CN101356574A - 磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法，在使研磨垫与玻璃衬底的表面接触的同时对玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液以进行玻璃衬底的镜面研磨时，在将研磨液的pH维持为既定的范围内的状态或控制了研磨液的凝集度或分散度的状态下进行。由此，可维持镜面研磨加工速度，同时可得到具有良好的端部形状的玻璃衬底。

Description

磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法
技术领域
本发明涉及磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法。
背景技术
所谓磁盘是在硬盘驱动器上安装的磁记录介质。在盘状的衬底上依次层叠基底层、磁性层、保护层、润滑层来制造磁盘。
磁盘的重要的部件之一是衬底。由于反映衬底的表面形状地形成了磁性层，故磁盘的表面形状是根据衬底的表面形状来决定的。
在硬盘驱动器中，作为信息的记录重放装置的磁头通过一边在作为信息的存储装置的磁盘上维持狭窄的浮起量一边高速地移动，从而进行信息的写入、读出。如果磁头与磁盘接触，则可能成为重大的事故。通过降低磁头的浮起量，可提高在磁盘中记录的信息的记录密度，但为了降低磁头的浮起量，磁盘的表面必须是平滑的。
因而，为了提高硬盘驱动器的性能，磁盘的表面必须是平滑的。为了使磁盘的表面变得平滑，衬底必须是平滑的。
如果这样的观点成立，则作为在硬盘驱动器上安装的磁盘用衬底，玻璃衬底的有用性高。这是因为玻璃衬底可以使表面变得平滑。
关于磁盘用玻璃衬底，例如已知有下述的那样的文献。例如，已知有作为日本公开专利公报的特开平7-240025号。
在该文献中公开了研磨盘衬底表面的超研磨法。具体地说，公开了将胶体二氧化硅浆液的硫酸溶液的PH调整为例如约0.6～0.9的酸性来研磨玻璃衬底的技术。在该文献中，公开了下述的观点：在控制从盘衬底去除衬底材料的速度时注意最终的pH和成分浓度是重要的。在该文献中公开了含有具有不到4埃的表面粗糙度的衬底材料的磁盘衬底。再有，作为与该文献同样的文献，有美国专利公报US6,236,542号公报、US6,801,396号公报。
作为其它的文献，已知有日本公开专利公报特开平10-241144号。在该文献中公开了关于使用胶体二氧化硅研磨液来研磨信息记录介质用玻璃衬底的技术。再有，作为与该文献同样的文献，有美国专利公报US6,277,465号公报、US6,877,343号公报。
同样，已知有日本公开专利公报特开2004-063062号。在该文献中，在信息记录介质用玻璃衬底的研磨中，将以二氧化硅(SiO2)为主要成分、平均粒径小于等于100nm的粒子的悬浊液作为研磨剂来使用，分成用pH小于等于4的酸性的研磨剂研磨玻璃衬底的研磨工序和用pH大于等于8.5的碱性的研磨剂研磨玻璃衬底的研磨工序这两个工序进行了研磨处理。作为与该文献同样的文献，有美国专利申请公开US2003/0228461号公报。
专利文献1：日本专利特开平7-240025号公报
专利文献2：美国专利US6,236,542号公报
专利文献3：美国专利US 6,801,396号公报
专利文献4：日本专利特开平10-241144号公报
专利文献5：美国专利US6,277,465号公报
专利文献6：美国专利US6,877,343号公报
专利文献7：日本专利特开2004-063062号公报
专利文献8：美国专利申请公开US2003/0228461号公报
发明内容
(发明要解决的课题)
但是，在最近的磁盘中，需要例如以大于等于每平方英寸100千兆比特的高的记录密度来存储信息。迄今为止，硬盘驱动器作为个人计算机的外部存储装置来利用，但最近用作了记录影像信号的存储器，其利用范围急剧地扩大了。因此，需要存储的信息量急剧地增大了。
作为用于对应该需求的第1方法，有增加磁盘表面的每单位面积的存储信息容量以便有效地利用有限的盘面积的方法。
为了实现这样的高的记录密度，有必要将磁头的浮起量定为例如小于等于8nm。这是因为，如果进一步降低磁头的浮起量，则记录信号的S/N比提高了。因此，有必要将磁盘的滑行高度定为4nm或低于该值。所谓磁盘的滑行高度小于等于4nm，即意味着即使磁头以浮起量4nm在磁盘上浮起飞行，也不会与磁盘接触，不产生碰撞的问题。
此外，作为另外的第2方法，有扩大磁盘的信息记录重放用区域的方法。通过将记录重放用区域扩大到盘的外边缘附近，可有效地增大在每1片磁盘中可存储的信息量。因此，即使是磁盘的主表面的外边缘附近，也有必要使磁头不与磁盘接触并不产生碰撞问题。
此外，作为另外的第3方法，有将磁盘的记录方式设为垂直磁记录方式的方法。所谓垂直记录方式是在盘面的法线方向上排列记录磁化的方法。这是因为，通过在盘面的法线方向上排列记录磁化，可使比特边界附近的磁化变得稳定。因此，与面内磁记录方式相比，垂直磁记录方式作为对应于高记录密度的记录方式是有利的。在对应于垂直磁记录方式的磁盘中，在磁记录层与衬底之间插入了软磁性层的所谓的垂直二层介质是有利的。
但是，硬盘驱动器最近利用于可移动的用途的情况越来越多。例如，安装在携带信息终端或车辆导航系统、移动电话等频繁地移动的装置中的情况越来越多。由于这样的用途的硬盘驱动器的大小受到限制，故利用了小型的磁盘。所谓小型磁盘是指例如1.8英寸型磁盘、1英寸型磁盘、0.85英寸型磁盘等。
由于这样的小型硬盘驱动器的磁盘的主表面积小，故对信息的高容量化装置的需求特别大。此外，由于作为可移动性的硬盘驱动器来设计，受到振动或冲击的危险大，故对于耐冲击性的需求也大。
对于磁盘或磁盘用玻璃衬底来说，对大量生产、低价格化的需求也大。如上所述，由于硬盘驱动器具有高容量、且在可移动性方面优良、也可实现小型化的优点，故在公元2005年以后其市场急剧地扩大了。
作为满足这样的对硬盘驱动器的需求的磁盘用的衬底，玻璃衬底是特别合适的。由于玻璃衬底可通过镜面研磨提供优良的平滑性，故可适应磁头的低浮起量。此外，由于刚性高，故在耐冲击性方面优良。
然而，虽然存在有对于最近的硬盘驱动器的需求特别合适的磁盘用玻璃衬底，但如果打算进行大量生产，则会产生各种各样的问题。特别是，如果打算使低滑行高度对应的磁盘用玻璃衬底的制造工序适应于大量生产，则有必要改进玻璃衬底的主表面镜面研磨工序。
例如，如果打算使滑行高度与4nm或低于该值相对应，则在玻璃衬底表面的镜面研磨处理中花费的加工时间变长。因此，难以确保充分的生产量。难以供给高品位且廉价的磁盘用玻璃衬底。此外，如果制作平滑表面的磁盘用玻璃衬底以适应于低滑行高度，则在盘的外边缘附近的磁头的浮起容易变得不稳定，存在信息记录重放用区域的扩大受到妨碍的危险。
再者，在上述的文献中公开的研磨方法中，在研磨中会有研磨加工速度下降，磁盘用玻璃衬底的生产性变差的情况。此外，在以前的研磨方法中也存在玻璃衬底的端部形状变差的缺点。因此，如果使磁头的浮起量下降，则也会有磁头与磁盘的端部接触而发生碰撞的情况。
本发明是为了解决这样的问题而完成的发明，本发明的第1目的在于提供可达到每平方英寸大于等于100千兆比特的信息记录密度的磁盘和磁盘用的玻璃衬底。
本发明的第2目的在于提供与磁头的浮起量为8nm或低于该值的浮起量对应的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
本发明的第3目的在于提供可实现滑行高度为4nm或低于该值的滑行高度的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
本发明的第4目的在于提供即使在磁盘的外边缘附近磁头也能进行信息的记录重放的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
本发明的第5目的在于提供与垂直磁记录方式对应的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
本发明的第6目的在于提供1.8英寸型、1英寸型等的小型磁盘和对适用于该磁盘的玻璃衬底。
本发明的第7目的在于提供与大量生产对应的磁盘和磁盘用玻璃衬底的制造方法。
再者，本发明的另一目的在于提供在研磨中不使研磨加工速度下降、且可确保高的生产性的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法。
本发明的再一目的在于提供具有良好的端部形状的磁盘用玻璃衬底的制造方法。
(用于解决问题的方法)
本发明是至少包括以下的构成的发明。
(发明的构成1)
本发明是包括玻璃衬底的镜面研磨处理的磁盘用玻璃衬底的制造方法，上述镜面研磨处理是使研磨垫与玻璃衬底的表面接触、对玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液、通过使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动来对玻璃衬底表面进行镜面研磨的处理，其特征在于：在对多个玻璃衬底进行镜面研磨处理时，将上述研磨液的pH保持为既定的值。
