JP2018101451A - 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面が平坦化された磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。【解決手段】基板の主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する３画素、即ち１２ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ１２とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ１２ｋの平均高さＺｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ１２ｋ＋１の平均高さＺｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜８４まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜８４まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、８４×２５６個の平均高さの差のデータを下記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（１２）≦０．０８ｎｍである。【選択図】なし

Description

本発明は、磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、及び製造方法に関する。

従来、磁気記録媒体用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高記録密度化に伴い、アルミニウム合金基板に比べて表面の平滑性が高く、薄板における強度に優れたガラス基板が多く用いられている。磁気記録媒体用ガラス基板は、さらなる記録密度の高密度化を図るために、表面粗さを小さくすることが求められている。

磁気記録媒体の磁性層は、記録密度向上のため垂直磁性層が用いられるようになってきたが、垂直磁性層における磁性合金の結晶配向の揃い方が、記録再生特性（Ｓ／Ｎ比）に大きく影響を及ぼす。具体的には、磁性合金の結晶の磁化容易軸が垂直配向している状態が理想的であるが、配向が揃わないと再生信号におけるノイズ成分が増加してしまう。

垂直磁性層の結晶配向を揃えるために、垂直磁性層の下に配向膜及びさらに下地膜等を積層する方法が開示されているが、これらの膜を積層するガラス基板の主表面における表面形状も結晶配向に大きな影響を及ぼしている。

垂直磁性層の結晶配向を揃え磁気記録再生特性を向上させるために、ガラス基板の主表面をテープ研磨し、平均表面粗さＲａをある値以下となるように規定したり（例えば特許文献１）、高輝度下において目視により、研磨痕が少ない又は研磨痕が見えない状態のガラス基板を用いる方法等が提唱されている。

特開２００７−０２６５３６号公報

しかしながら、従来の方法では、表面の凹凸の状態を表面粗さＲａ等のある程度包括的な評価指標により評価していたため、基板の表面が細部に渡って充分に平坦化されているかどうかの判断が正しく行えなかった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、表面が高度に平坦化された磁気記録媒体用基板の提供を主な目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、以下のような磁気記録媒体用基板が提供される。
［１］基板の主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する３画素、即ち１２ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ１２とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ１２_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ１２_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜８４まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜８４まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、８４×２５６個の平均高さの差のデータを下記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（１２）≦０．０８ｎｍである磁気記録媒体用ガラス基板。

［２］前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する２画素、即ち８ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ８とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ８_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ８_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜１２７まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜１２７まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、１２７×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（８）≦０．０７ｎｍである［１］に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
［３］前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、１つの画素、即ち４ｎｍ×４ｎｍの領域を単位領域Ｒ４とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ４_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ４_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜２５５まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜２５５まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、２５５×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（４）≦０．０５ｎｍである［１］又は［２］記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
［４］前記主表面の算術平均粗さＲａが０．１０ｎｍ以下である［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
［５］前記主表面の算術平均粗さＲａが０．０９ｎｍ以下である［１］〜［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
［６］近接場光を用いた表面平坦化法を含む方法で製造された［１］〜［５］のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
［７］近接場光を用いた湿式表面平坦化法を含む方法で製造された［１］〜［６］のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
［８］近接場光を用いた湿式表面平坦化法を含む方法で製造された請求項［１］〜［５］のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
［９］近接場光を用いた湿式表面平坦化法が、近接場光によって塩素ラジカル、臭素ラジカル、ヨウ素ラジカル、活性酸素、及びヒドロキシル・ラジカルの群から選ばれる少なくとも１つを発生しうる化学物質の水溶液を用い、波長２００ｎｍ〜６００ｎｍの少なくとも１つの波長の光を含む光を照射してガラス基板を平坦化する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
［１０］前記製造方法により平坦化されたガラス基板が、前記ガラス基板の主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する３画素、即ち１２ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ１２とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ１２_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ１２_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜８４まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜８４まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、８４×２５６個の平均高さの差のデータを［１］に記載の式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（１２）≦０．０８ｎｍである［９］記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
［１１］前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する２画素、即ち８ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ８とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ８_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ８_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜１２７まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜１２７まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、１２７×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（８）≦０．０７ｎｍである［１１］記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
［１２］前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、１つの画素、即ち４ｎｍ×４ｎｍの領域を単位領域Ｒ４とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ４_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ４_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜２５５まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜２５５まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、２５５×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（４）≦０．０５ｎｍである［１０］又は［１１］記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
［１３］［１］〜［７］のいずれかに記載された磁気記録媒体用ガラス基板に磁気記録層を積層した磁気記録媒体。

本発明の一態様によれば、表面が高度に平坦化された磁気記録媒体用基板が提供される。

一実施形態による磁気記録媒体用ガラス基板の例を示す斜視図である。 一実施形態による磁気記録媒体の例を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るガラス基板の製造方法例を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る第１研磨工程、第２研磨工程、及び第３研磨工程の例を示す表である。 本発明の一実施形態に係る湿式のドレストフォトン研磨による処理例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る評価値の算出方法の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る評価結果の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る評価値の算出における算術平均粗さの一例を説明する図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において、同一又は対応する構成には、同一又は対応する符号を付して説明を省略する。また、本明細書において、数値範囲を示す「〜」は、その前後の数値を含む範囲を意味する。

