JP4667025B2 - 研磨スラリー及び方法 - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録ディスクの製造プロセスにおいて、基板上に形成した軟磁性層の表面を研磨するのに適した研磨スラリー及び方法に関する。

文字、画像、音声などの情報を記録し再生する情報処理装置が、コンピュータだけでなく、テレビジョン、カメラ、電話機などにも搭載されるようになり、情報処理装置には、より高い処理能力（すなわち記録容量の増大）と、再生の正確さが要求され、さらに情報処理装置の小型化が要求されている。

情報は、情報処理装置の磁気ヘッドによって、磁気記録媒体に磁気的に記録され、また磁気記録媒体から再生される。

このような磁気記録媒体として、垂直磁気記録ディスクが検討されている（非特許文献１及び２参照）。この垂直磁気記録ディスクは、表面にアルマイト処理やＮｉ−Ｐメッキなどを施したアルミニウム基板やガラス基板など（以下、これらを総称して基板という）の表面に、高透磁率の軟磁性層、垂直記録層及び保護層をスパッタリングやメッキなどの成膜技術を利用して順次形成したものである。垂直記録層は、高温の基板の表面に堆積させた磁性材料の組成分離による偏析構造をもった柱状の結晶子が集合したものであり、各結晶子は、基板の表面と垂直な方向に伸びる強磁性の柱状の中心部分とこの中心部分の周囲に形成される非磁性の周囲部分とから構成され、これら柱状の結晶子によって、基板の表面と垂直な方向に磁化する記録ビットが形成される。

そして、垂直磁気記録ディスクの情報の記録容量の増大と、再生の正確さは、水平磁気記録ディスクと同様に、垂直磁気記録ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離に大きく依存する。すなわち、情報は、磁気ヘッドから磁気信号を出力して垂直記録層に小さな磁石を形成することによって記録され、この小さな磁石からの磁気信号を磁気ヘッドで読み取ることによって再生されるので、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面から遠ざかると、磁気ヘッドから出力される磁気信号が拡散し、単位面積当りの記録量（記録密度又は記録容量）が低下するので、情報の記録容量を増大し、正確に再生するためには、磁気ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離を小さくしなければならず、また、単位面積当りの記録量を増大させると、磁気ディスクを小型化できるのである。このため、磁気ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離を１５ｎｍ以下にすることが要求されている。

このことから、垂直磁気記録ディスクでは、基板の表面と垂直な方向に伸びる柱状の結晶子からなる垂直記録層を形成するため、基板の表面は、平滑（平均表面粗さが２．０Å以下の範囲）且つ平坦（表面うねりが１Å以下の範囲）に研磨されている。

このような基板の表面の研磨は、遊離砥粒研磨により行われている。

遊離砥粒研磨は、表面に織布、不織布、発泡体などからなるパッドを貼り付けた上下定盤の間に、基板を挟んだ状態で、上下定盤を相対的に回転させ、上下定盤の間に研磨スラリーを供給することにより行われる（特許文献１、２を参照）。

そして、シリカ粒子を使用すると基板の表面を平滑に研磨できるため、研磨粒子としてシリカ粒子を分散させた研磨スラリーが広く使用されている。

一方、このようにシリカ粒子を分散させた研磨スラリーは、研磨レートが低く、研磨時間がかかるため、従来、分散媒に、研磨促進剤として、酸化力のある過酸化水素水や強いエッチング性のある硝酸、塩酸、硝酸アルミニウム、硝酸鉄などが加えられている（特許文献３、４、５を参照）。

特開平８−３５４０号公報 特開平９−７９８７号公報 特開平１１−１６７７１５号公報 特開２０００−３６２７３９号公報 特開２００１−１８８２４号公報 ＩＢＭ東京基礎研究所ホームページ、研究分野プロジェクト、"垂直磁気記録"（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｔｒｌ．ｉｂｍ．ｃｏｍ／ｐｒｏｊｅｃｔｓ／ｐｅｒｐｅｎ／） 東京工業大学電子物理工学科中川研究室ホームページ、研究紹介、"Ｃｏ−Ｃｒ系高密度垂直磁気記録媒体の作成"（ｈｔｔｐ：／／ｓｐｉｎ．ｐｅ．ｔｉｔｅｃｈ．ａｃ．ｊｐ／ｈｐ／ｒｅｓｅａｒｃｈ／ｎｆｔｓ２／）