(发明的构成2)
构成1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：上述研磨液是含有无机酸和缓冲剂的酸性的研磨液。
(发明的构成3)
构成1或构成2中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：上述研磨液是含有有机酸的酸性的研磨液。
(发明的构成4)
构成1至构成3的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：由含有网眼结构的玻璃骨架和修饰该网眼结构的修饰离子的玻璃构成上述玻璃衬底。
(发明的构成5)
构成1至构成4的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：在上述镜面研磨处理时将上述研磨液的PH保持为小于等于3。
(发明的构成6)
构成1至构成5的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：上述研磨液含有硫酸。
(发明的构成7)
构成1至构成6的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：上述研磨液含有酒石酸或马来酸。
(发明的构成8)
构成1至构成7的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：上述研磨砂粒含有胶体状二氧化硅粒子。
(发明的构成9)
构成1至构成8的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：上述镜面研磨处理是通过使隔着研磨垫被上台面和下台面夹压的多个玻璃衬底相对上台面和下台面移动，而同时对上述多个玻璃衬底的两面进行镜面研磨的处理。
(发明的构成10)
构成1至构成9的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：由对酸具有耐蚀性的材料构成上述台面。
(发明的构成11)
构成1至构成10的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：在上述镜面研磨工序之前具有预先研磨上述玻璃衬底的前研磨处理，上述前研磨处理是使研磨垫与上述玻璃衬底的表面接触、对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液、通过使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动来对该玻璃衬底的表面进行镜面研磨处理，上述前研磨处理中的研磨液中含有的研磨砂粒含有去除了粒径大于等于4nm的砂粒的氧化铈研磨砂粒。
(发明的构成12)
构成1至构成11的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：在上述镜面研磨处理之前具有预先研磨上述玻璃衬底的前研磨处理，上述前研磨处理是使研磨垫与上述玻璃衬底的表面接触、对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液、通过使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动来对该玻璃衬底的表面进行镜面研磨的处理，上述前研磨处理中的研磨垫是含有氧化锆和氧化铈的研磨垫。
(发明的构成13)
一种磁盘的制造方法，其特征在于：在使用如构成1至构成12的任一项中所述的玻璃衬底的制造方法制造的玻璃衬底上形成磁性层。
(发明的构成14)
构成13中所述的磁盘的制造方法，是一种垂直磁记录磁盘的制造方法，其特征在于：上述磁性层的至少1层是软磁性层。
(其它的构成)
在本发明的另一实施方式中，是一种磁盘用玻璃衬底的制造方法，具有使研磨垫与多成分系列的玻璃衬底的表面接触、对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液、通过使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动来研磨该玻璃衬底的表面的镜面研磨工序，将上述研磨液的pH值保持在既定的范围内。在该情况下，优选地，将上述研磨液的pH值保持为大于等于1且小于等于3。
再有，在该实施方式中，上述研磨液优选含有用于使上述研磨液的pH值成为酸性的无机酸和用于使上述研磨液的pH值保持为恒定的缓冲剂。在此，上述无机酸优选是硫酸。此外，上述缓冲剂优选是有机酸，更优选地，上述有机酸是酒石酸或马来酸。
此外，在本发明的又一实施方式中，是一种磁盘用玻璃衬底的制造方法，具有使研磨垫与多成分系列的玻璃衬底的表面接触、对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液、通过使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动来研磨该玻璃衬底的表面的镜面研磨工序，优选设为如下构成：控制上述研磨液的凝集度和分散度来进行该镜面研磨工序，以使表示利用镜面研磨工序得到的玻璃衬底的端部形状的Duboff值在±10nm以内。
再有，在本发明中，优选使上述研磨液中含有的上述研磨砂粒的ζ电位小于等于-10mV或大于等于+10mV。
此外，在本发明中，上述研磨液优选呈酸性。在此，在上述研磨液的pH值是2.0的情况下，上述研磨砂粒的ζ电位优选小于等于-10mV或大于等于+10mV。此外，在上述研磨液的pH值是3.0的情况下，上述研磨砂粒的ζ电位优选小于等于-30mV或大于等于+30mV。上述研磨液中含有的上述研磨砂粒优选是胶体状二氧化硅粒子。
再者，在上述发明中，上述研磨液中含有的上述研磨砂粒优选是胶体状二氧化硅粒子。
此外，在上述发明中，上述玻璃衬底优选含有网眼结构的玻璃骨架和修饰该网眼结构的修饰离子。
此外，在上述发明中，上述玻璃衬底优选含有大于等于58重量％～小于等于75重量％的SiO2、大于等于5重量％且小于等于23重量％的Al2O3、大于等于3重量％且小于等于10重量％的Li2O和大于等于4重量％且小于等于13重量％的Na2O作为主要成分。
此外，在上述发明中，在上述镜面研磨工序中，优选经上述研磨垫用上台面和下台面夹住上述玻璃衬底，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，通过使上述玻璃衬底与上述上台面和上述下台面相对地移动，对上述玻璃衬底的表面进行镜面研磨。
此外，在上述发明中，优选由对于酸具有耐蚀性的材料构成上述上台面和上述下台面。
此外，在上述发明中，优选地，在上述镜面研磨工序之前还具有预先研磨上述玻璃衬底的表面的预备研磨工序，在上述预备研磨工序中，使研磨垫与上述玻璃衬底的表面接触，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以研磨上述玻璃衬底的表面，上述预备研磨工序中的上述研磨砂粒是粒径不到4μm的氧化铈粒子。此外，上述预备研磨工序中的上述研磨垫优选含有氧化锆粒子或氧化铈粒子。
此外，根据本发明的磁盘的制造方法是在使用上述的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造的玻璃衬底上形成磁性层的构成。再者，在根据本发明的磁盘的制造方法中，通过在上述玻璃衬底上形成至少1层软磁性层可得到垂直磁记录磁盘。
(发明的效果)
根据本发明可提供在研磨处理的中途不使研磨加工速度下降、且可确保高的生产性的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法。再者，根据本发明可提供能得到良好的端部形状的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法。
附图说明
图1是用于实施作为本发明的实施方式的磁盘用玻璃衬底的制造方法的研磨装置的剖面结构图。
图2是将根据本发明的另一实施方式的实施例1～6中的研磨液的pH值与研磨加工速度的关系作成表来表示的图。
图3是将根据本发明的参考例1～4中的研磨砂粒的ζ电位与实施镜面研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状的关系作成表来表示的图。
图4是将根据本发明的又一实施方式的实施例1～3和根据比较例1的研磨砂粒的ζ电位与实施镜面研磨工序后的玻璃衬底的端部形状的关系作成表来表示的图。
图5是将根据本发明的参考例1～6的研磨液的pH值与研磨加工速度的关系作成表来表示的图。
(符号说明)