（磁気記録媒体例）
図１は、一実施形態による磁気記録媒体用ガラス基板の例を示す斜視図である。具体的には、磁気記録媒体用基板は、例えば磁気記録媒体用ガラス基板１０（以下、単に「ガラス基板１０」という場合がある。）であり、磁気記録媒体用ガラス基板１０は、円盤状であって、中央部に円孔１３を有する。さらに、ガラス基板１０は、第１主表面１１及び第２主表面１２を有する。なお、ガラス基板１０は、例えばハードディスク（ｈａｒｄ ｄｉｓｋ）等に用いられる。

図２は、一実施形態による磁気記録媒体の例を示す断面図である。また、磁気記録媒体２０は、ガラス基板１０、磁性層２１、保護層２２、及び潤滑層２３等を有する。なお、磁性層２１、保護層２２、及び潤滑層２３は、この順で、ガラス基板１０が有する第１主表面１１に形成されるが、ガラス基板１０が有する第２主表面１２に形成されてもよく、これらの両主表面（第１主表面１１及び第２主表面１２）にそれぞれ形成されてもよい。

磁性層２１は、垂直磁気記録用が望ましく、この場合、記録面に対して垂直な磁化容易軸（磁気モーメントが向きやすい方向）を有する。また、記録密度向上の観点から、記録方式は、エネルギーアシスト磁気記録方式が望ましい。

磁性層２１が垂直磁気記録用である場合、磁性層２１は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｒ（クロム）、Ｆｅ（鉄）、及びＰｔ（白金）のうち、少なくとも１種類を含む材料で形成され、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金等で形成される。さらに、磁性層２１は、グラニュラ（ｇｒａｎｕｌａｒ）構造とするため、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金等の磁性材料に対し、酸化物、半金属元素、又は金属元素が添加された材料であるのが望ましい。なお、酸化物としては、例えばＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）、Ｃｒ_２Ｏ_３（酸化クロム）、ＣｏＯ（酸化コバルト）、Ｔａ_２Ｏ_５（五酸化タンタル）、又はＴｉＯ_２（酸化チタン）が用いられる。さらに、半金属元素としては、例えばＢ（ホウ素）が用いられる。さらにまた、金属元素としては、例えばＣｒ、Ｃｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）、又はＺｒ（ジルコニウム）が用いられる。

磁性層２１は、非磁性層と交互に積層されてもよい。これにより、磁性層２１を反強磁性交換結合させることができる。なお、非磁性層は、例えばＲｕ（ルテニウム）又はＲｕ合金で形成され、例えば０．６〜１．２ｎｍの厚さを有する。

磁性層２１とガラス基板１０との間には、下地層がさらに形成されてもよい。具体的には、磁性層２１が垂直磁気記録用である場合、下地層は、Ｃｏ、Ｆｅ、又はＮｉ（ニッケル）等の軟磁性材料で形成され、ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たす。なお、軟磁性材料としては、ＦｅＣｏ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＡｌ（アルミニウム）系合金、ＦｅＣｒ系合金、ＦｅＴａ系合金、ＦｅＭｇ（マグネシウム）系合金、ＦｅＺｒ系合金、ＦｅＣ（炭素）系合金、ＦｅＮ（窒素）系合金、ＦｅＳｉ（ケイ素）系合金、ＦｅＰ（リン）系合金、ＦｅＮｂ（ニオブ）系合金、ＦｅＨｆ（ハフニウム）系合金、又はＦｅＢ系合金等が用いられる。

ガラス基板１０と下地層との間には、密着層がさらに形成されてもよい。具体的には、密着層は、ガラス基板１０の吸着ガス、吸着水分、及びガラス基板１０からの拡散成分等による下地層の腐食を抑制する。なお、密着層の材料には、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ（チタン）、又はＴｉ合金等が用いられる。また、密着層の厚さは、例えば２〜４０ｎｍである。さらに、密着層の形成方法としては、例えばスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）法等が用いられる。

磁性層２１と下地層との間には、配向制御層がさらに形成されてもよい。具体的には、配向制御層は、磁性層の結晶粒を微細化し、記録再生特性を向上させる。なお、配向制御層の材料としては、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＰｔとＡｕ（金）とＡｇ（銀）とのうち少なくとも１つを含む材料、ＣｏＣｒ系合金、Ｔｉ、又はＴｉ合金等が用いられる。さらに、配向制御層は、垂直磁気記録用の磁性層２１のエピタキシャル成長を容易にする機能及び下地層と磁性層との磁気交換結合を断つ機能等を有する。

配向制御層と下地層との間には、シード層がさらに形成されてもよい。なお、シード層は、配向制御層の結晶粒径を制御する。さらに、シード層は、例えばＮｉＷ（タングステン）系合金で形成される。