垂直磁気記録ディスクの製造プロセスでは、このように基板の表面を研磨した後、基板の表面に、軟磁性層、垂直記録層及び保護層が順次連続して形成されている。

この軟磁性層は、基板の表面に、スパッタリングやメッキなどの成膜技術を利用して、０．１μｍから３μｍの厚さ（水平磁気記録ディスクにおける磁性層よりも厚いので成膜に比較的時間がかかる）に形成されるので、成膜中に、特定方向の結晶が異常成長（エピタキシャルグロース）したり、異物（パーティクル）が付着し、軟磁性層の表面に、この異常成長や異物に起因した凹凸が形成され、この上に垂直記録層が形成され、さらに保護層が形成される。

しかし、垂直記録層は、軟磁性層の表面を研磨せずに、凹凸が形成されている軟磁性層の表面に直接形成されているのが現状であり、垂直磁気記録ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離を１５ｎｍ以下にすることができない。

また、シリカ粒子を分散した従来の研磨スラリーには、酸化力やエッチング性のある研磨促進剤が使用されているので、この従来の研磨スラリーを使用して軟磁性層の表面を研磨すると、軟磁性層の表面が溶解したり、腐食する、という問題が生じる。

したがって、本発明の目的は、垂直磁気記録ディスクの基板の表面に形成した軟磁性層の表面を、平均表面粗さが２．０Å以下の範囲で、スクラッチやパーティクルさらに腐食欠陥がなく、表面うねりが１Å以下の範囲に、平滑且つ平坦に研磨できる研磨スラリー及び方法を提供することである。

上記目的を達成する本発明の研磨スラリーは、研磨粒子、及びこの研磨粒子を分散させるための分散媒から構成される。

分散媒は、水、研磨促進剤、潤滑剤、及び凝集防止剤から構成される。

研磨粒子として、シリカ粒子が使用される。シリカ粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜３００ｎｍの間の範囲、好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍの間の範囲にある。シリカ粒子の含有量は、１重量％〜５０重量％の間の範囲にある。

研磨促進剤として、蓚酸アンモニウムが使用される。蓚酸アンモニウムの含有量は、０．０１重量％〜５．０重量％の間の範囲にある。

潤滑剤として、グリセリンが使用される。グリセリンの含有量は、０．０１重量％〜１．０重量％の間の範囲にある。

凝集防止剤として、カルボン酸の誘導体及びアルキレングリコールが使用される。カルボン酸の誘導体の含有量は、０．０５重量％〜２０．０重量％の間の範囲にあり、アルキレングリコールの含有量は、０．０１重量％〜４．０重量％の間の範囲にある。

本発明の研磨スラリーは、添加剤からさらに構成され得る。

添加剤として、キレート剤、防錆剤、水溶性の有機高分子又はこれら混合物が使用される。

キレート剤の含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にあり、防錆剤の含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある。また、水溶性の有機高分子の含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある。

本発明の研磨スラリーの液性は、アルカリ性であり、ｐH８．０〜ｐH１１．０の間の範囲にある。

本発明に従って、垂直磁気記録ディスク用の非磁性の基板上に形成した軟磁性層の表面を研磨する。この軟磁性層は、軟磁性層の表面に上記本発明の研磨スラリーを供給し、この軟磁性層の表面に研磨パッドを押し付け、軟磁性層と研磨パッドとを相対的に移動させることによって研磨される。

軟磁性層は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅのうちの少なくとも一種からなる高誘磁率の軟磁性層であり得る。

本発明が以上のように構成されるので、垂直磁気記録ディスクの基板の表面に形成した軟磁性層の表面を、平均表面粗さが２．０Å以下の範囲で、スクラッチやパーティクルさらに腐食欠陥がなく、表面うねりが１Å以下の範囲に、平滑且つ平坦に研磨できる、という効果を奏する。

