JP2005310324A - 垂直磁気記録ディスク用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】ガラス基板15を回転させ、研磨スラリーを供給し、研磨テープ14を押し付け、送り出す。砥粒として、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる粒径50nm未満の人工ダイヤモンド粒子が使用される。砥粒の含有量は、研磨スラリーの全量を基準として、0.005〜0.5重量%、好ましくは0.005〜0.1重量%の範囲にある。研磨テープとして、少なくともガラス基板の表面に押し付けられる表面部分が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される。
【選択図】図1

Description

本発明は、垂直磁気記録ディスク用のガラス基板及びその製造方法に関するものである。
文字、画像、音声などの情報を記録し再生する情報処理装置が、コンピュータだけでなく、テレビジョン、カメラ、電話機などにも搭載されるようになり、情報処理装置には、より高い処理能力(すなわち記録容量の増大)と、再生の正確さが要求され、さらに情報処理装置の小型化が要求されている。
情報は、情報処理装置の磁気ヘッドによって、磁気記録媒体に磁気的に記録され、また磁気記録媒体から再生される。
磁気記録媒体として、垂直磁気記録ディスクが検討されている(非特許文献1及び2参照)。この垂直磁気記録ディスクは、ディスク状のガラス基板の表面に磁性層と保護層をスパッタリングなどの成膜技術を利用して順次積層したものである。磁性層は、高温のガラス基板の表面に堆積させた磁性層材料の組成分離による偏析構造をもった柱状の結晶子が集合したものであり、各結晶子は、ガラス基板の表面と垂直な方向に伸びる強磁性の柱状の中心部分とこの中心部分の周囲に形成される非磁性の周囲部分とから構成され、これら柱状の結晶子によって、ガラス基板の表面と垂直な方向に磁化する記録ビットが形成される。
このように、垂直磁気記録ディスクでは、ガラス基板の表面と垂直な方向に伸びる柱状の結晶子からなる磁性層を形成するため、ガラス基板の表面には高い平滑性(平均表面粗さ2Å以下)が要求されている。
情報の記録容量の増大と、再生の正確さは、磁気ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離に大きく依存する。すなわち、情報は、磁気ヘッドから磁気信号を出力して磁性層に小さな磁石を形成することによって記録され、この小さな磁石からの磁気信号を磁気ヘッドで読み取ることによって再生されるので、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面から遠ざかると、磁気ヘッドから出力される磁気信号が拡散し、単位面積当りの記録量(記録密度又は記録容量)が低下するので、情報の記録容量を増大し、正確に再生するためには、磁気ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離を小さくしなければならず、また、単位面積当りの記録量を増大させると、磁気ディスクを小型化できるのである。このため、磁気ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離を15nm以下にすることが要求されている。
磁気ヘッドとして、浮上型と接触型の磁気ヘッドがある(例えば、非特許文献3参照)。浮上型磁気ヘッドは、磁気ディスクに対面する側にスライダを設けることで、磁気ディスクの表面との間に15nm以下の距離(これを浮上距離という)で磁気ヘッドを安定させようとするものであり、磁気ディスクの表面に高低差の大きい起伏があると、磁気ヘッドのスライダがこの起伏に接触又は衝突して磁気ディスクを損傷させるだけでなく、磁気ヘッドを15nm以下の浮上距離で安定させることができなくなる。また、接触型磁気ヘッドは、弾力性のあるパッドを介して磁気ディスクの表面に磁気ヘッドを接触させようとするものであり、磁気ディスクの表面に起伏があったり、表面が粗いと、磁気ヘッドが振動して磁気ヘッド自体が破損し得る。
このため、垂直磁気記録ディスク用のガラス基板には、高い平滑性(平均表面粗さが2.0Å以下の範囲)と、高い平坦性(0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲)が要求されている。
一般に、ガラス基板は、定盤又はテープを使用して遊離砥粒研磨されている。
