TWI405195B - Vertical magnetic recording disc and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI405195B
TWI405195B TW095105250A TW95105250A TWI405195B TW I405195 B TWI405195 B TW I405195B TW 095105250 A TW095105250 A TW 095105250A TW 95105250 A TW95105250 A TW 95105250A TW I405195 B TWI405195 B TW I405195B
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Description

垂直磁性記錄碟片及其製造方法
本發明係關於裝備在搭載於電腦、電視、照相機、電話機等的硬碟裝置之垂直磁性記錄碟片及其製造方法。
記錄再生文字、畫像、聲音等的資訊之資訊處理裝置，不只在電腦，亦成為可搭載於電視、照相機、電話機等，於資訊處理裝置，被要求更高的處理能力(也就是記錄容量的增大)、和再生的正確度，而且被要求資訊處理裝置的小型化。
資訊，係藉由資訊處理裝置的磁頭，磁性地記錄於磁性記錄媒體、另外由磁性記錄媒體再生。
作為磁性記錄媒體，研討垂直磁性記錄碟片(例如，參照專利文獻1~3)。
垂直磁性記錄碟片，係於碟狀的非磁性基板(玻璃基板、或於表面鍍覆了Ni－P膜之鋁基板)的表面，利用濺鍍等的已知的成膜技術而層積：提高資訊訊號的記錄再生效率之軟磁性層、和由記錄資訊訊號的垂直磁化膜所構成的垂直磁性記錄層；這些層以外，層積：具有垂直磁性記錄層的結晶性改善或結晶粒徑的控制等的機能之非磁性層。另外，也有為了防止起因於由漏洩磁場的磁壁移動的雜訊(特別是，尖波雜訊(Spike noise))的發生，將軟磁性層分開為上下二個層，於這些層之間使硬磁性層存在，釘扎(pinning)磁壁，抑制磁壁的移動(參照專利文獻2)。而且，亦有為了使在垂直磁性記錄碟片的面內的再生輸出波形作為均勻(亦即，為了使調變(modulation)特性(再生時的記錄媒體一周期的再生輸出波型的均勻性)提高)，於非磁性基板的表面施加紋理加工而於圓周方向形成了略同心圓狀的紋理條痕之後，於此非磁性基板的表面，隔著硬磁性層(亦被稱呼為偏壓層)而形成軟磁性層，於此之上層積垂直磁性記錄層(參照專利文獻3)。
〔專利文獻1〕日本特開2004－362746號公報〔專利文獻2〕日本特開平5－266455號公報〔專利文獻3〕日本特開平6－103554號公報
但是，先前，於非磁性基板的表面施加紋理加工，因為於此非磁性基板的表面利用濺鍍等的已知的成膜技術而依序形成各層，產生：各層，特別是於軟磁性層的表面產生因異常成長的突起或腐蝕，不能使層積於此之上的垂直磁性記錄層等的層按照設計地形成(成膜)，不能使在設計階段預定的垂直磁性記錄碟片的性能發揮之間題。
因而，本發明的目的係提供於軟磁性層的表面無異常突起的垂直磁性記錄碟片及其製造方法。
達成上述目的之本發明的垂直磁性記錄碟片，係具有：非磁性基板、於此非磁性基板的表面，隔著基材層、或直接形成的軟磁性層、於此軟磁性層的表面，隔著中間層、或直接形成的垂直記錄層、以及形成於此垂直磁性記錄層的表面之保護層而構成，軟磁性層為於表面具有紋理條痕。
合適的軟磁性層的表面之平均表面粗度(Ra)在0.5~5.0之間的範圍，紋理條痕的線密度在30條/μ m以上的範圍。
更合適的軟磁性層的表面之平均表面粗度在0.5~3.0之間的範圍，紋理條痕的線密度在60條/μ m以上的範圍。
