JP2004277615A - 研磨スラリー及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水、酸化性のある無機酸、還元性のある有機酸、酸化性のある有機酸及び酸化剤からなる水溶液中に、シリカ粒子を分散した酸性の研磨スラリーであって、酸化性のある無機酸として、塩酸及び硝酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、還元性のある有機酸として、蓚酸及び蓚酸アンモニウムから選択される少なくとも一種の物質が使用され、酸化性のある有機酸として、乳酸、コハク酸、マロン酸、酒石酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、酸化剤として、過酸化水素水が使用される。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク基板の表面の鏡面研磨に用いられる研磨スラリー及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気ディスク基板などの精密部品は、その表面にうねりがあったり、不要の傷や突起があったり、また異物が付着していると、精密部品の設計形状から予定される機能や性能を発揮し得なくなるため、このような精密部品の表面には、高い平滑性と平坦性が要求されており、研磨工程が、精密部品の機能や性能を左右する重要な工程となっている。
【0003】
コンピュータのメモリとして磁気ディスクが使用されている。この磁気ディスクは、ブランクと称する薄いアルミニウムディスクの表面に無電解メッキを施してNi−P膜を形成した磁気ディスク用の基板の表面を鏡面に研磨した後、この表面にテクスチャ加工を施し、その上に、スパッタリングなどにより磁性膜や保護膜を形成したものである。テクスチャ加工は、基板の表面に非常に細かい同心円状のテクスチャ条痕を形成し、このテクスチャ条痕に相似する溝を磁気ディスクの表面に形成して、磁気ディスクの表面からの磁気ヘッドの浮上距離を安定させるために行われる。また、テクスチャ加工は、磁気ディスクの表面に磁気異方性をもたせるために行われ、メモリ容量を増大させるため、より細かいテクスチャ条痕が基板の表面に形成される必要がある。ここで、テクスチャ加工を施す前の基板の表面にうねりがあったり、不要の傷や突起があると、基板の表面に細かいテクスチャ条痕を均一に形成することが困難となり、また磁気ディスクの表面がうねり、磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に衝突する原因となる。このため、テクスチャ加工を施す前の基板の表面は、平滑で平坦な表面に研磨されなければならない。
【0004】
このように、磁気ディスク基板の表面には高い平滑性や平坦性が要求され、磁気ディスク基板の表面は、一般に、遊離砥粒により行われている。この遊離砥粒による研磨は、テープ研磨とパッド研磨に大別される。
【0005】
テープ研磨は、回転する研磨対象物の表面に研磨スラリーを供給し、この上に研磨テープを押し付けて行われる(特許文献1、2を参照)。
【0006】
また、パッド研磨は、表面に研磨パッドを張り付けた定盤を回転し、この研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給し、この上に研磨対象物の表面を押し付けて行われる(特許文献3、4を参照)。
【0007】
このようなテープ研磨やパッド研磨では、研磨スラリーとして、アルミナ、シリカ、ダイヤモンドなどの研磨粒子を含有したものが使用される。
【0008】
ここで、研磨粒子として、固体を機械的に細分化する分散法と称される粒子製造法によって製造された多角形状の粒子(例えば、アルミナ粒子)が使用されると、高い研磨力で研磨対象物の表面を研磨できるが、研磨対象物の表面を所望とする程度に平滑で平坦な表面に研磨できない。
【0009】
また、研磨粒子として、分子、原子、イオンなどを集合させる凝集法と称される粒子製造方法によって製造された粒子(例えば、シリカ粒子)が使用されると、この粒子の形状はほぼ球状であり、個々の粒子形状が均一であり、その粒度分布が狭いので、研磨対象物の表面を平滑で平坦な表面に研磨できるが、研磨力が低く、研磨に時間がかかる。
