JPH11111659A - 基板帯電防止方法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置 - Google Patents
基板帯電防止方法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置Info
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- JPH11111659A JPH11111659A JP28616197A JP28616197A JPH11111659A JP H11111659 A JPH11111659 A JP H11111659A JP 28616197 A JP28616197 A JP 28616197A JP 28616197 A JP28616197 A JP 28616197A JP H11111659 A JPH11111659 A JP H11111659A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＨＦ処理などの薬液処理中および水洗処理中
における基板の帯電を防止して、基板表面へのパーティ
クルの付着を有効に防止する技術を提供する。 【解決手段】 ウェハ洗浄工程においてウェハＷと直接
接触する部位である、チャッキングアーム２０のチャッ
ク溝２３ａ，２３ｂと、洗浄槽２ａにおける基板保持部
１４の保持溝１４ａ，１４ｂとが、導電性材料としての
金属シリコンからなり、これら部位は、絶縁内部に配線
された接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されてい
る。これにより、ウェハ洗浄工程において発生する静電
気は、設置導線を通じて大地へ逃されて、ウェハＷの表
面に帯電することはなく、静電気によるウェハＷへのパ
ーティクルの付着が防止される。
における基板の帯電を防止して、基板表面へのパーティ
クルの付着を有効に防止する技術を提供する。 【解決手段】 ウェハ洗浄工程においてウェハＷと直接
接触する部位である、チャッキングアーム２０のチャッ
ク溝２３ａ，２３ｂと、洗浄槽２ａにおける基板保持部
１４の保持溝１４ａ，１４ｂとが、導電性材料としての
金属シリコンからなり、これら部位は、絶縁内部に配線
された接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されてい
る。これにより、ウェハ洗浄工程において発生する静電
気は、設置導線を通じて大地へ逃されて、ウェハＷの表
面に帯電することはなく、静電気によるウェハＷへのパ
ーティクルの付着が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板帯電防止方
法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置に関し、さら
に詳細には、半導体基板や液晶ガラス基板等の薄板状の
基板を洗浄液が満たされた洗浄槽内に浸漬して、その基
板表面に洗浄処理を施すいわゆる湿式の洗浄工程におい
て、帯電による基板へのパーティクルの付着を防止する
ための技術に関する。
法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置に関し、さら
に詳細には、半導体基板や液晶ガラス基板等の薄板状の
基板を洗浄液が満たされた洗浄槽内に浸漬して、その基
板表面に洗浄処理を施すいわゆる湿式の洗浄工程におい
て、帯電による基板へのパーティクルの付着を防止する
ための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、カセットレス方式の基板洗浄装
置においては、複数枚の基板（以下ウェハと称する）
を、基板搬送処理装置により直接把持して、複数の洗浄
槽に順次浸漬しながら洗浄を行っている。
置においては、複数枚の基板（以下ウェハと称する）
を、基板搬送処理装置により直接把持して、複数の洗浄
槽に順次浸漬しながら洗浄を行っている。
【０００３】具体的には、搬送用カセットに収容された
状態で前工程から搬入されてくる複数枚の基板は、基板
搬入部において、基板搬送処理装置により搬送用カセッ
トから取り出される。この取り出されたウェハは、基板
搬送処理装置により各洗浄槽に搬送されるとともに、洗
浄槽内の基板保持部に載置された状態で洗浄液中に浸漬
されて所定の洗浄処理がなされる。再び基板搬送処理装
置により洗浄槽から取り出されたウェハは、以後各洗浄
槽毎に同様の動作が繰り返された後、基板搬出部におい
て、再び搬送用カセットに収容されて、次工程へ搬出さ
れる。
状態で前工程から搬入されてくる複数枚の基板は、基板
搬入部において、基板搬送処理装置により搬送用カセッ
トから取り出される。この取り出されたウェハは、基板
搬送処理装置により各洗浄槽に搬送されるとともに、洗
浄槽内の基板保持部に載置された状態で洗浄液中に浸漬
されて所定の洗浄処理がなされる。再び基板搬送処理装
置により洗浄槽から取り出されたウェハは、以後各洗浄
槽毎に同様の動作が繰り返された後、基板搬出部におい
て、再び搬送用カセットに収容されて、次工程へ搬出さ
れる。
【０００４】この目的のため、上記基板搬送処理装置の
チャック部は、開閉可能な一対のチャッキングアームを
備えるとともに、これらチャッキングアームに、所定ピ
ッチをもって配列された複数のチャック溝が設けられて
なり、チャッキングアームの縮閉動作により、そのチャ
ック溝がウェハの下部両側端縁をそれぞれ吊持状にチャ
ッキング支持する構成とされている。
チャック部は、開閉可能な一対のチャッキングアームを
備えるとともに、これらチャッキングアームに、所定ピ
ッチをもって配列された複数のチャック溝が設けられて
なり、チャッキングアームの縮閉動作により、そのチャ
ック溝がウェハの下部両側端縁をそれぞれ吊持状にチャ
ッキング支持する構成とされている。
【０００５】また、前記洗浄槽内の基板保持部も上述し
たチャック部と同じピッチをもって配列された保持溝が
形成されており、この保持溝がこの洗浄槽内においてウ
ェハの下部両側端縁をそれぞれ保持する構成とされてい
る。
たチャック部と同じピッチをもって配列された保持溝が
形成されており、この保持溝がこの洗浄槽内においてウ
ェハの下部両側端縁をそれぞれ保持する構成とされてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した基
板搬送処理装置のチャック部や洗浄槽の基板保持部は、
各種の洗浄液に曝されることから、その構成材料として
は、ＰＥＥＫ、ＰＴＦＥあるいはＰＦＡ等の耐薬品性に
すぐれる合成樹脂材料が使用されているが、反面、これ
ら合成樹脂材料は絶縁性物質で導電性がないことから、
以下に述べるような問題があり、その改良が要望されて
いた。
板搬送処理装置のチャック部や洗浄槽の基板保持部は、
各種の洗浄液に曝されることから、その構成材料として
は、ＰＥＥＫ、ＰＴＦＥあるいはＰＦＡ等の耐薬品性に
すぐれる合成樹脂材料が使用されているが、反面、これ
ら合成樹脂材料は絶縁性物質で導電性がないことから、
以下に述べるような問題があり、その改良が要望されて
いた。
【０００７】この種の洗浄工程においては、搬送用カセ
ットと基板搬送処理装置との間や基板搬送処理装置と各
洗浄槽の基板保持部との間のウェハ受け渡し時、あるい
は各洗浄槽における洗浄液の流動など各種要因により静
電気が発生する場合がある。
ットと基板搬送処理装置との間や基板搬送処理装置と各
