JPH08316183A - 洗浄方法及びその装置 - Google Patents

洗浄方法及びその装置

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JPH08316183A
JPH08316183A JP14805895A JP14805895A JPH08316183A JP H08316183 A JPH08316183 A JP H08316183A JP 14805895 A JP14805895 A JP 14805895A JP 14805895 A JP14805895 A JP 14805895A JP H08316183 A JPH08316183 A JP H08316183A
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JP
Japan
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tank
wafer
chemical solution
cleaning
particles
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Application number
JP14805895A
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English (en)
Inventor
Naoki Shindo
尚樹 新藤
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH08316183A publication Critical patent/JPH08316183A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数の被処理基板をウエハ保持具に並列に保
持して薬液槽内に浸漬し、薬液処理後にリンス槽に移し
替えて純水でリンスする場合に、ウエハに付着するパー
ティクルを低減すること。 【構成】 薬液槽3内に、ア−スに接地された電極7を
薬液と接触するように設け、薬液内にウエハWを保持す
る例えばテフロン製のウエハ保持具5を浸漬して薬液処
理を行なうと、薬液内に存在するパ−ティクルの電荷が
溶液を介してア−スに放電されるので、静電吸着力によ
りウエハ保持具5へ付着するパ−ティクルの量が少なく
なる。従ってウエハ保持具5に付着したままリンス槽4
内へ入り込むパ−ティクルの量が減少するので、これに
伴ってウエハWへのパ−ティクルの付着量が低減され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理基板を洗浄する
洗浄方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、半導体
ウエハ(以下「ウエハ」という)表面のパーティクル、
有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションを除去
するために洗浄装置が使用されており、その中でもウエ
ット洗浄装置は、前記コンタミネーションを効果的に除
去でき、しかもバッチ処理が可能でスループットが良好
であるため幅広く普及している。
【0003】この種の洗浄装置では、薬液槽内にてウエ
ハに対してアンモニア、フッ酸、塩酸などの薬液処理を
行った後、リンス槽内にて例えば純水によりリンスを行
っており、その装置構成については、薬液槽及びリンス
槽の組が各薬液毎にシリーズに配列され、例えば50枚
のウエハを一括して各槽に順次搬送するための搬送系が
設けられている。図7は従来の洗浄装置の主要部を示す
図であり、この洗浄装置では、予め図示しないウエハカ
セットから例えば50枚のウエハWを一括して専用のウ
エハ保持具11に移載し、このウエハ保持具11を図示
しない搬送手段により先ず薬液槽1A内の薬液に浸漬
し、薬液を循環させながら洗浄処理例えばエッチングす
る。次いでウエハ保持具11を薬液槽1Aから引き上げ
リンス槽1B内に浸漬し、例えば純水をリンス槽1Bの