1  玻璃衬底
2   研磨垫
3a  上台面
3b  下台面
10  研磨装置
具体实施方式
〔第1实施方式〕
作为磁盘用玻璃衬底，非晶玻璃是合适的。这是因为，非晶玻璃与例如结晶化玻璃或玻璃陶瓷不同，可通过进行镜面研磨使其表面极为平滑。
作为玻璃材料，硅酸铝玻璃等的多成分系列玻璃可合适地用作磁盘用玻璃衬底的材料。在玻璃中，硅酸铝玻璃例如与硼硅酸玻璃相比，具有在耐热性、耐药品性方面优良的特征。因而，即使在清洗处理等中暴露于化学药液中，经过了镜面研磨的表面变得过度粗糙的可能较小，作为特别要求平滑性的磁盘用玻璃衬底是合适的。所谓硅酸铝玻璃是含有硅和铝的氧化物作为主要成分的玻璃。
将玻璃衬底用于磁盘是合适的，但难以提高镜面研磨处理的加工速度以适应大量生产。因而，生产量受到限制，生产成本容易升高，难以廉价地供给市场。
关于这样的问题，本发明人在进行了努力研究后查明了研磨液的氢离子浓度(pH值)在玻璃衬底的研磨处理的中途发生变动这一点是研磨加工速度下降的一个主要原因。而且查明了上述的pH值的变动的一个主要原因是玻璃衬底中含有的离子在研磨过程中洗脱到酸性的研磨液中。
特别是在研磨多成分系列玻璃衬底的情况下，容易发生研磨液的pH值的变动。例如，在含有胶体二氧化硅研磨砂粒的酸性的研磨液中对硅酸铝玻璃衬底进行研磨处理时，有时会有铝离子从多成分系列玻璃衬底洗脱到研磨液中从而研磨液的pH值发生变动的情况。除此以外，如果在研磨对象的玻璃中含有了钠、钾等，则也存在钠离子、钾离子等洗脱到研磨液中从而使研磨液的pH值发生变动的可能性。
再有，作为磁盘用玻璃衬底的镜面研磨方法，有将含有胶体二氧化硅研磨砂粒的研磨液调整为酸性或碱性来供给以进行研磨的情况。例如，在背景技术中公开了的日本专利特开平7-240025号是将含有胶体二氧化硅的浆液调整为既定的酸性来研磨的例子。
但是，根据本发明者的研究，已经证实特别是在多成分系列玻璃的情况下，在镜面研磨处理的过程中，在玻璃中含有的离子容易洗脱到研磨液中。在硅酸铝玻璃中，铝离子容易洗脱到研磨液中。如果在玻璃中含有了钠、钾等，则存在钠离子、钾离子等洗脱到研磨液中的危险。
如果将研磨液调整为酸性，则伴随这些离子的洗脱，研磨液的液体性质容易紊乱。根据本发明者的研究，发现在用含有酸性的胶体二氧化硅研磨砂粒的研磨液对硅酸铝玻璃衬底进行镜面研磨处理时，在大量生产的过程中研磨液的PH容易从既定的PH发生变动。证实了研磨液的液体性质紊乱的结果是镜面研磨处理的加工速度也紊乱了。
即使预先将利用于研磨处理的研磨液的pH值调整为既定的值，在实施了多个玻璃衬底的研磨处理时，也从当初调整了的pH值逐渐地产生了差异。本发明人发现如果实施玻璃衬底的大量生产，则该差异为不能忽略的程度。
在玻璃衬底中，特别是磁盘用的玻璃衬底，如果磁头一边保持狭窄的浮起量一边高速地通过，则必须形成极为平滑的表面。因此，在磁盘用的玻璃衬底的镜面研磨处理时，将研磨液的液体性质保持为恒定是极为有效的。
此外，在磁盘用的玻璃衬底中，为了与大量生产相适应，有必要将镜面研磨处理的加工速度保持为恒定。因此，在磁盘用的玻璃衬底的镜面研磨处理时，将研磨液的液体性质保持为恒定是极为有效的。
作为将研磨液的pH保持为恒定的具体方法，在研磨液中添加将pH保持为恒定的成分是有效的。可含有将研磨液的pH保持为恒定的药液。
(研磨液)
优选将研磨液的pH维持为酸性。这是因为，通过将研磨液维持为酸性，在镜面研磨处理时，可使玻璃表面化学变质以提高研磨加工速度。特别是在使用了多成分系列玻璃作为玻璃衬底1的材料的情况下，通过将玻璃衬底1浸渍于酸性的研磨液中，金属离子容易从SiO的网眼结构脱离，可提高研磨加工速度。
例如，在多成分系列玻璃中，在作为玻璃骨架的SiO的网眼结构中含有作为修饰离子的铝、钠或钾等的金属离子，但由于如果将研磨液维持为酸性，则这些金属离子容易从SiO的网眼结构脱离，并可发挥提高研磨加工速度的作用，故是合适的。另一方面，由于该金属离子分散在研磨液内，故研磨液的pH值随时间而增加，难以维持所希望的镜面研磨加工速度，但通过实施本发明，可将镜面研磨加工速度保持在所希望的值。
作为将研磨液的pH保持为恒定的成分，在研磨液中含有缓冲剂是合适的。由于有机酸具有缓冲作用，故是合适的。作为使研磨液成为酸性的成分，无机酸是合适的。
将研磨液的pH保持为小于等于3、优选使pH小于等于2.5、特别优选使pH小于等于2是合适的。通过将研磨液保持为这样的酸性，可将玻璃衬底，特别是多成分系列玻璃衬底、硅酸铝玻璃衬底的镜面研磨速度维持为适合于大量生产的速度。
关于研磨液的pH，不过度地增强其酸性是合适的。过度地增强其酸性会导致腐蚀研磨装置的危险变高。如果发生研磨装置的腐蚀，则存在微细的异物(例如锈)等附着于进行了镜面研磨的玻璃衬底上的危险。这是因为，如果这样的异物附着于玻璃衬底的表面上，则对作为磁头的重放元件利用的磁致电阻效应型元件产生不良影响，在信息的重放信号中引起热不均匀(thermal asperity)的错误。
此外，作为玻璃衬底的镜面研磨用的研磨砂粒，胶体二氧化硅研磨砂粒是合适的，但如果使pH过度地成为酸性，则胶体二氧化硅的化学状态变得不稳定，容易凝胶化。如果胶体二氧化硅凝胶化了，则丧失作为研磨砂粒的功能。
因而，研磨液的pH值优选为不过度地增强其酸性。具体地说，优选将pH值定为大于等于1.0。
根据以上的观点，研磨液的pH为大于等于1.0且小于等于3.0，优选大于等于1.0且小于等于2.5，特别优选大于等于1.0且小于等于2.0。
(酸性研磨液调整方法)
作为将研磨液调整为酸性的方法，优选使研磨液中含有无机酸。如果是具有完全离解性的无机酸，则容易制成例如pH大于等于1.0且小于等于3.0的酸性状态。因而，对玻璃衬底的镜面研磨是合适的。
作为无机酸，可举出硫酸、盐酸、硝酸、硼酸、磷酸、磺酸、膦酸等。如果是氧化性强的无机酸，则容易引起研磨装置的腐蚀，此外，存在引起热不均匀的问题的危险。
根据以上的观点，作为研磨液所含有的无机酸，硫酸、磷酸、磺酸是合适的。特别是氧化性相对较弱的硫酸最为优选。由于硫酸的氧化性弱，故腐蚀研磨装置的危险最小。因而，引起热不均匀问题的可能性最小。再者，由于硫酸在空气中蒸发或飞散的情况少，故在镜面研磨处理时，可得到容易将研磨液中的浓度保持为恒定的优点。再有，在使用硫酸来调整液体性质的情况下，研磨液中的硫酸浓度例如优选定为大于等于0.05重量％且小于等于1.00重量％。
(液体性质调整方法)
再有，根据上述的发明人的见解，玻璃衬底中含有的离子在研磨工序的过程中洗脱到研磨液中，使研磨液的pH发生了变动。而且，pH值的变动成为使研磨加工速度下降的一个主要原因。因此，为了防止研磨工序的过程中的研磨液的pH值的变动，在研磨液中优选含有缓冲剂。
作为在研磨液中含有的缓冲材料，有机酸是合适的。因研磨液具备缓冲作用，可将研磨液的pH保持为所希望的恒定的值。在将研磨液的pH保持为大于等于1且小于等于3、特别是大于等于1且小于等于2的情况下，选择酒石酸、马来酸、丙二酸是特别合适的。其中，酒石酸或马来酸，特别是酒石酸是合适的。再有，在使用酒石酸作为缓冲材料的情况下，研磨液中的酒石酸的浓度优选定为大于等于0.05重量％且小于等于1.50重量％。
在本发明中，作为最为优选的研磨液，可举出含有胶体二氧化硅研磨砂粒、作为无机酸的磷酸、作为有机酸的酒石酸的研磨液。
(研磨砂粒)
使用上述的研磨液进行研磨处理(镜面研磨工序)的情况下，使该研磨液中含有研磨砂粒。作为在镜面研磨工序中使用的研磨砂粒，优选使用胶体状二氧化硅粒子。在本发明中，胶体状二氧化硅研磨砂粒的粒径优选定为小于等于80nm，特别是小于等于50nm。如果是这样的微细的研磨粒子，则可形成合适的平滑镜面作为磁盘用玻璃衬底。可考虑镜面研磨加工速度来决定胶体状二氧化硅粒子的粒径的下限值。例如，可定为大于等于20nm且小于等于50nm。此外，研磨液中的胶体状二氧化硅粒子的含有量优选定为大于等于5重量％且小于等于40重量％。
(研磨砂粒的ζ电位)
再有，在研磨液中分散的研磨砂粒具有ζ电位，但在ζ电位为与±10mV相比更接近于0mV的情况下，容易发生研磨砂粒的凝缩，研磨液中的研磨砂粒的分散性变差。而且，如果研磨砂粒的分散性变差，则在研磨工序时，玻璃衬底1的端部附近的研磨砂粒的流动性下降，存在实施了研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状变差的可能性。
此外，ζ电位根据对象粒子的组成可为+或-。而且，可作为研磨砂粒使用的胶体二氧化硅(胶体状二氧化硅)的ζ电位例如在pH大于等于3.0的情况下为负，在pH2.0～3.0的情况下为接近于零，在小于该值(pH小于1.0)的情况下为正。
再有，在本发明中优选将胶体二氧化硅的ζ电位定为小于等于-10mV。特别是，在研磨液的pH为2的情况下ζ电位小于等于-10mV且研磨液的pH为3的情况下，选择ζ电位小于等于-30mV的胶体二氧化硅是合适的。
