patent/JPH11198028A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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