洗浄槽の基板保持部との間のウェハ受け渡し時、あるい
は各洗浄槽における洗浄液の流動など各種要因により静
電気が発生する場合がある。
【０００８】しかしながら、上記チャック部や洗浄槽の
基板保持部、あるいはウェハは絶縁物であることから、
上記発生した静電気は、これら絶縁物の表面において逃
げ場がなく（電荷の移動がなく）、これら表面に帯電す
ることになる。
基板保持部、あるいはウェハは絶縁物であることから、
上記発生した静電気は、これら絶縁物の表面において逃
げ場がなく（電荷の移動がなく）、これら表面に帯電す
ることになる。
【０００９】そして、ウェハ表面が帯電した場合、各洗
浄槽の洗浄処理等により生じたパーティクルがウェハ表
面に付着し易くなり、このパーティクルの付着によりウ
ェハに所期の洗浄度が得られず、これがため歩留りを大
幅に低下させるという問題を生じていた。
浄槽の洗浄処理等により生じたパーティクルがウェハ表
面に付着し易くなり、このパーティクルの付着によりウ
ェハに所期の洗浄度が得られず、これがため歩留りを大
幅に低下させるという問題を生じていた。
【００１０】この静電気の帯電による問題は、特にフッ
酸（ＨＦ）処理およびこれに続くオーバフロー水洗処理
等において顕著に現れていた。つまり、フッ酸処理にお
いてはウェハ表面が疎水性となり、静電気によるパーテ
ィクル付着が起こりやすい状態にあるからである。
酸（ＨＦ）処理およびこれに続くオーバフロー水洗処理
等において顕著に現れていた。つまり、フッ酸処理にお
いてはウェハ表面が疎水性となり、静電気によるパーテ
ィクル付着が起こりやすい状態にあるからである。
【００１１】本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、ＨＦ処理などの
薬液処理中および水洗処理中におけるウェハの帯電を防
止して、ウェハ表面へのパーティクルの付着を有効に防
止する技術を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、ＨＦ処理などの
薬液処理中および水洗処理中におけるウェハの帯電を防
止して、ウェハ表面へのパーティクルの付着を有効に防
止する技術を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板帯電防止方法は、洗浄液が満たされた
洗浄槽内にウェハを浸漬してウェハ表面に洗浄処理を施
す湿式のウェハ洗浄工程において、ウェハと直接接触す
る基板接触部を洗浄装置外部で接地することにより、ウ
ェハ洗浄工程において発生した静電気を、前記基板接触
部から大地に逃して、ウェハ表面への帯電を防止するよ
うにしたことを特徴とする。また、本発明の基板帯電防
止装置は、洗浄液が満たされた洗浄槽内にウェハを浸漬
してウェハ表面に洗浄処理を施す湿式の基板洗浄装置に
設けられて、上記基板帯電防止方法を実施するものであ
って、ウェハ洗浄工程においてウェハと直接接触する基
板接触部が、導電性材料からなるとともに、絶縁内部に
配線された接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されて
いることを特徴とする。
め、本発明の基板帯電防止方法は、洗浄液が満たされた
洗浄槽内にウェハを浸漬してウェハ表面に洗浄処理を施
す湿式のウェハ洗浄工程において、ウェハと直接接触す
る基板接触部を洗浄装置外部で接地することにより、ウ
ェハ洗浄工程において発生した静電気を、前記基板接触
部から大地に逃して、ウェハ表面への帯電を防止するよ
うにしたことを特徴とする。また、本発明の基板帯電防
止装置は、洗浄液が満たされた洗浄槽内にウェハを浸漬
してウェハ表面に洗浄処理を施す湿式の基板洗浄装置に
設けられて、上記基板帯電防止方法を実施するものであ
って、ウェハ洗浄工程においてウェハと直接接触する基
板接触部が、導電性材料からなるとともに、絶縁内部に
配線された接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されて
いることを特徴とする。
【００１３】より具体的には、上記基板洗浄装置は、ウ
ェハを基板搬送処理装置により直接保持して搬送処理す
るカセットレス方式のものであって、上記基板接触部
は、少なくとも、ウェハを直接把持する上記基板搬送処
理装置の基板チャック部と、洗浄装置内に配置されてウ
ェハを直接保持する基板保持部とを含み、上記基板チャ
ック部のチャック溝と上記基板保持部の保持溝の少なく
とも表面部分が、導電性材料からなるとともに、上記基
板チャック部あるいは基板保持部等の絶縁内部に配線さ
れた接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されている。
ェハを基板搬送処理装置により直接保持して搬送処理す
るカセットレス方式のものであって、上記基板接触部
は、少なくとも、ウェハを直接把持する上記基板搬送処
理装置の基板チャック部と、洗浄装置内に配置されてウ
ェハを直接保持する基板保持部とを含み、上記基板チャ
ック部のチャック溝と上記基板保持部の保持溝の少なく
とも表面部分が、導電性材料からなるとともに、上記基
板チャック部あるいは基板保持部等の絶縁内部に配線さ
れた接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されている。
【００１４】好適な実施態様として、上記基板接触部は
ウェハと同材質の金属シリコンで構成されており、金属
シリコンが基板接触部の母材部分表面に蒸着されたり、
母材部分に埋設されて、上記基板接触部の基板接触表面
が形成されたり、あるいは、基板接触部全体が金属シリ
コンで形成される。
ウェハと同材質の金属シリコンで構成されており、金属
シリコンが基板接触部の母材部分表面に蒸着されたり、
母材部分に埋設されて、上記基板接触部の基板接触表面
が形成されたり、あるいは、基板接触部全体が金属シリ
コンで形成される。
【００１５】また、本発明の基板洗浄装置は、ウェハを
直接保持するとともに、これらウェハを洗浄液が満たさ
れた洗浄槽内に浸漬してウェハ表面に洗浄処理を施すカ
セットレス方式の基板洗浄装置であって、洗浄液が満た
されるとともに、ウェハを直接保持する基板保持部を備
える少なくとも一つの洗浄槽と、ウェハを直接保持し
て、前記洗浄槽に対し搬送処理する基板搬送処理装置
と、上記基板帯電防止装置とを備えてなることを特徴と
する。
直接保持するとともに、これらウェハを洗浄液が満たさ
れた洗浄槽内に浸漬してウェハ表面に洗浄処理を施すカ
セットレス方式の基板洗浄装置であって、洗浄液が満た
されるとともに、ウェハを直接保持する基板保持部を備
える少なくとも一つの洗浄槽と、ウェハを直接保持し
て、前記洗浄槽に対し搬送処理する基板搬送処理装置
と、上記基板帯電防止装置とを備えてなることを特徴と
する。
【００１６】基板洗浄工程においては、搬送用カセット
と基板搬送処理装置との間や基板搬送処理装置と各洗浄
槽の基板保持部との間のウェハ受け渡し時、あるいは各
洗浄槽における洗浄液の流動など各種要因により静電気
が発生する場合があるところ、本発明においては、これ
らの部位、つまりウェハ洗浄工程においてウェハと直接
接触する基板接触部を、例えば導電性材料で構成すると
ともに、この部位を絶縁内部に配線された接地導線を通
じて洗浄装置外部で接地することにより、上記発生した
静電気は、上記基板接触部から接地導線を通じて大地に
瞬間的に逃げて、この結果、基板接触部さらにはウェハ
の表面への帯電を有効に防止することができる。
と基板搬送処理装置との間や基板搬送処理装置と各洗浄