此外，关于由本发明得到的研磨液的液体性质，将研磨液的电导率定为大于等于2mS/cm且小于等于10mS/cm是合适的。
(镜面研磨处理)
再有，在本发明中，镜面研磨处理是由利用了行星齿轮机构的两面研磨方法一并地对多个玻璃衬底的两面进行镜面研磨处理的研磨方法是合适的。由于可将多个玻璃衬底的两面做成均匀的镜面，故可适应于大量生产。此外，根据本发明，由于可将研磨液的液体性质保持为恒定，故镜面研磨处理的研磨加工速度不会变动，可稳定地维持大量生产。
在本发明中，可用研磨液循环再利用研磨装置进行镜面研磨。即，可回收已经供给玻璃衬底表面并用于镜面研磨处理的研磨液，在通过了过滤器等的净化装置之后，再次供给玻璃衬底表面。在本发明中，由于可得到将研磨液的pH保持为所希望的恒定的值的作用，故可再利用研磨液。如果不利用本发明，则在研磨液的循环再利用的过程中，存在产生研磨液的pH容易变动的问题的情况。
根据本发明，由于可以在磁盘用玻璃衬底的镜面研磨处理中对研磨液进行循环再利用，故可抑制工业废弃物的排出量。可构筑考虑了地球环境的磁盘用玻璃衬底的大量生产工序。
在本发明中，作为镜面研磨装置的至少研磨台面，利用对于酸具有耐蚀性的材料是合适的。作为这样的材料，不锈钢是优选的。作为在耐蚀性方面优良的不锈钢，马氏体系不锈钢或奥氏体系不锈钢是合适的。
(玻璃衬底)
本发明所用的玻璃衬底由玻璃(多成分系列的玻璃)构成。多成分系列的玻璃例如在作为玻璃骨架的SiO的网眼结构中含有作为修饰离子的铝、钠、钾等金属离子。这样的多成分系列的玻璃在浸渍于酸性的研磨液中的情况下，金属离子容易从SiO的网眼结构脱离，可提高研磨加工速度。即，使玻璃衬底的表面发生化学变化，可提高研磨加工速度。
在本发明中，特别合适的玻璃衬底是非晶玻璃，是含有硅和铝的氧化物作为主要成分的硅酸铝玻璃。这是因为，非晶玻璃与例如结晶化玻璃或玻璃陶瓷不同，可利用研磨使其表面极为平滑。此外，硅酸铝玻璃与例如硼硅酸玻璃相比，在耐热性、耐药品性方面优良，即使在清洗处理等中暴露于化学药液，研磨后的玻璃衬底1的表面变得过度粗糙的可能性小。
而且，在硅酸铝玻璃中，还含有碱金属元素的玻璃衬底是合适的。例如，只要是含有SiO2和Al2O3且还含有Na2O的玻璃，就可充分地发挥本发明的作用和效果。这是因为，即使铝离子或钠离子洗脱到研磨液中，也可将研磨液的pH值保持为所希望的值。也可合适地利用含有Li2O的玻璃。例如，由于化学强化处理用玻璃是含有碱金属元素的玻璃，故对于本发明是合适的。
作为这样的玻璃(多成分系列玻璃)，含有58～75重量％的SiO2、5～23重量％的Al2O3、3～10重量％的Li2O、4～13重量％的Na2O作为主要成分的玻璃是合适的。
作为特别合适的玻璃，可举出含有62～75重量％的SiO2、5～15重量％的Al2O3、4～10重量％的Li2O、4～12重量％的Na2O、5.5～～15重量％的ZrO2作为主要成分、同时Na2O/ZrO2的重量比是0.5～～2.0、Al2O3/ZrO2的重量比是0.4～2.5的玻璃(硅酸铝玻璃)。
此外，作为其它合适的玻璃，可举出61～70重量％的SiO2、9～18重量％的Al2O3、2～3.9重量％的Li2O、6～13重量％的Na2O、0～5重量％的K2O、10～16重量％的R2O(其中，R2O＝Li2O+Na2O+K2O)、0～3.5重量％的MgO、1～7重量％的CaO、0～2重量％的SrO、0～2重量％的BaO、2～10重量％的RO(其中，RO＝MgO+CaO+SrO+BaO)、0～2重量％的TiO2、0～2重量％的CeO2、0～2重量％的Fe2O3、0～1重量％的MnO、且TiO2+CeO2+Fe2O3+MnO＝0.01～3重量％的玻璃。
再有，对于上述的玻璃衬底，优选地，预先使用砂轮等在玻璃衬底的中央部分中开出了孔，并作成在中心部具有圆孔的盘状的玻璃衬底。
而且，对于玻璃衬底的外周端面和内周端面，优选预先进行了倒角加工。而且，对于玻璃衬底的外周端面、内周端面和主表面，优选预先磨削这些面使其成为既定的表面粗糙度。
(预备研磨工序)
在预备研磨工序中，将玻璃衬底的表面研磨成比较粗的粗糙度，迅速地去除玻璃衬底的表面具有的伤痕或变形。因此，预备研磨工序在所使用的研磨垫、研磨液和研磨砂粒这些方面与镜面研磨工序不同。
在预备研磨工序中，优选使用比较硬质的研磨垫。再者，在研磨垫中，优选预先含有氧化锆粒子和/或氧化铈粒子等的具有研磨作用的粒子。
根据本发明人的研究，证实了在磁盘用玻璃衬底的镜面研磨工序之前预先实施的玻璃衬底的前研磨处理(预备研磨工序)中，将研磨液中含有的研磨砂粒的粒径定为既定的范围是合适的。
具体地说，在本发明中，优选地，在镜面研磨处理之前预先实施的玻璃衬底的前研磨处理使用含有氧化锆粒子和氧化铈粒子的研磨垫，并将研磨液中含有的氧化铈研磨砂粒的最大粒径定为小于等于4μm。另一方面，优选考虑预备研磨工序中的研磨加工速度来决定粒径的下限值。此外，可使用水作为研磨液。
通过利用最大的粒径被限制为小于等于4μm的研磨液，在前研磨处理中可抑制在玻璃衬底的表面中形成伤痕。因而，在前研磨处理之后实施的镜面研磨处理中，即使减小从玻璃表面算起的去除玻璃厚度，也能得到所希望的平滑的镜面。因此，可缩短在镜面研磨处理中所需要的研磨加工时间。
(玻璃研磨装置的结构)
接着，使用图1说明用于实施根据本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法的研磨装置10的结构。图1示出用于实施作为本发明的实施方式的磁盘用玻璃衬底的制造方法的研磨装置的剖面结构。
如图1中所示，将研磨装置10构成为作为研磨对象的玻璃衬底1可以隔着研磨垫2被上台面3a和下台面3b夹住。此时，将研磨装置10构成为可同时夹住多个玻璃衬底1。
构成为上台面3a和下台面3b与玻璃衬底1可在水平方向上相对地移动。例如，构成为可使用在上台面3a和下台面3b内装入的行星齿轮机构进行这样的移动。再有，构成为上台面3a和下台面3b可一边对玻璃衬底1施加既定的压力一边进行移动。
再有，优选由对酸具有耐蚀性的材料来构成上台面3a和下台面3b。例如，作为在耐蚀性方面优良的不锈钢，优选使用马氏体系不锈钢或奥氏体系不锈钢。
再有，优选根据研磨加工速度及表面粗糙度适当地调整研磨垫的硬度。例如，在进行镜面研磨时，优选使用比较软质的研磨垫2，以便能得到合适的平滑镜面作为磁盘用玻璃衬底。另一方面，为了得到高的磨削速度，优选使用比较硬质的研磨垫2。
(镜面研磨工序的实施)
接着，说明使用上述研磨装置进行镜面研磨工序的方法的具体例。
首先，在研磨装置10中设置上述的玻璃衬底1。即，通过隔着研磨垫2用上台面3a和下台面3b夹住玻璃衬底1，使研磨垫2与玻璃衬底1的两面接触。
接着，对作为研磨对象的玻璃衬底1的表面供给含有上述的研磨砂粒的研磨液。
接着，通过使玻璃衬底1与上台面3a和下台面3b相对地移动，使玻璃衬底1与研磨垫2相对地移动，以研磨玻璃衬底1的两面。
此时，镜面研磨工序中的研磨液可循环再利用。即，可回收一度使用于研磨的研磨液，实施过滤进行净化，再次供给玻璃衬底表面。在第1实施方式中，由于利用上述缓冲剂的作用保持研磨液的pH值，故可再次利用研磨液。
若玻璃衬底1的表面粗糙度达到了既定的值，则结束镜面研磨工序。作为目标的表面粗糙度，例如算术平均粗糙度(Ra)小于等于0.3nm，最大峰高度(Rp)小于等于2nm。在此，所谓最大峰高度(Rp)是测定玻璃衬底1的表面的既定的区域的表面形状、求出该表面形状的平均面、将该平均面定为基准时最高的地点的从该平均面算起的高度。
然后，从研磨装置10取出玻璃衬底1，清洗附着于玻璃衬底1的表面上的研磨液或研磨砂粒。
然后，对清洗后的玻璃衬底1进行化学强化处理，再次清洗玻璃衬底1，结束磁盘用玻璃衬底的制造。
(磁盘用玻璃衬底)
在本发明中，在磁盘用玻璃衬底的表面上应形成的平滑镜面，在用原子力显微镜观察了表面时，优选是算术平均粗糙度(Ra)小于等于0.3nm的镜面。优选是最大峰高度(Rp)小于等于2nm的镜面。所谓最大峰高度(Rp)，是测定表面的既定的区域的表面形状、求出该表面形状的平均面、将该平均面定为基准时最高的地点的从该平均面算起的高度。只要是这样的表面，就可将滑行高度定为4nm或低于该值。即如果利用根据本发明的磁盘用玻璃衬底，则即使磁头的浮起量是4nm，也不会引起碰撞问题。此外，由于对于在磁头的重放元件中安装的磁致电阻效应型元件不会引起热不均匀，故可正常地实施信息的记录重放。
而且，利用上述制造方法得到的玻璃衬底的主表面是平滑的，而且，端部形状也是优良的。具体地说，根据本实施方式的制造方法得到的磁盘用玻璃衬底的Duboff值可在±10nm的范围内。以下说明该Duboff值。
在此，可使用Duboff值来评价玻璃衬底的端部形状。所谓Duboff值指的是在玻璃衬底1的外周端部或内周端部的周边，在盘状玻璃衬底的半径方向上选择任意两点并用直线连结时的从该直线到玻璃衬底1的表面的最大距离(在玻璃衬底1的剖面上观察到的值)。Duboff值根据玻璃衬底1的端部形状可以是+也可以是-。而且，将Duboff值是+的情况的端部形状称为下垂形状(roll off)，将-的情况的端部形状称为上翘形状(ski jump)。而且，Duboff值越接近于0，表示该区域中的端部形状越是良好。