底部から供給しながらウエハWに対してリンス処理を行
う。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上述
の方法によりウエハWの洗浄を行うと、ウエハW表面に
パーティクルPTが付着するという問題があった。この
ようにパーティクルPTが付着するメカニズムは明らか
ではないが、本発明者らの実験によると、以下のように
推察される。即ち上述の洗浄装置では、薬液槽1Aやリ
ンス槽1B、ウエハ保持具11を、耐食、耐熱及び耐強
度性に優れていることから、PFA(テトラフルオロエ
チレンパ−フルオロアルキルビニルエ−テル共重合
体)、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PE
EK(ポリエ−テルエ−テルケトン)や石英等の絶縁性
材料により構成しているが、これらは帯電しやすく、パ
−ティクルPTを吸着しやすい。
【0005】従って例えばウエハWの裏面に付着して薬
液層1A内の薬液中に入り込んだパ−ティクルPTは薬
液槽1A内においてウエハ保持具11に吸着され、その
ままリンス槽1B内に持ち込まれる。そしてウエハ保持
具11をリンス槽1B内に浸漬したときにこれらパーテ
ィクルPTがリンス液中に拡散し、ウエハに再付着する
のではないかと考えられる。いずれにしても結果的には
リンス後の表面にはパーティクルが付着している。
【0006】最近では、デバイスの線幅が微細化してパ
−ティクルの許容範囲が狭くなる傾向にあるので、この
ようにリンス液から引き上げられたウエハW表面にパ−
ティクルPTが付着してしまうと、歩留まりを低下させ
るおそれがある。
【0007】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、パーティクル汚染を低減する
ことのできる洗浄方法及びその装置を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被処
理基板を絶縁性の保持具に保持させて洗浄処理槽内の洗
浄処理液に浸漬し、前記被処理基板を洗浄処理した後、
前記保持具を前記洗浄処理槽から搬出する洗浄方法にお
いて、前記洗浄処理液をア−スに接続した状態で洗浄処
理を行うことを特徴とする。
【0009】請求項2の発明は、複数の被処理基板を絶
縁性の保持具に保持させて、薬液が供給された薬液槽内
に搬入し、薬液をア−スに接続した状態で前記被処理基
板を薬液処理する工程と、次いで前記保持具を前記薬液
槽から搬出して、リンス液が供給されたリンス槽内に搬
入し、前記被処理基板をリンス処理する工程と、を含む
ことを特徴とする。
【0010】請求項3の発明は、複数の被処理基板を絶
縁性の保持具に保持させて、薬液が供給された薬液槽内
に搬入し、前記被処理基板を薬液処理した後、前記保持
具を前記薬液槽から搬出して、リンス液が供給されたリ
ンス槽内に搬入し、前記被処理基板をリンス処理する洗
浄装置において、前記薬液槽内に、ア−スに接地された
電極を前記薬液と接触するように、設けたことを特徴と
する。
【0011】
【作用】本発明では、洗浄処理槽例えば薬液槽内に、ア
−スに接地された電極を洗浄処理液例えば薬液と接触す
るように設け、薬液をア−スに接続しながら洗浄処理を
行うようにしたので、保持具へのパ−ティクルの付着が
抑えられる。この理由については、薬液内に存在するパ
−ティクルの持つ電荷が薬液を介してア−スに放電され
るので、パ−ティクルと保持具との間の静電吸着が弱め
られるためと考えられる。この結果例えば薬液槽内から
リンス槽内へ被処理体を搬送するプロセスにおいては、
保持具へ付着したままリンス槽内へ入り込むパ−ティク
ルの量が減少するので、これに伴って被処理基板へのパ
−ティクルの付着量が低減される。
【0012】
【実施例】図1は本発明の洗浄方法を実施する洗浄装置
を含む洗浄ステーション全体を示す図であり、先ずこの
洗浄ステーションの全体構成について簡単に説明する。
洗浄ステーションは、洗浄処理部100とこの洗浄処理
部100の両側端部に設けられたローダ部200及びア
ンローダ部300とから主要部が構成されている。