保護層２２は、磁性層２１の腐食を防止し、かつ、ヘッドとの接触による磁性層２１の傷の発生を少なくする。なお、保護層２２の材料としては、Ｃ、ＺｒＯ_２（ジルコニア）、又はＳｉＯ_２等が用いられる。また、保護層２２の形成方法としては、例えばスパッタ法又はＣＶＤ（化学気相成長）法等が用いられる。

潤滑層２３は、ヘッドとの摩擦を低減する。なお、潤滑層２３の材料としては、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、又はフッ素化カルボン酸等が用いられる。さらに、潤滑層２３の形成方法としては、例えばディップ（浸漬）法又はスプレー法等が用いられる。

磁気記録媒体２０の記録密度は、例えば６６０Ｇｂｉｔ／ｉｎ（インチ）^２、７５０Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ^２のいずれでもよく、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ^２を超えてもよい。

（ガラス基板の製造方法例）
図３は、本発明の一実施形態に係るガラス基板の製造方法例を示すフローチャートである。具体的には、図３に示すように、ガラス基板の製造方法は、素板加工工程Ｓ１１、面取工程Ｓ１２、第１ラップ工程Ｓ１３、端面研磨工程Ｓ１４、第２ラップ工程Ｓ１５、第１研磨工程Ｓ１６、第１洗浄工程Ｓ１７、第２研磨工程Ｓ１８、第２洗浄工程Ｓ１９、第３研磨工程Ｓ２０、及び第３洗浄工程Ｓ２１を有する。これらの工程は、必要に応じて、１つの工程をさらに２以上の工程に分けたり、特定の工程を設け無くしたり、強化工程、洗浄工程等をさらに付け加えたりすることもできる。

素板加工工程Ｓ１１は、ガラス素板を加工することにより、中央部に円孔を有する円盤状のガラス基板を得る。なお、ガラス素板は、例えばフロート（ｆｌｏａｔ）法、フュージョン（ｆｕｓｉｏｎ）法、プレス成形（ｓｔａｍｐｉｎｇ）法、ダウンドロー（ｄｏｗｎ ｄｒａｗ）法、又はリドロー（ｒｅｄｒａｗ）法等で成形される。

面取工程Ｓ１２は、面取砥石でガラス基板の端面（内周端面及び外周端面）を研削することにより、ガラス基板の端面に面取部（例えば２つの主表面と、端面の垂直面と、それらの間に設けた２つの傾斜面とにより形成される４つの頂部を円弧状に形成した部分）を形成する。なお、各傾斜面は、ガラス基板の主表面と、主表面に対して垂直な垂直面との間に形成された斜めの面である。この傾斜面は、平面でなくてもよく、丸みを帯びた曲面でもよい。さらに、端面全体が円弧状の鏡面で構成されていてもよいし、端面の垂直面が垂直から少し傾いた傾斜面であってもよい。

第１ラップ工程Ｓ１３では、ガラス基板の両主表面が研削される。具体的には、ガラス基板の両主表面を同時に研削する両面研削装置が用いられる。この両面研削装置は、例えば酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ジルコニウム、炭化ホウ素、ダイヤモンド等の遊離砥粒、又は固定塗粒を用いて、ガラス基板の両主表面を同時に研削する。なお、ラップ工程の一部は、素板加工工程の前又は面取工程の前に実施されてもよい。

端面研磨工程Ｓ１４は、端面の２つの傾斜面及び垂直面をそれぞれ研磨することにより、２つの傾斜面及び垂直面における加工変質層を除去する。また、端面研磨方法は、例えばブラシ研磨、スポンジ研磨、粘性流体研磨、又は磁性流体研磨等である。

なお、図３に示す製造方法では、複数の端面研磨工程が順次行われてもよく、一部の端面研磨工程は、第２ラップ工程Ｓ１５の後、かつ、第１研磨工程Ｓ１６の前に行われてもよい。なお、複数の端面研磨工程の間には、洗浄工程及び乾燥工程等がそれぞれ実施されてもよい。

第２ラップ工程Ｓ１５では、ガラス基板の両主表面が研削される。なお、第２ラップ工程Ｓ１５では、ガラス基板の両主表面を同時に研削する両面研削装置が用いられる。この両面研削装置は、例えばダイヤモンド砥粒等の固定砥粒を用いて、ガラス基板の両主表面を同時に研削する。

第１研磨工程Ｓ１６では、ガラス基板の両主表面が研磨される。なお、第１研磨工程Ｓ１６では、ガラス基板の両主表面を同時に研磨する両面研磨機が用いられてもよい。また、両面研磨機は、例えば酸化セリウム等の研磨砥粒を含む研磨液を用いて、ガラス基板の両主表面を同時に研磨する。また、第１研磨工程Ｓ１６の詳細については後述する。

第１洗浄工程Ｓ１７は、第１研磨工程Ｓ１６の後、かつ、第２研磨工程Ｓ１８の前に行われ、第１研磨工程Ｓ１６においてガラス基板に付着した付着物（例えば研磨屑又は研磨砥粒）等を洗い落とす工程である。

