CN102473425B - 磁盘用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的一个目的是在磁盘用玻璃基板中，在不增大玻璃基板表面的粗糙度的情况下，将附着在玻璃基板表面的金属系污染物质有效地除去。在磁盘用玻璃基板的制造方法中，设置有这样的清洗工序：该清洗工序具有使玻璃基板与包含过二硫酸盐的pH2～4的清洗液相触的处理。另外，作为清洗液的一例，可以通过在酸性溶液中添加过二硫酸钠来制作。

Description

磁盘用玻璃基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种磁盘用玻璃基板的制造方法。

背景技术

随着信息化技术的提高，信息记录技术、特别是磁记录技术正在显著进步。在用于磁记录介质之一的HDD(硬盘驱动器)等的磁盘中，正在持续进行快速的小型化、薄板化及记录密度的增加和存取速度的高速化。在HDD中，使具有磁性层的磁盘在圆盘状的基板上高速旋转，使磁头在该磁盘上浮起飞行，与此同时进行记录和再生。

伴随存取速度的高速化，磁盘的旋转速度也变快，因而对磁盘来说要求更高的基板强度。另外，伴随记录密度的增加，磁头也从薄膜磁头向磁阻磁头(MR磁头)、巨磁阻磁头(GMR磁头)发展，磁头从磁盘的浮起量变窄，至多为8nm左右。因此，当磁盘面上具有凹凸形状时，有时会出现磁头碰撞所致的破碎损害、和/或由空气的绝热压缩或接触导致加热而出现读取错误的过热(thermalasperity)损害。为了抑制这种对磁头产生的损害，将磁盘的主表面预先加工成极平滑的表面变得极为重要。

因而目前，作为磁盘用的基板，逐渐使用玻璃基板代替以往的铝基板。这是因为，与由软质材料的金属构成的铝基板相比，由硬质材料的玻璃构成的玻璃基板在基板表面的平坦性、基板强度和刚性方面优异。这些用于磁盘的玻璃基板通过对其主表面实施磨削加工和/或研磨加工等来制造。作为玻璃基板的磨削加工和/或研磨加工，有使用具有行星齿轮机构的双面研磨装置进行加工的方法。在行星齿轮机构中，将玻璃基板夹在贴有研磨衬垫(研磨布)的上下平板之间，在研磨衬垫和玻璃基板之间供给混悬有磨料(浆料)的研磨液，同时将该玻璃基板相对于上下平板进行相对移动，由此将玻璃基板的主表面加工成规定的平滑表面(例如，参见专利文献1)。

另外，在使用磨削加工和/或研磨加工等进行了表面平滑化处理的磁盘用玻璃基板上，形成数nm级的薄膜(磁性层)，进行记录和再生磁道的形成等。因此，在磁盘用玻璃基板的制造工序中，在通过磨削加工和/或研磨加工等进行平滑化处理的同时将玻璃基板表面的极微少的污染也除去以保持该基板表面的清洁成为重要的课题。

另外，玻璃基板还具有作为脆性材料的侧面。因此，在磁盘用玻璃基板的制造工序中，进行强化处理(玻璃强化工序)：将玻璃基板浸渍在经加热的化学强化液中，通过离子交换将玻璃基板表层的锂离子、钠离子分别置换为化学强化液中的钠离子、钾离子，由此在玻璃基板的表层形成压缩应力层，使玻璃基板强化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-214219号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在磁盘用玻璃基板的制造工序中，如专利文献1所示，在磨削装置、研磨装置中有时使用不锈钢制的部件。另外，在化学强化工序中也有时使用不锈钢制的材料。也就是说，在进行使用不锈钢制装置的工序的情况下，有可能从这些装置中产生由不锈钢引起的金属系污染物质，并附着在玻璃基板上。

在对玻璃基板造成影响的污染中，特别是附着金属系微粒的污染，在磁性层成膜后的表面产生凹凸，成为使制品的记录和再生等的电特性及成品率下降的原因，因而需要在磁记录盘用玻璃基板的制造工序中将其除去。特别是考虑到磁头从磁盘的浮起量随着记录密度的提高而越发减小，对于装置的材质引起的污染物也需要进行考虑。