【0013】前記ローダ部200は、未洗浄の被処理基
板、例えばウエハが所定枚数、たとえば25枚収容され
たキャリアCを搬入、載置させる載置部21と、この載
置部21に載置された前記キャリアCをクランプして中
継部22に移送するための移送装置23とから主に構成
されている。
【0014】前記洗浄処理部100は、中継部22に置
かれたキャリアC内のウエハを一括して専用のウエハ保
持具に移し替えるための移し替えステージ20と、一次
洗浄ユニットU1からn次洗浄ユニットUnまでの複数
の洗浄ユニットとを備えている。移し替えステージ20
の上方には図では見えないウエハチャックが設けられ、
キャリアC内のウエハは、移し替えステージ20上の後
述する専用のウエハ保持具に例えば50枚一括して移し
替えられる。
【0015】各洗浄ユニットU1〜Unは、たとえば洗
浄処理槽をなす薬液槽24、一次水洗槽25、二次水洗
槽26から構成され、薬液槽24において薬液洗浄後、
一次水洗槽25および二次水洗槽26において純水によ
りウエハに付着した薬液を洗浄した後、ウエハは、さら
に下流の洗浄ユニットU2〜Unの内所定の洗浄ユニッ
トに移載され所定の処理が施されるよう構成されてい
る。なお二次水洗槽26は、別種の薬液による洗浄が行
われる隣接する洗浄ユニットの間にあって、両薬液の混
合を防止するバッファとしての機能を有するものであ
る。前記洗浄ユニットU1〜Unの側方には、ウエハを
保持したウエハ保持具を搬送する保持具搬送手段27を
備えている。
【0016】前記アンローダ部4は、前述の洗浄ユニッ
トU1〜Unによって洗浄し乾燥されたウエハを収納す
るキャリアCを載置可能に構成された載置部28を備え
ており、この載置部28から洗浄/乾燥処理が終了しキ
ャリアCに戻されたウエハは装置外に搬出される。なお
載置部28の手前側の移し替えステージ29は、ウエハ
保持具内のウエハを図示しないウエハチャックによりキ
ャリアC内に移し替えるためのステージである。
【0017】このように各洗浄ユニットでは、所定の薬
液により所定の処理が行われ、本発明は例えばこのよう
な洗浄ユニットに適用される。次に本発明をフッ酸溶液
を用いてウエハの表面の自然酸化膜を除去しその後純水
でリンス処理する洗浄装置(上述の洗浄ユニットに相当
する)に適用した実施例について述べる。
【0018】本発明の実施例に係る洗浄装置は、図2及
び図3に示すように薬液槽3と、リンス槽4(一次水洗
槽に相当する)と、複数のウエハを保持するための保持
部材をなすウエハ保持具5と、ウエハ保持具5を搬送す
るための一対のアーム61を備えた保持具搬送手段6
(図1の保持具搬送手段27に相当する)とを備えてい
る。前記薬液槽3とリンス槽4は、例えば石英などの絶
縁性材料により構成されており、前記薬液槽3は、矩形
状に成形されると共に上縁部に越流用の三角形状の切欠
部30が形成された内槽31とこの内槽31の上縁部の
外側に、越流した液を受容するように設けられた外槽3
2とを有している。
【0019】前記内槽31の外部には、外槽32内の洗
浄処理液例えば薬液を内槽31の底部に供給するよう、
つまり内槽31からオーバフローした薬液を内槽31の
底部に循環させるように外槽32の底部と内槽31の底
部との間に例えば樹脂チューブからなる薬液循環路33
が設けられている。この薬液循環路33には、ポンプP
1、フィルタFが介設されている。また前記内槽31の
内部には、薬液と接触するように例えばシリコン(S
i)よりなる電極7が設けられており、電極7はア−ス
に接地されている。この電極7はシリコンやポリシリコ
ン、グラッシ−カ−ボンなどのパ−ティクルやコンタミ
ネ−ションの放出が極めて少ない導電材料で構成するこ
とが好ましい。
【0020】前記内槽31の底部には整流手段34が設
けられており、この整流手段34は、多数の小孔35が
穿設された整流板36と、内槽31の底面における薬液
循環路33の接続口(薬液の供給口)に対向して配設さ
れた拡散板37とから構成されている。このように整流
手段34を設けることによって、薬液循環路33より導
入された純水は、まず拡散板37の裏面に衝突し、その