第２研磨工程Ｓ１８では、ガラス基板の両主表面が研磨される。なお、第２研磨工程Ｓ１８では、ガラス基板の両主表面を同時に研磨する両面研磨機が用いられてもよい。また、第２研磨工程Ｓ１８の詳細については後述する。

第２洗浄工程Ｓ１９は、第２研磨工程Ｓ１８の後に行われ、第２研磨工程Ｓ１８においてガラス基板に付着した研磨剤及びその他付着物等を洗い落とす工程である。

第３研磨工程Ｓ２０では、ガラス基板が研磨される。また、第３研磨工程Ｓ２０の詳細については後述する。

第３洗浄工程Ｓ２１は、第３研磨工程Ｓ２０の後に行われ、第３研磨工程Ｓ２０においてガラス基板に付着した研磨剤及びその他付着物等を洗い落とす工程である。

なお、ガラス基板の製造方法は、図３に示す製造方法に限定されない。例えば、各工程の順序は、図３に示す順序でなくともよい。また、図３に示す複数の工程のうち、一部の工程は、実施されなくてもよい。例えば、第２研磨工程及び第２洗浄工程を省略して、第１研磨工程及び第１洗浄工程の後に、第３研磨工程及び第３洗浄工程を行ってもよい。さらに、図３に示す工程以外の工程（例えば化学強化工程、エッチング工程）が実施されてもよい。化学強化工程は、例えば第１洗浄工程Ｓ１７と第２研磨工程Ｓ１８との間、第２洗浄工程Ｓ１９と第３研磨工程Ｓ２０の間、又は第３洗浄工程Ｓ２１の後に行われる。具体的には、化学強化工程では、ガラス表面に含まれる小さなイオン半径のイオン（例えばＬｉ（リチウム）イオン又はＮａ（ナトリウム）イオン）を大きなイオン半径のイオン（例えばＫイオン）に置換し、ガラス表面から所定の深さの強化層が形成される。したがって、強化層には、圧縮応力が残留するため、クラックが伸展しにくく割れにくい。エッチング工程は、例えば第１ラップ工程Ｓ１３の後、端面研磨工程Ｓ１４の前等に行っても良い。面取工程Ｓ１２による研削面に生成されたクラックの先端が、エッチングによって丸められ、それ以降の工程でのクラック伸展が抑制され、強度を上げることができる。

図３に示す製造方法等により、図１に示すガラス基板１０が得られる。

（第１研磨工程、第２研磨工程、及び第３研磨工程の例）
図４は、本発明の一実施形態に係る第１研磨工程、第２研磨工程、及び第３研磨工程の例を示す表である。具体的には、図４では、本発明の一実施形態に係る製造方法を用いた実施例１及び実施例２のそれぞれの第１研磨工程、第２研磨工程、及び第３研磨工程の一例を説明する。また、比較例として、比較例１及び比較例２のそれぞれの第１研磨工程、第２研磨工程、及び第３研磨工程の一例を合わせて説明する。

（第１研磨工程例（図３に示す第１研磨工程Ｓ１６））
図４に図示するように、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２のそれぞれの第１研磨工程は、同様の工程とした。

第１研磨工程では、ガラス基板の両主表面を研磨する両面研磨機を用いた。また、第１研磨工程は、平均粒径が約１μｍの酸化セリウム研磨剤を使用した研磨方法を用いた。

（第２研磨工程例（図３に示す第２研磨工程Ｓ１８））
図４に図示するように、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２のそれぞれの第２研磨工程は、同様の工程とした。

第２研磨工程では、ガラス基板の両主表面を研磨する両面研磨機を用いた。また、第２研磨工程は、平均粒径が約２０ｎｍのコロイダルシリカ研磨剤を使用した研磨方法を用いた。

（第３研磨工程例（図３に示す第３研磨工程Ｓ２０））
図４に図示するように、本発明の一実施形態に係る実施例１及び実施例２では、第３研磨工程は、近接場光を用いた湿式表面平坦化法を用いた。一方、比較例１では、第３研磨工程は、ガラス基板の両主表面を研磨する両面研磨機を用い、平均粒径が約１２ｎｍのコロイダルシリカ研磨剤を使用した研磨方法を用いた。また、比較例２では、第３研磨工程は、実施しないこととした。

（近接場光を照射する湿式の表面平坦化法の例）
近接場光を照射する湿式の表面平坦化法は、例えばドレストフォトン研磨（ｄｒｅｓｓｅｄ ｐｈｏｔｏｎ ｅｔｈｃｈｉｎｇ）等である。以下、ドレストフォトン研磨を用いる例で説明する。

また、ドレストフォトン研磨は、塩素系又はフッ素系のガスが用いられる方法と、図４に図示するような溶液を用いる、いわゆる湿式の方法とがある。これらの方法のうち、第３研磨工程は、湿式の方法が用いられるのが望ましい。湿式の方法は、ガスによる方法と比較して、工程の産業上の取り扱いを容易にすることができる。