【0010】
このため、アルミナ粒子などを使用して粗研磨を短時間で行った後に、シリカ粒子を使用して仕上げ研磨を行う、という二段階の研磨を行っているのが現状である。
【0011】
上述したように、研磨粒子としてシリカ粒子を使用すると、研磨力が低く、研磨に時間がかかる。このため、研磨スラリーに、研磨促進剤として、硝酸アルミニウム、硝酸鉄、鉄キレート錯体(例えば、エチレンジアミン4酢酸鉄2アンモニウム)などを含有させて、研磨力を向上させることが提案されている(特許文献5、6を参照)。
【0012】
ここで、研磨粒子としてシリカ粒子を使用する研磨スラリーは、その液性がアルカリ性であるときと、pH2〜2.5の酸性を示すときに安定した状態(凝集やゲル化しない状態)にある。
【0013】
【特許文献1】
特開平10−188272号公報(段落0014〜0016)
【特許文献2】
特開平5−166176号公報(段落0019)
【特許文献3】
特開平8−3540号公報(段落0053〜0056)
【特許文献4】
特開平9−7987号公報(段落0019〜0021)
【特許文献5】
特開平11−167715号公報(段落0006)
【特許文献6】
特開2000−73049号公報(0017、0031〜0038)
【0014】
【発明の解決しようとする課題】
しかし、アルカリ性の研磨スラリー(例えば、研磨促進剤として、エチレンジアミン4酢酸鉄2アンモニウムを含有するもの)を使用すると、十分な研磨力が得られず、研磨に時間がかかるため、研磨対象物の表面の研磨に上記した二段階の研磨を行う必要がある。
【0015】
また、酸性の研磨スラリー(例えば、研磨促進剤として、硝酸アルミニウムや硝酸鉄などを含有するもの)では、pH2〜2.5の酸性に研磨スラリーの液性を維持することが困難であり、研磨中にその液性が変化し、研磨スラリーがゲル化し、研磨対象物の表面を平滑で平坦に研磨できない。ここで、ゲル化防止剤としてホスホン酸などを研磨スラリーに添加して、ゲル化を防止することが提案されているが、pH調整剤として硝酸などをさらに添加して研磨スラリーの液性を調整する必要があり、このようなpH調整剤の添加による研磨スラリーの液性の調整では、研磨スラリーの液性を安定化させることが困難である。
【0016】
したがって、本発明の目的は、高い研磨力で研磨対象物の表面を平滑で平坦な表面に研磨できる研磨スラリー及び方法を提供することである。
【0017】
また、本発明の他の目的は、粗研磨を行わずに、研磨対象物の表面を平滑で平坦な表面に研磨できる研磨スラリー及び方法を提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に高い平滑性や平坦性が要求される磁気ディスク基板の表面のテープ研磨又はパッド研磨に用いられる研磨スラリー及び方法である。
【0019】
上記目的を達成するため、本発明の研磨スラリーは、研磨粒子としてシリカ粒子が使用され、その含有量は、1重量%〜55重量%の範囲から選択される。シリカ粒子の平均粒径は、0.005μm〜0.3μmの範囲、より好ましくは0.005〜0.1μmの範囲から選択される。
【0020】
そして、この研磨粒子(シリカ粒子)は、水、酸化性のある無機酸、還元性のある有機酸、酸化性のある有機酸、及び酸化剤から構成される水溶液中に分散される。
【0021】
酸化性のある無機酸として、塩酸及び硝酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、この酸化性のある無機酸の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.0001重量%〜1.0重量%の範囲にある。
【0022】
還元性のある有機酸として、蓚酸及び蓚酸アンモニウムから選択される少なくとも一種の物質が使用され、この還元性のある有機酸の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.01重量%〜10重量%の範囲にある。