本発明の研磨スラリーは、研磨粒子、及びこの研磨粒子を分散させるための分散媒から構成される。

分散媒は、水、研磨促進剤、潤滑剤、及び凝集防止剤から構成される。

研磨粒子として、シリカ粒子が使用される。シリカ粒子として、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカなどが使用される。

シリカ粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜３００ｎｍの間の範囲、好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍの間の範囲にある。平均粒径が５ｎｍ未満であると、研磨に時間がかかりすぎて実用的ではない。また、平均粒径が３００ｎｍを超えると、被研磨面（軟磁性層の表面）が粗くなる。シリカ粒子の含有量は、本発明の研磨スラリーの全量に対し、１重量％〜５０重量％の間の範囲にある。

研磨促進剤として、蓚酸アンモニウムが使用される。蓚酸アンモニウムの含有量は、本発明の研磨スラリーの全量に対し、０．０１重量％〜５．０重量％の間の範囲にある。この含有量が０．０１重量％未満であると、研磨促進効果が低下し、５．０重量％を超えると、蓚酸アンモニウムが溶け難くなる。

潤滑剤として、水溶性のグリセリンが使用される。グリセリンの含有量は、本発明の研磨スラリーの全量に対し、０．０１重量％〜１．０重量％の間の範囲にある。この含有量が０．０１重量％未満であると、研磨具と軟磁性層との間の研磨抵抗が大きくなり、軟磁性層の表面にスクラッチが形成される。また、この含有量が１．０重量％を超えると、この研磨抵抗が低すぎて、研磨レートが低下し、短時間で研磨できなくなる。

凝集防止剤として、研磨後の洗浄が容易なカルボン酸誘導体とアルキレングリコールが使用される。この凝集防止剤は、研磨スラリー中での研磨粒子の凝集を防止し、凝集粒子に起因するスクラッチを軟磁性層の表面に形成させないためのものである。

カルボン酸誘導体の含有量は、本発明の研磨スラリーの全量に対し、０．０５重量％〜２０．０重量％の間の範囲にある。この含有量が、０．０５重量％未満であると、研磨レートが低下し、また研磨粒子が残留する。また、この含有量が２０．０重量％を超えても、凝集防止効果に変化がないので、省コスト化のため、この含有量の上限を２０重量％とした。このようなカルボン酸誘導体として、例えば、市販のポリカルボン酸型高分子界面活性剤（製品名：デモールＥＰ、花王株式会社）（製品名：ポイズ５２０、花王株式会社）が使用できる。

また、アルキレングリコールの含有量は、本発明の研磨スラリーの全量に対し、０．０１重量％〜４．０重量％の間の範囲にある。この含有量が、０．０１重量％未満であると、研磨レートが低下し、また研磨粒子が残留する。また、この含有量が４．０重量％を超えても、凝集防止効果に変化がないので、省コスト化のため、この含有量の上限を４．０重量％とした。

本発明の研磨スラリーは、添加剤からさらに構成され得る。

添加剤として、キレート剤、防錆剤、水溶性の有機高分子又はこれら混合物が使用される。

本発明の研磨スラリーの全量に対し、キレート剤の含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にあり、防錆剤の含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある。また、水溶性の有機高分子の含有量は、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある。

キレート剤として、既知のアミノカルボン酸系のキレート剤が使用される。このアミノカルボン酸系のキレート剤は、例えば、エチレンジアミン４酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン２酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、トリエチレンテトラミン６酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、１−３プロパンジアミン４酢酸などや、これらのナトリウム塩、カリウム塩又はアンモニウム塩である。

防錆剤として、トリアゾール、イミタゾール、トリルトリアゾール又はベンゾトリアゾールなどのトリアゾール類やイミタゾール類が使用される。

水溶性の有機高分子として、ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース及びポリエチレンオキサイドが使用される。

本発明の研磨スラリーの液性は、アルカリ性であり、ｐH８．０〜ｐH１１．０の間の範囲にある。このｐH値が８．０未満であると、研磨スラリー中でシリカ粒子が凝集する。また、このｐH値が１１．０を超えると、研磨スラリー中でシリカ粒子が溶ける。