再有，Duboff值在具有大致平坦的主表面、端面和在上述主表面与端面之间形成的倒角面的玻璃衬底中，也可定为相对存在于上述主表面内的周边缘的该周边缘以外的平坦面偏离的偏离部中的离平坦面的距离。
玻璃衬底的端部形状在Duboff值为±10nm的范围内是优选，在±7nm的范围内则更为优选，在±5nm的范围内则更加优选。这是因为，如果使用Duboff值超过了±10nm的玻璃衬底1制作硬盘驱动器，则磁头与使用该玻璃衬底1制造的磁盘中接触而发生碰撞的可能性高。而且，该碰撞的可能性在垂直磁记录方式的磁盘的情况下变得更高。即，在使用上述玻璃衬底作为垂直磁记录方式的磁盘的情况下，Duboff值在±10nm以内特别优选。
再有，作为测定Duboff值的范围，只要是玻璃衬底的主表面中的外周端的区域，换言之，制成HDD的情况下的妨碍磁头浮起的区域，就任意地设定即可，但在例如将从玻璃衬底的中心到端部为止的距离设为100％的情况下，测定从中心至92.0～96.9％的范围即可。
更具体地说，例如，在外径尺寸为2.5英寸(外径65mmφ、半径32.5mm)的玻璃衬底的情况下，可以用直线连接离玻璃衬底的中心的距离为29.9mm的位置与31.5mm的位置上的玻璃衬底表面上的点，并将该直线与位于该区域间的玻璃衬底的表面之间的偏离设定为Duboff值。
此外，例如，也可将外周端作为基点，从外周端朝向中心测定1～2.6mm的范围，以求出Duboff值。
为了将Duboff值抑制得较低，优选控制研磨砂粒的ζ电位来进行镜面研磨工序。具体地说，优选使研磨砂粒的ζ电位为小于等于-10mV或大于等于+10mV(即，绝对值比10mV大的范围)。
更详细地说，在研磨液的pH值是2.0的情况下，研磨砂粒的ζ电位优选小于等于-10mV，在研磨液的pH值是3.0的情况下，研磨砂粒的ζ电位优选小于等于-30mV。
(第1实施方式中的效果)
根据第1实施方式中的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法，起到以下的效果(a)～(g)。
(a)根据第1实施方式，因为在研磨液中含有了缓冲剂，故将研磨液的pH值保持在一定范围内，且研磨加工速度不下降。因而，可提供生产性高的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法。
(b)根据第1实施方式，因为在研磨液中含有了缓冲剂，故将研磨液的pH值保持在一定范围内，且研磨加工速度不下降。即，可对一度利用了的研磨液进行循环再利用。因而，可抑制工业废弃物的排出量。可实现考虑了地球环境的磁盘用玻璃衬底的大量生产。
(c)在第1实施方式中，在使研磨液中的研磨砂粒的ζ电位为小于等于-10mV(即，绝对值比10mV大的范围)的情况下，可提高玻璃衬底1的端部附近的研磨砂粒的流动性。而且，通过提高研磨砂粒的流动性，可改善实施镜面研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状(即，减小Duboff值)。即，可提供即使是磁头在磁盘的外边缘附近也能进行信息的记录重放的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
(d)根据第1实施方式，可研磨成磁盘用玻璃衬底的表面粗糙度为，例如算术平均粗糙度(Ra)小于等于0.3nm，最大峰高度(Rp)小于等于2nm。由此，可提供能达到每平方英寸大于等于100千兆比特的信息记录密度的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
(e)根据第1实施方式，可研磨成磁盘用玻璃衬底的表面粗糙度为，例如算术平均粗糙度(Ra)小于等于0.3nm，最大峰高度(Rp)小于等于2nm。由此，可提供与磁头的浮起量为8nm或低于该值的浮起量对应的磁盘和磁盘用玻璃衬底。由此，可提高磁头上的接收信号的S/N比，可提高对磁盘的记录密度。
(f)根据第1实施方式，可研磨成磁盘用玻璃衬底的表面粗糙度为，例如算术平均粗糙度(Ra)小于等于0.3nm，最大峰高度(Rp)小于等于2nm。由此，可提供能实现滑行高度为4nm或低于该值的滑行高度的磁盘和磁盘用玻璃衬底。由此，可提高磁头上的接收信号的S/N比，可提高对磁盘的记录密度。
(g)根据第1实施方式，可提供1.8英寸型、1.0英寸型等的小型磁盘和适合于该磁盘的制造的磁盘用玻璃衬底。
此外，通过在镜面研磨工序之前实施预备研磨工序，预先去除玻璃衬底1的表面具有的伤痕或变形，可缩短得到作为目标的表面粗糙度的镜面研磨工序的研磨时间。因而，可进一步提高磁盘和磁盘用玻璃衬底的生产性。
(磁盘的制造方法)
通过在利用本发明的第1实施方式制造的磁盘用玻璃衬底的表面上依次形成基底层、磁性层、保护层和润滑层，可制造磁盘。
此外，通过在上述磁盘用玻璃衬底的表面上依次形成由Cr合金构成的附着层、由CoTaZr基合金构成的软磁性层、由Ru构成的基底层、由CoCrPt基合金构成的垂直磁记录层、由碳化氢构成的保护层、由全氟聚醚构成的润滑层，可制造垂直磁记录盘。
此外，根据本发明的磁盘用玻璃衬底的制造方法是包括玻璃衬底的镜面研磨处理的磁盘用玻璃衬底的制造方法，上述镜面研磨处理是使研磨垫与玻璃衬底的表面接触、对玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液、通过使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以对玻璃衬底表面进行镜面研磨的处理，也可以构成为在对多个玻璃衬底进行镜面研磨处理时将上述研磨液的pH值保持在既定的范围内。
此外，更优选在上述镜面研磨时将上述研磨液的pH保持在小于等于3的构成。
此外，上述镜面研磨处理更优选是通过使隔着研磨垫被上台面和下台面夹压的多个玻璃衬底相对于上台面和下台面移动，并同时对上述多个玻璃衬底的两面进行镜面研磨的处理。
[实施例1]
在该实施例中，使用了由非晶玻璃构成的玻璃衬底。组成是多成分系列的玻璃，玻璃原料是硅酸铝玻璃。具有含有由SiO构成的网眼状的玻璃骨架和作为修饰离子的铝的结构。此外，是含有碱金属元素的玻璃。
关于具体的化学组成，具有下述的组成：SiO2：63.5重量％、Al2O3：14.2重量％、Na2O：10.4重量％、Li2O：5.4重量％、ZrO2：6.0重量％、Sb2O3：0.4重量％、As2O3：0.1重量％。用直接冲压法(direct press)对该玻璃进行成形，得到了盘状的玻璃。其次，使用该玻璃盘经过以下的各工序来制造磁盘用玻璃衬底。
(1)形状加工工序
使用砂轮在玻璃衬底的中央部分开孔，作成了在中心部具有圆孔的盘状玻璃衬底。然后，对外周端面和内周端面进行了倒角加工。
(2)端面研磨工序
其次，利用刷式研磨，一边使玻璃衬底旋转一边将玻璃衬底的端面(内周、外周)的表面粗糙度研磨成按Rmax约为1μm、按Ra约为0.3μm。
(3)磨削工序
通过选择#1000作为砂粒的粒度来磨削玻璃衬底表面，将主表面做成平坦度约为3μm、表面粗糙度Rmax约为2μm、Ra约为0.2μm。此外，用原子力显微镜(AFM )(Digital Instruments公司制nanoscope)测定了Rmax、Ra。平坦度用平坦度测定装置来测定，它是衬底表面的最高的部分与最低的部分的上下方向(与表面垂直的方向)的距离(高低差)。
(4)第1研磨工序(预备研磨工序)
其次，实施了作为预备研磨工序的第1研磨工序。该工序是在作为下一个工序的镜面研磨工序之前预先研磨玻璃衬底的前研磨工序。在该第1研磨工序中，去除具有在磨削工序中在玻璃衬底的表面上形成的伤痕或变形的玻璃表面部分。
使用一次能研磨100片～200片玻璃衬底的两主表面的两面研磨装置来进行。通过使隔着研磨垫被上台面和下台面夹压的多个玻璃衬底相对于上台面和下台面移动，对上述多个玻璃衬底的两面同时进行研磨。可通过利用行星齿轮机构一次研磨多片玻璃衬底。
将研磨垫设为硬质的抛光布。研磨垫利用了预先含有氧化锆和氧化铈的材料。研磨液含有氧化铈研磨砂粒，但预先去除了粒径超过4μm的粗大粒子。在测定了对玻璃衬底供给的研磨液时，研磨砂粒的最大值是3.5μm、平均值是1.1μm、D50值是1.1μm。其它的研磨条件如下所述。
研磨液：由氧化铈(平均粒径：1.1μm)和水构成。
对玻璃衬底施加的载重：80～100g/cm2。
玻璃衬底表面部的去除厚度：20～40μm。
(5)第2研磨工序(镜面研磨工序)
其次，实施了作为镜面研磨工序的第2研磨工序。该研磨工序是对玻璃衬底的相对的2个主表面同时进行镜面研磨的工序。
