JPH04167525A - 洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置および洗浄方法Info
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- JPH04167525A JPH04167525A JP29576490A JP29576490A JPH04167525A JP H04167525 A JPH04167525 A JP H04167525A JP 29576490 A JP29576490 A JP 29576490A JP 29576490 A JP29576490 A JP 29576490A JP H04167525 A JPH04167525 A JP H04167525A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
- 241000345998 Calamus manan Species 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 235000012950 rattan cane Nutrition 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は洗浄装置および洗浄方法に関し 特に半導体等
の製造工程における基板の洗浄に関すも従来の技術 半導体基板の大型化に伴１．Ｘ、半導体基板を純水や薬
液で浸漬する洗浄装置（洗浄槽）の大型化が進んでいム
まｔ−装置の自動化に伴し一種々の機能を付加するこ
とも洗浄槽の大型化の原因となっていも バッチ式の洗
浄方式ではこの洗浄槽の大型化に伴って、純水や薬液の
停滞する領域が増加する傾向にあム 第５図は従来の半
導体Ｓｉ基板を洗浄するための純水洗浄槽を示す断面図
であム 矢印は純水の流れの方向と流速を示しており、
１は洗浄装置側低 ５はＳｉ基板 ４はＳｉ基板のキャ
リア、６はキャリアの窓であム 給水管３から導入され
た純水１０は 多孔板２に設けられた穴によって分散さ
れ 矢印のように洗浄槽上部に向かって流れ 槽の上部
から流れだす。洗浄ＣヨＳｉ基板５．キャリア４．洗浄
槽すべてが完全に洗浄されるまで続けられも 発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成において、実際に液の流
れを調べてみるとＳｉ基板５中央部では液は上昇流であ
るカミ キャリア４に接する周辺部では下向きでかつ非
常に流速が小さ１．％ 第５図でＳｉ基板５の中心軸
付近の流速Ｖｎ・に比べて、キャリア４内側上部付近の
流速ｖｓ・は１００分の１以下となり、はとんど水の流
れない停滞領域とな＆Ｓｉ基板５の洗浄を行う場合、Ｓ
ｉ基板５全体とキャリア４および洗浄槽内暮 すべての
表面に付着した異物やイオンを除去する必要があもなぜ
なら一部分でも洗浄が不十分な場合、洗浄槽からＳｉ基
板５を引き出すときや乾燥するときや次の工程で、その
汚れが他の部分にも拡散してしまうからであム したが
って一部分でもＶＢ・のような遅い流速のところが存在
すれば 洗浄効率が悪くなることを意味し 高価な純水
の使用量増加に伴うコスト上昇や、洗浄に要する時間が
長くなる等の問題点を有していも 課題を解決するための手段 本発明は 基板を収納し側壁に液抜きの窓を有するキャ
リアを、洗浄槽内にこの洗浄槽の側壁と所定の間隔を有
して設置し 前記側壁とキャリア間に洗浄液と不活性ガ
スの通路を形成し 前記不活性ガスのつくる上昇流によ
り前記液抜きの窓から前記通路への洗浄液の流れをつく
る洗浄装置を用し＼ 不活性ガスの流量を左右対称へ
あるいは右と左で異なるように周期的に変えて洗浄を行