拡散板37の周縁部より整流板36の裏面全体に拡散さ
れ、その後整流板36の小孔35を通過して、前記保持
具5により保持されたウエハWの周囲に供給されるの
で、乱流を生じることなく均等な流速でウエハWを包み
込み、ウエハW全体をムラ無く均等に洗浄することが可
能になる。また前記薬液槽3の上方には、後述のウエハ
保持具の搬送に支障のない位置に薬液例えばフッ酸溶液
を薬液槽3内に供給するための薬液供給部38が設けら
れている。
【0021】一方前記ウエハ保持具5は、図3に示すよ
うに、一対の端板51、52の間に、ウエハWの下端部
及び下部両側を夫々保持する保持部材53、54、55
を設けてなり、これら保持部材53、54、55には、
ウエハWを保持するための保持溝56(便宜上各保持部
材53、54、55の保持溝に対して共通の符号を付
す)が所定のピッチで例えば50本形成されている。前
記一対の端板51、52の上部は夫々外方側に水平に屈
曲されて被支持部51a、51bとして形成されてお
り、この被処理基板支持部51a、51bが保持具搬送
手段6のアーム61により下から支持されて搬送され
る。なおこのウエハ保持具5は、例えばフッ素樹脂であ
るテフロン(商品名)により構成されており、この他P
EEK、石英などにより構成してもよい。
【0022】そして前記リンス槽4は、薬液槽3と同様
に内槽41と、この内槽41からオーバフローしたリン
ス液を受ける外槽42とを備えている。内槽41の底部
にはバルブV1が介設された、リンス液例えば純水を内
槽41内に供給するための例えば樹脂チューブよりなる
純水供給路43が接続されると共に、外槽42には、純
水を排出するための排液管44が接続されている。また
内槽41内の底部には、前記整流手段34と同様の整流
手段45が設けられている。
【0023】次に上述の洗浄装置を用いて実施される洗
浄方法の一例について述べる。先ず薬液供給部38から
薬液例えば1%フッ酸溶液を内槽31内に供給し、ポン
プP1により薬液を循環させておく。この状態で薬液は
電極7を介してア−スに接続されている。そして例えば
50枚のウエハWが並列に配列され保持されたウエハ保
持具5を保持具搬送手段6により内槽31内に搬入し、
ウエハWを薬液中に浸漬して所定時間洗浄処理例えばエ
ッチングを行う。
【0024】その後前記アーム61を上昇させてウエハ
保持具5を引き上げ、リンス槽4の上方まで搬送した後
降下してウエハWをリンス槽4内のリンス液中に浸漬す
る。そしてバルブV1を開き内槽41の底部からリンス
液例えば純水を内槽41内に供給しながら、内槽41か
らオーバフローした純水を外槽42を介して排液管44
より排液する。こうして純水を内槽41内に所定流量で
所定時間あるいは内槽41内の純水の抵抗値が所定の値
に達するまで供給し、リンス処理を行う。
【0025】上述実施例によれば後述の実験例からも分
かるように、リンス槽4から引き上げたウエハWに付着
するパーティクルが低減する。その理由について述べる
と、ウエハの鏡面側に0.15μm以上のパーティクル
を8000個程度付着させた汚染ウエハと、パーティク
ルの付着のないクリーンウエハとをウエハ保持具5に対
向させて配列し、薬液3槽内に浸漬して所定時間フッ酸
により処理し、薬液槽3内から引き上げてクリーンウエ
ハの表面に付着しているパーティクルをパーティクルカ
ウンタにより数えたところ、ほとんどパーティクルは付
着していないにもかかわらず、このウエハ保持具5をリ
ンス槽4内に浸漬してリンス処理を行い、その後ウエハ
保持具5を引き上げてウエハの表面のパーティクルを数
えたところかなりのパーティクルが付着している事実を
把握した。
【0026】そこで図4に示すようなメカニズムが考え
られる。即ち、ウエハWを薬液槽3内に浸漬したとき
に、ウエハWの例えば裏面に付着しているパーティクル
PTが離脱してフッ酸溶液中に拡散し、ウエハWを薬液
槽3から引き上げるときにウエハ保持具5にパーティク
ルが付着し、そのままリンス槽4内に持ち込まれると推
測される。そしてパーティクルがウエハ保持具5に付着
するメカニズムについては、パーティクルを含む液滴が