使用一次能研磨100片～200片玻璃衬底的两主表面的两面研磨装置来进行。通过使隔着研磨垫被上台面和下台面夹压的多个玻璃衬底相对于上台面和下台面移动，对上述多个玻璃衬底的两面同时进行研磨。可通过利用行星齿轮机构一次研磨多片玻璃衬底。
在镜面研磨处理时运用了这样的研磨液的再循环系统，该系统经由排液管回收对玻璃衬底表面供给了的研磨液，用网眼状过滤器去除异物并净化后，再次供给玻璃衬底。其结果，在镜面研磨处理时，在研磨液的pH值中没有变动，可大致保持为恒定。此外，研磨垫为软质的抛光布(ASC硬度比硬质抛光布更低的抛光布)。研磨液如下所述。此外，用具有耐酸性的不锈钢材料构成研磨装置的台面。
准备粒径为40μm的胶体状二氧化硅砂粒，添加水、作为全离解性的无机酸的硫酸、作为有机酸的酒石酸、作为具有缓冲作用的药液(缓冲材料)，制成了研磨液。将研磨液的pH调整为2。
可将研磨液中的硫酸浓度设定为能得到所希望的PH。例如，优选设定为大于等于0.05重量％且小于等于1重量％。在本实施例中，设定为0.15重量％。研磨液中的酒石酸的浓度优选设定为大于等于0.05重量％且小于等于1.5重量％。在本实施例中，设定为0.8重量％。研磨液中的二氧化硅的含有量优选设定为5～40重量％。在本实施例中，设定为10重量％。研磨液中的剩下的部分是超纯水。测定了研磨液的电导率是6mS/cm。
已知镜面研磨工序中的研磨加工速度是0.25μm/分钟，在上述的条件下，与以往相比，可实现有利的研磨加工速度。再有，所谓研磨加工速度是通过用为了完成既定镜面所必需的玻璃衬底1的厚度的削减量(加工取代)除以所希望的研磨加工时间来求出。
(6)镜面研磨处理后的清洗工序
将玻璃衬底浸渍于浓度3～5wt％的NaOH水溶液中进行了碱性清洗。此外，施加超声波进行了清洗。再者，依次浸渍于中性清洗剂、纯水、纯水、异丙醇(IPA)、IPA(蒸汽干燥)的各清洗槽中来进行了清洗。在利用AFM(Digital Instruments公司制的nanoscope)观察了所得到的该玻璃衬底的表面时，未确认到胶体二氧化硅研磨砂粒的附着。此外，也未发现不锈钢或铁等异物。
(7)化学强化处理工序
其次，对玻璃衬底进行了化学强化。在化学强化中，准备了混合硝酸钾(60％)和硝酸钠(40％)得到的化学强化盐，将该化学强化盐加热到375℃，将预热到300℃的清洗好的玻璃衬底浸渍于该化学强化盐中约3小时。这样，通过在化学强化盐中进行浸渍处理，将玻璃衬底表层的锂离子、钠离子分别置换为化学强化盐中的钠离子、钾离子，对玻璃衬底进行化学强化。再有，在玻璃衬底的表层中形成了压缩应力层的厚度约为100～200μm。将结束了上述化学强化的玻璃衬底浸渍于20℃的水槽中进行急剧冷却，并维持约10分。
(8)化学强化后的清洗工序
将结束了上述急剧冷却的玻璃衬底浸渍于加热到约40℃的硫酸中，一边施加超声波一边进行了清洗。
(9)磁盘用玻璃衬底的检查工序
进行了如以上那样制造的磁盘用玻璃衬底的检查。
在用AFM(原子力显微镜)测定了玻璃衬底表面的粗糙度时，最大峰高度Rp是1.8nm，算术平均粗糙度Ra是0.25nm。表面是清洁的镜面状态。在表面上不存在妨碍磁头的浮起的异物或成为热不均匀问题的原因的异物。
使用如以上那样制造的磁盘用的玻璃衬底制造垂直磁记录方式的磁盘。
(10)磁盘制造工序
在玻璃衬底的表面上依次形成由Cr合金构成的附着层、由CoTaZr基合金构成的软磁性层、由Ru构成的基底层、由CoCrPt基合金构成的垂直磁记录层、由碳化氢构成的保护层、由全氟聚醚构成的润滑层，制造了垂直磁记录盘。
(11)磁盘的检查工序
进行了如以上那样制造的磁盘的检查。在使用浮起量是8nm的检查用磁头在磁盘上浮起移动时，未接触异物等，未产生碰撞问题。其次，在重放元件部使用磁致电阻效应型元件、记录元件部使用单磁极型元件的磁头进行了根据垂直记录方式的记录重放试验时，确认了正常地记录、重放信息的情况。此时，在重放信号中未检出热不均匀信号。可以每平方英寸100千兆比特进行记录重放。
其次，进行了磁盘的滑行高度试验。该试验是在逐渐地使检查用磁头的浮起量下降的情况下确认在多大的浮起量下会产生检查用磁头与磁盘的接触的试验。其结果，在本实施例的磁盘中，从磁盘的内边缘部分到外边缘部分上，即使是浮起量是4nm也不产生接触。在磁盘的外边缘部分中，滑行高度是3.7nm。
<实施例2～6>
在实施例2～4中，使其含有作为缓冲剂的酒石酸，通过调整镜面研磨工序中的研磨液的组成，使研磨液的pH值在大于等于1.0且小于等于3.0的范围内变化。其它的条件与实施例1是同样的。通过添加缓冲剂，即使在这些实施例2～4中，镜面研磨工序的随时间变化的研磨液的pH值中也没有变动，可将该研磨液的液体性质保持为大致恒定。
另一方面，在实施例5、6中，使其含有作为缓冲剂的酒石酸，通过调整镜面研磨工序中的研磨液的组成，使研磨液的pH值在不到1.0或超过3.0的范围内变化。其它的条件与实施例1是同样的。通过添加缓冲剂，即使在这些实施例5、6中，镜面研磨工序的随时间变化的研磨液的pH值中也没有变动，可将该研磨液的液体性质保持为大致恒定。
上述的结果证实了在实施例2～6中可减少镜面研磨工序的随时间变化的加工速度的变动。通过这样做，例如在大量生产上述磁盘用玻璃衬底的情况下，可减少加工速度的变动。
在图2中示出实施例2～6中的研磨液的pH值与研磨加工速度的关系。根据图2，证实了只要是含有作为缓冲剂的酒石酸的情况且研磨液的pH值为大于等于1.0且小于等于3.0，就可实现特别有利的研磨加工速度。
<比较例1>
在比较例1中，在镜面研磨工序中的研磨液中未含有作为缓冲剂的酒石酸。通过调整在研磨液中含有的硫酸的量，将研磨液的pH值调整为2.0。此外，其它的条件与实施例1是同样的。而且，在实施例1和比较例1中分别实施了1000片的磁盘用玻璃衬底的制造时，在实施例1中，在镜面研磨处理时没有pH值的变动，且可保持为大致恒定，而在比较例1中，pH值随时间上升，研磨加工速度减小。此外，在比较例1的情况下，随着批次数变多，玻璃衬底的主表面的粗糙度与实施例1中的相同批次数的主表面的粗糙度相比变粗了。
在该比较例1的情况下，镜面研磨处理所需要的加工时间变长了。即，在比较例1的情况下，伴随镜面研磨工序的经过，研磨液的pH值上升，研磨加工速度下降。即，证实了通过在研磨液中混合缓冲材料，可提高磁盘用玻璃衬底和磁盘的生产性。
〔参考例〕
接着，说明既将pH值保持在既定的范围内(与实施例同样的范围)又改变了研磨砂粒的ζ电位等的各种条件的情况下的实验例(参考例)。再有，以下的参考例是相对地比较了各参考例的例子，充分地起到本发明的效果，不对本发明作任何的限定。
<参考例1～4>
在参考例1～3中，将镜面研磨工序中的研磨液中的研磨砂粒的ζ电位定为小于等于-10mV。其它的条件与实施例1是同样的。
另一方面，在参考例4中，将镜面研磨工序中的研磨液中的研磨砂粒的ζ电位定为大于等于-10mV且小于等于0mV。其它的条件与实施例1是同样的。
在图3中示出参考例1～4中的研磨砂粒的ζ电位与上述的Duboff值的关系。根据图3，证实了在ζ电位小于等于-10mV的范围内，Duboff值较小，且实施镜面研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状是特别良好的。
再有，在镜面研磨处理后的清洗工序后使用电泳光散射法对上述Duboff值进行了测定。具体地说，测定了从玻璃衬底(制作φ65mm盘的情况)的中心起29.9～31.5mm的范围。
此外，在使用上述的玻璃衬底1制造垂直磁记录方式的磁盘并实施与实施例1同样的磁头碰撞试验和滑行高度试验时，在参考例1～3中显示了与实施例同样的结果。但是，参考例4发生了因磁头的接触引起的碰撞。根据这一点，可知磁盘用玻璃衬底的端部形状是重要的，证实了如果端部形状差则在作成了磁盘的情况下会发生磁头碰撞。
<参考例5>
在参考例5中，在预备研磨工序中使用了不含有氧化铈和氧化锆的任一种的研磨垫。其它的条件与实施例1是同样的。
其结果，在预备研磨工序结束后的玻璃衬底1的表面上残存了若干缺陷。因而，为了对该玻璃衬底1实施镜面研磨工序以得到与实施例1同样的镜面品质，需要比实施例1更长的研磨时间。即，证实了通过使用含有氧化铈或氧化锆等的研磨砂粒的研磨垫来实施预备研磨工序可提高磁盘用玻璃衬底和磁盘的生产性。
<参考例6>
在参考例6中，在预备研磨工序中，未从在研磨液中含有的氧化铈研磨砂粒去除粗大粒子。在测定了研磨液时，在研磨液中含有的研磨砂粒的最大值是10μm、平均值是1.6μm、D50值是1.6μm。
其结果，在预备研磨工序结束后的玻璃衬底1的表面上残存了若干缺陷。因而，为了对该玻璃衬底1实施镜面研磨工序以得到与实施例1同样的镜面品质，需要比实施例1更长的研磨时间。即，证实了通过在实施预备研磨工序时预先从研磨液去除粗大粒子，可提高磁盘用玻璃衬底和磁盘的生产性。
〔第2实施方式〕
以下说明本发明中的另一实施方式(第2实施方式)。再有，为了说明的方便，省略对与上述第1实施方式相同的内容的说明。
