JP3343033B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP3343033B2 JP16912996A JP16912996A JP3343033B2 JP 3343033 B2 JP3343033 B2 JP 3343033B2 JP 16912996 A JP16912996 A JP 16912996A JP 16912996 A JP16912996 A JP 16912996A JP 3343033 B2 JP3343033 B2 JP 3343033B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
ガラス基板等の基板を処理液に浸漬してその表面に洗浄
等の処理を施すように構成された基板処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体基板や液晶ガラス基板
等の精密電子基板（以下、基板という）の製造プロセス
においては、各種処理液をそれぞれ貯留した複数の処理
槽にわたって基板を順次浸漬することにより基板に表面
処理を施すことが行われている。このような装置の一例
として、処理液供給システムにより継続的に処理槽に処
理液を供給して処理液をオーバーフローさせ、これによ
り処理によって生じた汚染物質（パーティクル）を処理
槽外に排出するとともに、排出された処理液をフィルタ
ー等を介して再度処理槽に送り込むことにより処理液を
精製しながら循環使用するような装置が知られている。
【０００３】このように処理液をオーバーフローさせる
装置では、通常、処理槽の底部に処理液吐出用のノズル
が設けられ、このノズルを介して処理液が供給される。
しかし、単にノズルから処理液を吐出させるだけでは、
処理槽内での処理液の流れが不均一となり処理むらの発
生、すなわち基板表面における処理が基板表面の各所に
よってまちまちになり処理が不均一になる原因の一つと
なるため、一般には、処理液を通過させる穴を有する板
部材等からなる整流板を処理槽内部に配置し、ノズルか
ら吐出した処理液がこの整流板を介して処理槽上方に流
れるようにしている。
【０００４】このような整流板は、一般には耐化学薬品
性（耐侵食性）に優れた樹脂材料、代表的なものとして
ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）から構成され
ており、これによって侵食によるパーティクルの発生が
防止されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような装置で
は、オーバーフローの際や、その他の種々の要因により
処理槽に給送される処理液中に気泡が混入することがあ
る。このような気泡は通常その浮力で処理槽内を上昇し
て大気中に放出されるが、上記のように整流板を有する
装置では、気泡の一部が整流板の下面に付着して大量に
蓄積され、これが処理作業中にまとまって処理液中を上
昇することがある。
【０００６】ところが、処理中は、当該処理により発生
したパーティクルが多く浮遊しているため、気泡が上昇
すると、この浮遊パーティクルが気泡に吸着されながら
気泡と一体に上昇し、気泡に付着したパーティクルが基
板表面に転移付着されたり、あるいは気泡内の酸素と基
板とが反応してパーティクルが生成されてこれが基板表
面に付着する等する。従って、上記のように整流板の下
面に蓄積された大量の気泡がまとまって上昇すると無視
できない程度に基板に影響がでる場合がある。
【０００７】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、整流板への気泡の付着を効果的に抑え
て気泡による基板品質への影響を抑制することを目的と
している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る基板処理
装置は、処理液を通過させる穴を有する整流板により上
側の処理部と下側の処理液供給部とに仕切られた処理槽
を有し、前記処理液供給部に供給された処理液を上記整
流板を介して処理部に上昇させつつこの処理部に被処理
基板を浸漬するように構成された基板処理装置におい
て、上記整流板を、処理液との接触角が小さい低接触角
材料から構成したものである。
【０００９】請求項２に係る基板処理装置は、請求項１
記載の基板処理装置において、整流板を接触角が９０°
未満となる材料から構成したものである。
【００１０】請求項３に係る基板処理装置は、請求項２
記載の基板処理装置において、低接触角材料として、Ｐ
ＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）を用いたもので
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。図１は本発明に係る基板処理槽が適
用される基板処理装置の一例を概略的に示している。こ
の図に示すように基板処理装置１０には処理槽１２が設
けられており、この処理槽１２に貯留された処理液に基
板Ｂが浸漬されることにより所定の処理が施されるよう
になっている。本実施形態では、処理槽１２に処理液と
してフッ酸（ＨＦ）溶液を貯留し、これに基板Ｂとして
半導体ウエハを浸漬して、その表面にエッチング処理を
施すようにしている。
【００１２】上記処理槽１２は、上部開口を有した箱型
の容器からなり、同図に示すように、処理槽１２よりも
大きい容器からなる排液槽１４の内部に配置されてい