うものであａ 作用 本発明は前記した構成により、このような洗浄を採用す
ると、不活性ガスの気泡によりキャリアの外側の流速が
上昇し そのために側壁とキャリア間の通路と液抜きの
窓の間で流れが生改 従来流速の遅かったキャリアの内
側付近の流速を上昇させることができム さら？Ｑ
不活性ガスの流量を右と左で異なるように周期的に変え
て洗浄を行えＩＬ 不活性ガスがキャリアの外側を左
右アンバランスに流れることにより、キャリアの外側の
洗浄液の流速も左右非対称となム これにより、従来流
速のもっとも遅かったキャリアの内側付近の流速力（不
活性ガスの流れた側で上昇すム さらく つぎの周期で
反対側に不活性ガスが流れた場合には前の周期と反対側
の流速が上昇すム これにより基板面内の洗浄液の流速
分布が均一化すもこれにより、基板全体の異物やイオン
の除去効率が向上し 純水使用量の低減 洗浄時間の短
縮が可能となり、半導体等の製造工程におけるコスト低
減 製造時間短縮に寄与すも 特にエツチング溝や穴の
形成された半導体基板の完全な洗浄を効率よ〈実施する
ことが可能となム な較 本発明で（よ 不活性ガスは
キャリアの外側しか通らないた碌 不活性ガスを洗浄槽
全体に流した場合のような不活性ガスの基板への付着に
よる洗浄不良の心配はなしも 実施例 （実施例１） 第１図は本発明の実施例の水洗槽の概要を示す断面図で
、矢印は水洗中の流速を示す。な耘 第５図と同一部分
には同一番号を示す。以下、本発明の一実施例として、
直径１５０ｍｍの半導体Ｓ１ （シリコン）基板水洗槽
への応用例について、第１図を参照して説明すも 第１図において、 ｌは洗浄槽倒像 ２は多孔楓３は給
水管、 ４はキャリア、 ５はＳ１基楓 ８はＮ！管（
左）、９はＮ２管（右）、 １１はＮ２気泡であも 以
上のように構成されたこの実施例において、以下にその
動作を説明すも まず、洗浄開始後最初の１０秒間はＮａ管（左）８より
不活性ガス（チッソガス）を２Ｌ／ｍｉｎを流す。Ｎ２
気泡１１により左側の洗浄槽側壁１とキャリア４の間に
流れる流速ｖｃ左はＮ２を流さない右側の流速ｖｃ右よ
り犬きくなも これにより、この大きな流速ｖｃに影響
されて左側の窓６を通して純水が流れ キャリア左内側
上部付近の基板５表面での流速Ｖ＠左はＮ２を流さない
場合に比べて大きくなり、Ｓｉ基板５の中心軸付近の流
速ｖ１１の１０分の１以上を確保できも 従来の構造（
Ｎ２を流さない場合）では１００分の１以下でほとんど
停滞していたのと比べれば大きな改良であａ 次ぎに１
０秒間Ｎ２管（右）９より不活性ガス（チッソガス）を
２Ｌ／ｍｉｎを流す。以衡 周期的に不活性ガスをＮ２
管（左）８．Ｎａ管（右）９から交互に流も また 本発明においては チッソガスを基板のある中央
付近には流さないのでチッソガスが基板に付着して洗浄
不良になることはな（〜 （チッソガスを洗浄槽の下部
全面から噴き出させて洗浄効率を上げる洗浄槽がすでに
実用化されている力（この場合、チッソガスが基板に付
着して洗浄不良をおこす場合があり問題であっｔ−） 第３図に 本発明を用いた場合と、従来法の場合での水
洗時間の効果を示す。希硫酸を付着したウェハー（Ｓｉ
半導体基板）の入ったキャリアを、水洗槽で純水による
水洗をした場合へ 排液される純水の比抵抗を測定した
ものであも 水洗初期で（よ 給水管から入ってくる純
水の比抵抗は１７ＭΩで高い比抵抗を示す力（ウェハー
とキャリアに付着している硫酸のために排液される純水
の比抵抗はさがも 水洗時間を長くするにつれて、ウェ
ハ及びキャリアが洗われて、純水の比抵抗も回復すも
純水比抵抗が回復した時点で水洗完了であも 第３図に
示すよう圏 従来法では水洗完了まで約１５分必要とす