槽の基板保持部との間のウェハ受け渡し時、あるいは各
洗浄槽における洗浄液の流動など各種要因により静電気
が発生する場合があるところ、本発明においては、これ
らの部位、つまりウェハ洗浄工程においてウェハと直接
接触する基板接触部を、例えば導電性材料で構成すると
ともに、この部位を絶縁内部に配線された接地導線を通
じて洗浄装置外部で接地することにより、上記発生した
静電気は、上記基板接触部から接地導線を通じて大地に
瞬間的に逃げて、この結果、基板接触部さらにはウェハ
の表面への帯電を有効に防止することができる。
【００１７】また、上記基板接触部が金属シリコンで構
成されていると、これらの部位が各種洗浄液による薬液
処理でエッチングされて溶解したとしても、ウェハと同
材質であることからウェハの品質等に悪影響を及ぼすこ
とがない。
成されていると、これらの部位が各種洗浄液による薬液
処理でエッチングされて溶解したとしても、ウェハと同
材質であることからウェハの品質等に悪影響を及ぼすこ
とがない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１９】実施形態１ 本発明に係る基板洗浄装置を図１〜図５に示す。この基
板洗浄装置は、複数枚のウェハＷ，Ｗ，…をカセットレ
スで一括して行うもの（バッチ式）であって、図５に示
すように、装置本体である処理チャンバ１内に、一列に
配された複数（図示のものにおいては４つ）の洗浄槽２
ａ〜２ｄと基板搬送処理装置３が設置されてなるととも
に、基板帯電防止装置４を備える構成とされている。
板洗浄装置は、複数枚のウェハＷ，Ｗ，…をカセットレ
スで一括して行うもの（バッチ式）であって、図５に示
すように、装置本体である処理チャンバ１内に、一列に
配された複数（図示のものにおいては４つ）の洗浄槽２
ａ〜２ｄと基板搬送処理装置３が設置されてなるととも
に、基板帯電防止装置４を備える構成とされている。
【００２０】具体的には、処理チャンバ１内の前側にお
いて、基板搬入部５および基板搬出部６の間に、洗浄槽
２ａ〜２ｄが配列されるとともに、これら洗浄槽２ａ〜
２ｄの側部背面側に基板搬送処理装置３が配置されてい
る。また、図示の実施形態においては、洗浄槽２ａは、
フッ酸（ＨＦ）と純水との混合液が満たされている洗浄
槽、洗浄槽２ｂは、６０℃程度の温かい超純水が満たさ
れている純水槽、洗浄槽２ｃは、アンモニア水（ＮＨ4
ＯＨ）が満たされているスタンダード・クリーニング
槽、ならびに、洗浄槽２ｄは、６０℃程度の温かい超純
水が満たされている純水槽とされている。洗浄槽２ａ〜
２ｄに対しては、洗浄液供給装置７が設けられており、
この洗浄液供給装置７から各洗浄槽２ａ〜２ｄに対して
所定の洗浄液がそれぞれ循環供給される。
いて、基板搬入部５および基板搬出部６の間に、洗浄槽
２ａ〜２ｄが配列されるとともに、これら洗浄槽２ａ〜
２ｄの側部背面側に基板搬送処理装置３が配置されてい
る。また、図示の実施形態においては、洗浄槽２ａは、
フッ酸（ＨＦ）と純水との混合液が満たされている洗浄
槽、洗浄槽２ｂは、６０℃程度の温かい超純水が満たさ
れている純水槽、洗浄槽２ｃは、アンモニア水（ＮＨ4
ＯＨ）が満たされているスタンダード・クリーニング
槽、ならびに、洗浄槽２ｄは、６０℃程度の温かい超純
水が満たされている純水槽とされている。洗浄槽２ａ〜
２ｄに対しては、洗浄液供給装置７が設けられており、
この洗浄液供給装置７から各洗浄槽２ａ〜２ｄに対して
所定の洗浄液がそれぞれ循環供給される。
【００２１】また、各洗浄槽２ａ〜２ｄの具体的構成は
従来周知の構造であり、例えば、フッ酸（ＨＦ）と純水
との混合液による洗浄処理を行う洗浄槽２ａは、図１お
よび図２に示すようなオーバフロー槽とされている。
従来周知の構造であり、例えば、フッ酸（ＨＦ）と純水
との混合液による洗浄処理を行う洗浄槽２ａは、図１お
よび図２に示すようなオーバフロー槽とされている。
【００２２】このオーバフロー槽２ａは、内槽１０と外
槽１１とからなる二重構造とされ、石英ガラスやフッ素
樹脂等の耐腐食性を有する材料から形成されている。
槽１１とからなる二重構造とされ、石英ガラスやフッ素
樹脂等の耐腐食性を有する材料から形成されている。
【００２３】内槽１０は、洗浄液（ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ）Ａが
満たされる本体部分で、その上部開口１２がオーバフロ
ー部とされ、その底部に上記洗浄液供給装置７の給液部
１３，１３が配置されるとともに、これら給液部１３，
１３の上側に、左右一対の基板保持部１４，１４が設け
られている。外槽１１は、内槽１０からオーバフローす
る洗浄液Ａを集める部分で、内槽１０のオーバフロー部
１２を全周にわたって取り囲むように設けられている。
満たされる本体部分で、その上部開口１２がオーバフロ
ー部とされ、その底部に上記洗浄液供給装置７の給液部
１３，１３が配置されるとともに、これら給液部１３，
１３の上側に、左右一対の基板保持部１４，１４が設け
られている。外槽１１は、内槽１０からオーバフローす
る洗浄液Ａを集める部分で、内槽１０のオーバフロー部
１２を全周にわたって取り囲むように設けられている。
【００２４】上記基板保持部１４，１４は、基板搬送処
理装置３により搬送されてくるウェハＷ，Ｗ，…の下部
両側縁部を直接保持するもので、後述するように、基板
帯電防止装置４の主要部も構成している。
理装置３により搬送されてくるウェハＷ，Ｗ，…の下部
両側縁部を直接保持するもので、後述するように、基板
帯電防止装置４の主要部も構成している。
【００２５】基板保持部１４，１４には、後述する上記
基板搬送処理装置３のチャック溝２０ａ，２０ｂ，…と
同一配列ピッチの上下保持溝１４ａ，１４ｂ，…を備え
ており、上側の保持溝１４ａ，１４ａ，…は、基板搬送
処理装置３とのウェハＷの受渡し時のウェハガイドとし
ても機能する。
基板搬送処理装置３のチャック溝２０ａ，２０ｂ，…と
同一配列ピッチの上下保持溝１４ａ，１４ｂ，…を備え
ており、上側の保持溝１４ａ，１４ａ，…は、基板搬送
処理装置３とのウェハＷの受渡し時のウェハガイドとし
ても機能する。
【００２６】また、上記給液部１３は、循環回路１５を
介して、外槽１１の底部に連通されて、洗浄液供給装置
７の洗浄液循環部を構成している。この循環回路１５に
は、洗浄液Ａを循環させる循環ポンプ１６と濾過フィル
タ１７を備えている。１８は循環回路１５を図示しない
洗浄液供給装置７の洗浄液供給部に切換え接続する切換
弁を示している。
介して、外槽１１の底部に連通されて、洗浄液供給装置
７の洗浄液循環部を構成している。この循環回路１５に
は、洗浄液Ａを循環させる循環ポンプ１６と濾過フィル
タ１７を備えている。１８は循環回路１５を図示しない
洗浄液供給装置７の洗浄液供給部に切換え接続する切換
弁を示している。
【００２７】しかして、上記循環回路１５には、洗浄液
供給装置７の洗浄液供給部から切換弁１８を介して洗浄
液Ａが供給され、この循環回路１５に供給された洗浄液
Ａは、循環ポンプ１６により、給液部１３，１３から内
槽１０の底部に供給されて上昇流を生じるとともに、内
槽１０のオーバフロー部１２から外槽１１へオーバフロ
ーした洗浄液は、上記循環回路１５へ導入されて濾過フ
ィルタ１７で濾過された後、再び内槽１０に還流され
る。また、この洗浄液循環部を循環する洗浄液Ａがある
程度汚れてきたら、切換弁１８の切換え操作により、上
記洗浄液供給部へ排液されるとともに、これに代えて新
たな洗浄液Ａが上記洗浄液供給部から供給され、常時安