ウエハ保持具に付着すること、及びパーティクルがウエ
ハ保持具5に直接静電吸着力により吸着することが考え
られる。特に後者の静電吸着力が作用する理由として、
ウエハ保持具5はテフロンなどの絶縁性材料により構成
されているため、ウエハWの着脱時などに帯電しやす
く、一方パーティクルもある電荷を有しており、パーテ
ィクルとウエハ保持具5とが互に逆の電荷を有している
と静電吸着力の作用によりパーティクルがウエハ保持具
5に引き付けられることが挙げられる。
【0027】そしてこれらパーティクルはウエハ保持具
5によりリンス槽4内に運ばれ、ウエハ保持具5をリン
ス槽4内に浸漬するときに、ウエハ保持具5に付着して
いるパーティクルが純水中に拡散し、この中にウエハW
が投入されることにより、パーティクルがウエハWに付
着する。その後ウエハWを純水中から引き上げたときに
パーティクルはウエハWに付着したまま引き上げられ、
こうしてパーティクル汚染が発生する。なお純水から引
き上げたウエハW表面にパーティクルPTが付着してい
ることと、フッ酸処理後のウエハW表面にパーティクル
PTがほとんど付着していないこととの関係については
明確ではないが、ウエハWの表面状態の差によるのでは
ないかと推察される。
【0028】ここで薬液槽3内で、薬液をア−スに接続
しながら洗浄処理を行った場合と、ア−スに接続しない
で洗浄処理を行った場合とにおいて、ウエハに付着する
パーティクルの数を比較するために、次のような実験を
行った。即ち図5に示すように、薬液槽3内にア−スに
接地された電極7を薬液と接触するように設け、鏡面M
側に0.15μmよりも大きいパーティクルPTを約8
000個付着させた汚染ウエハW1とパーティクルPT
を付着させないクリーンウエハW2とを、両ウエハの鏡
面Mが対向するように交互にピッチ3.5mmで、テフ
ロンよりなるウエハ保持具5に配列して保持させて、1
%のフッ酸溶液によりエッチング(自然酸化膜の除去)
を1分間行った。次いでウエハ保持具5を引き上げてリ
ンス槽4内に投入し、純水により純水の比抵抗が16M
Ω・cmになるまでウエハW1、W2をリンスした後乾
燥させ、クリーンウエハW2の表面(鏡面M)に付着し
ている0.15μmよりも大きいパーティクルPTの数
を調べた。また薬液槽3内槽に電極7を設置しない場合
においても同様の実験を行った。
【0029】この結果を表1に示す。なお表1中ア−ス
有とは、薬液槽3内にア−スを設けて薬液をア−スに接
続して洗浄処理を行った場合を示し、ア−ス無とは、薬
液槽3内にア−スを設けない場合を示している。この結
果から薬液をア−スに接続して洗浄処理を行った場合
は、薬液をア−スに接続しないで洗浄処理を行った場合
よりパ−ティクルの数が少ないことが確認された。
【0030】
【表1】 またウエハを薬液槽3から引き上げた後リンス槽4内に
投入することなくこのウエハ表面のパーティクルを別途
調べたところ、ア−スの有無にかかわらずパーティクル
の付着は確認されなかった。
【0031】このようなことから図5に示すメカニズム
で推察したように、薬液槽からリンス槽へパーティクル
を運ぶ担体はウエハ保持具であると考えられる。またウ
エハ保持具へのパ−ティクル付着の要因には静電吸着力
も作用しており、薬液をア−スに接続した状態で薬液処
理を行なうと、パ−ティクルが薬液を介してア−スに接
続されるため、パ−ティクルの電荷が放電されて小さく
なり、この結果静電吸着力が弱められて、ウエハ保持具
への付着が抑えられると考えられる。なおリンス槽には
電極が設けられていないが、この理由は、リンス液は循
環して使用されるのではなく、外槽42に接続された排
液管44により排液されるので、これによりア−スと電
気的に接続されるためである。
【0032】更に本発明では、上述の図2に示す薬液槽
3において薬液循環路33や外槽32に電極を設けるよ
うにしてもよいし、また例えば図6に示すように、薬液
槽3の例えば対向する側壁の内壁面に面状の電極71、
72を配設して、この電極71、72をア−スに接地す
るようにしてもよい。更にまた本発明は、専用のウエハ
保持具にウエハを保持して搬送する洗浄装置に適用する