そして、従来、この遊離砥粒研磨に使用される研磨スラリーとして、人工又は天然ダイヤモンド、酸化セリウム、酸化ジルコニウムなどから選択される材料からなる平均粒径10nm〜1μmの範囲にある砥粒を、研磨スラリーの全量を基準として、0.5重量%〜20重量%の範囲で分散させたものが使用されている(特許文献1参照)。
しかし、このような従来の研磨スラリーでは、ガラス基板に平均表面粗さ2Å以下の表面を形成できない(従来の研磨スラリーでは、平均表面粗さが5Åを超える)。
特開平9−314458号公報 IBM東京基礎研究所ホームページ、研究分野プロジェクト、"垂直磁気記録"(http://www.trl.ibm.com/projects/perpen/) 東京工業大学電子物理工学科中川研究室ホームページ、研究紹介、"Co−Cr系高密度垂直磁気記録媒体の作成"(http://spin.pe.titech.ac.jp/hp/research/nfts2/) 科学技術振興事業団報第22号"「ハードディスク用接触型薄膜磁気ヘッド」の開発に成功"(http://www.jst.go.jp/pr/report/report22/)
したがって、本発明の目的は、平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板及びその製造方法を提供することである。
本発明は、平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板及びその製造方法である。
上記本発明の垂直磁気記録ディスク用のガラス基板は、ガラス基板を回転させ、このガラス基板の表面に研磨スラリーを供給し、このガラス基板の表面に研磨テープを押し付け、この研磨テープをガラス基板の回転方向と反対の方向に送り出す研磨工程を行うことより製造される。
研磨スラリーは、砥粒、及び分散媒から構成され、砥粒として、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる粒径50nm未満の人工ダイヤモンド粒子が使用され、砥粒の含有量は、研磨スラリーの全量を基準として、0.005重量%〜0.5重量%の範囲、好ましくは0.005重量%〜0.1重量%の範囲にある。
分散媒は、水、及び添加剤から構成される。
添加剤として、グリコール化合物、高級脂肪酸アマイド、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される一種又は二種以上の剤が使用され、添加剤の含有量は、研磨スラリーの全量を基準として、1重量%〜10重量%の範囲にある。
研磨テープとして、少なくともガラス基板の表面に押し付けられる表面部分が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される。
本発明が以上のように構成されるので、平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板を提供でき、磁気ディスクの表面と磁気ヘッドとの間の距離を15nm以下にすることができる。
本発明は、平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板及びその製造方法である。
ガラス基板として、二酸化珪素(SiO2)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化カルシウム(CaO)を主成分とするソーダライムガラス、二酸化珪素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al23)、R2O(R=カリウム(K)、ナトリウム(Na)又はリチウム(Li))を主成分とするアルミシリケートガラス、ボロシリケートガラス、酸化リチウム(Li2O)−SiO2系ガラス、Li2O−Al23−SiO2系ガラス、R´O−Al23−SiO2系ガラス(R´=マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba))が使用でき、これらガラスに酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)などを添加した化学強化ガラスが使用できる。また、ガラス基板として、化学的に表面強化処理したものが使用できる。さらに、ガラス基板として、主結晶がα−クリストバライト(α−SiO2)及び二酸化リチウム(Li2O・SiO2)からなる結晶化ガラスが使用できる。