【0023】
酸化性のある有機酸として、乳酸、コハク酸、マロン酸、酒石酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、この酸化性のある有機酸の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.01重量%〜12重量%の範囲にある。
【0024】
酸化剤として、過酸化水素水が使用され、この酸化剤の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.015重量%〜12重量%の範囲にある。
【0025】
研磨粒子(シリカ粒子)を分散する水溶液をこのように構成することにより、研磨スラリーの液性の変化が抑制され(すなわち、酸性に維持され、研磨スラリーが安定する)、研磨スラリーのゲル化が防止され、磁気ディスク基板の表面が、高い研磨力で、平滑で平坦な表面に研磨される。
【0026】
本発明の研磨スラリーの液性は、pH1.5〜3.5の酸性を示す。
【0027】
本発明の研磨スラリーは、添加剤を含み得る。
【0028】
添加剤として、アニオン系及びカチオン系以外の水溶性の界面活性剤、水溶性の有機高分子、キレート剤、又はこれらの混合液が使用され得る。
【0029】
水溶性の有機高分子として、グリセリン、ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレンオキサイドなどの水溶性の有機高分子が使用され得る。
【0030】
また、キレート剤として、アミノカルボン酸系のキレート剤(例えば、エチレンジアミン4酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン2酢酸、ジエチレントリアミン5酢酸、トリエチレンテトラミン6酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、1−3プロパンジアミン4酢酸など、及びこれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩)が使用され得る。
【0031】
添加剤の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.002重量%〜12重量%の範囲にある。
【0032】
上記本発明の研磨スラリーを使用する磁気ディスク基板の表面の研磨は、磁気ディスク基板の表面に上記本発明の研磨スラリーを供給し、この上に、研磨パッド又は研磨テープを押し付け、磁気ディスク基板と研磨パッド又は研磨テープとを相対的に移動させて行われる。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨スラリー及び方法は、表面に高い平滑性や平坦性が要求される磁気ディスク基板の表面のテープ研磨又はパッド研磨に用いられる。
【0034】
本発明の研磨スラリーは、研磨粒子、及び研磨粒子を分散する水溶液から構成される。本発明の研磨スラリーの液性は、pH1.5〜3.5の酸性を示す。
【0035】
研磨粒子として、シリカ粒子が使用される。シリカ粒子として、コロイダルシリカ及びヒュームドシリカが使用され、また、その他の製造方法や性状の異なるシリカ粒子も使用できる。シリカ粒子の含有量は、1重量%〜55重量%の範囲から選択される。シリカ粒子の平均粒径は、0.005μm〜0.3μmの範囲、より好ましくは0.005〜0.1μmの範囲から選択される。
【0036】
この研磨粒子(シリカ粒子)を分散する水溶液は、水、酸化性のある無機酸、還元性のある有機酸、酸化性のある有機酸、及び酸化剤から構成される。
【0037】
酸化性のある無機酸として、塩酸及び硝酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、この酸化性のある無機酸の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.0001重量%〜1.0重量%の範囲にある。この酸化性のある無機酸は、酸化剤としての機能を有し、またpH調整剤としての機能も有する。