但是，来源于不锈钢的金属系污染物质难以被腐蚀，用清洗工序中一般使用的酸性水溶液和/或碱性水溶液等清洗液难以除去，为了除去这些金属系污染物质，需要使用具有强力反应性的酸性溶液(例如，王水)等。

另一方面，当使用具有强力反应性的酸性溶液作为清洗液时，玻璃基板的表面也受到影响，存在表面粗糙度增大的问题。因此，为了进一步提高玻璃基板表面的平滑性和清洁度，要求进行清洗处理，该清洗处理使用能有效去除牢固地附着在玻璃基板上的金属系污染物质且不会对玻璃基板产生影响的清洗液。

另外，近年来，为了进一步提高记录密度，开发出了在磁头上搭载DFH(DynamicFlyingHeight，动态飞行高度)技术的HDD。通过该技术，磁头元件部比以往更加接近介质表面，可以减小磁距，但另一方面已知，在使用DFH磁头时，需要使磁盘的主表面比以往更加平滑且洁净，杂质等缺陷少。对于DFH磁头，认为是因为，并不是减少磁头本体的浮起量来接近磁盘表面，而是仅在磁头元件部周边突出而接近介质表面，因此，即使是极小的表面凹凸的混乱和/或与杂质的接触都会导致磁头元件部受到影响。例如，为了使每张2.5英寸的磁盘实现500GB以上的记录密度，要求将突出的磁头元件部和磁盘之间的间隔优选设定为1nm以下。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的之一在于在磁盘用玻璃基板中，不增加玻璃基板表面的粗糙度，有效地除去附着于玻璃基板表面的金属系污染物质。

解决课题的手段

本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法为具有玻璃基板的清洗工序的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，清洗工序具有使玻璃基板与包含过二硫酸盐的pH2～4的清洗液相接触的处理。

在本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法中，清洗液的过二硫酸盐的浓度优选设定为0.005mol/L～1mol/L。

在本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法中，过二硫酸盐优选为过二硫酸铵。

在本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法中，优选将清洗液的pH设定为3～4。

在本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法中，优选通过使清洗液和玻璃基板接触来除去玻璃基板上的金属系金属污染物。

发明效果

根据本发明的一实施方式，通过进行具有使玻璃基板与包含过二硫酸盐的pH2～4的清洗液相接触的处理的清洗工序，可以在不增大玻璃基板表面的粗糙度的条件下，有效地除去附着在玻璃基板表面的金属系污染物质。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。予以说明，以下的说明是本发明的例示，并不限制本发明的范围。当然只要是符合本发明的主旨，其他实施方式也属于本发明的范畴。

为了谋求玻璃基板的进一步的平滑化和清洁度的提高，本发明人进行了研究，结果面临的问题是，由磁盘用玻璃基板的制造装置的材质引起的金属系污染物质附着在玻璃基板上，由通常的清洗处理不能将其充分除去。因此，对除去由不锈钢引起的金属系污染物质而不增大玻璃基板的表面粗糙度的方法进行了深入研究，结果发现了这样的方法：不制成强酸性条件，使用仅增加氧化力的清洗液，由此可以在不对玻璃基板表面造成影响的情况下有效地除去金属系污染物质。具体而言，发现，通过在酸性溶液中添加过二硫酸盐，制成在酸性氛围下对来源于不锈钢的金属污染物发挥特异性氧化力的清洗液。以下，对本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法的具体例进行说明。

本实施方式所示的磁盘用玻璃基板的制造方法的特征之一在于具备除去玻璃基板上的金属系污染物质的清洗工序，为了氧化并溶解玻璃基板上的金属系污染物质，该清洗工序使用包含过二硫酸根离子的清洗液进行。具体而言，可以使用包含过二硫酸根离子的清洗液在酸性条件下进行清洗。