るのに対して、本発明では約１０分に短縮されていも 以上のような洗浄を行うと、流速の遅かったキャリアの
内側付近の流速が上昇し これにより、８１基板全体の
異物やイオンの除去効率が向上し効果な純水使用量の低
減 洗浄時間の短縮が可能となり、半導体装置の製造に
すぐれた効果を発揮できも さらに 従来の洗浄槽では たとえばＳｉ基板へ 通常
よく行われるフッ化水素酸等による除去材にて薬液処理
を施して基板表面の酸化膜を除去する工程を行った丸
薬液を基板表面から除去する場合、基板中央付近では純
水の流速が大きいので、薬液成分は２〜３分程度で除去
できるのに対し キャリアと接触している部分では極端
に流速が遅いので１５分程度要し九 この場合、フッ化
水素酸により基板５表面の酸化膜を除去しても基板の中
央部はフッソイオンが除去されてから１０分以上純水に
洗われるので、純水により表面に第４図に示すような酸
化膜２０が形成されも 厚さは純水温度に依存Ｌ−２３
℃前後ではエリプソメーターで測定すると１０人程度に
なモー人 基板のキャリアに近い部分では フッソイ
オンが除去された後１〜２分しか純水に爆されないので
酸化はほとんどされな（−超高密度ＭＯ３ＬＳＩのゲー
ト酸化膜のように基板表面に１０〜２０人の熱酸化膜を
均一性よく形成する必要のある場合、このように初期酸
化膜の不均一があると、例えばＭＯＳトランジスタを形
成した場合にしきい値電圧の多きなバラツキを引き起こ
す。
の製造工程における基板の洗浄に関すも従来の技術 半導体基板の大型化に伴１．Ｘ、半導体基板を純水や薬
液で浸漬する洗浄装置（洗浄槽）の大型化が進んでいム
まｔ−装置の自動化に伴し一種々の機能を付加するこ
とも洗浄槽の大型化の原因となっていも バッチ式の洗
浄方式ではこの洗浄槽の大型化に伴って、純水や薬液の
停滞する領域が増加する傾向にあム 第５図は従来の半
導体Ｓｉ基板を洗浄するための純水洗浄槽を示す断面図
であム 矢印は純水の流れの方向と流速を示しており、
１は洗浄装置側低 ５はＳｉ基板 ４はＳｉ基板のキャ
リア、６はキャリアの窓であム 給水管３から導入され
た純水１０は 多孔板２に設けられた穴によって分散さ
れ 矢印のように洗浄槽上部に向かって流れ 槽の上部
から流れだす。洗浄ＣヨＳｉ基板５．キャリア４．洗浄
槽すべてが完全に洗浄されるまで続けられも 発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成において、実際に液の流
れを調べてみるとＳｉ基板５中央部では液は上昇流であ
るカミ キャリア４に接する周辺部では下向きでかつ非
常に流速が小さ１．％ 第５図でＳｉ基板５の中心軸
付近の流速Ｖｎ・に比べて、キャリア４内側上部付近の
流速ｖｓ・は１００分の１以下となり、はとんど水の流
れない停滞領域とな＆Ｓｉ基板５の洗浄を行う場合、Ｓ
ｉ基板５全体とキャリア４および洗浄槽内暮 すべての
表面に付着した異物やイオンを除去する必要があもなぜ
なら一部分でも洗浄が不十分な場合、洗浄槽からＳｉ基
板５を引き出すときや乾燥するときや次の工程で、その
汚れが他の部分にも拡散してしまうからであム したが
って一部分でもＶＢ・のような遅い流速のところが存在
すれば 洗浄効率が悪くなることを意味し 高価な純水
の使用量増加に伴うコスト上昇や、洗浄に要する時間が
長くなる等の問題点を有していも 課題を解決するための手段 本発明は 基板を収納し側壁に液抜きの窓を有するキャ
リアを、洗浄槽内にこの洗浄槽の側壁と所定の間隔を有
して設置し 前記側壁とキャリア間に洗浄液と不活性ガ
スの通路を形成し 前記不活性ガスのつくる上昇流によ
り前記液抜きの窓から前記通路への洗浄液の流れをつく
る洗浄装置を用し＼ 不活性ガスの流量を左右対称へ
あるいは右と左で異なるように周期的に変えて洗浄を行