軟磁性層係由含有Fe、Co及Ni之中至少一個物質、和Nb、Zr、Cr、Ta、Mo、Ti、B、C及P之中至少一個物質之非晶形合金所構成。另外，軟磁性層係由含有Fe、Co及Ni之中至少一個物質、和Pt、Nb、Zr、Ti、Cr及Ru之中至少一個物質之合金所構成亦佳。
非磁性基板的表面起伏，為在0.05mm~0.5mm的範圍內的圓周方向的波長之起伏的高低差在2以下的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內之半徑方向的波長之起伏的高低差在2以下的範圍。
上述本發明的垂直磁性記錄碟片，係藉由：於非磁性基板上形成軟磁性層，於軟磁性層的表面施加紋理加工而形成紋理條痕，於軟磁性層的表面形成垂直記錄層，於此垂直記錄層上形成保護層而製造。
於非磁性基板的表面形成基材層後，於此基材層的表面形成軟磁性層亦佳。
另外，於垂直記錄層的表面形成中間層後，於此中間層的表面形成保護層亦佳。
紋理加工係藉由：使於非磁性基板上形成了軟磁性層的碟片旋轉，於軟磁性層的表面供給研磨漿液，於軟磁性層的表面壓上帶狀物而進行。
研磨漿液，係由磨料、及分散此磨料的水或水基的水溶液所構成，作為磨料，使用：一次粒子徑在30nm以下的範圍，而且一次粒子的平均粒徑在4nm~10nm的範圍，此一次粒子複數個結合的二次粒子徑在20nm~150nm的範圍之人工鑽石粒子。研磨漿液中的磨料的含有量為在0.001重量%~0.5重量%之間的範圍。
水基的水溶液為由水及添加劑所構成，作為此添加劑，使用從乙二醇化合物、高級脂肪酸醯胺、有機磷酸酯及非離子系界面活性劑選擇一種或二種以上的材料，研磨漿液中的添加劑的含有量為在0.5重量%~5.0重量%之間的範圍。
作為帶狀物，至少使用：帶狀物的表面部分為由纖維徑在0.1 μ m~2.0 μ m之間的範圍的纖維所構成之織布帶或不織布帶。
研磨漿液係在pH8.0~pH11.0之間的範圍。
因為於軟磁性層的表面施加紋理加工，所以於此之上，可形成按照設計之垂直磁性記錄層。
如第1A圖所示地，本發明的垂直磁性記錄碟片10係由：非磁性基板11、直接形成於此非磁性基板11的表面的軟磁性層13、直接形成於此軟磁性層13的表面的垂直磁性記錄層15、及形成於此垂直磁性記錄層15的表面的保護層16所構成。在此，如第1B圖所示地，於非磁性基板11的表面形成基材層12，於此基材層12的表面，形成軟磁性層13亦佳。另外，於軟磁性層13的表面形成中間層14，於此中間層14的表面，形成垂直記錄層15亦佳。
非磁性基板11的表面上的各層12~16，係利用鍍覆、濺鍍等的已知的成膜技術而層積。
作為非磁性基板11，可使用：玻璃基板、於表面耐酸鋁(alumite)處理或鍍覆了Ni－P膜的鋁基板、陶瓷基板、矽基板等。
非磁性基板11的兩面，係藉由已知的遊離磨料研磨(平台研磨、帶狀物研磨)而研磨。平台研磨，係使於表面黏上了由織布、不織布、發泡體等所構成的襯墊之平台旋轉，於平台的表面供給研磨漿液，於此之上壓上非磁性基板的表面，即使是一次一面地研磨非磁性基板的兩面者亦佳，另外，於各別的表面黏上了由織布、不織布、發泡體等所構成之襯墊的上下平台之間，挾持非磁性基板，於這些平台之間供給研磨漿液，藉由使各平台與非磁性基板相對性地移動，同時的研磨非磁性基板的兩面者亦佳。研磨後，充分的進行水洗、乾燥非磁性基板的兩面。
非磁性基板11的兩面，係藉由上述的遊離磨料研磨而被平坦化。在此，在後述的軟磁性層13的表面之紋理加工，係因為只矯正表面起伏的研磨為困難的，所以此研磨後的非磁性基板11的表面起伏，為在0.05mm~0.5mm的範圍內的圓周方向的波長之起伏的高低差在2以下的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內之半徑方向的波長之起伏的高低差在2以下的範圍為最佳。