この垂直磁気記録ディスク用のガラス基板は、図1に示すような研磨装置10を使用してガラス基板の表面を研磨することによって製造できる。図示の研磨装置10は、ガラス基板の両面を同じに研磨するものであるが、この研磨装置に代えて、ガラス基板の片面のみを研磨する片面研磨装置(図示せず)を使用してもよい。
図示のように、ガラス基板の表面の研磨は、駆動モータに連結したシャフト(図示せず)にガラス基板15を取り付けた後、駆動モータを駆動してガラス基板15を矢印Rの方向に回転させる。そして、このガラス基板15の表裏両面にノズル12、12を通じて研磨スラリーを供給し、コンタクトローラ11、11を介して研磨テープ14、14をガラス基板15の表裏両面に押し付け、これら研磨テープ14、14をガラス基板15の回転方向Rと反対の矢印T、Tの方向に送り出すことにより行われる。研磨後は、ガラス基板15を矢印Rの方向に回転させたまま、ノズル13、13を通じて水等の洗浄液をガラス基板15の表裏両面に吹きかけてガラス基板15の洗浄を行う。
好適に、ガラス基板の表面は、予め粗研磨されていてもよい。上記の研磨工程にかかる時間が長いと、ガラス基板の表面に不要の起伏が形成されるので、粗研磨を予め行っておくことで、研磨工程にかかる時間を短縮することができる。
ガラス基板の表面は、平均表面粗さが2Å〜5Åの範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å〜10Åの範囲となるように粗研磨される。粗研磨は、定盤又はテープを使用する既知の遊離砥粒研磨技術(例えば、特開平11−114792号公報、特開平11−221741号公報を参照)を利用して行われる。
好適に、この粗研磨工程の後にガラス基板に表面強化処理を施してから上記の研磨工程を行ってもよい。この表面強化処理は、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合溶融塩の加熱溶融液中にガラス基板を浸漬して、ガラス基板表面の一部のイオンを、これよりも大きいイオン径のイオンと交換することにより化学的に行われる。
研磨スラリーは、砥粒、及び分散媒から構成される。
砥粒として、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる粒径50nm未満の人工ダイヤモンド粒子が使用される。
この人工ダイヤモンド粒子は、既知の衝撃法(爆発合成法とも呼称される)(例えば、特開2000−136376号公報を参照)によって製造される。衝撃法は、黒鉛の粉末からなるダイヤモンド原料を衝撃を与えて高温で圧縮した後、不純物を除去してダイヤモンドの粒子を人工的に得る方法であり、この方法によると、密度3.2g/cm3〜3.4g/cm3(天然のダイヤモンド粒子の密度は3.51g/cm3である)の範囲にあるダイヤモンドの粒子が人工的に得られる。このようにして得られた人工ダイヤモンド粒子は、不純物を溶解して除去するため、塩酸や硝酸を使用して化学的に処理され、不純物の除去後、水で洗浄される。そして、粒径が50nm又はそれ以上であると、ガラス基板の表面に図5に示すような条痕が形成されたり、表面が粗くなるため、分級して、粒径50nm未満の人工ダイヤモンド粒子を採取し、この人工ダイヤモンド粒子を砥粒として使用する。
本発明では、砥粒として使用される人工ダイヤモンド粒子は、粒径50nm未満の範囲にあれば、一次粒子及び二次粒子のいずれの形態であってもよい。
二次粒子は、研磨中、研磨テープによってガラス基板の表面に押し付けられ、この際に、この二次粒子よりも小さい一次粒子や二次粒子に崩壊し、この崩壊粒子がガラス基板の表面に作用する。もちろん、崩壊前の二次粒子も、崩壊するまでの間、ガラス基板の表面に作用する。このことから、崩壊粒子の粒径が50nm未満であっても、崩壊前の二次粒子の粒径が50nm又はそれ以上であれば、上記のように条痕が形成されたり表面が粗くなるので、二次粒子の粒径も50nm未満でなければならない。
砥粒の含有量は、研磨スラリーの全量を基準として、0.005重量%〜0.5重量%の範囲、好ましくは0.005重量%〜0.1重量%の範囲にある。砥粒の含有量が0.005重量%未満であると、研磨力が低下し、上記の研磨工程にかかる時間がかかりすぎ、ガラス基板の表面に不要の起伏が形成される。一方、砥粒の含有量が、0.1重量%を超えると、表面に条痕が形成されるようになり、0.5重量%に至ると、表面に条痕が形成され、表面が粗くなる。接触型研磨ヘッドを使用する場合、このような条痕や表面の粗さによる凹凸が、磁気ヘッドを振動させ、破損させる原因となる。
分散媒は、水、及び添加剤から構成される。