うものであａ 作用 本発明は前記した構成により、このような洗浄を採用す
ると、不活性ガスの気泡によりキャリアの外側の流速が
上昇し そのために側壁とキャリア間の通路と液抜きの
窓の間で流れが生改 従来流速の遅かったキャリアの内
側付近の流速を上昇させることができム さら？Ｑ
不活性ガスの流量を右と左で異なるように周期的に変え
て洗浄を行えＩＬ 不活性ガスがキャリアの外側を左
右アンバランスに流れることにより、キャリアの外側の
洗浄液の流速も左右非対称となム これにより、従来流
速のもっとも遅かったキャリアの内側付近の流速力（不
活性ガスの流れた側で上昇すム さらく つぎの周期で
反対側に不活性ガスが流れた場合には前の周期と反対側
の流速が上昇すム これにより基板面内の洗浄液の流速
分布が均一化すもこれにより、基板全体の異物やイオン
の除去効率が向上し 純水使用量の低減 洗浄時間の短
縮が可能となり、半導体等の製造工程におけるコスト低
減 製造時間短縮に寄与すも 特にエツチング溝や穴の
形成された半導体基板の完全な洗浄を効率よ〈実施する
ことが可能となム な較 本発明で（よ 不活性ガスは
キャリアの外側しか通らないた碌 不活性ガスを洗浄槽
全体に流した場合のような不活性ガスの基板への付着に
よる洗浄不良の心配はなしも 実施例 （実施例１） 第１図は本発明の実施例の水洗槽の概要を示す断面図で
、矢印は水洗中の流速を示す。な耘 第５図と同一部分
には同一番号を示す。以下、本発明の一実施例として、
直径１５０ｍｍの半導体Ｓ１ （シリコン）基板水洗槽
への応用例について、第１図を参照して説明すも 第１図において、 ｌは洗浄槽倒像 ２は多孔楓３は給
水管、 ４はキャリア、 ５はＳ１基楓 ８はＮ！管（
左）、９はＮ２管（右）、 １１はＮ２気泡であも 以
上のように構成されたこの実施例において、以下にその
動作を説明すも まず、洗浄開始後最初の１０秒間はＮａ管（左）８より
不活性ガス（チッソガス）を２Ｌ／ｍｉｎを流す。Ｎ２
気泡１１により左側の洗浄槽側壁１とキャリア４の間に
流れる流速ｖｃ左はＮ２を流さない右側の流速ｖｃ右よ
り犬きくなも これにより、この大きな流速ｖｃに影響
されて左側の窓６を通して純水が流れ キャリア左内側
上部付近の基板５表面での流速Ｖ＠左はＮ２を流さない
場合に比べて大きくなり、Ｓｉ基板５の中心軸付近の流
速ｖ１１の１０分の１以上を確保できも 従来の構造（
Ｎ２を流さない場合）では１００分の１以下でほとんど
停滞していたのと比べれば大きな改良であａ 次ぎに１
０秒間Ｎ２管（右）９より不活性ガス（チッソガス）を
２Ｌ／ｍｉｎを流す。以衡 周期的に不活性ガスをＮ２
管（左）８．Ｎａ管（右）９から交互に流も また 本発明においては チッソガスを基板のある中央
付近には流さないのでチッソガスが基板に付着して洗浄
不良になることはな（〜 （チッソガスを洗浄槽の下部
全面から噴き出させて洗浄効率を上げる洗浄槽がすでに
実用化されている力（この場合、チッソガスが基板に付
着して洗浄不良をおこす場合があり問題であっｔ−） 第３図に 本発明を用いた場合と、従来法の場合での水
洗時間の効果を示す。希硫酸を付着したウェハー（Ｓｉ
半導体基板）の入ったキャリアを、水洗槽で純水による
水洗をした場合へ 排液される純水の比抵抗を測定した
ものであも 水洗初期で（よ 給水管から入ってくる純
水の比抵抗は１７ＭΩで高い比抵抗を示す力（ウェハー
とキャリアに付着している硫酸のために排液される純水
の比抵抗はさがも 水洗時間を長くするにつれて、ウェ
ハ及びキャリアが洗われて、純水の比抵抗も回復すも
純水比抵抗が回復した時点で水洗完了であも 第３図に
示すよう圏 従来法では水洗完了まで約１５分必要とす