る。処理槽１２と排液槽１４との間には、同図に示すよ
うに処理液導入管１６、処理液導出管１８、ポンプ２０
及びフィルタ２２からなる処理液循環装置１５が配設さ
れており、ポンプ２０によりフィルタ２２を介して処理
液を処理槽１２に供給しつつ排液槽１４内にオーバーフ
ローさせ、さらに排液槽１４内の処理液をポンプ２０に
導入するようになっている。すなわち、この基板処理装
置１０は処理液を精製しながら循環使用するように構成
されている。
【００１３】上記処理槽１２は、例えば断面が矩形に形
成され、全体は石英ガラス、あるいは耐化学薬品性（耐
侵食性）を有するＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレ
ン）から構成されている。処理槽１２内部は整流板２４
により上下に仕切られており、詳しくは、基板Ｂを浸漬
する上側の基板処理部２５ａと下側の処理液供給部２５
ｂとに仕切られている。
【００１４】上記処理液供給部２５ｂには、左右一対
（同図で左右）の処理液吐出ノズル２６が備えられてい
る。これらの処理液吐出ノズル２６も処理槽１２同様に
石英ガラス、あるいはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエ
チレン）から構成されている。
【００１５】処理液吐出ノズル２６は、処理槽１２内に
開口するスリットを有する外管２８と、これに内設さ
れ、上記スリットと略反対側に開口する開口部を有する
内管３０とを備えた二重管構造となっている。内管３０
は上記処理液循環装置１５の処理液導入管１６に接続さ
れており、基板Ｂの処理の際には、上記内管３０から外
管２８を通じて処理槽内に処理液が供給されるととも
に、このような処理液の供給が継続的に行われることに
より、処理液が処理槽１２の上部開口を介しオーバーフ
ローするようになっている。
【００１６】上記整流板２４は、上下方向の多数の貫通
穴を備えた板状の部材から形成されており、上記処理液
吐出ノズル２６から吐出された処理液をこの整流板２４
の各穴を介して基板処理部２５ａに導出することで、渦
流等の発生を防止して、基板処理部２５ａにおいて均一
な上昇流を形成するようになっている。
【００１７】整流板２４は、その全体が耐化学薬品性
（耐侵食性）を有し、しかもぬれ性を高めることができ
るＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）から構成さ
れている。
【００１８】基板処理装置１０において、基板Ｂは、処
理槽１２に対して水平動及び上下動が可能なハンドリン
グ装置３２に支持され、このハンドリング装置３２によ
り処理槽１２に対して出し入れされるようになってる。
【００１９】詳しく図示していないが、ハンドリング装
置３２にはガイド３４が設けられ、多数の基板Ｂがその
面と直交する方向（紙面に直交する方向）に一列に並べ
られた状態でガイド３４に保持されている。そして、処
理時には、ハンドリング装置２４の移動に応じてこれら
の基板Ｂが一体に上記基板処理装置１０に対して出し入
れされるようになっている。
【００２０】以上のように構成された基板処理装置１０
による基板Ｂの処理では、処理液循環装置１５の作動に
より処理槽１２に処理液が供給されて貯留され、上記ハ
ンドリング装置３２の作動に応じて基板Ｂがこの処理液
に浸漬されることにより基板Ｂに所定の処理が施され
る。このとき、処理槽１２内に処理液が継続して供給さ
れることにより処理槽１２から処理液がオーバーフロー
し、これにより当該処理によって生じた汚染物質（パー
ティクル）が処理液と共に排液槽１４内に排出されると
ともに、排液槽１４内にオーバーフローした処理液が処
理液循環装置１５による循環経路を介して再度処理槽１
４に給送される。
【００２１】こうして、一定時間の経過等により当該処
理が完了すると、上記ハンドリング装置３２の作動によ
り基板Ｂが処理槽１２から取り出され、例えば、ハンド
リング装置３２の移動に伴い次工程の処理槽へと搬出さ
れる。
【００２２】ところで、このような基板Ｂの処理におい
て、上記基板処理装置１０では、上述のように処理液吐
出ノズル２６から吐出された処理液が整流板２４を介し
て基板処理部２５ａに導入されるため、供給される処理
液中に気泡が混入していると、これが整流板２４に付着
して蓄積され、これが基板Ｂの処理中にまとまって上昇
して処理中の基板に影響を与えることが懸念されるとこ
ろである。
【００２３】しかしながら、上記基板処理装置１０で
は、上述のように整流板２４のぬれ性を高めることがで
きる、換言すれば処理液との接触角が小さいＰＥＥＫ
（ポリエーテルエーテルケトン）から整流板２４が構成
され、これにより気泡が整流板２４に付着し難くなって
いるため、上記のような事態の発生を効果的に抑えるこ
とができる。
【００２４】図２はＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケ
トン），ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン），Ｕ
ＰＥ（高分子ポリエチレン），ＰＰ（ポリプロピレ
ン），ＰＣＴＦＥ（ポリ３フッ化塩化エチレン），ＰＶ
ＤＦ（ポリフッ化ビニリデン），ＰＶＣ（ポリ塩化ビニ
ル）及びポリオレフィンから構成した整流板について気
泡の付着性を比較した実験データを示し、また、図３は
これらの整流板に対する処理液の接触角をそれぞれ示し
ているが、これらの図からも、従来のこの種の代表的な