定した清浄度の洗浄液Ａが上記オバーフロー槽２ａに循
環供給される。
供給装置７の洗浄液供給部から切換弁１８を介して洗浄
液Ａが供給され、この循環回路１５に供給された洗浄液
Ａは、循環ポンプ１６により、給液部１３，１３から内
槽１０の底部に供給されて上昇流を生じるとともに、内
槽１０のオーバフロー部１２から外槽１１へオーバフロ
ーした洗浄液は、上記循環回路１５へ導入されて濾過フ
ィルタ１７で濾過された後、再び内槽１０に還流され
る。また、この洗浄液循環部を循環する洗浄液Ａがある
程度汚れてきたら、切換弁１８の切換え操作により、上
記洗浄液供給部へ排液されるとともに、これに代えて新
たな洗浄液Ａが上記洗浄液供給部から供給され、常時安
定した清浄度の洗浄液Ａが上記オバーフロー槽２ａに循
環供給される。
【００２８】また、上記洗浄槽列２ａ〜２ｄ列の前後位
置に配置された基板搬入部５と基板搬出部６には、図示
しない基板移替え装置が配設されており、この基板移替
え装置により、搬送用カセットと基板搬送処理装置３と
の間でのウェハＷ，Ｗ，…Ｗ，Ｗ，…の受け渡しが行わ
れる。
置に配置された基板搬入部５と基板搬出部６には、図示
しない基板移替え装置が配設されており、この基板移替
え装置により、搬送用カセットと基板搬送処理装置３と
の間でのウェハＷ，Ｗ，…Ｗ，Ｗ，…の受け渡しが行わ
れる。
【００２９】基板搬送処理装置３は、ウェハＷ，Ｗ，…
を直接保持してカセットレスで搬送処理するもので、洗
浄槽２ａ〜２ｄの配列方向へ平行に往復移動可能とされ
てなるとともに、ウェハＷ，Ｗ，…を吊持状に把持する
一対のチャッキングアーム２０，２０を備える。
を直接保持してカセットレスで搬送処理するもので、洗
浄槽２ａ〜２ｄの配列方向へ平行に往復移動可能とされ
てなるとともに、ウェハＷ，Ｗ，…を吊持状に把持する
一対のチャッキングアーム２０，２０を備える。
【００３０】具体的には、図３において、図示しない基
台が、洗浄槽２ａ〜２ｄの配列方向へ平行に往復移動可
能に設けられるとともに、この基台に、昇降ロッド２１
が起立状にかつ昇降可能に設けられている。さらに、こ
の昇降ロッド２１の上端部に支持アーム２２が水平方向
へ延びて設けられるとともに、その先端側部分に一対の
チャッキングアーム２０、２０が開閉可能に設けられて
なる。
台が、洗浄槽２ａ〜２ｄの配列方向へ平行に往復移動可
能に設けられるとともに、この基台に、昇降ロッド２１
が起立状にかつ昇降可能に設けられている。さらに、こ
の昇降ロッド２１の上端部に支持アーム２２が水平方向
へ延びて設けられるとともに、その先端側部分に一対の
チャッキングアーム２０、２０が開閉可能に設けられて
なる。
【００３１】チャッキングアーム２０，２０の基本的な
構造は従来周知のものであり、図示しない駆動源によ
り、上記ウェハＷ，Ｗ，…を両側から吊持状に把持すべ
く開閉可能とされるとともに、昇降ロッド２１の昇降動
作により上昇位置（ウェハ搬送位置）と２点鎖線で示す
処理位置（ウェハ浸漬位置）との間で昇降可能とされて
いる。
構造は従来周知のものであり、図示しない駆動源によ
り、上記ウェハＷ，Ｗ，…を両側から吊持状に把持すべ
く開閉可能とされるとともに、昇降ロッド２１の昇降動
作により上昇位置（ウェハ搬送位置）と２点鎖線で示す
処理位置（ウェハ浸漬位置）との間で昇降可能とされて
いる。
【００３２】また、上記チャッキングアーム２０，２０
の下端部内側には、図１、図３および図４に示されるよ
うに、ウェハＷ，Ｗ，…の下部両側縁部を直接保持する
基板チャック部２３，２３がそれぞれ設けられている。
これら基板チャック部２３，２３は、前記基板保持部１
４，１４と同様、後述するように、基板帯電防止装置４
の主要部も構成している。基板チャック部２３には上下
チャック溝２３ａ，２３ｂが設けられており、これらチ
ャック溝２３ａ，２３ｂの配列ピッチは、上記搬送用カ
セットの保持溝（図示省略）および洗浄槽２ａ〜２ｄの
基板保持部１４，１４の保持溝１４ａ，１４ｂ，…の配
列ピッチと同一となるように設定されている。また、下
側のチャック溝２３ｂ，２３ｂ，…は、上記基板搬入部
５および基板搬出部６の基板移替え装置と、各洗浄槽２
ａ〜２ｄの基板保持部１４，１４とのウェハ受渡し時の
ウェハガイドとしても機能する。
の下端部内側には、図１、図３および図４に示されるよ
うに、ウェハＷ，Ｗ，…の下部両側縁部を直接保持する
基板チャック部２３，２３がそれぞれ設けられている。
これら基板チャック部２３，２３は、前記基板保持部１
４，１４と同様、後述するように、基板帯電防止装置４
の主要部も構成している。基板チャック部２３には上下
チャック溝２３ａ，２３ｂが設けられており、これらチ
ャック溝２３ａ，２３ｂの配列ピッチは、上記搬送用カ
セットの保持溝（図示省略）および洗浄槽２ａ〜２ｄの
基板保持部１４，１４の保持溝１４ａ，１４ｂ，…の配
列ピッチと同一となるように設定されている。また、下
側のチャック溝２３ｂ，２３ｂ，…は、上記基板搬入部
５および基板搬出部６の基板移替え装置と、各洗浄槽２
ａ〜２ｄの基板保持部１４，１４とのウェハ受渡し時の
ウェハガイドとしても機能する。
【００３３】そして、基板搬送処理装置３は、基板搬入
部５に搬入される複数枚のウェハＷ，Ｗ，…を搬送用カ
セットから取り出して、各洗浄槽２ａ〜２ｄに浸漬しな
がら搬送処理した後、基板搬出部６に待機する搬送用カ
セット内に搬出収容する。
部５に搬入される複数枚のウェハＷ，Ｗ，…を搬送用カ
セットから取り出して、各洗浄槽２ａ〜２ｄに浸漬しな
がら搬送処理した後、基板搬出部６に待機する搬送用カ
セット内に搬出収容する。
【００３４】基板帯電防止装置４は、ウェハ洗浄工程に
おけるウェハＷの表面への静電気の帯電を防止するもの
で、ウェハ洗浄工程においてウェハＷ，Ｗ，…と直接接
触する基板接触部を主要部として備え、図示の実施形態
においては、前述した基板搬送処理装置３のチャッキン
グアーム２０，２０の基板チャック部２３，２３と、洗
浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１４，１４とを備えてな
る。
おけるウェハＷの表面への静電気の帯電を防止するもの
で、ウェハ洗浄工程においてウェハＷ，Ｗ，…と直接接
触する基板接触部を主要部として備え、図示の実施形態
においては、前述した基板搬送処理装置３のチャッキン
グアーム２０，２０の基板チャック部２３，２３と、洗
浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１４，１４とを備えてな
る。
【００３５】上記チャッキングアーム２０，２０は、そ
の構成材料として、耐薬品性および耐腐食性にすぐれる
ＰＥＥＫ製、ＰＴＦＥあるいはＰＦＡ等の合成樹脂材料
が好適に用いられる。一方、その下端部に設けられた基
板チャック部２３，２３には、上記チャッキングアーム
２０と同様な耐薬品性および耐腐食性が要求されるとと
もに、その基板接触表面を構成するチャック溝２３ａ，
２３ｂの表面には導電性が要求され、図示の実施形態に
おいては、これら二つの構成条件を満たすものとして金
属シリコンが用いられている。
の構成材料として、耐薬品性および耐腐食性にすぐれる
ＰＥＥＫ製、ＰＴＦＥあるいはＰＦＡ等の合成樹脂材料
が好適に用いられる。一方、その下端部に設けられた基
板チャック部２３，２３には、上記チャッキングアーム
２０と同様な耐薬品性および耐腐食性が要求されるとと
もに、その基板接触表面を構成するチャック溝２３ａ，
２３ｂの表面には導電性が要求され、図示の実施形態に