軟磁性層13係由含有Fe、Co及Ni之中至少一個物質、和Nb、Zr、Cr、Ta、Mo、Ti、B、C及P之中至少一個物質之非晶形合金(亦即，Co－Nb－Zr、Co－Ta－Zr、Co－Ti－Si、Co－Mo－Zr、Fe－Co－P、Ni－P、Fe－Ni－P、Fe－B、Fe－C、Fe－Si等)所構成。另外，軟磁性層13係由含有Fe、Co及Ni之中至少一個物質、和Pt、Nb、zr、Ti、Cr及Ru之中至少一個物質之合金(亦即Ni－Fe、Fe－Co－Ni、Fe－Co－Ni－Ru、Fe－C－Ru、Fe－Co－Pt、Fe－C－Cr、Fe－Si－Ru等)所構成。
軟磁性層13係於如上述地平坦化的非磁性基板11的表面，隔著基材層12、或被直接形成。另外，非磁性基板11，在為表面鍍覆了Ni－P膜的鋁基板的情況，再加上鍍覆磁性Ni－P膜，於此之上直接形成軟磁性層13亦佳。
軟磁性層13的厚度係在0.1 μ m~0.3 μ m的範圍。
在此，基材層12係由從Ti、Cr及其合金選擇的材料所構成，為了補償研磨後的非磁性基板11的表面之地形學上的凹凸而形成。另外，為了解消尖峰雜訊，作為基材層12，形成由Co－Sm、Co－Pt等的材料所構成的硬磁性層於非磁性基板11的表面，釘扎磁壁，可抑制磁壁的移動。
軟磁性層13係於表面有紋理條痕。合適的軟磁性層13的表面之平均表面粗度(Ra)在0.5~5.0之間的範圍，紋理條痕的線密度在30條/μ m以上的範圍。更合適的軟磁性層13的表面之平均表面粗度在0.5~3.0之間的範圍，紋理條痕的線密度在60條/μ m以上的範圍。軟磁性層13的最大表面粗度(Rmax)係在上述的平均表面粗度的20倍以下的大小。
如此的紋理條痕係藉由後述的紋理加工而形成。紋理加工後充分地水洗、乾燥。
垂直磁性記錄層15係於此軟磁性層13的表面，隔著厚度在3nm~30nm的範圍的中間層14，或直接形成。在此，中間層14係由Ta、Ru、Ti、Ge、Si及該合金選擇的材料所構成。此中間層14係為了補償紋理加工後的軟磁性層13的表面之地形學上的凹凸，另外為了使垂直磁性記錄層15的柱狀的微晶(crystallite)配向於與非磁性基板11的表面垂直的方向，更為了最適化結晶的成長而形成。
垂直磁性記錄層15係由Co－Cr、Co－P t、Co－Cr－Pt、Co－Ni、Co－O、及Co－Cr－Pt．SiO2 (顆粒(Granular)構造)等的具有垂直磁性異向性的材料選擇。垂直磁性記錄層15的厚度係在10nm~100nm的範圍。
<製造方法>垂直磁性記錄碟片10，係藉由：於非磁性基板11上形成軟磁性層13，於此軟磁性層13的表面形成紋理條痕之後，於此軟磁性層13上形成垂直記錄層15，於此垂直記錄層15上形成保護層16而製造。軟磁性層13，係於非磁性基板11的表面形成基材層12之後，於此基材層12的表面形成亦佳。另外，垂直磁性記錄層15，係於軟磁性層13的表面形成中間層14之後，於此中間層14的表面形成亦佳。
<紋理加工>藉由下述的紋理加工，於軟磁性層13的表面形成紋理條痕。紋理加工係將形成於非磁性基板11的兩面之軟磁性層13之各別的表面，一次一面或兩面同時施加。
而且，軟磁性層13的厚度係如上述地，在0.1 μ m~0.3 μ m的範圍，但包含紋理加工材料，則藉由濺鍍等，成膜至0.2 μ m~0.5 μ m的厚度。
以下，代表性地說明關於同時加工兩面的工程。
紋理加工係使用如第7圖所示的紋理加工裝置20而進行。紋理加工係如圖示地，使於非磁性基板11的兩面形成了軟磁性層13的碟片旋轉於箭頭的方向，這些軟磁性層13的各別的表面，通過噴嘴22而供給研磨漿液。然後，這些軟磁性層13的各別的表面，經由接觸滾筒21而按壓帶狀物24，使這些帶狀物24，藉由與碟片的旋轉方向相反的方向(以箭頭T顯示的方向)移動而進行。紋理加工後，通過噴嘴23而將水等的洗淨液噴於這些軟磁性層13的各別的表面而洗淨