添加剤として、グリコール化合物、高級脂肪酸アマイド、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される一種又は二種以上の剤が使用される。
添加剤の含有量は、研磨スラリーの全量を基準として、1重量%〜10重量%の範囲にある。
グリコール化合物は、砥粒との親和性があり、分散剤として機能する。また、グリコール化合物を使用すると、分散媒を調製する際に、分散媒の粘度を下げるので、分散媒を均一に調製できる。さらに、水との親和性があるので、研磨工程後のガラス基板の洗浄を効率的に行える。グリコール化合物として、アルキレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ジエチレングリコールブチルエーテルなどが使用できる。
高級脂肪酸アマイドは、研磨速度を促進させる研磨促進剤として機能する。高級脂肪酸アマイドとして、オレイン酸ジエタノールアマイド、ステアリン酸ジエタノールアマイド、ラウリン酸ジエタノールアマイド、リシノリン酸ジエタノールアマイド、リシノリン酸イソプロパノールアマイド、エルシン酸ジエタノールアマイド、トール脂肪酸ジエタノールアマイドなどが使用され、炭素数が12〜22の範囲にあるものが好ましい。
有機リン酸エステルは、ガラス基板の表面への異常突起(研磨クズがガラス基板の表面に付着して形成されるバリ)の発生を抑制する機能を有する。有機リン酸エステルは、リン酸(H3PO4)の水素をアルキル基又はアリル基で置換したエステルであり、有機リン酸エステルとして、脂肪族系塩型、芳香族系塩型などが使用でき、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテルのリン酸塩が使用できる。
界面活性剤は、砥粒の分散性を向上させる働きがある。界面活性剤として、ノニオン系又はアニオン系の界面活性剤が使用できる。
研磨スラリーは、水に砥粒を加え、超音波を利用して砥粒を分散した後、添加剤を添加し、再び再び超音波を利用して砥粒を分散させることにより製造できる。
研磨テープとして、少なくとも表面部分(ガラス基板の表面に実質的に作用する部分)が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される。この繊維の太さが、0.1μm未満であると、研磨テープの表面部分の繊維と研磨スラリー中の砥粒との接触点が減少し、ガラス基板の表面に砥粒を十分に作用させることができない。また、繊維の太さが5.0μmを超えると、研磨テープの表面部分を構成する繊維と繊維との間の段差が増大し、ガラス基板の表面を均一に研磨できない。
<実施例> 本発明に従って垂直磁気記録ディスク用のガラス基板を製造した。
ガラス基板(直径2.5インチの結晶化ガラス基板)の表面は、粗研磨し、次いで表面強化処理を施した後に、図1に示すような研磨装置を使用して研磨した。
粗研磨は、ガラス基板の表面を研磨するために一般的に使用されている既知の両面研磨装置(製品名:ハマイ9B、浜井製作所株式会社)を使用して行った。この粗研磨は、ガラス基板を上下定盤(それぞれの表面にスウェードパッドを貼り付けた)で挟んで、ガラス基板の両面に、平均粒径2μmの酸化セリウム粒子を分散した研磨スラリーを供給し、上下定盤を回転させながら、ガラス基板を遊星運動させて行った。(図2に、粗研磨後のガラス基板の表面の状態を示す。)
表面強化処理は、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合溶融塩の加熱溶融液中にガラス基板を浸漬して、ガラス基板表面の一部のイオンを、これよりも大きいイオン径のイオンと交換することにより化学的に行った。(図3に、表面強化処理後のガラス基板の表面の状態を示す。)
上記の粗研磨と表面強化処理を行ったガラス基板の表面の研磨は、下記の表1に示す研磨条件で行った。研磨テープとして、太さ2.0μmのナイロン繊維からなる厚さ660μmの不織布からなるテープを使用した。(図4に、研磨後のガラス基板の表面の状態を示す。)
実施例で使用した研磨スラリーは、衝撃法により得られた人工ダイヤモンド粒子を純水に加え、超音波を利用して分散させた(分散後の人口ダイヤモンド粒子の平均粒径(D50)は20nmであった)。これに、下記の表2に示す組成の添加剤を添加して攪拌し、再び超音波を利用して人口ダイヤモンド粒子を分散させた。このようにして製造した研磨スラリー(組成を下記の表2に示す)には、50nm又はそれ以上の粒径の一次及び二次粒子の形態にある人工ダイヤモンド粒子はなかった。