本発明の研磨スラリーが、この範囲のｐH値にあるので、軟磁性層の腐食や溶解が防止され、研磨スラリーのゲル化も防止される。

本発明に従って、垂直磁気記録ディスク用の非磁性の基板上に形成した軟磁性層の表面を研磨する。この軟磁性層の研磨は、軟磁性層の表面に上記本発明の研磨スラリーを供給し、この軟磁性層の表面に研磨パッドを押し付け、軟磁性層と研磨パッドとを相対的に移動させることにより行われる。

軟磁性層は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅのうちの少なくとも一種を含む高誘磁率の軟磁性層であり得る。

軟磁性層は、アルミニウム、ガラスなどの非磁性の基板の表面に、無電界メッキ、スパッタリングなどの既知の成膜技術により形成される。微結晶Ｎｉ−Ｐ（軟磁性を示す）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐなどは、無電界メッキにより基板の表面に形成され、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｓｉなどはスパッタリングにより形成される。

この軟磁性層は、基板の片面又は両面に形成されるものである。

図１Ａ及び図１Ｂに、本発明を実施する研磨装置の一例を示す。ここで、図示の装置は、基板の両面を同時に研磨するものであるが、既知の片面研磨装置（図示せず）を使用して片面ずつ研磨してもよい。また、図示の装置は、複数枚の基板を一括してどう次に研磨するものであるが、既知の枚葉式の研磨装置（図示せず）を使用して、一枚ずつ研磨してもよい。

図示のように、下定盤１２に貼り付けた研磨パッド１０の表面上に、太陽ギヤ１７とインターナルギヤ１６とに噛合う遊星ギヤ１３の開口１４に研磨対象物（基板の両面に軟磁性層を形成したもの）を嵌め入れて、配置する。次に、上定盤１１に貼り付けた研磨パッド１０´で、遊星ギヤ１３（開口１４内に研磨対象物が嵌め入れられている）を上から押え付ける。次に、上定盤１１の穴１８を通じて、上下定盤１１、１２の間に上記本発明の研磨スラリーを供給する（これにより、本発明の研磨スラリーは、軟磁性層の表面に供給される）。そして、太陽ギヤ１７を矢印Wの方向に回転させて、遊星ギヤ１３を矢印Xの方向に自転させながら、矢印Yの方向に公転させる（これにより、軟磁性層と研磨パッドとが相対的に移動する）。これにより、軟磁性層の表面が研磨される。

研磨パッド１０、１０´として、スウェード、織布、不織布、植毛布、発泡体などからなるシートをパッド状にカットした既知のものが使用される。

本発明では、軟磁性層の表面部分を数十ナノメートルのオーダーで研磨するため、キメの細かい表面を有する研磨パッドが使用され、好適に、スウェードタイプのものが使用される。

なお、軟磁性層は、上記のように、メッキやスパッタリングにより基板の表面に形成されるが、スパッタリングでは、成膜時に膜厚を制御することが容易であるが、真空装置内で行われるため成膜に時間がかかる。一方、メッキによると、短時間で成膜でき、比較的厚い膜を形成することができる。このため、メッキにより、基板の表面に厚さ３μｍ〜１０μｍの軟磁性層を形成した後に、本発明に従った上記の研磨方法により、厚さ０．５μｍ〜２．０μｍに仕上げることが望ましい。

＜実施例１〜６＞ まず、純水に、研磨促進剤（蓚酸アンモニウム）、潤滑剤（グリセリン）及び凝集防止剤（カルボン酸誘導体及びアルキレングリコール）を加え、攪拌して分散媒を製造した。

実施例１〜４の研磨スラリーは、この分散媒にシリカ粒子（コロイダルシリカ）を加え、攪拌して製造した。ここで、コロイダルシリカは、純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のものであった。

また、実施例５、６の研磨スラリーは、この分散媒に、実施例１〜４で使用したのと同じシリカ粒子（コロイダルシリカ）を加え、さらに添加剤（キレート剤）を添加し、攪拌して製造した。