研磨漿液，係由磨料、及分散此磨料的水或水基的水溶液構成。
作為磨料，使用：一次粒子徑在30nm以下的範圍，而且一次粒子的平均粒徑在4nm~10nm的範圍，此一次粒子複數個結合至團狀之二次粒子徑為在20nm~150nm的範圍(理想為，30nm~100nm的範圍)之人工鑽石粒子。若此二次粒子徑超過150nm，則軟磁性層的表面粗度變得過大。
此人工鑽石粒子，係藉由已知的衝擊法(亦稱為爆炸合成法)(例如：參照日本特開2000－136376號公報)而製造。衝擊法係對於由石墨的粉末所構成的鑽石原料給予衝擊而在高溫加壓後，除去不純物而人工的得到鑽石粒子的方法，若藉由此方法，可人工的得到在密度3.1g/cm3 ~3.4g/cm3 (天然鑽石粒子為3.51g/cm3 )的範圍之鑽石粒子。如此作用而得到的人工鑽石粒子，係為了溶解不純物，使用鹽酸、硝酸、硫酸及其混酸而進行化學上的處理，除去不純物後，以水洗淨。然後，以離心分離機分級至適當的粒度分布，採取鑽石粒子，回收這些而作為磨料使用。
研磨漿液中的磨料的含有量係在0.001重量%~0.5重量%之間的範圍，理想為在0.005重量%~0.1重量%之間的範圍。磨料的含有量若未滿0.001重量%，則研磨力下降，不只過於花費時間於研磨上，而且於軟磁性層的表面形成不必要的起伏。一方面，若磨料的含有量超過0.1重量%，則紋理條痕成為不均勻地形成，若超過0.5重量%，則軟磁性層的最大表面粗度(Rmax)變成平均表面粗度(Ra)的大小的20倍以上的大小。
水基的水溶液係由水及添加劑而構成。
作為添加劑，使用從乙二醇化合物、高級脂肪酸醯胺、有機磷酸酯及非離子系界面活性劑選擇一種或二種以上的材料。
乙二醇化合物係有與磨料的親和性，作為分散劑而發揮機能之物，若使用此乙二醇化合物，則可均勻地調製水基的水溶液。另外，乙二醇化合物係為親水性，從紋理加工後的軟磁性層的表面可容易地洗淨研磨漿液。作為乙二醇化合物，可使用亞烷基乙二醇(alkylene glycol)、聚乙二醇、聚丙二醇、二乙二醇丁基醚等。
高級脂肪酸醯胺，係作為使研磨率提高的研磨促進劑而發揮機能之物。作為高級脂肪酸醯胺，使用油酸二乙醇醯胺、硬脂酸二乙醇醯胺、月桂酸二乙醇醯胺、菎麻油酸二乙醇醯胺、菎麻油酸異丙醇醯胺、芥子酸二乙醇醯胺、松脂脂肪酸二乙醇醯胺，碳數在12~22的範圍為合適。
有機磷酸酯係將磷酸(H3 PO4 )的氫以烷基置換之酯類，具有抑制形成於軟磁性層的表面之異常突起(研磨屑附著於軟磁性層的表面而形成的突起)的發生之機能之物。作為有機磷酸脂，可使用脂肪酸系鹽型、芳香族系鹽型等之物，例如聚氧乙烯壬基苯酚醚的磷酸鹽。
非離子系界面活性劑，為具有使磨料的分散性提高的機能之物。
研磨漿液，係可藉由：於純水加入磨料，利用超音波振動而使磨料分散後，添加添加劑，再利用超音波振動而使磨料分散而製造。為了防止軟磁性層的腐蝕，研磨漿液的酸鹼性係在pH8.0~pH11.0的範圍。
作為使用於紋理加工的帶狀物，至少使用：帶狀物的表面部分(於軟磁性層的表面實質上作用的部分)為由纖維徑在0.1 μ m~2.0 μ m之間的範圍的纖維所構成之織布帶或不織布帶。作為纖維，可使用聚酯纖維、尼龍纖維。適宜上，可使用比較軟的尼龍纖維、無織目的不織布帶。
研磨中，磨料的二次粒子，藉由構成帶狀物的纖維而按壓於軟磁性層的表面，在此時，二次粒子崩壞為比此小的二次粒子或一次粒子，此已崩壞的粒子作用於軟磁性層的表面，但若纖維徑未滿0.1 μ m，則帶狀物的表面部分與研磨漿液中的磨料的接觸點減少，於軟磁性層的表面不能使磨料充分地作用。一方面，若纖維徑超過2.0 μ m，則構成帶狀物的表面部分的纖維與纖維之間的高低平面差增大，不能均勻地加工軟磁性層的表面。
