JPH0864667A - 半導体ウェハ用カセット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】薬液や純水等の液体を用いて各種処理をウェハ
に施すに当たってウェハ表面を一様に処理できる半導体
ウェハ用カセットを提供する。 【構成】半導体ウェハ用カセット４０の２枚の側板４
４，４４の上端部４４ａ及び下端部４４ｂ双方を先細り
にした。また、半導体ウェハ用カセット４０の２つの支
持部材４６，４６の上端部４６ａ及び下端部４６ｂ双方
も先細りにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数のウェハが互いに
向き合って収容される半導体ウェハ用カセットに関し、
特に、複数のウェハを収容したまま搬送や洗浄を行うに
当たって好適に使用される半導体ウェハ用カセットに関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（集積回路）等の半導体装置を製造
するプロセスは多数の工程からなり、この多数の工程の
中には、複数のウェハを半導体ウェハ用カセットに収容
したまま搬送や洗浄等を行う工程がある。この搬送や洗
浄等の工程で使用される半導体ウェハ用カセットとし
て、図５に示されるものが知られている（特開昭６２−
６９５３０号公報参照）。この半導体ウェハ用カセット
１０は、互いに向き合って収容された複数のウェハ（図
示せず）の両側部が保持される溝１２ａが形成された互
いに対向する２つの側板１２，１２を備えており、この
２つの側板１２，１２の下端部１２ｂは互いに接近する
ように傾斜している。この半導体ウェハ用カセット１０
に複数のウェハが収容され、薬液処理や薬液を洗い流す
洗浄処理等の各種処理がこれら複数のウェハに施され
る。また、この半導体ウェハ用カセット１０はある程度
強固に作られており、各種処理が施される各種処理槽の
間を半導体ウェハ用カセット１０が搬送される際に、収
容されたウェハを保護する機能も果たしている。薬液処
理としては、例えば、アンモニア水などのアルカリ水溶
液を用いた薬液処理があり、この薬液処理の後に、ウェ
ハ表面に付着した薬液を洗い流すための、例えば純水を
用いた洗浄処理が純水槽で施される。純水槽では、通
常、純水を底から上に向けて流し、純水槽からこの純水
を溢れ出させるオーバーフローリンスが行われる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図６を参照して、図５
に示す半導体ウェハ用カセット１０を使用してオーバー
フローリンスを行ったときの純水の流れを説明する。純
水槽２０では、純水槽２０の底から純水２２が矢印２４
で示される方向に流れている。純水２２は、半導体ウェ
ハ用カセット１０に衝突することにより、矢印２６と矢
印２８で示される方向に分流し、最後には純水槽２０か
ら溢れ出る。純水２２がウェハ３０の表面を一様な強さ
で流れ、この表面から薬液を洗い流すことが望ましい
が、上述したように、純水槽２０の底から流れてくる純
水２２は、半導体ウェハ用カセット１０に衝突し、矢印
２６で示される方向に分流して乱流となり、ウェハ３０
の両側部３０ａでは中央部に比べ水流が弱くなる。この
ように、ウェハ３０の両側部３０ａで純水の水流が弱く
なると、短時間の洗浄では、図７のハッチングで示され
るように、ウェハ３０の両側部３０ａでは薬液が完全に
洗い流されないでその一部が残留することがある。薬液
が残留した状態のウェハに例えば後工程の酸化処理が施
されると、薬液成分の影響で酸化膜厚が厚くなるという
問題が生じる。そこで、比較的長い時間をかけてウェハ
を純水洗浄し、ウェハ表面に付着した薬液を完全に洗い
流している。薬液がエッチング液の場合、比較的長い時
間をかけるとウェハ表面のエッチング液を完全に洗い流
すことができるものの、ウェハ表面のうち水流が弱い部
分は、水流の強い部分に比べエッチング液に接触してい
る時間が長くなるのでその分エッチングが進み、ウェハ
の厚さが水流の強い部分に比べ薄くなるという問題があ
る。

【０００４】上記の説明は、複数のウェハを半導体ウェ
ハ用カセット１０に収容して純水洗浄した場合の説明で
あるが、エッチング液が循環しているエッチング槽で半
導体ウェハ用カセット１０に収容されたウェハにエッチ
ング処理を施す場合、ウェハ表面でエッチング液の水流
に強弱があるとエッチング液の濃度が不均一になりエッ
チングむらが生じるという問題もある。