おいては、これら二つの構成条件を満たすものとして金
属シリコンが用いられている。
【００３６】また、基板チャック部２３は、絶縁内部に
配線された接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されて
いる。具体的には、上記チャッキングアーム２０の内部
には、銅線等の導電性に富む金属線や金属シリコン線か
らなる接地導線（図示省略）が埋設状に配線されてお
り、この接地導線は、その一端が上記基板チャック部２
３に電気的に接続されるとともに、その他端が、上記支
持アーム２２および昇降ロッド２１等を介して、洗浄装
置外部で接地（アース）されている。
配線された接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されて
いる。具体的には、上記チャッキングアーム２０の内部
には、銅線等の導電性に富む金属線や金属シリコン線か
らなる接地導線（図示省略）が埋設状に配線されてお
り、この接地導線は、その一端が上記基板チャック部２
３に電気的に接続されるとともに、その他端が、上記支
持アーム２２および昇降ロッド２１等を介して、洗浄装
置外部で接地（アース）されている。
【００３７】同様に、洗浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１
４，１４も金属シリコン製とされ、この基板保持部１４
は、図示しない接地導線に電気的に接続されており、こ
の接地導線は、洗浄槽２ａ〜２ｄの外部さらには洗浄装
置外部へ延びて接地（アース）されている。
４，１４も金属シリコン製とされ、この基板保持部１４
は、図示しない接地導線に電気的に接続されており、こ
の接地導線は、洗浄槽２ａ〜２ｄの外部さらには洗浄装
置外部へ延びて接地（アース）されている。
【００３８】しかして、以上のように構成された基板洗
浄装置において、搬送用カセットに収容されて基板搬入
部５へ搬入されたウェハＷ，Ｗ，…は、ここで搬送用カ
セットから取り出されて基板搬送処理装置３のチャッキ
ングアーム２０，２０により把持される。基板搬送処理
装置３は、これらウェハＷ，Ｗ，…を各洗浄槽２ａ〜２
ｄに順次搬送しながら浸漬して、その表面に化学洗浄処
理を施した後、基板搬出部６へ搬送する。処理済みのウ
ェハＷ，Ｗ，…は、ここで再び搬送用カセットに収容さ
れて装置外部へ搬出される。
浄装置において、搬送用カセットに収容されて基板搬入
部５へ搬入されたウェハＷ，Ｗ，…は、ここで搬送用カ
セットから取り出されて基板搬送処理装置３のチャッキ
ングアーム２０，２０により把持される。基板搬送処理
装置３は、これらウェハＷ，Ｗ，…を各洗浄槽２ａ〜２
ｄに順次搬送しながら浸漬して、その表面に化学洗浄処
理を施した後、基板搬出部６へ搬送する。処理済みのウ
ェハＷ，Ｗ，…は、ここで再び搬送用カセットに収容さ
れて装置外部へ搬出される。
【００３９】また、これら一連のウェハ洗浄工程におい
て、搬送用カセットと基板搬送処理装置３との間や、基
板搬送処理装置３と各洗浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１
４，１４との間におけるウェハ受け渡し時、あるいは、
各洗浄槽２ａ〜２ｄにおける洗浄液Ａの流動など各種要
因により静電気が発生する場合がある。
て、搬送用カセットと基板搬送処理装置３との間や、基
板搬送処理装置３と各洗浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１
４，１４との間におけるウェハ受け渡し時、あるいは、
各洗浄槽２ａ〜２ｄにおける洗浄液Ａの流動など各種要
因により静電気が発生する場合がある。
【００４０】本基板洗浄装置においては、これらの部
位、つまりウェハ洗浄工程においてウェハＷ，Ｗ，…と
直接接触するチャッキングアーム２０，２０の基板チャ
ック部２３，２３と、洗浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１
４，１４とが、導電性材料である金属シリコンで形成さ
れるとともに、これらが接地導線を通じて洗浄装置外部
で接地されている。したがって、上記のように発生した
静電気は、接地導線を通じて大地に瞬間的に逃がされ
て、基板チャック部２３，２３および基板保持部１４，
１４の溝２３ａ，２３ｂおよび１４ａ，１４ｂ、さらに
はウェハＷ，Ｗ，…の表面への帯電が有効に防止され
る。この結果、各洗浄槽２ａ〜２ｄの洗浄処理等により
生じたパーティクルが、ウェハＷ，Ｗ，…の表面に、そ
の帯電により付着することがない。
位、つまりウェハ洗浄工程においてウェハＷ，Ｗ，…と
直接接触するチャッキングアーム２０，２０の基板チャ
ック部２３，２３と、洗浄槽２ａ〜２ｄの基板保持部１
４，１４とが、導電性材料である金属シリコンで形成さ
れるとともに、これらが接地導線を通じて洗浄装置外部
で接地されている。したがって、上記のように発生した
静電気は、接地導線を通じて大地に瞬間的に逃がされ
て、基板チャック部２３，２３および基板保持部１４，
１４の溝２３ａ，２３ｂおよび１４ａ，１４ｂ、さらに
はウェハＷ，Ｗ，…の表面への帯電が有効に防止され
る。この結果、各洗浄槽２ａ〜２ｄの洗浄処理等により
生じたパーティクルが、ウェハＷ，Ｗ，…の表面に、そ
の帯電により付着することがない。
【００４１】また、本実施形態のように、基板チャック
部２３，２３および基板保持部１４，１４が金属シリコ
ンで形成されていると、これらの部位が各種洗浄液Ａに
よる薬液処理でエッチングされて溶解したとしても、ウ
ェハＷ，Ｗ，…と同材質であることからウェハＷ，Ｗ，
…の品質等に悪影響を及ぼすことはない。
部２３，２３および基板保持部１４，１４が金属シリコ
ンで形成されていると、これらの部位が各種洗浄液Ａに
よる薬液処理でエッチングされて溶解したとしても、ウ
ェハＷ，Ｗ，…と同材質であることからウェハＷ，Ｗ，
…の品質等に悪影響を及ぼすことはない。
【００４２】実施形態２ 本実施形態は図６および図７に示されており、基板搬送
処理装置３における基板チャック部が改変されたもので
ある。
処理装置３における基板チャック部が改変されたもので
ある。
【００４３】本実施形態の基板チャック部３０は、上下
一対の溝付きバー３１，３１の形態とされ、これら溝付
きバー３１，３１は、チャッキングアーム２０を構成す
る２本の吊持アーム２４，２４の下端部間に、上下に所
定間隔をもって平行にかつ橋絡状に設けられている。
一対の溝付きバー３１，３１の形態とされ、これら溝付
きバー３１，３１は、チャッキングアーム２０を構成す
る２本の吊持アーム２４，２４の下端部間に、上下に所
定間隔をもって平行にかつ橋絡状に設けられている。
【００４４】各溝付きバー３１は、そろばんの珠が複数
個連結したような形態とされ、具体的には、外周に複数
のＶ字状断面のチャック溝３１ａを有する外筒３１ｂ
と、この外筒３１ｂの内部に封入されたステンレス鋼製
の心金３１ｃとから構成されている。上記チャック溝３
１ａの配列ピッチは、前記チャック溝２３ａ，２３ｂ…
の配列ピッチと同様に、基板保持部１４，１４の保持溝
１４ａ，１４ｂ，…等と同一となるように設定されてい
る。
個連結したような形態とされ、具体的には、外周に複数
のＶ字状断面のチャック溝３１ａを有する外筒３１ｂ
と、この外筒３１ｂの内部に封入されたステンレス鋼製
の心金３１ｃとから構成されている。上記チャック溝３
１ａの配列ピッチは、前記チャック溝２３ａ，２３ｂ…
の配列ピッチと同様に、基板保持部１４，１４の保持溝