<實施例1>按照本發明，於非磁性基板的兩面形成軟磁性層，於該表面施加紋理加工。
作為非磁性基板，使用直徑2.5英吋的玻璃基板。此玻璃基板的兩面之平均表面粗度(Ra)在2.0~5.0之間的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內的波長的圓周方向與半徑方向的起伏的高低差在1.0~2.0的範圍。
將此玻璃基板配置於磁控濺鍍裝置的處理室內，首先，於玻璃基板的兩面，作為基材層，形成了厚度20nm的Cr膜後，作為軟磁性層，形成了厚度300nm的Co－Nb－Zr膜。
使用如第7圖所示的紋理加工裝置，以表示於下述的表1的條件，於形成於玻璃基板的兩面之軟磁性層的各別的表面施加紋理加工。於第2圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示紋理加工後的軟磁性層的表面的狀態。
於紋理加工，係作為帶狀物，使用了由纖維徑2.0 μ m的尼龍纖維所構成的厚度660 μ m的不織布帶。另外，作為研磨漿液，使用表示於下述的表2的組成之物。然後，研磨漿液係作為磨料，將由衝擊法而得到的人工鑽石粒子加於純水，利用超音波振動而使其分散(分散後的人工鑽石粒子的二次粒子的平均粒徑(D50)為80nm)，於此添加、攪拌添加劑，再利用超音波振動而使磨料分散而製造。
<實施例2>按照本發明，於非磁性基板的兩面形成軟磁性層，於該表面施加紋理加工。
作為非磁性基板，使用直徑2.5英吋的鋁基板(於表面鍍覆Ni－P膜)。此鋁基板的兩面之平均表面粗度(Ra)在2.0~5.0之間的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內的波長的圓周方向與半徑方向的起伏的高低差在1.0~2.0的範圍。
將此鋁基板配置於磁控濺鍍裝置的處理室內，首先，於玻璃基板的兩面，作為基材層，形成了厚度20nm的Cr膜後，作為軟磁性層，形成了厚度300nm的Co－Nb－Zr膜。
使用如第7圖所示的紋理加工裝置，以表示於上述的表1的條件，於形成於玻璃基板的兩面之軟磁性層的各別的表面施加紋理加工。於第3圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示紋理加工後的軟磁性層的表面的狀態。
於紋理加工，係作為帶狀物，使用了由纖維徑2.0 μ m的尼龍纖維所構成的厚度660 μ m的不織布帶。另外，作為研磨漿液，使用表示於上述的表2的組成之物。然後，研磨漿液係作為磨料，將由衝擊法而得到的人工鑽石粒子加於純水，利用超音波振動而使其分散(分散後的人工鑽石粒子的二次粒子的平均粒徑(D50)為50nm)，於此添加、攪拌添加劑，再利用超音波振動而使磨料分散而製造。
<實施例3>按照本發明，於非磁性基板的兩面形成軟磁性層，於該表面施加紋理加工。
作為非磁性基板，使用直徑2.5英吋的玻璃基板。此玻璃基板的兩面之平均表面粗度(Ra)在2.0~5.0之間的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內的波長的圓周方向與半徑方向的起伏的高低差在1.0~2.0的範圍。
將此玻璃基板配置於磁控濺鍍裝置的處理室內，首先，於玻璃基板的兩面，作為基材層，形成了厚度20nm的Cr膜後，作為軟磁性層，形成了厚度300nm的Co－Nb－Zr膜。
使用如第7圖所示的紋理加工裝置，除了將基板旋轉數作為1600rpm(上述實施例1的情況的4倍的旋轉數)以外，以表示於上述的表1的條件，於形成於玻璃基板的兩面之軟磁性層的各別的表面施加紋理加工。於第4圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示紋理加工後的軟磁性層的表面的狀態。