湿式の方法では、近接場光によって塩素ラジカル、臭素ラジカル、ヨウ素ラジカル、活性酸素、又はヒドロキシル・ラジカルが発生する水溶液が用いられる。具体的には、湿式の方法では、溶媒をＨ_２Ｏ（水）とし、液組成がＫＩ（ヨウ化カリウム）（５ｗｔ（重量）％）＋Ｉ_２（ヨウ素）（１ｗｔ％）又は液組成がＨ_２Ｏ_２（過酸化水素水）（３０ｗｔ％）となる水溶液中に、ガラス基板を浸漬した。なお、水溶液には、次亜塩素酸イオン等が含まれてもよい。

さらに、湿式の方法では、水溶液中の反応性の化学種の吸収端波長よりも長い波長である２００ｎｍ〜６００ｎｍの少なくとも１つの波長の光を含む光が、伝播光としてガラス基板に照射される。具体的には、実施例１及び実施例２では、水溶液中に浸漬しているガラス基板に光が照射された。また、照射時間は、５秒〜３００分程度とすればよく、実施例１と２では２０分又は１２０分とし、溶液の温度は、２０℃とした。

図５は、本発明の一実施形態に係る湿式のドレストフォトン研磨による処理例を示す図である。具体的には、ガラス基板１０の表面には、凸部１０１がある。表面に対して、２００ｎｍ〜６００ｎｍの少なくとも１つの波長の光１０２が照射されると、凸部１０１の周辺に、照射された波長以下の波長の近接場光が発生する。次に、ガラス基板１０が前記の水溶液に浸漬されていると、近接場光によって塩素ラジカル、臭素ラジカル、ヨウ素ラジカル、活性酸素、又はヒドロキシル・ラジカルが発生する。これによって、図示するように、凸部１０１が平坦化（エッチング）される。

即ち、基板表面に存在するナノオーダーの凸部１０１の局所領域に、光１０２は、近接場光を発生させる。次に、凸部１０１の局所領域に発生した近接場光によって、非共鳴過程を経て、反応性の化学種が解離し、活性種が生成される。さらに、生成された活性種と凸部１０１とが化学反応し、凸部１０１は、除去される。近接場光による表面平坦化法では、反応の進行に伴い、近接場光を発生する基板表面の凸部１０１が除去されると、近接場光の発生が抑制されるため、それ以上のエッチングが終了する。このため、ドレストフォトン研磨は、凸部がある部分でのみエッチングが進行し、凸部が無い部分や凸部のエッチングにより平坦化された部分ではエッチングがそれ以上進行しない。これにより、過剰エッチングよる凹部の形成による粗さの増加という問題を生じにくく、他からの制御を必要とせずに、ガラス基板の表面を平坦化することができる。

また、使用される水溶液は、近接場光によって活性種を生成しうる反応性化学種を含む水溶液であればよい。例えば、水溶液は、近接場光によって塩素ラジカルを発生させる次亜塩素酸ナトリウム又は次亜塩素酸カリウム等の水溶液、臭素ラジカルを発生させる臭素酸塩溶液、ヨウ素ラジカルを発生させるヨウ素ヨウ化カリウム溶液、ヨウ素酸塩溶液、若しくは活性酸素、ヒドロキシル・ラジカルを発生させる過酸化水素水等でもよい。

磁性層の粒子は、６〜８ｎｍである。これに対して、湿式のドレストフォトン研磨を用いると、４〜１２ｎｍ程度の周期の粗さを研磨できるため、より均一な磁性層を成膜することができる。また、下地層及び磁性層の配向性及び粒径分布の乱れを抑制できる。さらに、磁化容易軸の配向の乱れが小さくなるため、ノイズの少ない磁気記録媒体が製造できる。

（実施例１）
実施例１では、第２研磨工程Ｓ１８（図３）及び第２洗浄工程Ｓ１９（図３）が実施されたガラス基板は、第３研磨工程Ｓ２０（図３）で、５ｗｔ％のヨウ化カリウムと、１ｗｔ％のヨウ素とを溶解した水溶液に浸漬された。次に、ガラス基板には、Ｈｅ（ヘリウム）−Ｃｄ（カドミウム）レーザ発振器を光源として、照射される３２５ｎｍの波長の光１０２が、反射ミラー等で構成される光学系によって、基板上に照射された。また、実施例１では、照射する光源の出力は、５０ｍＷ、照射時間は、２０分とした。その後、ガラス基板は、スクラブ洗浄及び純水による超音波洗浄を行った後、ＩＰＡ蒸気乾燥した。

（実施例２）
実施例２では、第２研磨工程Ｓ１８及び第２洗浄工程Ｓ１９が実施されたガラス基板は、第３研磨工程Ｓ２０で、３０ｗｔ％の過酸化水素水に浸漬された。次に、ガラス基板には、Ｈｅ−Ｃｄレーザ発振器を光源として、照射される３２５ｎｍの波長の光１０２が、反射ミラー等で構成される光学系によって、基板上に照射された。また、実施例２では、照射する光源の出力は、５０ｍＷ、照射時間は、１２０分とした。その後、ガラス基板は、スクラブ洗浄及び純水による超音波洗浄を行った後、ＩＰＡ蒸気乾燥した。