由于过二硫酸根离子在酸性条件下发挥非常强的氧化力，因此，也使不锈钢等不易被腐蚀的金属系污染物质氧化并离子化而溶解在溶液中。由此，可以有效地除去附着于玻璃基板表面的金属系污染物质。

本实施方式所示的磁盘用玻璃基板的制造方法的特征在于，进行清洗工序，所述清洗工序具有使玻璃基板与包含过二硫酸盐的pH2～4的清洗液相接触的处理。清洗液可以通过在酸性溶液中添加过二硫酸盐来制作。

作为过二硫酸盐，可以使用过二硫酸铵、过二硫酸钠、过二硫酸钾等。过二硫酸铵为强氧化性物质，易溶于水(溶解度36.8％；20℃)按如下所示进行解离。

[化学式1]

过二硫酸盐在酸性溶液中发挥强氧化力，溶解牢固地附着于玻璃基板的金属系污染物质(氧化铁)。具体而言，过二硫酸在水中水解，生成酸性亚硫酸铵和过氧化氢，发挥极强力的氧化力。利用该氧化力，可以将牢固地附着于基板上的金属系污染物质氧化溶解在水中。

作为添加过二硫酸盐的酸性溶液，可以应用硫酸、硝酸等。另外，以清洗液的pH为2～4、优选pH为3～4的方式进行调整。pH低于2时，玻璃基板表面的粗糙度变大，pH超过4时，无法充分除去玻璃基板表面的金属污染物。

另外，清洗液中的过二硫酸盐的浓度优选设定为0.005mol/L～1mol/L。浓度低于0.005mol/L时，无法充分除去玻璃基板表面的金属污染物，即使超过1mol/L也无法得到更好的效果。

以下，对磁盘用基板的制造工序的各工序进行说明。予以说明，各工序的顺序可以适宜调换。

(1)坯料加工工序和第一抛光工序

首先，在坯料加工工序中，可以使用板状玻璃。该板状玻璃例如以熔融玻璃为材料，可以使用压制法和/或浮法、下拉法、再拉伸(redraw)法、熔融法等公知的制造方法制造。在这些方法中，若使用压制法，可以廉价地制造板状玻璃。

在第一抛光工序中，对盘状玻璃的两主表面进行抛光加工，主要调整玻璃基板的平坦度、板厚。该抛光加工可以通过利用行星齿轮机构的双面抛光装置，使用氧化铝系游离磨料来进行。具体来说，在盘状玻璃的两面从上下按压研磨平板，将含有游离磨料的磨削液供给到盘状玻璃的主表面上，使它们相对移动来进行抛光加工。通过该抛光加工，可以得到具有平坦的主表面的玻璃基板。

(2)形状加工工序(形成孔部的去芯工序、在端部(外周端部和内周端部)形成倒角面的倒角工序(倒角面形成工序))

在去芯工序中，例如，使用圆筒状的金刚钻在该玻璃基板的中心部形成内孔，做成圆环状的玻璃基板。在倒角工序中，利用金刚石磨石对内周端面和外周端面进行磨削，实施规定的倒角加工。

(3)第二抛光工序

在第二抛光工序中，与第一抛光工序同样地对得到的玻璃基板的两主表面进行第二抛光加工。通过进行该第二抛光工序，可以预先除去例如在前一工序即形状加工工序中形成于主表面上的微细凹凸形状，可以在短时间内完成后续的对主表面的研磨工序。

(4)端面研磨工序

在端面研磨工序中，通过刷磨法对玻璃基板的外周端面和内周端面进行镜面研磨。此时，作为研磨磨料，例如可以使用含有氧化铈磨料的浆料(游离磨料)。通过该端面研磨工序，玻璃基板的端面成为如下的镜面状态，该镜面状态能防止钠和钾发生析出、且可抑制成为过温等的成因的颗粒的产生及其向端面部分的附着。

(5)主表面研磨工序(第一研磨工序)