於紋理加工，係作為帶狀物，使用了由纖維徑2.0 μ m的尼龍纖維所構成的厚度660 μ m的不織布帶。另外，作為研磨漿液，使用表示於上述的表2的組成之物。然後，研磨漿液係作為磨料，將由衝擊法而得到的人工鑽石粒子加於純水，利用超音波振動而使其分散(分散後的人工鑽石粒子的二次粒子的平均粒徑(D50)為50nm)，於此添加、攪拌添加劑，再利用超音波振動而使磨料分散而製造。
<比較例1>於非磁性基板的兩面施加紋理加工後，形成軟磁性層。
作為非磁性基板，使用直徑2.5英吋的玻璃基板。與上述實施例1相同，此玻璃基板的兩面之平均表面粗度(Ra)在2.0~5.0之間的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內的波長的圓周方向與半徑方向的起伏的高低差在1.0~2.0的範圍。
使用如第7圖所示的紋理加工裝置，於玻璃基板的兩面施加紋理加工。紋理加工係以與上述實施例1相同的條件進行。於第5A圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示紋理加工後的玻璃基板的表面的狀態。
將此玻璃基板配置於磁控濺鍍裝置的處理室內，首先，於玻璃基板的兩面，作為基材層，形成了厚度20nm的Cr膜後，作為軟磁性層，形成了厚度200nm的Co－Nb－Zr膜。於第5B圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示軟磁性層的表面的狀態。
<比較例2>於非磁性基板的兩面施加紋理加工後，形成軟磁性層。
作為非磁性基板，使用直徑2.5英吋的鋁基板(於表面鍍覆Ni－P膜)。與上述實施例2相同，此鋁基板的兩面之平均表面粗度(Ra)在2.0~5.0之間的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍內的波長的圓周方向與半徑方向的起伏的高低差在1.0~2.0的範圍。
使用如第7圖所示的紋理加工裝置，於玻璃基板的兩面施加紋理加工。紋理加工係以與上述實施例2相同的條件進行。於第6A圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示紋理加工後的鋁基板的表面的狀態。
將此鋁基板配置於磁控濺鍍裝置的處理室內，首先，於玻璃基板的兩面，作為基材層，形成了厚度20nm的Cr膜後，作為軟磁性層，形成了厚度200nm的Co－Nb－Zr膜。於第6B圖(藉由原子力顯微鏡的電腦畫像)，表示軟磁性層的表面的狀態。
<比較試驗>研究上述實施例1、2、3的紋理加工後的軟磁性層的表面，以及比較例1、2的紋理加工後的非磁性基板的表面與形成於此表面上的軟磁性層的表面的平均表面粗度(Ra)、最大突起高度(Rmax)、刮痕數(scratch)及粒子(particle)數。
平均表面粗度(Ra)係使用原子力顯微鏡(AFM)(製品名Dimension3100 series，digital instrument公司)而測量。圖示的電腦畫像，係使用此AFM而進行三次元畫像化。而且，作為探針，使用了矽單結晶製的探針(曲率半徑5~10nm)(製品名：D－NCH，日本veeco公司)。
關於圓周方向與半徑方向的起伏，使用白色光顯微鏡(製品名：New View5020、Zygo公司)，在非磁性基板的表面的任意0.87mm×0.65mm的範圍，測量在0.05mm~0.5mm的範圍內的波長的圓周方向與半徑方向的起伏。
關於刮痕數和粒子數，使用碟片表面外觀目視裝置(製品名：MicroMAX VMX－2100，VISION PSYTEC有限公司)而計算表裏兩面的刮痕數和粒子數，平均此計算者。