根据本发明人的进一步的研究，发现了研磨液中含有的研磨砂粒的分散性对研磨后的玻璃衬底的端部形状和表面粗糙度产生影响。即，查明了在研磨砂粒的分散性差的情况下，研磨砂粒相互间凝集，使研磨后的玻璃衬底的端部形状和表面粗糙度变差。
而且，本发明人为了提高研磨工序中的研磨砂粒的分散性而从各种各样的角度研究了问题，其结果，研磨砂粒的ζ电位引起了注意。而且，发现了在研磨砂粒的分散度或凝集度与ζ电位之间存在一定的关系，同时发现了ζ电位与端部形状和表面粗糙度之间存在的因果关系。
本发明人根据上述的见解，完成了在玻璃衬底的镜面研磨后能得到良好的端部形状的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法的发明。以下说明基于上述见解的本发明的实施方式(第2实施方式)。
根据本实施方式的磁盘用玻璃衬底的制造方法具有镜面研磨工序，在该工序中，使研磨垫与玻璃衬底的表面接触，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以研磨上述玻璃衬底的表面，控制上述研磨液的凝集度或分散度来进行该镜面研磨工序，以使表示利用镜面研磨工序得到的玻璃衬底的端部形状的Duboff在±10nm以内。
在以下的说明中，作为控制上述研磨液中的研磨砂粒的凝集度或分散度的方法，说明通过控制研磨砂粒的ζ电位来实现的方法。再有，能控制上述研磨液的凝集度和分散度的方法不限定于此，例如有添加分散材料的方法等各种各样的方法，本发明不限定于控制ζ电位。
(研磨砂粒的ζ电位)
在研磨液中分散的研磨砂粒具有ζ电位，但在ζ电位与±10mV相比更接近于0mV的情况下，容易产生研磨砂粒的凝缩，研磨液中的研磨砂粒的分散性变差。而且，如果研磨砂粒的分散性变差，则在进行研磨工序时，玻璃衬底1的端部附近的研磨砂粒的流动性下降，存在实施了研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状变差的可能性。此外，ζ电位根据对象粒子的组成可成为+或-。而且，可作为研磨砂粒使用的胶体二氧化硅(胶体状二氧化硅)的ζ电位例如在pH大于等于3.0的情况下为负，在pH为2.0～3.0的情况下为接近于零，在小于该值(pH比1.0低)的情况下为正。
再有，对于其它的条件(例如，玻璃衬底、研磨装置、研磨条件等)，由于与第1实施方式相同，故省略在此的说明。
而且，通过调整研磨液以便形成上述条件并使用该研磨液进行镜面研磨工序，可制造与以往相比端部形状优良的磁盘用玻璃衬底。
(第2实施方式的效果)
根据第2实施方式的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法，可起到以下的效果(a)～(c)和上述第1实施方式中所述的效果(a)～(g)。
(a)根据第2实施方式，通过将研磨液中的研磨砂粒的ζ电位定为小于等于-10mV或大于等于+10mV(即，绝对值比10mV大的范围)，镜面研磨工序中的玻璃衬底1的端部附近的研磨砂粒不会凝集，且可流动。因而，由于可防止凝集了的研磨砂粒停留在端部附近，故可改善实施镜面研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状(即减小Duboff值)。即，可提供即使是在磁盘的外边缘附近磁头也能进行信息的记录重放的磁盘和磁盘用玻璃衬底。
(b)根据第2实施方式，因为在研磨液中包含了缓冲剂，故将研磨液的pH值保持在一定的范围内，且研磨加工速度不下降。因而，可提供生产性高的磁盘用玻璃衬底的制造方法和磁盘的制造方法。
(c)根据第2实施方式，因为在研磨液中包含了缓冲剂，故将研磨液的pH值保持在一定的范围内，研磨加工速度不下降。即，可对一度使用过的研磨液进行循环再利用。因而，可抑制工业废弃物的排出量。可实现考虑了地球环境的磁盘用玻璃衬底的大量生产。
(实施例)
接着，结合比较例对根据本发明的上述实施方式的实施例进行说明。
<实施例1>
除了将镜面研磨工序设为以下的工序外，利用与第1实施方式中的实施例1同样的方法制造了磁盘用玻璃衬底。
(镜面研磨工序)
使用一次能研磨100片～200片玻璃衬底的两主表面的研磨装置10实施了镜面研磨工序。使用了软质的抛光布作为研磨垫。
在超纯水中添加硫酸和酒石酸，进而添加粒径为40nm的胶体状二氧化硅粒子，以制成镜面研磨工序中的研磨液。此时，通过调整研磨液中的硫酸浓度，使研磨液的pH值成为1.8。此外，将酒石酸的浓度定为0.8重量％，将胶体状二氧化硅粒子的含有量定为10重量％。测定了研磨液的电导率是6mS/cm。而且，此时的研磨砂粒的ζ电位是-11.3mV。
再有，在进行镜面研磨处理时，研磨液的pH值没有变动，可保持为大致恒定。
在本实施例中，通过使用排液管回收供给了玻璃衬底1的表面的研磨液，用网眼状过滤器去除异物并进行了净化，然后再次供给玻璃衬底1进行了再利用。
镜面研磨工序中的研磨加工速度是0.25μm/分钟，证实了在上述的条件下可实现有利的研磨加工速度。再有，所谓研磨加工速度是通过用为了完成既定镜面所必需的玻璃衬底1的厚度的削减量(加工取代)除以所希望的研磨加工时间来求出的。
(磁盘用玻璃衬底的检查工序)
接着，对磁盘用玻璃衬底进行了检查。在用AFM(原子力显微镜)测定了玻璃衬底表面的粗糙度时，最大峰高度(Rp)是1.8nm，算术平均粗糙度(Ra)是0.25nm。此外，表面是清洁的镜面状态，在表面上不存在妨碍磁头的浮起的异物或成为热不均匀问题的原因的异物。
(磁盘制造工序)
接着，通过在上述的磁盘用玻璃衬底上，在玻璃衬底的表面上依次形成由Cr合金构成的附着层、由CoTaZr基合金构成的软磁性层、由Ru构成的基底层、由CoCrPt基合金构成的垂直磁记录层、由碳化氢构成的保护层、由全氟聚醚构成的润滑层，制成垂直磁记录盘。
(磁盘的检查工序)
接着进行了如以上那样制造的磁盘的检查。
首先，实施了使用浮起量是8nm的检查用磁头在磁盘上浮起移动的磁头碰撞试验。其结果，磁头未与异物等接触，且未产生碰撞问题。
其次，在重放元件部是磁致电阻效应型元件、记录元件部是单磁极型元件、使用浮起量是8nm的磁头进行了利用垂直记录方式的记录重放试验时，确认了能正常地记录、重放信息。此时，在重放信号中未检出热不均匀信号，可以每平方英寸100千兆比特进行记录重放。
其次，进行了磁盘的滑行高度试验。该试验是使检查用磁头的浮起量逐渐地降低以确认产生检查用磁头与磁盘接触的浮起量的试验。其结果，在根据本实施例的磁盘中，从磁盘的内边缘部分到外边缘部分上，即使是浮起量是4nm也不会产生接触。在磁盘的外边缘部分中的滑行高度是3.7nm。
<实施例2～3和比较例1>
在实施例2～3中，将镜面研磨工序中的研磨液中的研磨砂粒的ζ电位调整为小于等于-10mV。其它的条件与实施例1是同样的。另一方面，在比较例1中，将镜面研磨工序中的研磨液中的研磨砂粒的ζ电位调整为大于等于-10mV且小于等于0mV。其它的条件与实施例1是同样的。
在图4中示出实施例1～3和比较例1中的研磨砂粒的ζ电位与上述的Duboff值的关系。根据图4，证实了在ζ电位小于等于-10mV的范围内，Duboff值较小，且实施镜面研磨工序后的玻璃衬底1的端部形状是良好的。
再有，在镜面研磨处理后的清洗工序后使用电泳光散射法对上述Duboff值进行了测定。具体地说，测定了从玻璃衬底(制作φ65mm盘的情况)的中心起29.9～31.5mm的范围。
此外，在使用上述的玻璃衬底1制造垂直磁记录方式的磁盘并实施了与实施例1同样的磁头碰撞试验和滑行高度试验时，在实施例2～3中未发生因磁头的接触引起的碰撞。但是，比较例1发生了因磁头的接触引起的碰撞。根据这一点，可知磁盘用玻璃衬底的端部形状是重要的，证实了如果端部形状差则在制成了磁盘的情况下会发生磁头碰撞。
〔参考例〕
接着，说明既设研磨砂粒的ζ电位与实施例1同样又改变了研磨液的pH值等各种条件的情况下的实验例。再有，以下的参考例是相对地比较了各参考例的例子，充分地起到本发明的效果，不对本发明作任何的限定。
<参考例1～6>
在参考例1～4中，通过调整镜面研磨工序中的研磨液的组成，在大于等于1.0且小于等于3.0的范围内改变了研磨液的pH值。其它的条件与实施例1是同样的。
另一方面，在参考例5、6中，通过调整镜面研磨工序中的研磨液的组成，在不到1.0或超过3.0的范围内改变了研磨液的pH值。其它的条件与实施例1是同样的。
在图5中示出参考例1～6中的研磨液的pH值与研磨加工速度的关系。根据图5，证实了只要研磨液的pH值大于等于1.0且小于等于3.0，就可实现有利的研磨加工速度。
<参考例7>
在参考例7中，在镜面研磨工序中的研磨液中未含有作为缓冲剂的酒石酸。通过调整在研磨液中含有的硫酸的量，将研磨液的pH值调整为2.0。此外，其它的条件与实施例1是同样的。
其结果，伴随镜面研磨工序的进行，研磨液的pH值上升，研磨加工速度下降。即，证实了通过在研磨液中混合缓冲剂，可提高磁盘用玻璃衬底和磁盘的生产性。
<参考例8>