実施例１〜６の研磨スラリーの液性は、アルカリ性であり、ｐH９．０〜ｐH１０．５の間の範囲にあった。

実施例１〜６の研磨スラリーの組成は、下記の表１に示すとおりであった。

＜比較例１＞ 純水に、研磨促進剤（硝酸及び蓚酸アンモニウム）、潤滑剤（グリセリン）、研磨促進助剤（乳酸）及び酸化剤（３０％過酸化水素水）を加え、攪拌して分散媒を製造し、これに上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加えて攪拌し、さらに添加剤（キレート剤）を添加し、攪拌して比較例１の研磨スラリーを製造した。比較例１の研磨スラリーの組成は、下記の表２に示すとおりであった。

＜比較例２＞ 純水に、研磨促進剤（硝酸及び硝酸アルミニウム）、潤滑剤（グリセリン）及び酸化剤（３０％過酸化水素水）を加え、攪拌して分散媒を製造し、これに上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加えて攪拌して比較例２の研磨スラリーを製造した。比較例２の研磨スラリーの組成は、下記の表２に示すとおりであった。

下記の表２に比較例１、２の研磨スラリーの組成を示す。比較例１、２の研磨スラリーの液性は、酸性であり、ｐH２．４〜ｐH３．０の間の範囲にあった。

＜比較例３＞ 純水（分散媒）に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例３の研磨スラリーを製造した。比較例３の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

＜比較例４＞ 純水に、研磨促進剤（蓚酸アンモニウム）を加え、攪拌して分散媒を製造し、この分散媒に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例４の研磨スラリーを製造した。比較例４の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

＜比較例５＞ 純水に、潤滑剤（グリセリン）及び凝集防止剤（カルボン酸誘導体及びアルキレングリコール）を加え、攪拌して分散媒を製造し、この分散媒に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例５の研磨スラリーを製造した。比較例５の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

＜比較例６＞ 純水に、研磨促進剤（蓚酸アンモニウム）及び潤滑剤（グリセリン）を加え、攪拌して分散媒を製造し、この分散媒に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例６の研磨スラリーを製造した。比較例６の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

＜比較例７＞ 純水に、研磨促進剤（蓚酸アンモニウム）及び凝集防止剤（カルボン酸誘導体及びアルキレングリコール）を加え、攪拌して分散媒を製造し、この分散媒に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例７の研磨スラリーを製造した。比較例７の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

＜比較例８＞ 純水に、研磨促進剤（蓚酸アンモニウム）、潤滑剤（グリセリン）、凝集防止剤（カルボン酸誘導体及びアルキレングリコール）及び酸化剤（３０％過酸化水素水）を加え、攪拌して分散媒を製造し、この分散媒に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例８の研磨スラリーを製造した。比較例８の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

＜比較例９＞ 純水に、研磨促進剤（蓚酸アンモニウム）、潤滑剤（グリセリン）、凝集防止剤（カルボン酸誘導体及びアルキレングリコール）及び酸化剤（硝酸）を加え、攪拌して分散媒を製造し、この分散媒に、上記実施例１で使用したのと同じシリカ粒子（純水（イオン交換水）に平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子を分散させたアルカリ性（ｐH１０）のコロイダルシリカ）を加え、攪拌して比較例９の研磨スラリーを製造した。比較例９の研磨スラリーの組成は、下記の表３に示すとおりであった。

下記の表３に比較例３〜９の研磨スラリーの組成を示す。比較例３〜９の研磨すらりーの液性は、アルカリ性であり、ｐH９．０〜ｐH１０．５の間の範囲にあった。

＜研磨試験＞ 実施例１〜６、比較例１〜９の研磨スラリーをそれぞれ使用して、両面に軟磁性層を形成した基板を研磨し、研磨レート、平均表面粗さ（Ｒａ）及び表面うねり（Ｗａ）を計測し、また、研磨後のスクラッチ数、腐食欠陥数及びパーティクル数を計数した。