<試驗結果>將試驗結果表示於下述的表3。
表3中，關於刮痕數，「○」係表示未滿10條/面、「×」係表示10條/面以上。表3中，關於粒子(附著物)數，「○」係表示未滿20個/面、「×」係表示20個/面以上。
如表3所示的，在比較例1、2，係非磁性基板的平均表面粗度為低，但若於其上形成軟磁性層，則此軟磁性層的平均表面粗度變高，另外於軟磁性層的表面形成不要的刮痕，附著粒子。對於此，若依照本發明，則軟磁性層的平均表面粗度低，形成的刮痕的數、附著的粒子數亦低，另外因為無超過40的異常突起，所以可使層積於此之上的垂直磁性記錄層等的層按照設計地形成(成膜)。
10．．．垂直磁性記錄碟片
11．．．非磁性基板
12．．．基材層
13．．．軟磁性層
14．．．中間層
15．．．垂直磁性記錄層
16．．．保護層
20．．．紋理加工裝置
21．．．接觸滾筒
22、23．．．噴嘴
24．．．帶狀物
R．．．非磁性基板的旋轉方向
T．．．帶狀物的移動方向
〔第1圖〕第1A圖及第1B圖，各別為依照本發明的垂直磁性記錄碟片的剖面圖。
〔第2圖〕第2圖為紋理加工後的軟磁性層的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像(實施例1)。
〔第3圖〕第3圖為紋理加工後的軟磁性層的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像(實施例2)。
〔第4圖〕第4圖為紋理加工後的軟磁性層的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像(實施例3)。
〔第5圖〕第5A圖為紋理加工後的玻璃基板的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像，第5B圖為軟磁性層的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像(比較例1)。
〔第6圖〕第6A圖為紋理加工後的玻璃基板的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像，第6B圖為軟磁性層的表面之藉由原子力顯微鏡的電腦畫像(比較例2)。
〔第7圖〕第7圖為實施本發明的兩面紋理加工裝置。
10．．．垂直磁性記錄碟片
11．．．非磁性基板
12．．．基材層
13．．．軟磁性層
14．．．中間層
15．．．垂直磁性記錄層
16．．．保護層

Claims (14)

  1. 一種垂直磁性記錄碟片，係垂直磁性記錄碟片，其特徵為：由非磁性基板、於前述非磁性基板的表面，經由基材層、或直接形成之軟磁性層、於前述軟磁性層的表面，經由中間層、或直接形成之垂直記錄層、以及形成於前述垂直磁性記錄層表面之保護層，而構成，前述軟磁性層，於該表面，經由紋理加工，於圓周方向，形成略同心圓狀之紋理條痕，前述非磁性基板的表面起伏為，在0.05mm~0.5mm的範圍的圓周方向的波長之起伏的高低差在2Å以下的範圍，在0.05mm~0.5mm的範圍之半徑方向的波長之起伏的高低差在2Å以下的範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的垂直磁性記錄碟片，其中，前述軟磁性層的表面之平均表面粗度在0.5Å~5.0Å之間的範圍，前述紋理條痕的線密度在30條/μm以上的範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載的垂直磁性記錄碟片，其中，前述軟磁性層的表面之平均表面粗度在0.5Å~3.0Å之 間的範圍，前述紋理條痕的線密度在60條/μm以上的範圍。