【0038】
還元性のある有機酸として、蓚酸及び蓚酸アンモニウムから選択される少なくとも一種の物質が使用され、この還元性のある有機酸の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.01重量%〜10重量%の範囲にある。この還元性のある有機酸は、例えば、硝酸と蓚酸アンモニウムとを組み合せる、又は蓚酸アンモニウムと後記する酸化性のある有機酸の乳酸とを組み合せると、pH1.5〜3.5の間の範囲で緩衝作用を示し、研磨スラリーの液性を安定化させる安定化剤としての機能を有する。また、この還元性のある有機酸は、還元剤として働き、酸化剤によってNi−P膜の表面に形成されたNi酸化膜を除去(エッチング)し、研磨を促進させる研磨促進剤としての機能を有する。
【0039】
酸化性のある有機酸として、乳酸、コハク酸、マロン酸、酒石酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、この酸化性のある有機酸の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.01重量%〜12重量%の範囲にある。この酸化性のある有機酸は、研磨促進剤としての機能を有し、また潤滑剤としての機能も有する。
【0040】
酸化剤として、過酸化水素水が使用され、この酸化剤の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.015重量%〜12重量%の範囲にある。
【0041】
上記のように研磨粒子(シリカ粒子)を分散する水溶液を構成することにより、研磨スラリーの液性の変化が抑制され、研磨スラリーの液性が酸性(pH1.5〜3.5の間の範囲)に維持され、研磨スラリーが安定する。そして、研磨スラリーのゲル化が防止され、磁気ディスク基板の表面が、高い研磨力で、平滑で平坦な表面に研磨される。
【0042】
本発明の研磨スラリーは、添加剤を含み得る。ここで、添加剤の添加により、研磨スラリーの液性が変動し得るが、添加剤を添加した研磨スラリーの液性がpH1.5未満又はpH3.5を越える場合、アルカリや酸をさらに添加することにより、研磨スラリーの液性を上記の範囲(pH1.5〜3.5)内に適宜に調整できる。
【0043】
このような添加剤として、アニオン系及びカチオン系以外の水溶性の界面活性剤、水溶性の有機高分子、キレート剤、又はこれらの混合液が使用され得る。
【0044】
アニオン系及びカチオン系以外の水溶性の界面活性剤が使用されるのは、アニオン系やカチオン系の界面活性剤が使用されると、研磨スラリー中のシリカ粒子表面のゼータ電位が影響され、シリカ粒子同士が凝集するからである。
【0045】
水溶性の有機高分子は、研磨スラリーの潤滑性を向上させる機能を有し、研磨中に研磨テープや研磨パッドと磁気ディスク基板との間で生じる抵抗に起因した研磨装置の微小振動を低減し、磁気ディスク基板の表面の平坦性を向上できる。しかし、この有機高分子の添加量を多くしすぎると、研磨力が低下し得るので、有機高分子の添加量は少量でよい。有機高分子の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.002重量%〜5重量%の範囲から選択される。
【0046】
この有機高分子として、グリセリン、ポリビニルアルコール(PVA)、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ポリエチレンオキサイド(PEO)などの水溶性の有機高分子が使用され得る。
【0047】
キレート剤は、磁気ディスク基板の表面の研磨中に発生するNiをキレート化することにより、スクラッチを低減させる機能を有し、また蓚酸ニッケルの生成を防ぐ機能も有する。キレート剤の含有量は、蓚酸の添加量や他の成分の配合比によって異なり、シリカ粒子1重量%に対して0.002重量%〜5重量%の範囲から適宜に選択される。
【0048】