るのに対して、本発明では約１０分に短縮されていも 以上のような洗浄を行うと、流速の遅かったキャリアの
内側付近の流速が上昇し これにより、８１基板全体の
異物やイオンの除去効率が向上し効果な純水使用量の低
減 洗浄時間の短縮が可能となり、半導体装置の製造に
すぐれた効果を発揮できも さらに 従来の洗浄槽では たとえばＳｉ基板へ 通常
よく行われるフッ化水素酸等による除去材にて薬液処理
を施して基板表面の酸化膜を除去する工程を行った丸
薬液を基板表面から除去する場合、基板中央付近では純
水の流速が大きいので、薬液成分は２〜３分程度で除去
できるのに対し キャリアと接触している部分では極端
に流速が遅いので１５分程度要し九 この場合、フッ化
水素酸により基板５表面の酸化膜を除去しても基板の中
央部はフッソイオンが除去されてから１０分以上純水に
洗われるので、純水により表面に第４図に示すような酸
化膜２０が形成されも 厚さは純水温度に依存Ｌ−２３
℃前後ではエリプソメーターで測定すると１０人程度に
なモー人 基板のキャリアに近い部分では フッソイ
オンが除去された後１〜２分しか純水に爆されないので
酸化はほとんどされな（−超高密度ＭＯ３ＬＳＩのゲー
ト酸化膜のように基板表面に１０〜２０人の熱酸化膜を
均一性よく形成する必要のある場合、このように初期酸
化膜の不均一があると、例えばＭＯＳトランジスタを形
成した場合にしきい値電圧の多きなバラツキを引き起こ
す。
本発明を用いると、洗浄時間の短縮が可能であり、この
ような酸化膜等の不要な被膜２ｏが形成されにくく、均
一なトランジスタ等の形成が可能となム さらに 例えば基板５の表面に深い溝３０．３１や穴を
選択エツチングにて多数形成した場合、溝や穴内部エツ
チング材である薬液成分の洗浄において、薬液成分はお
もに拡散機構により除去されも 第４図（Ｂ）に示すよ
うく 基板５の中央部のよう１ 表面の純水流速が大き
い場合、穴や溝から拡散して出てきた薬液成分４ｏは速
やかに流れ去ってしまうので、穴や溝３０の入口付近と
、底部との間の薬液成分の濃度差は大となり拡散が促進
されも しかし 基板５のキャリア付近の端部では 従
来の洗浄のように表面流速が小さけれζ瓜 端部では穴
や溝３１の入口付近に拡散して出てきた薬液成分は停滞
し 穴や溝底部からの拡散速度は非常に小さくなム 従
ってこのような場合、基板中央部とキャリアに近い部分
との洗浄時間の差はさらに大きくなってしまう。
ような酸化膜等の不要な被膜２ｏが形成されにくく、均
一なトランジスタ等の形成が可能となム さらに 例えば基板５の表面に深い溝３０．３１や穴を
選択エツチングにて多数形成した場合、溝や穴内部エツ
チング材である薬液成分の洗浄において、薬液成分はお
もに拡散機構により除去されも 第４図（Ｂ）に示すよ
うく 基板５の中央部のよう１ 表面の純水流速が大き
い場合、穴や溝から拡散して出てきた薬液成分４ｏは速
やかに流れ去ってしまうので、穴や溝３０の入口付近と
、底部との間の薬液成分の濃度差は大となり拡散が促進
されも しかし 基板５のキャリア付近の端部では 従
来の洗浄のように表面流速が小さけれζ瓜 端部では穴
や溝３１の入口付近に拡散して出てきた薬液成分は停滞
し 穴や溝底部からの拡散速度は非常に小さくなム 従
ってこのような場合、基板中央部とキャリアに近い部分
との洗浄時間の差はさらに大きくなってしまう。
本発明を用いればこのような深い溝や穴を有する基板の
洗浄にｋ 中央から周辺まで完全に薬品成分を除去する
時間差が少ないので、このような現象は生じにくく均一
に薬品成分が除去され またこうしたことに基づく不要
な酸化膜が基板５の表面あるいは溝に生じることも少な
くなム したがって、このようなエツチング加工の施さ
れた基板の洗浄にとってｋ 本発明は好都合であムな耘