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載的垂直磁性記錄碟片，其中，前述軟磁性層係由含有Fe、Co及Ni之中至少一個物質、和Nb、Zr、Cr、Ta、Mo、Ti、B、C及P之中至少一個物質之非晶形合金所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載的垂直磁性記錄碟片，其中，前述軟磁性層係由含有Fe、Co及Ni之中至少一個物質、和Pt、Nb、Zr、Ti、Cr及Ru之中至少一個物質之合金所構成。
  6. 一種垂直磁性碟片之方法，係用以製造垂直磁性記錄碟片的垂直磁性碟片之方法，其特徵為：包含於非磁性基板上形成軟磁性層的工程、於前述軟磁性層的表面形成紋理條痕的紋理加工工程、於前述軟磁性層上形成垂直記錄層的工程、以及於前述垂直記錄層上形成保護層的工程；前述紋理加工工程為，包含使於前述非磁性基板上形成了前述軟磁性層的碟片旋轉的工程、於前述軟磁性層的表面供給研磨漿液的工程、以及於前述軟磁性層的表面壓上帶狀物的工程；前述研磨漿液，係包含磨料、以及 分散此磨料的水或水基的水溶液作為前述磨料，使用：一次粒子徑為在30nm以下的範圍，而且一次粒子的平均粒徑為在4nm~10nm的範圍，此一次粒子複數個結合之二次粒子徑在20nm~150nm的範圍之人工鑽石粒子。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，於非磁性基板上形成軟磁性層的前述工程為由：於前述非磁性基板的表面形成基材層的工程、以及於前述基材層的表面形成前述軟磁性層的工程、所構成。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，於前述軟磁性層上形成垂直記錄層的前述工程為由：於前述軟磁性層的表面形成中間層的工程、以及於前述中間層的表面形成前述垂直記錄層的工程、所構成。
  9. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，前述研磨漿液中的前述磨料的含有量為在0.001重量%~0.5重量%之間的範圍。
  10. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，前述水基的水溶液為由水及添加劑所構成， 作為前述添加劑，使用從乙二醇化合物、高級脂肪酸醯胺、有機磷酸酯及非離子系界面活性劑選擇一種或二種以上的材料，前述研磨漿液中的前述添加劑的含有量為在0.5重量%~5.0重量%之間的範圍。
  11. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，作為前述帶狀物，至少使用：帶狀物的表面部分為由纖維徑在0.1μm~2.0μm之間的範圍的纖維所構成之織布帶或不織布帶。
  12. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，前述研磨漿液在pH8.0~pH11.0之間的範圍。
  13. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，前述紋理加工工程後的前述軟磁性層的表面之平均表面粗度在0.5Å~5.0Å之間的範圍，前述紋理條痕的線密度在30條/μm以上的範圍。
  14. 如申請專利範圍第6項所記載的垂直磁性碟片之方法，其中，前述紋理加工工程後的前述軟磁性層的表面之平均表面粗度在0.5Å~3.0Å之間的範圍，前述紋理條痕的線密度在60條/μm以上的範圍。
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