１４ａ，１４ｂ，…等と同一となるように設定されてい
る。
【００４５】このようにして構成された基板チャック部
３０の外筒３１ｂも金属シリコンで形成されており、こ
の外筒３１ｂは、上記心金３１ｃおよび吊持アーム２４
に埋設された図示しない接地導線を通じて洗浄装置外部
で接地されて、基板搬送処理装置３における基板帯電防
止装置４の主要部を構成している。
３０の外筒３１ｂも金属シリコンで形成されており、こ
の外筒３１ｂは、上記心金３１ｃおよび吊持アーム２４
に埋設された図示しない接地導線を通じて洗浄装置外部
で接地されて、基板搬送処理装置３における基板帯電防
止装置４の主要部を構成している。
【００４６】しかして 図示しない駆動源によりチャッ
キングアーム２０，２０が開閉動作して、その縮閉動作
により、上下二段のチャック溝３１ａ，３１ａが上記ウ
ェハＷ，Ｗ，…を両側から吊持状に把持する一方、ウェ
ハ洗浄工程における各種要因により発生した静電気は、
上記基板チャック部３０の外筒３１ｂから接地導線を通
じて大地に瞬間的に逃がされて、基板チャック部３０，
３０さらにはウェハＷ，Ｗ，…の表面への帯電が有効に
防止される。その他の構成および作用は実施形態１と同
様である。
キングアーム２０，２０が開閉動作して、その縮閉動作
により、上下二段のチャック溝３１ａ，３１ａが上記ウ
ェハＷ，Ｗ，…を両側から吊持状に把持する一方、ウェ
ハ洗浄工程における各種要因により発生した静電気は、
上記基板チャック部３０の外筒３１ｂから接地導線を通
じて大地に瞬間的に逃がされて、基板チャック部３０，
３０さらにはウェハＷ，Ｗ，…の表面への帯電が有効に
防止される。その他の構成および作用は実施形態１と同
様である。
【００４７】実施形態３ 本実施形態は図８〜図１０に示されており、実施形態２
と同様、基板搬送処理装置３における基板チャック部が
改変されたものである。
と同様、基板搬送処理装置３における基板チャック部が
改変されたものである。
【００４８】本実施形態の基板チャック部４０は、ウェ
ハの外周円に沿った円弧状のチャック溝４１を備えてな
る。具体的には、チャック溝４１の縦断面形状は、図９
に示すように、ウェハＷ，Ｗ，…の周縁の曲率に対応し
て形成されるとともに、その横断面形状は、図１０に示
すように、その底部がウェハＷの厚みに相当する溝幅に
形成されるとともに、深さ方向中央部から僅かに幅広の
溝幅に形成され、さらにこの中央部から先端にかけて
は、ウェハ挿入時の案内部として機能するように先広が
りのテーパ状に形成されている。
ハの外周円に沿った円弧状のチャック溝４１を備えてな
る。具体的には、チャック溝４１の縦断面形状は、図９
に示すように、ウェハＷ，Ｗ，…の周縁の曲率に対応し
て形成されるとともに、その横断面形状は、図１０に示
すように、その底部がウェハＷの厚みに相当する溝幅に
形成されるとともに、深さ方向中央部から僅かに幅広の
溝幅に形成され、さらにこの中央部から先端にかけて
は、ウェハ挿入時の案内部として機能するように先広が
りのテーパ状に形成されている。
【００４９】基板チャック部４０は、前述した２本の吊
持アーム２４の下端部に水平な橋絡状に設けられて、そ
のチャック溝４１が、図９に示すように、ウェハＷ，
Ｗ，…の下半部の外周縁を吊持状に保持する。
持アーム２４の下端部に水平な橋絡状に設けられて、そ
のチャック溝４１が、図９に示すように、ウェハＷ，
Ｗ，…の下半部の外周縁を吊持状に保持する。
【００５０】この基板チャック部４０も金属シリコンで
形成されており、吊持アーム２４に埋設された図示しな
い接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されている。
形成されており、吊持アーム２４に埋設された図示しな
い接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されている。
【００５１】しかして 図示しない駆動源によりチャッ
キングアーム２０，２０が開閉動作して、その縮閉動作
により、基板チャック部４０のチャック溝４１が上記ウ
ェハＷ，Ｗ，…を両側から吊持状に把持する一方、ウェ
ハ洗浄工程における各種要因により発生した静電気は、
上記基板チャック部４０から接地導線を通じて大地に瞬
間的に逃がされて、チャック溝４１さらにはウェハＷ，
Ｗ，…の表面への帯電が有効に防止される。その他の構
成および作用は実施形態１と同様である。
キングアーム２０，２０が開閉動作して、その縮閉動作
により、基板チャック部４０のチャック溝４１が上記ウ
ェハＷ，Ｗ，…を両側から吊持状に把持する一方、ウェ
ハ洗浄工程における各種要因により発生した静電気は、
上記基板チャック部４０から接地導線を通じて大地に瞬
間的に逃がされて、チャック溝４１さらにはウェハＷ，
Ｗ，…の表面への帯電が有効に防止される。その他の構
成および作用は実施形態１と同様である。
【００５２】実施形態４ 本実施形態は図１１に示されており、実施形態２および
実施形態３と同様、基板搬送処理装置３における基板チ
ャック部が改変されたものである。
実施形態３と同様、基板搬送処理装置３における基板チ
ャック部が改変されたものである。
【００５３】本実施形態の基板チャック部５０は、前述
した実施形態のように、その全体が金属シリコンで形成
されるのではなく、その母材部分が耐薬品性および耐腐
食性にすぐれるＰＥＥＫ製、ＰＴＦＥあるいはＰＦＡ等
の合成樹脂材料で形成されるとともに、その基板接触表
面が金属シリコンで形成されている。
した実施形態のように、その全体が金属シリコンで形成
されるのではなく、その母材部分が耐薬品性および耐腐
食性にすぐれるＰＥＥＫ製、ＰＴＦＥあるいはＰＦＡ等
の合成樹脂材料で形成されるとともに、その基板接触表
面が金属シリコンで形成されている。
【００５４】具体的には、図中に斜線で示されるように
チャック溝２３ａ，２３ｂの表面に金属シリコンが蒸着
によって被覆されるとともに、チャッキングアーム２０
の側部表面にも金属シリコンが蒸着によって帯状に設け
られて、接地導線を形成している。この接地導線は、そ
の一端がチャック溝２３ａ，２３ｂに電気的に接続され
るとともに、その他端が支持アーム２２および昇降ロッ
ド２１等を介して、洗浄装置外部で接地されている。
チャック溝２３ａ，２３ｂの表面に金属シリコンが蒸着
によって被覆されるとともに、チャッキングアーム２０
の側部表面にも金属シリコンが蒸着によって帯状に設け
られて、接地導線を形成している。この接地導線は、そ
の一端がチャック溝２３ａ，２３ｂに電気的に接続され
るとともに、その他端が支持アーム２２および昇降ロッ
ド２１等を介して、洗浄装置外部で接地されている。
【００５５】しかして、このように基板チャック部５０
の全体でなく、チャック溝２３ａ，２３ｂの表面のみが
金属シリコンによって形成されることにより、高価な金
属シリコンの使用量を抑えて、より安価な基板チャック
部５０の構造とすることができる。その他の構成および
作用は実施形態１と同様である。
の全体でなく、チャック溝２３ａ，２３ｂの表面のみが
金属シリコンによって形成されることにより、高価な金
属シリコンの使用量を抑えて、より安価な基板チャック
部５０の構造とすることができる。その他の構成および
作用は実施形態１と同様である。
【００５６】なお、上述した実施形態１〜４はあくまで
も本発明の好適な実施態様を示すものであって、本発明
はこれに限定されることなく、その範囲内で種々の設計
変更が可能であり、以下にその一例を示す。
も本発明の好適な実施態様を示すものであって、本発明
はこれに限定されることなく、その範囲内で種々の設計