本発明は半導体基板に限らず、金属、絶縁物等の他の
基板の洗浄にも適応できることは言うまでもなり〜 （実施例２） 第２図は本発明の第２の実施例における洗浄装置の断面
図を示すものであム 第２図において各名称は第１図と
同じであム 第２の実施例が第１の実施例と異なるのは 不活性ガス
（Ｎ２）を右と左で同量流す点であム この場合、キャ
リア内側上端部付近の基板５表面での流速ＶＢは右と左
で同じである力（総流量が同じであれば第１の実施例程
に流速を大きくはできな（も したがって、第１の実施
例はど洗浄効率はよくない力（従来例よりは洗浄効率が
上がム 第２の実施例に於ける特徴４；ＬＮｓ流量を周
期的に変える必要がないため洗浄装置の機構が簡単にな
る点であム 発明の詳細 な説明したよう艮 本発明によれば 洗浄速度の向上な
らびに純水等の使用量を減らすことが可能となり、洗浄
作業の能率向上 洗浄効果の向上にすぐれた工業的効果
を発揮するものであム特に本発明（よ エツチング処理
の施された半導体基板の均一な洗浄が可能となり、高密
度な半導体集積回路装置の均一な製造に大きく寄与する
ものであム
洗浄にｋ 中央から周辺まで完全に薬品成分を除去する
時間差が少ないので、このような現象は生じにくく均一
に薬品成分が除去され またこうしたことに基づく不要
な酸化膜が基板５の表面あるいは溝に生じることも少な
くなム したがって、このようなエツチング加工の施さ
れた基板の洗浄にとってｋ 本発明は好都合であムな耘
本発明は半導体基板に限らず、金属、絶縁物等の他の
基板の洗浄にも適応できることは言うまでもなり〜 （実施例２） 第２図は本発明の第２の実施例における洗浄装置の断面
図を示すものであム 第２図において各名称は第１図と
同じであム 第２の実施例が第１の実施例と異なるのは 不活性ガス
（Ｎ２）を右と左で同量流す点であム この場合、キャ
リア内側上端部付近の基板５表面での流速ＶＢは右と左
で同じである力（総流量が同じであれば第１の実施例程
に流速を大きくはできな（も したがって、第１の実施
例はど洗浄効率はよくない力（従来例よりは洗浄効率が
上がム 第２の実施例に於ける特徴４；ＬＮｓ流量を周
期的に変える必要がないため洗浄装置の機構が簡単にな
る点であム 発明の詳細 な説明したよう艮 本発明によれば 洗浄速度の向上な
らびに純水等の使用量を減らすことが可能となり、洗浄
作業の能率向上 洗浄効果の向上にすぐれた工業的効果
を発揮するものであム特に本発明（よ エツチング処理
の施された半導体基板の均一な洗浄が可能となり、高密
度な半導体集積回路装置の均一な製造に大きく寄与する
ものであム
第１図は本発明の第１の実施例における洗浄装置の断面
図 第２図は本発明の第２の実施例における洗浄装置の
断面図 第３図は洗浄効果の比較医 第４図（Ａ）、（
Ｂ）は基板の洗浄時の状況を示す表面の断面ａ 第５図
は従来の洗浄槽の概略の断面図であム ト・・洗浄槽側壁 ２・・・多孔＆３・・・給水管、
４・・・キャリア、 ５・・・Ｓｉ基板 ６・・・東
８・・・Ｎ２管（左）、９・・・Ｎ２管（右）、 １１
・・・Ｎ２気泡代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほ
か２名／−５先浄槽側壁 ２−・−１し ）し坂 ３・・−玲氷奮 ヰ・−斉ダリア ｔ ・−一 ラタＬ浄１１内−偶ｖｊ９第３図 較洗時間 （分） 籐 ４ ＠
図 第２図は本発明の第２の実施例における洗浄装置の
断面図 第３図は洗浄効果の比較医 第４図（Ａ）、（
Ｂ）は基板の洗浄時の状況を示す表面の断面ａ 第５図
は従来の洗浄槽の概略の断面図であム ト・・洗浄槽側壁 ２・・・多孔＆３・・・給水管、
４・・・キャリア、 ５・・・Ｓｉ基板 ６・・・東
８・・・Ｎ２管（左）、９・・・Ｎ２管（右）、 １１