作为主表面研磨工序，首先实施第一研磨工序。第一研磨工序是以除去在上述抛光工序中残留于两主表面的伤痕和变形为主要目的的工序。在该第一研磨工序中，通过具有行星齿轮机构的双面研磨装置，使用硬质树脂磨光器进行两主表面的研磨。作为研磨剂，可以使用氧化铈磨料。将完成了第一研磨工序的玻璃基板用中性洗剂、纯水、IPA等进行清洗。

(6)化学强化工序

在化学强化工序中，对完成了上述抛光工序和研磨工序的玻璃基板实施化学强化处理。作为用于化学强化处理的化学强化液，例如可以使用硝酸钾(60％)和硝酸钠(40％)的混合溶液等。在化学强化处理中，将化学强化液加热至300℃～400℃，将清洗完毕的玻璃基板预热至200℃～300℃，在化学强化溶液中浸渍3小时～4小时，由此进行化学强化。在该浸渍时，为了对玻璃基板的两表面整体进行化学强化，优选在使多个玻璃基板以端面保持的方式收纳于保持架(holder)中的状态下进行。

这样，通过在化学强化溶液中进行浸渍处理，将玻璃基板表层的锂离子和钠离子分别置换为化学强化溶液中离子半径相对较大的钠离子和钾离子，使玻璃基板得到强化。将经过化学强化后的玻璃基板用硫酸清洗后，用纯水、IPA等清洗。

(7)主表面研磨工序(最终研磨工序)

然后，作为最终研磨工序，实施第二研磨工序。第二研磨工序是以将两主表面加工成镜面状为目的的工序。在第二研磨工序中，通过具有行星齿轮机构的双面研磨装置，使用软质发泡树脂磨光器进行两主表面的镜面研磨。作为浆料，可以使用比在第一研磨工序中使用的氧化铈磨料更微细的氧化铈磨料和/或胶体二氧化硅等。

(8)清洗工序

在最终研磨工序后，对玻璃基板实施清洗工序。清洗工序是以除去因化学强化工序和最终研磨工序而附着在玻璃基板表面的颗粒为目的的工序。

作为清洗工序，进行使玻璃基板与至少包含过二硫酸盐的pH2～4的清洗液相接触的清洗处理。具体而言，使玻璃基板浸渍于在硫酸中添加有过二硫酸铵(0.005mol/L～1mol/L)的清洗液中。清洗液的pH优选调整为2～4。通过该清洗处理，可以在不增大玻璃基板表面粗糙度的情况下，有效地除去附着于玻璃基板表面的由装置的材质(不锈钢)引起的金属系污染物质。另外，通过化学强化工序，即使在金属系污染物质牢固地附着于玻璃基板的情况下，通过进行上述清洗处理，也可以有效地除去金属系污染物质。特别是在用于化学强化工序的装置含有不锈钢制材质时，上述清洗处理有效。

予以说明，作为清洗工序，除上述清洗处理以外，也可以组合其它清洗处理。例如，通过组合碱清洗，可以起到更可靠地去除由酸和碱中的任一种无法彻底溶解的金属系污染物质的效果。

另外，在此显示的是在化学强化工序后进行使用包含过二硫酸盐的清洗液的清洗工序的方案，但也可以在化学强化工序前或者在化学强化工序前和化学强化工序后同时进行。例如，可以在第一抛光工序和/或第二抛光工序之后进行使用包含过二硫酸盐的清洗液的清洗处理。

<磁盘制造工序(记录层等形成工序)>

在经由上述工序得到的磁盘用玻璃基板的主表面上，依次形成例如附着层、软磁性层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层的膜，可以制造垂直磁记录盘。作为构成附着层的材料，可举出Cr合金等。作为构成软磁性层的材料，可举出CoTaZr基合金等。作为非磁性基底层，可举出颗粒非磁性层等。作为垂直磁记录层，可举出颗粒磁性层等。作为构成保护层的材料，可举出氢化碳等。作为构成润滑层的材料，可举出氟树脂等。例如，更具体来说，对于这些记录层等，可以使用串联式溅射装置，在玻璃基板上依次形成CrTi附着层、CoTaZr/Ru/CoTaZr软磁性层、CoCrSiO₂非磁性颗粒基底层、CoCrPt-SiO₂·TiO₂颗粒磁性层、氢化碳保护膜的膜，进而可以通过浸渍法形成全氟聚醚润滑层的膜。