在参考例8中，在预备研磨工序中使用了不含有氧化铈和氧化锆中的任一种的研磨垫。其它的条件与实施例1是同样的。
其结果，在预备研磨工序结束后的玻璃衬底1的表面上残存了若干缺陷。因而，为了对该玻璃衬底1实施镜面研磨工序以得到与实施例1同样的镜面品质，与需要比实施例1更长的研磨时间。即，证实了通过使用含有氧化铈或氧化锆等的研磨砂粒的研磨垫来实施预备研磨工序可提高磁盘用玻璃衬底和磁盘的生产性。
<参考例9>
在参考例9中，在预备研磨工序中未从在研磨液中含有的氧化铈研磨砂粒去除粗大粒子。在测定了研磨液时，在研磨液中含有的研磨砂粒的最大值是10μm，平均值是1.6μm，D50值是1.6μm。
其结果，在预备研磨工序结束后的玻璃衬底1的表面上残存了若干缺陷。因而，为了对该玻璃衬底1实施镜面研磨工序以得到与实施例1同样的镜面品质，需要比实施例1更长的研磨时间。即，证实了通过在实施预备研磨工序时预先从研磨液去除粗大粒子，可提高磁盘用玻璃衬底和磁盘的生产性。

Claims (29)

1.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法，具有镜面研磨工序，在该镜面研磨工序中，使研磨垫与玻璃衬底的表面接触，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以研磨上述玻璃衬底的表面，其特征在于：
将上述研磨液的pH值保持在既定的范围内。
2.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
将上述研磨液的pH值保持为大于等于1.0且小于等于3.0。
3.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述研磨液含有用于使上述研磨液的pH值成为酸性的无机酸和用于使上述研磨液的pH值保持为恒定的缓冲剂。
4.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述无机酸是硫酸。
5.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述缓冲剂是有机酸。
6.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述有机酸是酒石酸或马来酸。
7.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述研磨液中含有的上述研磨砂粒是胶体状二氧化硅粒子。
8.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述玻璃衬底含有网眼结构的玻璃骨架和修饰该网眼结构的修饰离子。
9.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述玻璃衬底含有大于等于58重量％且小于等于75重量％的SiO2、大于等于5重量％且小于等于23重量％的Al2O3、大于等于3重量％且小于等于10重量％的Li2O和大于等于4重量％且小于等于13重量％的Na2O作为主要成分。
10.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
在上述镜面研磨工序中，隔着上述研磨垫地用上台面和下台面夹住上述玻璃衬底，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，通过使上述玻璃衬底与上述上台面和上述下台面相对地移动，对上述玻璃衬底的表面进行镜面研磨。
11.如权利要求10中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述上台面和上述下台面由对于酸具有耐蚀性的材料构成。
12.如权利要求1中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
在上述镜面研磨工序之前具有预先研磨上述玻璃衬底的表面的预备研磨工序，
在上述预备研磨工序中，使研磨垫与上述玻璃衬底的表面接触，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以研磨上述玻璃衬底的表面，
上述预备研磨工序中的上述研磨砂粒是粒径不到4μm的氧化铈粒子。
13.如权利要求12中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述预备研磨工序中的上述研磨垫含有氧化锆粒子或氧化铈粒子。
14.一种磁盘的制造方法，其特征在于：
在使用如权利要求1至13中的任一项所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造的玻璃衬底上形成磁性层。
15.一种垂直磁记录盘的制造方法，其特征在于：
是如权利要求14中所述的磁盘的制造方法，且
在上述玻璃衬底上形成至少1层软磁性层。
16.一种磁盘用玻璃衬底的制造方法，具有镜面研磨工序，在该镜面研磨工序中，使研磨垫与多成分系列的玻璃衬底的表面接触，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以研磨上述玻璃衬底的表面，其特征在于：
控制上述研磨液的凝集度或分散度来进行该镜面研磨工序，以使表示利用镜面研磨工序得到的玻璃衬底的端部形状的Duboff值在±10nm以内。
17.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
使上述研磨液中含有的上述研磨砂粒的ζ电位小于等于-10mV或大于等于+10mV。
18.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述研磨液呈酸性。
19.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
在上述研磨液的pH值是2.0的情况下，上述研磨砂粒的ζ电位小于等于-10mV或大于等于+10mV。
20.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
在上述研磨液的pH值是3.0的情况下，上述研磨砂粒的ζ电位小于等于-30mV或大于等于+30mV。
21.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述研磨液中含有的上述研磨砂粒是胶体状二氧化硅粒子。
22.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述玻璃衬底含有网眼结构的玻璃骨架和修饰该网眼结构的修饰离子。
23.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述玻璃衬底含有大于等于58重量％且小于等于75重量％的SiO2、大于等于5重量％且小于等于23重量％的Al2O3、大于等于3重量％且小于等于10重量％的Li2O和大于等于4重量％且小于等于13重量％的Na2O作为主要成分。
24.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
在上述镜面研磨工序中，隔着上述研磨垫地用上台面和下台面夹住上述玻璃衬底，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，通过使上述玻璃衬底与上述上台面和上述下台面相对地移动，对上述玻璃衬底的表面进行镜面研磨。
25.如权利要求24中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述上台面和上述下台面由对于酸具有耐蚀性的材料构成。
26.如权利要求16中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
在上述镜面研磨工序之前具有预先研磨上述玻璃衬底的表面的预备研磨工序，
在上述预备研磨工序中，使研磨垫与上述玻璃衬底的表面接触，对上述玻璃衬底的表面供给含有研磨砂粒的研磨液，使上述玻璃衬底与上述研磨垫相对地移动以研磨上述玻璃衬底的表面，
上述预备研磨工序中的上述研磨砂粒是粒径不到4μm的氧化铈粒子。
27.如权利要求26中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法，其特征在于：
上述预备研磨工序中的上述研磨垫含有氧化锆粒子或氧化铈粒子。
28.一种磁盘的制造方法，其特征在于：
在使用如权利要求16至27的任一项中所述的磁盘用玻璃衬底的制造方法制造了的玻璃衬底上形成磁性层。
29.如权利要求28中所述的磁盘的制造方法，其特征在于：
在上述玻璃衬底上形成至少1层软磁性层。
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