キレート剤として、アミノカルボン酸系のキレート剤(例えば、エチレンジアミン4酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン2酢酸、ジエチレントリアミン5酢酸、トリエチレンテトラミン6酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、1−3プロパンジアミン4酢酸など、及びこれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩)が使用され得る。
【0049】
上記した添加剤の含有量は、シリカ粒子1重量%に対して0.002重量%〜12重量%の範囲から選択される。
【0050】
<研磨方法1> 上記本発明の研磨スラリーを使用するパッド研磨は、図1A及び図1Bに示すような両面研磨装置を使用して行われる。図示のように、磁気ディスク基板15の両面の研磨は、表面に研磨パッド10を張り付けた下定盤12の太陽ギヤ17とインターナルギヤ16とに噛み合う遊星ギヤ13の開口14に磁気ディスク基板15を配置し、これを、表面に研磨パッド10´を張り付けた上定盤11で上側から押え付け、上定盤11の穴18を通じて、上定盤11と下定盤12との間に本発明の研磨スラリーを供給しつつ、外部の駆動モータにより太陽ギヤ17を矢印Wの方向に回転させて、遊星ギヤ13を矢印Xの方向に自転させるとともに矢印Yの方向に公転させて行なわれる。
【0051】
研磨パッド10、10´として、スェード、織布、不織布、植毛布、発泡体などからなるシートをパッド状にカットした既知のものが使用される。
【0052】
本発明に従ったパッド研磨は、粗研磨を行った後の仕上げ研磨に使用してもよいし、また、粗研磨なしで、一段階の研磨により磁気ディスク基板の表面を研磨してもよい。
【0053】
<研磨方法2> 上記本発明の研磨スラリーを使用するテープ研磨は、図2に示すような研磨装置を使用して行われる。図示のように、磁気ディスク基板15を矢印Rの方向に回転させながら、磁気ディスク基板15の表面にノズル22を通じて本発明の研磨スラリーを供給し、この上に、コンタクトローラ21を介して研磨テープ20を押し付け、研磨テープ20を矢印Tの方向に連続的又は間欠的に適宜に移動させて行われる。ここで、図示の研磨装置は、片面研磨装置であるが、既知の両面研磨装置(磁気ディスク基板の表裏両面側にそれぞれ配置したコンタクトローラを介して、磁気ディスク基板の表裏両面に研磨テープを押し付け、移動させて磁気ディスク基板の両面の研磨を行うもの)(図示せず)を使用してもよい。
【0054】
研磨テープ20として、スウェード、織布シート、不織布シート、植毛シート又は発泡体シートをテープ状にスリットした既知のものが使用できる。
【0055】
本発明に従ったテープ研磨は、粗研磨を行った後の仕上げ研磨に使用してもよいし、また、粗研磨なしで、一段階の研磨により磁気ディスク基板の表面を研磨してもよい。
【0056】
<実施例1〜8> 下記の表1に示す成分を含有する実施例1〜8の研磨スラリーを製造した。まず、純水に、酸化性のある無機酸、還元性のある有機酸及び酸化性のある有機酸を加え、これを攪拌し、これに添加剤(実施例5を除く他の実施例)をさらに加えて水溶液を製造した。次に、この水溶液に、コロイダルシリカ(これは、純水(イオン交換水)に平均粒径0.02μmのシリカ粒子を分散させ、pH10に調整したもの)を加え、高速攪拌し、これを純水で4倍に希釈し、これに、30%濃度の酸化剤(過酸化水素水)を加えて、pH2.0〜2.5の実施例1〜8の研磨スラリーを製造した。
【表1】
【0057】
<実施例9〜13> また、下記の表2に示す成分を含有する実施例9〜13の研磨スラリーを製造した。これら実施例9〜13の研磨スラリーの製造は、添加剤としてキレート剤をさらに使用した以外は、上記の実施例1〜8の研磨スラリーの製造と実質的に同一である。まず、純水に、酸化性のある無機酸、還元性のある有機酸及び酸化性のある有機酸を加え、これを攪拌し、これに添加剤をさらに加えて水溶液を製造した。次に、この水溶液に、コロイダルシリカ(これは、純水(イオン交換水)に平均粒径0.02μmのシリカ粒子を分散させ、pH10に調整したもの)を加え、高速攪拌し、これを純水で4倍に希釈し、これに、30%濃度の酸化剤(過酸化水素水)を加えて、pH2.0〜2.5の実施例9〜13の研磨スラリーを製造した。