変更が可能であり、以下にその一例を示す。
【００５７】(1) 図示の実施形態１〜４においては、基
板帯電防止装置４の基板接触部を構成する導電性材料と
して、ウェハＷと同材質の金属シリコンが用いられてい
るが、洗浄液Ａを構成する薬液の種類を考慮しつつ、耐
薬品性に優れる導電性金属なども採用可能である。
板帯電防止装置４の基板接触部を構成する導電性材料と
して、ウェハＷと同材質の金属シリコンが用いられてい
るが、洗浄液Ａを構成する薬液の種類を考慮しつつ、耐
薬品性に優れる導電性金属なども採用可能である。
【００５８】(2) また、金属シリコンの設置方法も、実
施形態１〜３のように基板接触部全体を金属シリコンで
形成したり、実施形態４のように基板接触部表面に蒸着
したりするほか、基板接触部の母材部分に金属シリコン
を埋設する構成としてもよい。
施形態１〜３のように基板接触部全体を金属シリコンで
形成したり、実施形態４のように基板接触部表面に蒸着
したりするほか、基板接触部の母材部分に金属シリコン
を埋設する構成としてもよい。
【００５９】(3) 図示の実施形態においては、基板帯電
防止装置４の基板接触部として、基板搬送処理装置３の
基板チャック部２３，４０，５０と基板保持部１４が対
象とされているが、これらに加えて、ウェハ洗浄工程に
おいてウェハＷ，Ｗ，…を直接把持する他の部位も対象
とされ得る。
防止装置４の基板接触部として、基板搬送処理装置３の
基板チャック部２３，４０，５０と基板保持部１４が対
象とされているが、これらに加えて、ウェハ洗浄工程に
おいてウェハＷ，Ｗ，…を直接把持する他の部位も対象
とされ得る。
【００６０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ウェハ洗浄工程においてウェハと直接接触する基板接触
部を、例えば導電性材料で形成するとともに、この基板
接触部を絶縁内部に配線された接地導線を通じて洗浄装
置外部で接地するようにしたから、各種要因により上記
基板接触部に静電気が発生する場合でも、この発生した
静電気は、上記基板接触部から接地導線を通じて大地に
瞬間的に逃がされる結果、基板接触部さらにはウェハの
表面に帯電することがなく、この静電気の帯電によるウ
ェハ表面へのパーティクルの付着が有効に防止され得
る。
ウェハ洗浄工程においてウェハと直接接触する基板接触
部を、例えば導電性材料で形成するとともに、この基板
接触部を絶縁内部に配線された接地導線を通じて洗浄装
置外部で接地するようにしたから、各種要因により上記
基板接触部に静電気が発生する場合でも、この発生した
静電気は、上記基板接触部から接地導線を通じて大地に
瞬間的に逃がされる結果、基板接触部さらにはウェハの
表面に帯電することがなく、この静電気の帯電によるウ
ェハ表面へのパーティクルの付着が有効に防止され得
る。
【００６１】また、上記基板接触部がウェハと同材質の
金属シリコンで構成されていると、これらの部位が各種
洗浄液による薬液処理でエッチングされて溶解したとし
ても、ウェハの品質等に悪影響を及ぼすことがない。
金属シリコンで構成されていると、これらの部位が各種
洗浄液による薬液処理でエッチングされて溶解したとし
ても、ウェハの品質等に悪影響を及ぼすことがない。
【図１】本発明に係る実施形態１である基板洗浄装置の
要部を一部断面で示す概略正面図である。
要部を一部断面で示す概略正面図である。
【図２】同じく同基板洗浄装置の要部を示す一部断面で
示す概略側面図である。
示す概略側面図である。
【図３】同基板洗浄装置における基板帯電防止装置の一
主要部を示し、基板搬送処理装置のチャッキングアーム
周辺部の構成の一部断面側面図である。
主要部を示し、基板搬送処理装置のチャッキングアーム
周辺部の構成の一部断面側面図である。
【図４】同チャッキングアームによるウェハのチャッキ
ング支持状態を示す図１のIV-IV 線に沿った断面図であ
る。
ング支持状態を示す図１のIV-IV 線に沿った断面図であ
る。
【図５】同基板洗浄装置の全体構成を一部断面で示す平
面図である。
面図である。
【図６】本発明に係る実施形態２である基板洗浄装置に
おける基板帯電防止装置の一主要部を示し、基板搬送処
理装置のチャッキングアームの要部を一部断面で示す側
面図である。
おける基板帯電防止装置の一主要部を示し、基板搬送処
理装置のチャッキングアームの要部を一部断面で示す側
面図である。
【図７】同じく同チャッキングアームの要部を示す正面
図である。
図である。
【図８】本発明に係る実施形態３である基板洗浄装置に
おける基板帯電防止装置の一主要部を示し、基板搬送処
理装置のチャッキングアームの要部を示す側面図であ
る。
おける基板帯電防止装置の一主要部を示し、基板搬送処
理装置のチャッキングアームの要部を示す側面図であ
る。
【図９】同じく同チャッキングアームの要部を一部断面
で示す正面図である。
で示す正面図である。
【図１０】同じく同チャッキングアームの基板チャック
部のチャック溝の断面形状を示す平面断面図である。
部のチャック溝の断面形状を示す平面断面図である。
【図１１】本発明に係る実施形態４である基板洗浄装置
における基板帯電防止装置の一主要部を示し、基板搬送
処理装置のチャッキングアームの要部を示す側面図であ
る。
における基板帯電防止装置の一主要部を示し、基板搬送
処理装置のチャッキングアームの要部を示す側面図であ
る。
Ｗ ウェハ（基板） Ａ 洗浄液 ２ａ〜２ｄ 洗浄槽 ３ 基板搬送処理装置 ４ 基板帯電防止装置 １４ 基板保持部（基板接触部） １４ａ，１４ｂ 基板保持部の保持溝 ２０ チャッキングアーム ２３ 基板チャック部（基板接触部） ２３ａ，２３ｂ 基板チャック部のチャック溝 ３０ 基板チャック部（基板接触部） ３１ａ 基板チャック部のチャック溝 ４０ 基板チャック部（基板接触部） ４１ 基板チャック部のチャック溝 ５０ 基板チャック部（基板接触部）
Claims (12)
- 【請求項１】 洗浄液が満たされた洗浄槽内に基板を浸
漬して基板表面に洗浄処理を施す湿式の基板洗浄工程に
おいて、 基板と直接接触する基板接触部を洗浄装置外部で接地す
ることにより、基板洗浄工程において発生した静電気
を、前記基板接触部から大地に逃して、基板表面への帯
電を防止するようにしたことを特徴とする基板帯電防止
方法。 - 【請求項２】 前記基板洗浄工程は、基板を基板搬送処
理装置により直接保持して搬送処理するカセットレス方
式のものであって、 前記基板接触部は、少なくとも、基板を直接把持する前
記基板搬送処理装置の基板チャック部と、洗浄装置内に
配置されて基板を直接保持する基板保持部とを含むこと
を特徴とする請求項１に記載の基板帯電防止方法。 - 【請求項３】 洗浄液が満たされた洗浄槽内に基板を浸
漬して基板表面に洗浄処理を施す湿式の基板洗浄装置に
設けられるものであって、 基板洗浄工程において基板と直接接触する基板接触部
が、導電性材料からなるとともに、絶縁内部に配線され
た接地導線を通じて洗浄装置外部で接地されていること
を特徴とする基板帯電防止装置。 - 【請求項４】 前記基板洗浄装置は、基板を基板搬送処
理装置により直接保持して搬送処理するカセットレス方
式のものであって、 前記基板接触部は、少なくとも、基板を直接把持する前
記基板搬送処理装置の基板チャック部と、洗浄装置内に
配置されて基板を直接保持する基板保持部とを含み、 前記基板チャック部のチャック溝と前記基板保持部の保
持溝の少なくとも表面部分が、導電性材料からなるとと
もに、絶縁内部に配線された接地導線を通じて洗浄装置