予以说明，也可以使用Ru基底层来代替CoCrSiO₂非磁性颗粒基底层。另外，在软磁性层和基底层之间也可以追加NiW晶种层。另外，在颗粒磁性层和保护层之间还可以追加CoCrPtB磁性层。

下面，说明为明确本发明的效果而进行的实施例。

(实施例、比较例)

(1)素材加工工序

通过采用上模、下模、中间模的直接压制法将熔融的铝硅酸盐玻璃成型为盘状，得到无定形的板状玻璃。予以说明，作为铝硅酸盐玻璃，使用含有SiO₂：58重量％～75重量％、Al₂O₃：5重量％～23重量％、Li₂O：3重量％～10重量％、Na₂O：4重量％～13重量％作为主要成分的玻璃。另外，Li₂O也可以为大于0重量％且小于等于7重量％。

(2)第一磨削(抛光)工序

接着，对盘状的玻璃基板的两主表面进行抛光加工。通过利用行星齿轮机构的双面抛光装置，使用氧化铝系游离磨料进行该抛光加工。具体来说，在玻璃基板的两面从上下按压平板，并将包含游离磨粒的磨削液供给到板状玻璃的主表面上，使它们相对移动来进行抛光加工。通过该抛光加工，得到具有平坦的主表面的玻璃基板。

(3)形状加工工序(去芯、倒角)

接着，使用圆筒状的金刚钻，在该玻璃基板的中心部形成内孔，制成圆环状的玻璃基板(去芯)。然后，利用金刚石磨石对内周端面和外周端面进行磨削，实施规定的倒角加工(倒角)。

(4)第二抛光工序

接着，与第一抛光工序同样地对得到的玻璃基板的两主表面进行第二抛光加工。通过进行该第二抛光工序，可以预先除去在前面的工序即切去工序或端面研磨工序中形成于主表面上的微细的凹凸形状，使得可以在短时间内完成后续的对主表面的研磨工序。

(5)端面研磨工序

接着，通过刷磨法对玻璃基板的外周端面和内周端面进行镜面研磨。此时，作为研磨磨料，使用含有氧化铈磨料的浆料(游离磨料)。然后，将完成了端面研磨工序的玻璃基板用水清洗。通过该端面研磨工序，玻璃基板的端面被加工成可防止发生钠和钾析出的镜面状态。

(6)主表面研磨工序(第一研磨工序)

作为主表面研磨工序，首先实施第一研磨工序。该第一研磨工序的主要目的是除去在上述抛光工序中残留于主表面的伤痕和/或变形。在该第一研磨工序中，通过具有行星齿轮机构的双面研磨装置，使用硬质树脂磨光器进行主表面的研磨。作为研磨剂，使用氧化铈磨料。

将完成了该第一研磨工序的玻璃基板依次浸渍在中性洗剂、纯水、IPA(异丙醇)的各清洗槽中，进行清洗。

(7)化学强化工序

接着，对完成了主表面研磨工序的玻璃基板实施化学强化处理(离子交换处理)。准备混合有硝酸钾(60％)和硝酸钠(40％)的化学强化溶液，将该化学强化溶液预先加热至400℃，同时将清洗完毕的玻璃基板预热至300℃，在化学强化溶液中浸渍约3小时，由此进行化学强化。在该浸渍时，为了对玻璃基板的整个表面进行化学强化，在使多个玻璃基板以端面保持的方式收纳于保持架中的状态下进行。

这样，通过在化学强化溶液中进行浸渍处理，将玻璃基板表层的锂离子和钠离子分别置换为化学强化溶液中的钠离子和钾离子，从而强化了玻璃基板。

(8)主表面研磨工序(最终研磨工序)