（評価例）
（表面形状計測方法）
ガラス基板の表面は、下記の計測装置を用いて計測し、評価した。また、計測条件は、下記の通りとした。
・計測装置：（株）日立ハイテク・サイエンス社（旧ＳＩＩナノテクノロジー社製）
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ））"Ｌ−ｔｒａｃｅＩＩ"
・計測条件：本発明では、ＤＦＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）モードで、１μｍ×１μｍの領域を２５６画素×２５６画素の解像度で測定し、測定結果に３次傾き補正を行い、フラット処理を施し、更にメディアン４のローカルフィルタを掛けた。１μｍ×１μｍの領域を円周方向と半径方向に夫々２５６分割なので、厳密には１つの画素は４ｎｍ×４ｎｍよりも少し小さくなるが、本発明では４ｎｍ×４ｎｍとして記載した。本発明の単位領域Ｒ１２は、この画素を３個円周方向につなげた１２ｎｍ×４ｎｍの単位領域を意味する。本発明の単位領域Ｒ８は、この画素を２個円周方向につなげた８ｎｍ×４ｎｍの単位領域を意味する。本発明の単位領域Ｒ４は、この画素１個に相当する４ｎｍ×４ｎｍの単位領域を意味する。

（評価値の算出）
図６は、本発明の一実施形態に係る評価値の算出方法の一例を説明する図である。

ガラス基板の表面の凹凸は、例えば上記計測条件に基づいて、１μｍ×１μｍの正方形の領域Ａごとに評価される。また、算出において、高さ方向をｚ軸とし、円周方向をｘ軸、半径方向をｙ軸とする。

領域Ａは、円周方向に４ｎｍごとに、画素Ｂ_１−１、Ｂ_１−２、Ｂ_１−３、Ｂ_１−４、・・・Ｂ_{１−２５６}（画素Ｂ_ｍ−ｎは、半径方向の位置によりｍ＝１〜２５６、円周方向の位置によりｎ＝１〜２５６）のように、２５６個の領域に区切られる。さらに、４ｎｍずつ半径方向にずれて円周方向に画素Ｂ_２−１、Ｂ_２−２、Ｂ_２−３、Ｂ_２−４、・・・Ｂ_{２−１５６}に区切られ、画素Ｂ_１−１〜Ｂ_{２５６−２５６}までの６５５３６画素となる。

本発明では、この円周方向（ｘ軸、列方向）に３個の画素をつなげた長さ１２ｎｍ×幅４ｎｍの単位領域Ｒ１２、この円周方向（ｘ軸、列方向）に２個の画素をつなげた長さ８ｎｍ×幅４ｎｍの単位領域Ｒ８、この円周方向（ｘ軸、列方向）に１個の画素とした単位領域Ｒ４での平均高さの値を用いて、式（１）で評価値Ｒ（Ｌ）の算出を行う。

すなわち、単位領域Ｒ１２はＬ＝１２ｎｍで３個の画素を連結するので、１列目の１番目の単位領域Ｒ１２_１−１は、３個の画素Ｂ_１−１、Ｂ_１−２、Ｂ_１−３からなり、その平均高さをＺ_１−１とする。隣接する１列目の２番目の単位領域Ｒ１２_１−２は、３個の画素Ｂ_１−４、Ｂ_１−５、Ｂ_１−６からなり、その平均高さをＺ_１−２とする。その１列の最終である８５番目の単位領域Ｒ１２_１−８５は、３個の画素Ｂ_{１−２５３}、Ｂ_{１−２５４}、Ｂ_{１−２５５}からなり、その平均高さをＺ_１−８５とする。そのｋ番目の単位領域Ｒ１２_ｋと円周方向で隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ１２_ｋ＋１との間で平均高さの差を求める。単位領域Ｒ１２の１列のデータ数は８５個で有り、ｋ＝１〜８４となり、この差のデータ総数は８４個となる。最後の画素Ｂ_{１−２５６}は、３個組み合わせることができないので、この単位領域Ｒ１２での算出には使用されない。

さらに、半径方向に４ｎｍずらした隣接の列（２列目）の画素Ｂ_２−１、Ｂ_２−２、Ｂ_２−３、Ｂ_２−４、・・・Ｂ_{２−１５６}に基づき、単位領域Ｒ１２_２−１〜単位領域Ｒ１２_２−８５での、隣接単位領域Ｒ１２との平均高さの差を求める。

同様にして、半径方向に４ｎｍずつずらして、２５６番目の列まで同じようにして、隣接単位領域Ｒ１２との平均高さの差を求める。

この隣接単位領域Ｒ１２での平均高さの差に基づき、式（１）で評価値Ｒ（Ｌ）を算出する（Ｌ＝１２ｎｍ）。この場合、平均高さの差のデータ総数は、１列８４個で２５６列あるので、８４×２５６個となる。