【表2】
【0058】
<研磨試験1> 実施例1〜13の研磨スラリーを使用して、粗研磨をしていない磁気ディスク基板の表面を研磨(1段研磨)し、研磨速度(研磨力)(単位時間当りの研磨量)、研磨後の表面粗さ(Ra)及び表面うねり(Wa)を計測し、また研磨後のスクラッチ数について調べた。
【0059】
研磨速度(研磨力)は、AND社のHF−200(製品番号)を使用し、研磨前後の磁気ディスク基板の重量差を計測して求めた。表面粗さ(Ra)は、AFM(走査型プローブ顕微鏡)(製品番号:ナノスコープDimension3100シリーズ、デジタルインスツルメント社)を使用して計測した。表面うねり(Wa)は、ZYGO社のNew View 5000(製品番号)を用いて、対物レンズ10倍、中間レンズ0.8倍で測定し、解析波長領域を0.05mm〜2.0mmとして求めた。また、研磨後のスクラッチ数は、ディスク表面外観目視装置(製品番号:KDX−980、カザマエンジニアリング株式会社)を使用して、研磨後の磁気ディスク基板の表裏両面のスクラッチ数を計数し、その平均から求めた片面当りのスクラッチの本数である(表中、◎は、10本/面未満、○は、10本/面以上20本/面未満、×は、20本/面以上を示す)。
【0060】
磁気ディスク基板として、表面にNi−P膜を形成した直径3.5インチのアルミニウム基板を使用した。このアルミニウム基板の試験前の表面粗さ(Ra)は60〜80Åで、表面うねり(Wa)は30〜50Åであった(粗研磨をしていない)。
【0061】
研磨は、図1に示すような両面研磨装置を使用して、粗研磨をしない一段のパッド研磨を行った。研磨条件は、下記の表3に示すとおりであった。研磨パッドとして、スウェードパッドを使用した。
【表3】
【0062】
<試験結果(研磨試験1)> 研磨試験1の結果を下記の表4に示す。
【表4】
【0063】
<研磨試験2> 実施例1及び実施例9〜13の研磨スラリーを使用して、予め粗研磨をした磁気ディスク基板の表面を研磨(2段研磨)し、研磨速度(研磨力)(単位時間当りの研磨量)、研磨後の表面粗さ(Ra)及び表面うねり(Wa)について計測した。
【0064】
上記の研磨試験1と同様に、研磨速度(研磨力)は、AND社のHF−200(製品番号)を使用し、研磨前後の磁気ディスク基板の重量差を計測して求めた。表面粗さ(Ra)は、AFM(走査型プローブ顕微鏡)(製品番号:ナノスコープDimension3100シリーズ、デジタルインスツルメント社)を使用して計測した。表面うねり(Wa)は、ZYGO社のNew View 5000(製品番号)を用いて、対物レンズ10倍、中間レンズ0.8倍で測定し、解析波長領域を0.05mm〜2.0mmとして求めた。
【0065】
磁気ディスク基板として、表面にNi−P膜を形成した直径3.5インチのアルミニウム基板を使用した。研磨試験2では、平均粒径0.8μmのアルミナ粒子を使用して、このアルミニウム基板の表面を予め粗研磨して、試験前の表面粗さ(Ra)を10〜20Å、表面うねり(Wa)を5〜15Åとしたもの(粗研磨を行ったもの)も使用した。(なお、粗研磨前のアルミニウム基板の表面粗さ(Ra)は60〜80Åであり、表面うねり(Wa)は30〜50Åであった。)
【0066】
研磨は、上記の実施例1〜9と同様に、図1に示すような両面研磨装置(研磨パッドとして、スウェードパッドを使用した)を使用して行った。研磨条件は、下記の表5に示すとおりであった。
【表5】
【0067】
<試験結果(研磨試験2)> 研磨試験1の結果を下記の表6に示す。
【表6】
【0068】
<比較例1> 比較例1の研磨スラリーとして、平均粒径0.02μmのシリカ粒子を、硝酸とクエン酸を含有する水溶液中に分散し、これに過酸化水素水を添加したものを使用した。比較例1の研磨スラリーの組成を下記の表7に示す。
【0069】
<比較例2> 比較例2の研磨スラリーとして、平均粒径0.02μmのシリカ粒子を、研磨促進剤としてエチレンジアミン4酢酸鉄2アンモニウム(鉄キレート錯体)を含有する水溶液中に分散させたものを使用した。比較例2の研磨スラリーの組成を下記の表7に示す。