整流板であるＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）
からなる整流板（接触角９０°）に比べ、接触角が小さ
い、つまりぬれ性の高い上記整流板２４（接触角７６
°）では、気泡の付着が効果的に抑えられていることが
考察できる。
【００２５】従って、この基板処理装置１０によれば、
整流板２４に気泡が付着して蓄積され、これが処理中に
不測に上昇するとった事態の発生を効果的に抑えること
ができるので、従来のこの種の代表的な装置に比べると
気泡による基板への影響を緩和して基板品質をより良く
高めることができる。
【００２６】なお、上記基板処理装置１０は本発明に係
る基板処理装置の一例であって、その具体的な構成は、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００２７】例えば、上記基板処理装置１０では、整流
板２４をＰＥＥＫから構成しているが、図２及び図３の
データに示すように、ＰＰ，ＰＣＴＦＥ，ＰＶＤＦ，Ｐ
ＶＣ及びポリオレフィンからなる整流板では、気泡の付
着レベルがＰＥＥＫからなる上記整流板２４とほぼ同じ
レベルに抑えられており、従って、これらのＰＰ，ＰＣ
ＴＦＥ，ＰＶＤＦ，ＰＶＣあるいはポリオレフィン等か
ら整流板２４を構成するようにしてもよい。但し、ＰＥ
ＥＫは、ＰＰ，ＰＣＴＦＥ，ＰＶＤＦ，ＰＶＣ及びポリ
オレフィンに比べクロム、ニッケル、鉄、銅等の不純物
の含有率が低く、処理液中への不純物の溶出が少ない。
従って、パーティクルの発生を抑えるといった観点から
はＰＥＥＫを用いて整流板を構成するのが望ましい。
【００２８】また、図２及び図３のデータから接触角９
０°未満の場合に気泡の付着が効果的に抑えられている
ことが考察でき、従って、これらのＰＥＥＫ、ＰＰ，Ｐ
ＣＴＦＥ，ＰＶＤＦ，ＰＶＣ及びポリオレフィン以外の
接触角が９０°未満となる材料を用いて整流板２４を構
成するようにしてもよい。なお、図２の実験データは、
処理液がフッ酸（ＨＦ）溶液の場合の例であるが、この
種の基板処理装置に用いられる他の処理液についても同
様の傾向があり、従って、フッ酸（ＨＦ）溶液以外の処
理液を用いる場合でも、このように接触角が９０°未満
となる材料を用いて整流板２４を構成するのが望まし
い。
【００２９】また、上記基板処理装置１０では、整流板
２４の全体をＰＥＥＫから構成するようにしているが、
例えば、整流板の下面及び穴の内周面等、気泡の付着し
易い部分のみをＰＥＥＫから構成するようにしても構わ
ない。
【００３０】さらに、上記実施形態の基板処理装置１０
では、処理槽１２に対して一種類の処理液を循環させな
がら基板Ｂに処理を施すように構成されているが、本願
発明の構成は、例えば、複数種類の処理液を順次処理槽
に供給しながら単一の処理槽で複数種の処理、例えばエ
ッチング処理と水洗処理とを施すような基板処理装置に
も適用可能である。この場合には、各処理液との関係
で、各処理液に共通してぬれ性を高め得るような材料を
選定して整流板２４を構成するようにすればよい。
【００３１】なお、本発明はフッ酸（ＨＦ）溶液やバッ
ファードフッ酸（ＨＦとＮＨ4Ｆとの混合溶液）を使用
してシリコン製の半導体ウエハを処理する場合に特に有
効である。フッ酸溶液やバッファードフッ酸を用いた処
理では基板上の酸化膜が剥がされ、シリコン単体がむき
出しになった状態になっている。従って、基板表面に気
泡が接触するとその部分においてシリコン単体が気泡に
含まれる酸素と反応し、不要な酸化物が生成され、これ
がパーティクルとなるからである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、処理液を通過させる穴を有する整流板により処
理槽内部を処理部と処理液供給部とに仕切り、処理液供
給部に供給された処理液を上記整流板を介して処理部に
上昇させるように構成された基板処理装置において、上
記整流板を、処理液との接触角が小さい低接触角材料か
ら構成することによりそのぬれ性を高め、これによって
整流板に気泡が付着し難くしたので、整流板への気泡の
付着を効果的に抑えて、このような気泡の付着に起因し
た基板品質への影響を抑制することができる。
【００３３】請求項２の発明によれば、整流板は、接触
角が９０°未満となる材料からなるので、整流板への気
泡の付着をより効果的に防止することができる。
【００３４】請求項３の発明によれば、整流板は、接触
角が小さく、不純物の含有量が少ないＰＥＥＫ（ポリエ
ーテルエーテルケトン）を用いているので、整流板への
気泡の付着を効果的に防止することができると共に整流
板からの不純物の溶出を低減して基板の処理品質を高め
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体を示す概略構
成図である。
【図２】異なる材料から構成された各整流板への気泡の
付着性を比較した図である。
【図３】異なる材料から構成された各整流板に対する処
理液の接触角を示す図である。
【符号の説明】
１０ 基板処理装置 １２ 処理槽 １４ 排液槽 １５ 処理液循環装置 １６ 処理液導入管 １８ 処理液導出管 ２０ ポンプ ２４ 整流板 ２５ａ 基板処理部 ２５ｂ 処理液供給部 ２６ 処理液吐出ノズル ２８ 外管 ３０ 内管 ３２ ハンドリング装置 ３４ ガイド Ｂ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−251420（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/04 H01L 21/306