ことに限らず、ウエハチャックによりウエハを把持して
薬液槽内のウエハ保持具に移し替え、薬液処理後にウエ
ハチャックにより薬液槽内のウエハをリンス槽に移し替
えるタイプの洗浄装置に適用してもよい。
【0033】以上において本発明は、洗浄処理液には純
水も含まれるものとし、またフッ酸溶液により酸化膜を
エッチングする場合に限らず、例えばリン酸溶液によっ
て窒化膜をエッチングする場合やリン酸、酢酸、硝酸の
混合液によってアルミニウムをエッチングする場合にも
適用できる。またその他洗浄処理としてはAPM溶液
(アンモニア+過酸化水素水+純水)によりパーティク
ルの除去を行う場合HPM溶液(塩酸+過酸化水素水+
純水)により金属汚染を洗浄する場合、あるいはSPM
溶液(硫酸+過酸化水素水)によりレジスト膜の有機物
を除去する場合などであってもよい。なお被処理基板と
しては液晶基板やプリント基板などであってもよい。
【0034】
【発明の効果】本発明の洗浄方法によれば被処理基板に
おけるパーティクル汚染を低減することができ、歩留ま
りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施する洗浄装置を含む洗浄処理
ステーションを示す概略斜視図である。
【図2】本発明方法を実施する洗浄装置の一例を示す縦
断正面図である。
【図3】上記洗浄装置に使用する薬液槽及びウエハ保持
具を示す斜視図である。
【図4】ウエハのパーティクル汚染の推定したメカニズ
ムを示す説明図である。
【図5】薬液槽に電極を設けた場合と設けない場合にお
けるウエハへのパ−ティクルの付着量を比較する実験の
説明図である。
【図6】本発明方法を実施する洗浄装置の他の例を示す
縦断正面図である。
【図7】従来の洗浄方法を示す説明図である。
【符号の説明】
21 載置部 22 中継部 U1〜Un 洗浄ユニット 27 保持具搬送手段 3 薬液槽 33 薬液循環路 4 リンス槽 5 ウエハ保持具 53、54、55 保持部材 56 保持溝 6 保持具搬送手段 7、71、72 電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年4月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被処
理基板を絶縁性の保持手段に保持させて洗浄処理槽内の
洗浄処理液に浸漬し、前記被処理基板を洗浄処理した
後、前記被処理基板を前記洗浄処理槽から搬出する洗浄
方法において、前記洗浄処理液をアースに接続した状態
で洗浄処理を行うことを特徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】請求項2の発明は、複数の被処理基板を絶
縁性の保持手段に保持させて、薬液が供給された薬液槽
内に搬入し、薬液をアースに接続した状態で前記被処理
基板を薬液処理する工程と、次いで前記被処理基板を
記薬液槽から搬出して、リンス液が供給されたリンス槽
内に搬入し、前記被処理基板をリンス処理する工程とを
含むことを特徴とする。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】請求項3の発明は、複数の被処理基板を絶
縁性の保持手段に保持させて、薬液が供給された薬液槽
内に搬入し、前記被処理基板を薬液処理した後、前記
処理基板を前記薬液槽から搬出して、リンス液が供給さ
れたリンス槽内に搬入し、前記被処理基板をリンス処理
する洗浄装置において、前記薬液槽内に、アースに接地
された電極を前記薬液と接触するように設けたことを特
徴とする洗浄装置。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【作用】本発明では、洗浄処理槽例えば薬液槽内に、ア
ースに接地された電極を洗浄処理液例えば薬液と接触す
るように設け、薬液をアースに接続しながら洗浄処理を
行うようにしたので、保持手段へのパーティクルの付着
が抑えられる。この理由については、薬液内に存在する
パーティクルの持つ電荷が薬液を介してアースに放電さ
れるので、パーティクルと保持手段との静電吸着が弱め