【0070】
<比較例3> 比較例3の研磨スラリーとして、平均粒径0.02μmのシリカ粒子を、硝酸鉄とクエン酸を含有する水溶液中に分散させたものを使用した。比較例3の研磨スラリーの組成を下記の表7に示す。
【0071】
<比較例4> 比較例4の研磨スラリーとして、平均粒径0.02μmのシリカ粒子を、硝酸鉄と乳酸を含有する水溶液中に分散させたものを使用した。比較例4の研磨スラリーの組成を下記の表7に示す。
【0072】
<比較例5> 比較例5の研磨スラリーとして、平均粒径0.02μmのシリカ粒子20重量%を含有するコロイド状の水溶液に、硝酸と硝酸アルミニウムを添加したものを使用した。比較例5の研磨スラリーの組成を下記の表7に示す。
【0073】
<比較例6> 比較例6の研磨スラリーとして、平均粒径0.02μmのシリカ粒子20重量%を含有するコロイド状の水溶液に、硝酸アルミニウムを加え、さらにゲル化防止剤としてホスホン酸を添加したものを使用した。比較例6の研磨スラリーの組成を下記の表7に示す。
【0074】
下記の表7に、比較例1〜6の研磨スラリーの組成を示す。
【表7】
【0075】
<比較試験1> 上記の比較例1の研磨スラリーを使用して、上記の研磨試験1を行って、粗研磨をしていない磁気ディスク基板の表面を研磨し、研磨速度(研磨力)(単位時間当りの研磨量)、研磨後の表面粗さ(Ra)及び表面うねり(Wa)について計測し、また研磨後の磁気ディスク基板のスクラッチ数を調べ、上記の実施例1〜13の研磨スラリーを使用した場合と比較した。比較試験1に使用した磁気ディスク基板は、上記の研磨試験1で使用したものと同じであり、また研磨条件も上記の研磨試験1と同じ条件(上記の表3)であった。
【0076】
<比較試験結果1> 比較試験1の結果を下記の表8に示す。上記の表4に示す実施例1〜13の研磨スラリーを使用した1段研磨の結果と、下記の表8に示す比較例1の研磨スラリーを使用した1段研磨の結果とを比較すると、粗研磨をしていないアルミニウム基板の表面が、本発明に従って、比較例とほぼ同等の平坦性と平滑性であるが、ほぼ2倍の研磨速度で、スクラッチのない表面に研磨された。
【表8】
【0077】
<比較試験2> 上記の比較例2〜6の研磨スラリーを使用して、上記の研磨試験2を行って、予め粗研磨をしてある磁気ディスク基板の表面を研磨し、研磨速度(研磨力)(単位時間当りの研磨量)、研磨後の表面粗さ(Ra)及び表面うねり(Wa)について計測し、また研磨後の磁気ディスク基板のスクラッチ数を調べ、上記の実施例1及び実施例9〜13の研磨スラリーを使用した場合と比較した。比較試験2に使用した磁気ディスク基板は、上記の研磨試験2で使用したものと同じであり、また研磨条件も上記の研磨試験1と同じ条件(上記の表5)であった。
【0078】
<比較試験結果2> 比較試験2の結果を下記の表9に示す。上記の表6に示す実施例1及び実施例9〜13の研磨スラリーを使用した2段研磨の結果と、下記の表8に示す比較例2〜6の研磨スラリーを使用した2段研磨の結果とを比較すると、予め粗研磨を行ったアルミニウム基板の表面は、本発明に従って、著しく平滑で平坦な、スクラッチのない表面に研磨された。
【表9】
【0079】
<比較試験3> 上記の実施例1の研磨スラリーと、上記の比較例5、6の研磨スラリーを使用して、ポットライフについて調べた。ポットライフは、各研磨スラリーを60℃の恒温槽内に保管し、そのときの研磨スラリーの状態を観察した。
【0080】
<比較試験結果3> 比較試験3の結果を下記の表10に示す。下記の表10に示すように、実施例1の研磨スラリーは、ゲル化防止剤を添加した比較例6の研磨スラリーと同様に、ゲル化されなかった。一方、比較例5の研磨スラリー(ゲル化防止剤なし)は、ゲル化した。
【表10】
【0081】
【発明の効果】
本発明が以上のように構成されるので、高い研磨力で研磨対象物の表面を平滑で平坦な表面に研磨できる、また、粗研磨を行わずに、研磨対象物の表面を平滑で平坦な表面に研磨できる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1Aは、パッド研磨に使用される研磨装置の下定盤を示し、図1Bは、図1Aの研磨装置の上定盤を示す。