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理液を通過させる穴を有する整流板に
    より上側の処理部と下側の処理液供給部とに仕切られた
    処理槽を有し、前記処理液供給部に供給された処理液を
    上記整流板を介して処理部に上昇させつつこの処理部に
    被処理基板を浸漬するように構成された基板処理装置に
    おいて、上記整流板を、処理液との接触角が小さい低接
    触角材料から構成したことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 上記整流板は、上記接触角が９０°未満
    となる材料から構成されてなることを特徴とする請求項
    １記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 上記低接触角材料は、ＰＥＥＫ（ポリエ
    ーテルエーテルケトン）であることを特徴とする請求項
    ２記載の基板処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6539963B1 (en) * 1999-07-14 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Pressurized liquid diffuser
GB2369572A (en) 2000-11-29 2002-06-05 Raft Trustees Ltd Wound treatment composition comprising insulin
US20020104556A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-08 Suraj Puri Controlled fluid flow and fluid mix system for treating objects
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) * 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7371022B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
JP4545083B2 (ja) 2005-11-08 2010-09-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP2009231579A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
SG11201710129RA (en) * 2015-06-15 2018-01-30 J E T Co Ltd Substrate processing device
CN108251895A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 江苏鲁汶仪器有限公司 一种氟化氢气相腐蚀设备及方法
US11532493B2 (en) * 2018-07-30 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet bench and chemical treatment method using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4735220A (en) * 1983-04-13 1988-04-05 Chandler Don G Turntable having superstructure for holding wafer baskets
US5226437A (en) * 1990-11-28 1993-07-13 Tokyo Electron Limited Washing apparatus
US5503171A (en) * 1992-12-26 1996-04-02 Tokyo Electron Limited Substrates-washing apparatus
JP2912538B2 (ja) * 1993-12-08 1999-06-28 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200099610A (ko) * 2018-03-19 2020-08-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR20220047406A (ko) * 2018-03-19 2022-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR102388646B1 (ko) 2018-03-19 2022-04-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR102429858B1 (ko) 2018-03-19 2022-08-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

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