接着，作为主表面研磨工序，实施第二研磨工序。该第二研磨工序的目的是，对形成于玻璃基板上的压缩应力层以仅减少规定膜厚的方式进行研磨加工，将该玻璃基板的两主表面加工成镜面状。在本实施例中，通过具有行星齿轮机构的双面研磨装置，使用软质发泡树脂磨光器进行主表面的镜面研磨。作为研磨剂，使用比在第一研磨工序中使用的氧化铈磨料更微细的胶体二氧化硅磨料(平均粒径5nm～80nm)。

(9)清洗工序

将完成了化学强化处理的玻璃基板浸渍在20℃的水槽中骤冷，维持约10分钟。其后，对完成了骤冷的玻璃基板实施最终研磨工序后，将其浸渍在分散、部分溶解有多种金属(Fe、Ni、Cr、Cu、Zn)氧化物的水溶液中，制作模拟污染基板。将该模拟污染基板浸渍在表1所示的各条件的包含过二硫酸盐的清洗液中，进行清洗处理。予以说明，模拟污染基板的杂质的初始计数平均为约10,000。进而，将完成了硫酸+过二硫酸铵清洗后的玻璃基板依次浸渍在纯水、IPA的各清洗槽中进行清洗。

(缺陷评价)

对实施例、比较例中所得的各玻璃基板，用光学式缺陷检测装置(KLA-Tencor公司制，商品名：OSA6100)检测缺陷。此时，作为测定条件，设定如下：激光功率25mW的激光波长为405nm、激光光斑直径为5μm，测定从玻璃基板的中心至15mm～31.5mm之间的区域。在检测到的尺寸大小为1.0μm以下的缺陷中，将固着的缺陷的个数(每24cm²)示于表1。予以说明，缺陷的个数通过如下方式测定：以清洗工序前的玻璃基板表面中的缺陷为基准，对清洗工序后残存在同一位置的缺陷的个数进行计数，由此测定缺陷的个数。予以说明，本实施例中的缺陷是指附着于玻璃基板表面的金属系污染物质(更具体地为微粒)。

(玻璃基板的表面测定)

对实施例、比较例中所得的各玻璃基板，使用原子力显微镜，以2μm×2μm见方、256×256像素的分辨率进行测定，求出表面粗糙度(算术平均粗糙度(Ra))。结果示于表1。

[表1]

作为磁盘，成为合格品的基准为该评价结果的缺陷个数低于200个且表面粗糙度为0.25nm以下的基板。予以说明，缺陷个数也可以低于229个，表面粗糙度也可以低于0.28nm。

由表1确认了在使用pH低于2的清洗液的情况下(比较例2～6)，玻璃基板的表面粗糙度变大。另外，在使用pH超过4的清洗液的情况下(比较例7～11)，玻璃基板的粗糙度没有变大，但玻璃基板的缺陷个数增多，无法充分除去附着在玻璃基板上的杂质。通过使用适量添加有过二硫酸盐的pH2～4的清洗液，可以在不增大玻璃基板表面的粗糙度的情况下，有效地除去附着在玻璃基板表面的金属系污染物质。

(DFH降落试验)

然后，在上述表1所示的实施例2、6、比较例3、8的条件下，重新使用没有进行模拟污染但进行了清洗工序的玻璃基板制作磁盘，使用KubotaComps公司制的HDF试验机(Head/DiskFlyabilityTester，磁头/磁盘飞行性能试验机)，进行DFH磁头元件部的降落试验。在该试验中，通过DFH机构将元件部慢慢地突出，通过AE传感器检测与磁盘表面的接触，由此评价磁头元件部与磁盘表面接触时的距离。磁头使用面向320GB/P磁盘(2.5英寸大小)的DFH磁头。元件部没有突出时的浮起量为10nm。另外，其他条件按如下所述进行设定。