研磨対象物は、直径２．５インチのアルミニウム基板の両面に非磁性のＮｉ−Ｐ膜を形成し、これら両面のＮｉ−Ｐ膜上にそれぞれ厚さ約３．０μｍの軟磁性層（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）を無電界メッキにより形成したものであり、研磨前の軟磁性層の表面の平均表面粗さ（Ｒａ）は５．０Å〜１０．０Åであり、表面うねり（Ｗａ）は０．８Å〜１．０Åであった。

研磨は、図１に示すような両面研磨装置（製品番号：９ＢＦ、ハマイ社）を使用して行った。両面研磨装置の上下定盤には、それぞれ、スウェードタイプの研磨パッドを貼り付け、１０枚の基板を一括して研磨した。研磨条件は、下記の表４に示すとおりであった。

研磨レート（単位時間当りの研磨量）（単位：ｍｇ／分）は、研磨前後の研磨対象物の重量差を研磨時間で割ったものである。被研磨物の重量は、計量器（製品番号：ＨＦ−２００、Ａ＆Ｄ社）を使用して計測した。

平均表面粗さ（Ｒａ）（単位：Å）は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）（製品番号：ナノスコープ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００シリーズ、デジタルインスツルメント社）を使用し、視野１０μｍ、レンジ５ｎｍで計測した。

表面うねり（Ｗａ）（単位：Å）は、非接触３次元表面形状測定器（製品番号：Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ５０００、ＺＹＧＯ社）を使用し、対物レンズ１０倍、中間レンズ０．８倍、カットオフフィルタ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍで計測した。

スクラッチ数、腐食欠陥数及びパーティクル数は、それぞれ、研磨後の研磨対象物の両面を片面ずつ、ディスク表面外観目視装置（製品番号：ＭｉｃｒｏＭＡＸ ＶＭＸ−２１００、有限会社ビジョンサイテック）を使用して計数し、この計数値を平均したものである（単位：個／面）。

＜試験結果＞ 試験結果を下記の表５及び表６に示す。表中、スクラッチ数、腐食欠陥数及びパーティクル数について、◎は、１０本／面（又は個／面）未満であり、○は、１０本／面（又は個／面）以上、２０本／面（又は個／面）未満であり、×は、２０本／面（又は個／面）以上を示す。

表５に示すとおり、本発明によると、垂直磁気記録ディスクの基板の表面に形成した軟磁性層の表面を、平均表面粗さが２．０Å以下の範囲で、スクラッチやパーティクル、そして腐食欠陥がなく、表面うねりが１Å以下の範囲に、平滑且つ平坦に研磨できたことがわかる。一方、表６に示すように、比較例の研磨スラリーによると、表面粗さが２Åを超えていたり、スクラッチやパーティクルそして腐食欠陥が形成されるという結果が得られた。特に、過酸化水素水や硝酸を使用すると、軟磁性層の表面の腐食が顕著であった（比較例１、２、８、９）。

図１は、本発明を実施する研磨装置の一例を示す。

符号の説明

１０、１０´・・・研磨パッド
１１・・・上定盤
１２・・・下定盤
１３・・・遊星ギヤ
１４・・・開口
１５・・・研磨対象物
１６・・・インターナルギヤ
１７・・・太陽ギヤ
１８・・・穴
W、X、Y・・・回転方向

Claims (13)