られるためと考えられる。この結果例えば薬液槽内から
リンス槽内へ被処理体を搬送するプロセスにおいては、
保持手段へ付着したままりンス槽内へ入り込むパーティ
クルの量が減少するので、これに伴って被処理基板への
パーティクルの付着量が低減される。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】前記洗浄処理部100は、中継部22に置
かれたキャリアC内のウエハを一括して保持手段である
専用のウエハ保持具に移し替えるための移し替えステー
ジ20と、一次洗浄ユニットU1からn次洗浄ユニット
Unまでの複数の洗浄ユニットとを備えている。移し替
えステージ20の上方には図では見えないウエハチャッ
クが設けられ、キャリアC内のウエハは、移し替えステ
ージ20上の後述する専用のウエハ保持具に例えば50
枚一括して移し替えられる。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0032
【補正方法】変更
【補正内容】
【0032】更に本発明では、上述の図2に示す薬液槽
3において薬液循環路33や外槽32に電極を設けるよ
うにしてもよいし、また例えば図6に示すように、薬液
槽3の例えば対向する側壁の内壁面に面状の電極71、
72を配設して、この電極71、72をアースに接地す
るようにしてもよい。更にまた本発明は、専用のウエハ
保持具にウエハを保持して搬送する洗浄装置に適用する
ことに限らず、保持手段であるウエハチャックによりウ
エハを把持して薬液槽内のウエハ保持具に移し替え、薬
液処理後にウエハチャックにより薬液槽内のウエハをリ
ンス槽に移し替えるタイプの洗浄装置に適用してもよ
い。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を絶縁性の保持具に保持させ
    て洗浄処理槽内の洗浄処理液に浸漬し、前記被処理基板
    を洗浄処理した後、前記保持具を前記洗浄処理槽から搬
    出する洗浄方法において、 前記洗浄処理液をア−スに接続した状態で洗浄処理を行
    うことを特徴とする洗浄方法。
  2. 【請求項2】 複数の被処理基板を絶縁性の保持具に保
    持させて、薬液が供給された薬液槽内に搬入し、薬液を
    ア−スに接続した状態で前記被処理基板を薬液処理する
    工程と、 次いで前記保持具を前記薬液槽から搬出して、リンス液
    が供給されたリンス槽内に搬入し、前記被処理基板をリ
    ンス処理する工程と、 を含むことを特徴とする洗浄方法。
  3. 【請求項3】 複数の被処理基板を絶縁性の保持具に保
    持させて、薬液が供給された薬液槽内に搬入し、前記被
    処理基板を薬液処理した後、前記保持具を前記薬液槽か
    ら搬出して、リンス液が供給されたリンス槽内に搬入
    し、前記被処理基板をリンス処理する洗浄装置におい
    て、 前記薬液槽内に、ア−スに接地された電極を前記薬液と
    接触するように、設けたことを特徴とする洗浄装置。
JP14805895A 1995-05-23 1995-05-23 洗浄方法及びその装置 Pending JPH08316183A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332507B1 (ko) * 1996-12-20 2002-07-31 후지쯔 가부시끼가이샤 기판 처리공정을 포함한 반도체장치의 제조방법 및 기판 처리장치
JP2006269677A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2014218417A (ja) * 2013-05-10 2014-11-20 信越石英株式会社 合成石英ガラスの成型方法及び合成石英ガラス
JP2015002261A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システムおよび基板洗浄方法

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