磁盘：制造2.5英寸(内径20mm、外径65mm、板厚0.8mm)的玻璃基板，在该玻璃基板上形成记录层等的膜

评价半径：22mm

磁盘的转速：5400RPM

温度：25℃

湿度：60％

另外，在玻璃基板上的记录层的成膜按如下所述进行。首先，使用进行了抽真空的成膜装置，通过DC磁控溅射法，在Ar气氛中、在基板上依次形成附着层/软磁性层/前基底层/基底层/主记录层/辅助记录层/保护层/润滑层的膜。另外，只要不做特殊说明，成膜时的Ar气压就为0.6Pa。作为附着层，将Cr-50Ti制成10nm的膜。作为软磁性层，夹着0.7nm的Ru层而分别形成20nm的92Co-3Ta-5Zr膜。作为前基底层，将Ni-5W制成8nm的膜。作为基底层，在0.6Pa气压下将Ru制成10nm的膜，然后在其上在5Pa气压下将Ru制成10nm的膜。作为主记录层，在3Pa气压下将90(72Co-10Cr-18Pt)-5(SiO₂)-5(TiO₂)制成15nm的膜。作为辅助记录层，将62Co-18Cr-15Pt-5B制成6nm的膜。作为保护层，通过CVD法使用C₂H₄制成4nm的膜，对表层进行氮化处理。作为润滑层，通过浸涂法使用PFPE形成1nm的膜。

将DFH降落试验的结果示于表2。予以说明，在表2中，根据磁头元件部与磁盘接触的距离(计作x)，按如下所示进行评价。

○：x≤1.0nm

△：1.0nm＜x

[表2]

由表2可知，在使用采用实施例2、6的清洗条件的玻璃基板(无模拟污染)的情况下，可以使磁头元件部和磁盘接触的距离小至1.0nm以下。另一方面，在使用采用比较例3、8的清洗条件的玻璃基板(无模拟污染)的情况下，磁头元件部和磁盘接触的距离大于1.0nm。认为这是玻璃基板的表面粗糙度和/或缺陷个数影响的结果。根据该结果，通过使用适量添加有过二硫酸盐的pH2～4的清洗液，并采用进行了该清洗的玻璃基板形成磁盘，由此可以减小磁头元件部和磁盘的接触距离。

予以说明，本发明不局限于上述实施方式，可以适宜变更后实施。例如，上述实施方式中的材料、尺寸、处理过程、检测方法等只是其中的一个例子，在发挥本发明效果的范围内可以进行各种变更来实施。只要在不脱离本发明目的的范围内，就可以适宜进行其他变更来实施。

本申请基于2010年3月31日提交的日本特愿2010-082454。在此包含其全部内容。

Claims (8)

1.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法具有玻璃基板的清洗工序，其特征在于，所述清洗工序通过使玻璃基板与包含过二硫酸盐的pH2～4的清洗液接触的处理，溶解除去所述玻璃基板表面的金属系物质，由此对所述玻璃基板表面进行清洗处理。

2.如权利要求1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述清洗液的所述过二硫酸盐的浓度为0.005mol/L～1mol/L。

3.如权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述过二硫酸盐为过二硫酸铵。

4.如权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，将所述清洗液的pH设定为3～4。

5.如权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，通过使所述清洗液和所述玻璃基板接触，除去所述玻璃基板上的金属系金属污染物。

6.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法包括除去玻璃基板上的金属系污染物质的清洗工序，其特征在于，所述清洗工序通过使用包含过二硫酸根离子的清洗液在酸性条件下溶解除去所述玻璃基板表面的金属系物质，由此对所述玻璃基板表面进行清洗处理。

7.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法具有玻璃基板的清洗工序，其特征在于，所述清洗工序为了氧化并溶解玻璃基板上的金属系污染物质，使用包含过二硫酸根离子的清洗液，溶解除去所述玻璃基板表面的所述金属系污染物质，由此对所述玻璃基板表面进行清洗处理。

8.如权利要求6或7所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述清洗工序中，不损伤玻璃基板的表面粗糙度。