単位領域Ｒ８の場合には、単位領域Ｒ８はＬ＝８ｎｍで、円周方向に２個の画素を連結するので、１列目の１番目の単位領域Ｒ８_１−１は、２個の画素Ｂ_１−１とＢ_１−２とからなり、その平均高さをＺ_１−１とする。隣接する１列目の２番目の単位領域Ｒ８_１−２は、２個の画素Ｂ_１−３とＢ_１−４とからなり、その平均高さをＺ_１−２とする。その１列の最終である１２８番目の単位領域Ｒ８_{１−１２８}は、２個の画素Ｂ_{１−２５５}とＢ_{１−２５６}とからなり、その平均高さをＺ_{１−１２８}とする。そのｋ番目の単位領域Ｒ８_ｋと円周方向で隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ８_ｋ＋１との間で平均高さの差を求める。単位領域Ｒ８の１列のデータ数は１２８個で有り、Ｋ＝１〜１２７となり、この差のデータ総数は１２７個となる。

半径方向に４ｎｍずらした隣接の列（２列目）の画素についても同様に隣接単位領域Ｒ８との平均高さの差を求め、２５６番目の列まで同様にして算出を行う。

この隣接単位領域Ｒ８での平均高さの差に基づき、下記（１）式で評価値Ｒ（Ｌ）を算出する（Ｌ＝８ｎｍ）。この場合、平均高さの差のデータ総数は、１列１２７個で２５６列あるので、１２７×２５６個となる。

単位領域Ｒ４の場合には、単位領域Ｒ４はＬ＝４ｎｍで１個の画素ごとに円周方向に隣接する単位領域Ｒ４で算出する。すなわち、１列目の１番目の単位領域Ｒ４_１−１は画素Ｂ_１−１に対応し、その平均高さをＺ_１−１とする。隣接する１列目の２番目の単位領域Ｒ４_１−２は画素Ｂ_１−２に対応し、その平均高さをＺ_１−２とする。その１列の最終である２５６番目の単位領域Ｒ４_{１−２５６}は画素Ｂ_{１−２５６}に対応し、その平均高さをＺ_{１−２５６}とする。そのｋ番目の単位領域Ｒ４_ｋと円周方向で隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ４_ｋ＋１との間で平均高さの差を求める。単位領域Ｒ４の１列のデータ数は２５６個で有り、この差のデータ総数は２５５個となる。

半径方向に４ｎｍずらした隣接の列（２列目）の画素についても同様に隣接単位領域Ｒ４との平均高さの差を求め、２５６番目の列目まで同様にして算出を行う。

この隣接単位領域Ｒ４での平均高さの差に基づき、下記（１）式で評価値Ｒ（Ｌ）を算出する（Ｌ＝４ｎｍ）。この場合、平均高さの差のデータ総数は、２５５×２５６個となる。

即ち、下記（１）式では、ｎ個の単位領域について、それぞれ平均高さが求められ、隣接する単位領域との差がそれぞれ求められる。次に、差は、２乗され、２乗された値の総和が求められる。さらに総和を、単位領域の数であるｎで除算し、平方根を求めると、評価値が求まる。

評価値をＲ（Ｌ）とすると、評価値Ｒ（Ｌ）は、下記（１）式のように算出される。なお、下記（１）式は、いわゆる２値分散の平方根算出である。

（評価結果）
図７は、本発明の一実施形態に係る評価結果の一例を説明する図である。

図示するように、湿式のドレストフォトン研磨が用いられた実施例１及び実施例２は、算術平均粗さＲａ（図ではＡＦＭ＿Ｒａ）で評価した場合、比較例１と比較すると、比較例１の方が、値が小さく、比較例１と同じ程度又は比較例１の方が平坦化されていると評価される。

一方、評価値Ｒ（Ｌ）による円周方向における辺の長さＬが１２ｎｍ以下の領域において、評価値Ｒ（Ｌ）では、比較例１及び比較例２と比較して、実施例１及び実施例２は、値が小さく、実施例１及び実施例２の方が、平坦化されていると評価できる。つまり、上記（１）式が用いられると、湿式のドレストフォトン研磨が行われたガラス基板等の微小の領域において、高さのばらつきが精度良く評価できる。

円周方向における辺の長さＬが１２ｎｍ以下の領域において、評価値Ｒ（Ｌ）が０．０８ｎｍ以下であると、ガラス基板の表面の凹凸は、平坦化されているといえる。算術平均粗さＲａ及び二乗平方根粗さＲｑ等では、図５に図示するようなドレストフォトン研磨等による平坦化が行われた場合、凹凸の変化が細かく、評価が難しい場合がある。一方、評価値Ｒ（Ｌ）が用いられると、ドレストフォトン研磨等による平坦化が評価できる。即ち、上記（１）式によって、表面の凹凸のばらつきを評価できるため、基板の表面が平坦化されたガラス基板が提供できる。