<比較例> 上記実施例と同様に粗研磨と表面強化処理を行ったガラス基板の表面(図2に粗研磨後のガラス基板の表面の状態を示し、図3に表面強化処理後のガラス基板の表面の状態を示す)を研磨して、垂直磁気記録ディスク用のガラス基板を製造した。比較例は、研磨スラリーに使用した砥粒に平均二次粒子径100nmの人工ダイヤモンド粒子が含まれる点で上記実施例と異なり、砥粒が異なる以外は、上記実施例と同じである。(図5に、研磨後のガラス基板の表面の状態を示す。)
<比較試験> 粗研磨後、表面強化処理後、及び実施例と比較例の研磨後におけるガラス基板の表面の平均表面粗さと、円周方向及び半径方向の起伏について比較した。
平均表面粗さは、AFM(原子間力顕微鏡)(製品名:Dimension3100シリーズ、デジタルインスツルメント社)を使用して計測した。図2〜5に示すコンピュータ画像の図は、このAFMを使用し、ガラス基板の表面の任意の1.0μm×1.0μmの範囲を走査(512ポイント)し、これを三次元画像化したものである。
円周方向及び半径方向の起伏は、白色光顕微鏡(製品名:New View5020、Zygo社)を使用して、ガラス基板の表面の任意の0.87mm×0.65mmの範囲において、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏を計測した。
<試験結果> 粗研磨後、表面強化処理後、及び実施例と比較例の研磨後におけるガラス基板の表面の平均表面粗さと、円周方向及び半径方向の起伏を下記の表4に示す。
表4に示すように、実施例において、平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板が製造できた。また、実施例(図4を参照)では、比較例(図5を参照)でみられるような条痕が表面に形成されず、比較例よりも平滑で平坦な表面に研磨できた。
本発明の製造方法における研磨工程は、レンズなどの光学部品、サファイヤ、水晶、GaNなどの材料からなる半導体基板用の単結晶基板の鏡面研磨に利用できる。
図1は、研磨装置を示す。 図2は、粗研磨後のガラス基板の表面のコンピュータ画像の図である。 図3は、表面強化処理後のガラス基板の表面のコンピュータ画像の図である。 図4は、実施例のガラス基板の表面のコンピュータ画像の図である。 図5は、比較例のガラス基板の表面のコンピュータ画像の図である。
符号の説明
10・・・研磨装置
11・・・コンタクトローラ
12、13・・・ノズル
14・・・研磨テープ
15・・・ガラス基板
R・・・ガラス基板回転方向
T・・・研磨テープ送出方向

Claims (4)

  1. 平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板。
  2. 平均表面粗さが2.0Å以下の範囲にあり、0.05mm〜0.5mmの範囲にある波長の円周方向と半径方向の起伏の高低差が1Å以下の範囲にある垂直磁気記録ディスク用のガラス基板を製造する方法であって、
    当該方法が、
    ガラス基板の表面を研磨する研磨工程、
    から成り、
    この研磨工程が、
    前記ガラス基板を回転させる工程、
    前記ガラス基板の表面に研磨スラリーを供給する工程、及び
    前記ガラス基板の表面に研磨テープを押し付け、この研磨テープを前記ガラス基板の回転方向と反対の方向に送り出す工程、
    から成り、
    前記研磨スラリーが、
    砥粒、及び
    分散媒、
    から成り、
    前記砥粒として、衝撃法により生成される人工ダイヤモンドからなる粒径50nm未満の人工ダイヤモンド粒子が使用され、
    前記砥粒の含有量が、前記研磨スラリーの全量を基準として、0.005重量%〜0.5重量%の範囲にあり、
    前記研磨テープとして、少なくとも前記ガラス基板の表面に押し付けられる表面部分が太さ0.1μm〜5.0μmの範囲にある繊維からなる織布、不織布、植毛布又は起毛布からなるテープが使用される、
    ところの方法。
  3. 前記砥粒の含有量が、前記研磨スラリーの全量を基準として、0.005重量%〜0.1重量%の範囲にある、請求項2の方法。
  4. 前記分散媒が、
    水、及び
    添加剤、
    から成り、
    前記添加剤として、グリコール化合物、高級脂肪酸アマイド、有機リン酸エステル及び界面活性剤から選択される一種又は二種以上の剤が使用され、
    前記添加剤の含有量が、前記研磨スラリーの全量を基準として、1重量%〜10重量%の範囲にある、
    ところの請求項1の方法。


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