・・・Ｎ２気泡代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほ
か２名／−５先浄槽側壁 ２−・−１し ）し坂 ３・・−玲氷奮 ヰ・−斉ダリア ｔ ・−一 ラタＬ浄１１内−偶ｖｊ９第３図 較洗時間 （分） 籐 ４ ＠
Claims (4)
- （１）洗浄槽内にこの洗浄槽の側壁と所定の間隔を有し
て設置され、基板を収納し側壁に液抜きの窓を有するキ
ャリアと、前記側壁とキャリア間に洗浄液と不活性ガス
の通路を形成し、前記不活性ガスの作る上昇流により前
記液抜きの窓から前記通路への洗浄液の流れをつくる機
構とを有する洗浄装置 - （２）洗浄槽内にこの洗浄槽の側壁と所定の間隔を有し
て設置され、基板を収納し側壁に液抜きの窓を有するキ
ャリアと、前記側壁とキャリア間に洗浄液と不活性ガス
の通路を形成し、前記不活性ガスの流量を前記キャリア
の右と左で異なるように周期的に変え、前記不活性ガス
のつくる上昇流により前記液抜きの窓から前記通路への
洗浄液の流れをつくる機構とを有することを特徴とする
洗浄装置。 - （３）基板を収納し側壁に液抜きの窓を有するキャリア
を、洗浄槽内にこの洗浄槽の側壁と所定の間隔を有して
設置し、前記側壁とキャリア間に洗浄液と不活性ガスの
通路を形成し、前記不活性ガスのつくる上昇流により前
記液抜きの窓から前記通路への洗浄液の流れを作ること
を特徴とする洗浄方法。 - （４）基板を収納し側壁に液抜きの窓を有するキャリア
を、洗浄槽内にこの洗浄槽の側壁と所定の間隔を有して
設置し、前記側壁とキャリア間に洗浄液と不活性ガスの
通路を形成し、前記不活性ガスの流量を前記キャリアの
右と左で異なるように周期的に変え、前記不活性ガスの
つくる上昇流により前記液抜きの窓から前記通路への洗
浄液流れを作ることを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29576490A JPH04167525A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29576490A JPH04167525A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167525A true JPH04167525A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17824864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29576490A Pending JPH04167525A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6493078B1 (en) * | 2001-09-19 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to improve coating quality |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29576490A patent/JPH04167525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6493078B1 (en) * | 2001-09-19 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to improve coating quality |
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