また、実施例１及び実施例２のように、円周方向における辺の長さＬが８ｎｍ以下の領域において、評価値Ｒ（Ｌ）が０．０７ｎｍ以下であるのが望ましい。さらに、実施例１及び実施例２のように、円周方向における辺の長さＬが４ｎｍ以下の領域において、評価値Ｒ（Ｌ）が０．０５ｎｍ以下であると、より望ましい。磁性層粒子の大きさ及び前記粒子の大きさの半分程度において、表面の凹凸のばらつきがより抑えられていると、基板の表面がより平坦化されたガラス基板が提供できる。

（変形例）
評価値は、例えば算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１ ２００１）との組み合わせでもよい。

図８は、本発明の一実施形態に係る評価値の算出における算術平均粗さの一例を説明する図である。具体的には、図示するように、基準となる長さＭの領域について、算術平均粗さＲａは、基準高さ（平均線）に対する各測定点（領域）の高さ又は深さの絶対値を足し合わせ、基準長さないし測定領域数で除した値に基づいて算出される。即ち、算術平均粗さＲａは、下記（２）式のように算出される。

上記（１）式による算出と比較すると、上記（２）式による算術平均粗さＲａは、表面の凹凸のばらつきを全体的な視点で評価することができる。したがって、上記（１）式による評価値Ｒ（Ｌ）と、上記（２）式による算術平均粗さＲａとを組み合わせると、表面の凹凸のばらつきが、より精度よく評価できる。これによって、表面の凹凸のばらつきが抑えられると、例えば、磁気記録媒体（磁気ディスク）とした時のディスク・ノイズ及びモジュレーション（信号出力の揺らぎ）を低減できる。

なお、算術平均粗さＲａは、０．１０ｎｍ以下であるのが望ましい。さらに、算術平均粗さＲａは、０．０９ｎｍ以下であるのがより望ましい。

１０ ガラス基板
１０１ 凸部
Ａ 領域
Ｂ_１−１〜Ｂ_{２５６−２５６} 画素

Claims (13)

1. 基板の主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する３画素、即ち１２ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ１２とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ１２_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ１２_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜８４まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜８４まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、８４×２５６個の平均高さの差のデータを下記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（１２）≦０．０８ｎｍである磁気記録媒体用ガラス基板。
   

   
2. 前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する２画素、即ち８ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ８とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ８_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ８_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜１２７まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜１２７まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、１２７×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（８）≦０．０７ｎｍである請求項１に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
3. 前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、１つの画素、即ち４ｎｍ×４ｎｍの領域を単位領域Ｒ４とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ４_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ４_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜２５５まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜２５５まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、２５５×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（４）≦０．０５ｎｍである請求項１又は２記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
4. 前記主表面の算術平均粗さＲａが０．１０ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
5. 前記主表面の算術平均粗さＲａが０．０９ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
6. 近接場光を用いた表面平坦化法を含む方法で製造された請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
7. 近接場光を用いた湿式表面平坦化法を含む方法で製造された請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
8. 近接場光を用いた湿式表面平坦化法を含む方法で製造された請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
9. 近接場光を用いた湿式表面平坦化法が、近接場光によって塩素ラジカル、臭素ラジカル、ヨウ素ラジカル、活性酸素、及びヒドロキシル・ラジカルの群から選ばれる少なくとも１つを発生しうる化学物質の水溶液を用い、波長２００ｎｍ〜６００ｎｍの少なくとも１つの波長の光を含む光を照射してガラス基板を平坦化する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
10. 前記製造方法により平坦化されたガラス基板が、前記ガラス基板の主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する３画素、即ち１２ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ１２とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ１２_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ１２_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜８４まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜８４まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、８４×２５６個の平均高さの差のデータを下記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（１２）≦０．０８ｎｍである請求項９記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
    

    
11. 前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、その円周方向（列方向とする）に隣接する２画素、即ち８ｎｍ×４ｎｍの領域を１つの単位領域Ｒ８とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ８_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ８_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜１２７まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜１２７まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、１２７×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（８）≦０．０７ｎｍである請求項１０記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
12. 前記主表面の１μｍ×１μｍの正方形の領域を、円周方向２５６個×半径方向２５６個に区切り、２５６×２５６画素としたときに、１つの画素、即ち４ｎｍ×４ｎｍの領域を単位領域Ｒ４とし、その円周方向にｋ番目の単位領域Ｒ４_ｋの平均高さＺ_ｋと、円周方向において隣接するｋ＋１番目の単位領域Ｒ４_ｋ＋１の平均高さＺ_ｋ＋１との差を算出し、これをｋ＝１〜２５５まで繰り返し、さらに半径方向に１画素、即ち４ｎｍずらした円周方向にｋ＝１〜２５５まで繰り返し、これを半径方向（列に直行する方向）に２５６回繰り返して、２５５×２５６個の平均高さの差のデータを前記式（１）により計算した高さの差の２値分散の平方根の値Ｒ（Ｌ）が、Ｒ（４）≦０．０５ｎｍである請求項１０又は１１記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
13. 請求項１〜７のいずれかに一項に記載された磁気記録媒体用ガラス基板に磁気記録層を積層した磁気記録媒体。

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