1. 研磨スラリーであって、
   研磨粒子、及び
   この研磨粒子を分散させる分散媒、
   から成り、
   前記分散媒が、
   水、
   研磨促進剤、
   潤滑剤、及び
   凝集防止剤、
   から成り、
   前記研磨粒子として、シリカ粒子が使用され、
   前記研磨促進剤として、蓚酸アンモニウムが使用され、
   前記潤滑剤として、グリセリンが使用され、
   前記凝集防止剤として、カルボン酸誘導体及びアルキレングリコールが使用され、
   前記研磨スラリーの全量に対し、
   前記シリカ粒子の含有量が、１重量％〜５０重量％の間の範囲にあり、
   前記蓚酸アンモニウムの含有量が、０．０１重量％〜５．０重量％の間の範囲にあり、
   前記グリセリンの含有量が、０．０１重量％〜１．０重量％の間の範囲にあり、
   前記カルボン酸の誘導体の含有量が、０．０５重量％〜２０．０重量％の間の範囲にあり、
   前記アルキレングリコールの含有量が、０．０１重量％〜４．０重量％の間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
2. 請求項１の研磨スラリーであって、
   前記シリカ粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜３００ｎｍの間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
3. 請求項１の研磨スラリーであって、
   前記シリカ粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜１００ｎｍの間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
4. 請求項１の研磨スラリーであって、
   添加剤からさらに成り、
   前記添加剤として、キレート剤、防錆剤、水溶性の有機高分子又はこれら混合物が使用される、
   ところの研磨スラリー。
5. 請求項４の研磨スラリーであって、
   当該研磨スラリーの全量に対し、
   前記キレート剤の含有量が、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
6. 請求項４の研磨スラリーであって、
   当該研磨スラリーの全量に対し、前記防錆剤の含有量が、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
7. 請求項４の研磨スラリーであって、
   当該研磨スラリーの全量に対し、
   前記水溶性の有機高分子の含有量が、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
8. 請求項１の研磨スラリーであって、
   当該研磨スラリーの液性が、アルカリ性であり、ｐH８．０〜ｐH１１．０の間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
9. 研磨スラリーであって、
   研磨粒子、及び
   この研磨粒子を分散させる分散媒、
   から成り、
   前記分散媒が、
   水、
   研磨促進剤、
   潤滑剤、及び
   凝集防止剤、
   から成り、
   前記研磨粒子として、シリカ粒子が使用され、
   前記研磨促進剤として、蓚酸アンモニウムが使用され、
   前記潤滑剤として、グリセリンが使用され、
   前記凝集防止剤として、カルボン酸誘導体及びアルキレングリコールが使用され、
   添加剤からさらに成り、
   前記添加剤として、キレート剤、防錆剤、水溶性の有機高分子又はこれら混合物が使用され、
   当該研磨スラリーの全量に対し、前記防錆剤の含有量が、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある、
   ところの研磨スラリー。
10. 請求項９の研磨スラリーであって、
    当該研磨スラリーの全量に対し、
    前記キレート剤の含有量が、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある、
    ところの研磨スラリー。
11. 請求項９の研磨スラリーであって、
    当該研磨スラリーの全量に対し、
    前記水溶性の有機高分子の含有量が、０．０１重量％〜１０．０重量％の間の範囲にある、
    ところの研磨スラリー。
12. 垂直磁気記録ディスク用の非磁性の基板上に形成した軟磁性層の表面を研磨する方法であって、
    前記軟磁性層の表面に研磨スラリーを供給する工程、及び
    前記軟磁性層の表面に研磨パッドを押し付け、前記軟磁性層と前記研磨パッドとを相対的に移動させる工程、
    から成り、
    前記研磨スラリーが、
    研磨粒子、及び
    この研磨粒子を分散させるための分散媒、
    から成り、
    前記分散媒が、
    水、
    研磨促進剤、
    潤滑剤、及び
    凝集防止剤、
    から成り、
    前記研磨粒子として、シリカ粒子が使用され、
    前記研磨促進剤として、蓚酸アンモニウムが使用され、
    前記潤滑剤として、グリセリンが使用され、
    前記凝集防止剤として、カルボン酸の誘導体及びアルキレングリコールが使用され、
    前記研磨スラリーの全量に対し、
    前記シリカ粒子の含有量が、１重量％〜５０重量％の間の範囲にあり、
    前記蓚酸アンモニウムの含有量が、０．０１重量％〜５．０重量％の間の範囲にあり、
    前記グリセリンの含有量が、０．０１重量％〜１．０重量％の間の範囲にあり、
    前記カルボン酸の誘導体の含有量が、０．０５重量％〜２０．０重量％の間の範囲にあり、
    前記アルキレングリコールの含有量が、０．０１重量％〜４．０重量％の間の範囲にある、
    ところの方法。
13. 請求項１２の方法であって、
    前記軟磁性層が、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅのうちの少なくとも一種からなる高誘磁率の軟磁性層である、
    ところの方法。

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