外部で接地されていることを特徴とする請求項３に記載
の基板帯電防止装置。 - 【請求項５】 前記基板接触部は、その母材部分が耐薬
品性材料からなるとともに、その基板接触表面が導電性
材料で形成されていることを特徴とする請求項３または
４に記載の基板帯電防止装置。 - 【請求項６】 前記基板接触部の基板接触表面は、前記
母材部分表面に導電性材料が蒸着により被覆形成されて
なることを特徴とする請求項３に記載の基板帯電防止装
置。 - 【請求項７】 前記基板接触部の基板接触表面は、前記
母材部分に導電性材料が埋設されて形成されてなること
を特徴とする請求項３に記載の基板帯電防止装置。 - 【請求項８】 前記導電性材料は耐薬品性に優れる導電
性金属であることを特徴とする請求項３から５のいずれ
か一つに記載の基板帯電防止装置。 - 【請求項９】 前記導電性材料は金属シリコンであるこ
とを特徴とする請求項３から５のいずれか一つに記載の
基板帯電防止装置。 - 【請求項１０】 前記基板接触部全体が金属シリコンで
形成されていることを特徴とする請求項３または４に記
載の基板帯電防止装置。 - 【請求項１１】 前記基板接触部全体が耐薬品性に優れ
る導電性金属で形成されていることを特徴とする請求項
３または４に記載の基板帯電防止装置。 - 【請求項１２】 基板を直接保持するとともに、これら
基板を洗浄液が満たされた洗浄槽内に浸漬して基板表面
に洗浄処理を施すカセットレス方式の基板洗浄装置であ
って、 洗浄液が満たされるとともに、基板を直接保持する基板
保持部を備える少なくとも一つの洗浄槽と、 基板を直接保持して、前記洗浄槽に対し搬送処理する基
板搬送処理装置と、 請求項３から１１のいずれか一つに記載の基板帯電防止
装置とを備えてなることを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28616197A JPH11111659A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 基板帯電防止方法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28616197A JPH11111659A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 基板帯電防止方法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111659A true JPH11111659A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17700735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28616197A Pending JPH11111659A (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 基板帯電防止方法、基板帯電防止装置および基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111659A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| US7360546B2 (en) | 2002-04-09 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
| JP2014120595A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ収納キャリア |
| WO2017193001A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Applied Materials, Inc | Systems, apparatus, and methods for an improved substrate handling assembly |
| EP3989271A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-27 | Semsysco GmbH | Clipping mechanism for fastening a substrate for a surface treatment of the substrate |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP28616197A patent/JPH11111659A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| US7360546B2 (en) | 2002-04-09 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus for semiconductor wafer |
| JP2014120595A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ収納キャリア |
| WO2017193001A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Applied Materials, Inc | Systems, apparatus, and methods for an improved substrate handling assembly |
| EP3989271A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-27 | Semsysco GmbH | Clipping mechanism for fastening a substrate for a surface treatment of the substrate |
| EP3989270A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-27 | Semsysco GmbH | Clipping mechanism for fastening a substrate for a surface treatment of the substrate |
| WO2022084109A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | Semsysco Gmbh | Clipping mechanism for fastening a substrate for a surface treatment of the substrate |
| US11942356B2 (en) | 2020-10-20 | 2024-03-26 | Semsysco Gmbh | Clipping mechanism for fastening a substrate for a surface treatment of the substrate |
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|---|---|---|---|
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|
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070703 |