【図2】図2は、テープ研磨に使用される研磨装置を示す。
【符号の説明】
10、10´・・・パッド
11・・・上定盤
12・・・下定盤
13・・・遊星ギヤ
14・・・開口
15・・・磁気ディスク基板
16・・・インターナルギヤ
17・・・太陽ギヤ
18・・・穴
20・・・研磨テープ
21・・・コンタクトローラ
22・・・ノズル
X・・・遊星ギヤ自転方向
Y・・・遊星ギヤ公転方向
W・・・太陽ギヤ回転方向
R・・・磁気ディスク基板回転方向
T・・・テープ移動方向
Claims (10)
- 研磨粒子、及びこの研磨粒子を分散させる水溶液から成る研磨スラリーであって、
前記水溶液が、
水、
酸化性のある無機酸、
還元性のある有機酸、
酸化性のある有機酸、及び
酸化剤、
から成り、
前記研磨粒子として、シリカ粒子が使用され、
前記酸化性のある無機酸として、塩酸及び硝酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、
前記還元性のある有機酸として、蓚酸及び蓚酸アンモニウムから選択される少なくとも一種の物質が使用され、
前記酸化性のある有機酸として、乳酸、コハク酸、マロン酸、酒石酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種の物質が使用され、
前記酸化剤として、過酸化水素水が使用され、
当該研磨スラリーが、酸性を示す、
ところの研磨スラリー。 - 前記シリカ粒子の平均粒径が、0.005μm〜0.3μmの間の範囲にある、請求項1の研磨スラリー。
- 前記シリカ粒子の平均粒径が、0.005μm〜0.1μmの間の範囲にある、請求項1の研磨スラリー。
- 前記シリカ粒子の含有量が、1重量%〜55重量%の範囲にあり、
前記酸化性のある無機酸の含有量が、前記シリカ粒子1重量%に対して0.0001重量%〜1.0重量%の範囲にあり、
前記還元性のある有機酸の含有量が、前記シリカ粒子1重量%に対して0.01重量%〜10重量%の範囲にあり、
前記酸化性のある有機酸の含有量が、前記シリカ粒子1重量%に対して0.01重量%〜12重量%の範囲にあり、
前記酸化剤の含有量が、前記シリカ粒子1重量%に対して0.015重量%〜12重量%の範囲にある、
ところの請求項1の研磨スラリー。 - 前記水溶液に添加される添加剤として、アニオン系及びカチオン系以外の水溶性の界面活性剤、水溶性の有機高分子、キレート剤、又はこれらの混合液が使用される、請求項1の研磨スラリー。
- 前記水溶性の有機高分子として、グリセリン、ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、又はポリエチレンオキサイドが使用される、請求項5の研磨スラリー。
- 前記キレート剤として、アミノカルボン酸系のキレート剤が使用される、請求項5の研磨スラリー。
- 前記アミノカルボン酸系のキレート剤として、エチレンジアミン4酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン2酢酸、ジエチレントリアミン5酢酸、トリエチレンテトラミン6酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、ジヒドロキシエチルグリシン、1−3プロパンジアミン4酢酸、又はこれらのナトリウム塩、カリウム塩又はアンモニウム塩が使用される、請求項7の研磨スラリー。
- 前記添加剤の含有量が、シリカ粒子1重量%に対して0.002重量%〜12重量%の範囲にある、請求項5の研磨スラリー。
- 請求項1の研磨スラリーを使用して磁気ディスク基板の表面を研磨する方法であって、
磁気ディスク基板の表面に前記研磨スラリーを供給する工程、
前記磁気ディスク基板の表面に研磨パッド又は研磨テープを押し付ける工程、及び
前記磁気ディスク基板と前記研磨パッド又は研磨テープとを相対的に移動させる工程、
から成る方法。
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