【０００５】本発明は、上記事情に鑑み、薬液や純水等
の液体を用いて各種処理をウェハに施すに当たってウェ
ハ表面を一様に処理できる半導体ウェハ用カセットを提
供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の半導体ウェハ用カセットは、複数のウェハを
互いに対向させ所定方向に並べた状態に収容する半導体
ウェハ用カセットにおいて、 （１）所定間隔離れて互いに対向し前記所定方向に広が
ると共に収容されたウェハの両側部を支持する溝がそれ
ぞれの対向面に形成された、上端部及び下端部双方が先
細りの固定された２枚の側板 （２）２枚の側板に挟まれた空間の下方に前記所定方向
に延在すると共に収容されたウェハの下端部を支持する
溝が形成された、上端部及び下端部双方が先細りの少な
くとも１つの支持部材を備えたことを特徴とするもので
ある。

【０００７】ここで、半導体ウェハ用カセットを構成す
る全ての構成部品の上端部及び下端部双方が先細りにな
るようにすることが好ましい。

【０００８】

【作用】本発明の半導体ウェハ用カセットに収容された
ウェハの両側部は、側板に形成された溝に支持され、一
方、このウェハの下端部は、支持部材に形成された溝に
支持される。このため、複数のウェハを半導体ウェハ用
カセットに収容したままの状態で安定して搬送できる。
また、例えば、純水を底から上に向けて流す純水槽に半
導体ウェハ用カセットを浸漬してウェハを洗浄する場
合、底から流れてきた純水は、半導体ウェハ用カセット
の側板と支持部材双方の下端部に衝突するが、これら下
端部は先細りになっているため、これら下端部では純水
の流れは乱されない。また、半導体ウェハ用カセットの
側板と支持部材双方の上端部も先細りとなっているた
め、これら上端部においても純水の流れが乱されること
はない。この結果、純水はウェハの表面を一様な強さで
流れ、ウェハの表面に付着している薬液等を一様に洗い
流す。即ち、流速の方向がそろった規則的な流れの純水
でウェハ表面全体が洗浄されることとなり、ウェハ表面
のうちの一部において水流が弱くなることがないので、
比較的短い時間の洗浄でウェハ表面全体を一様に洗浄で
きる。

【０００９】ここで、半導体ウェハ用カセットを構成す
る全ての構成部品の上端部及び下端部双方が先細りにな
るようにした場合は、純水槽の底から流れてくる純水の
流れを乱すものはないこととなり、純水はいっそうそろ
った流れとなり、ウェハ表面をよりいっそう一様に洗浄
できる。

【００１０】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の半導体ウェハ
用カセットの一実施例を説明する。図１は、半導体ウェ
ハ用カセットを示す斜視図、図２は、半導体ウェハ用カ
セットの一部を拡大して示す、（ａ）は側板の斜視図、
（ｂ）は支持部材の斜視図である。

【００１１】半導体ウェハ用カセット４０は、収容され
たウェハ６０（図４参照）に対向する２枚の固定板４
２，４２と、収容されるウェハの直径にほぼ等しい距離
離れて対向し固定板４２，４２に両端が固定された４
４，４４と、２枚の側板４４，４４に挟まれた空間の下
方に延在し固定板４２，４２に両端が固定された２つの
支持部材４６，４６を備えている。２枚の側板４４，４
４の上端部４４ａ及び下端部４４ｂ双方は先細りになっ
ており、また、２つの支持部材４６，４６の上端部４６
ａ及び下端部４６ｂ双方も先細りになっている。２枚の
側板４４，４４それぞれの対向面には、上端部４４ａと
下端部４４ｂとの間に延びる突出板４４ｃが多数形成さ
れており、この多数の突出板４４ｃにより、収容された
ウェハ６０（図４参照）の両側部６０ａを支持する溝４
４ｄが形成されている。溝４４ｄは、ウェハ６０の両側
部６０ａを支持するだけでなく、ウェハ６０を収容する
際の案内溝としても機能する。また、２つの支持部材４
６，４６の上端部４６ａには、側板４４の突出板４４ｃ
に対応する位置に、先端部が細い先細板４６ｃが多数形
成されており、この多数の先細板４６ｃにより、収容さ
れたウェハ６０（図４参照）の下端部６０ｂを支持する
溝４６ｄが形成されている。図３（ａ）に示されるよう
に、側板４４の突出板４４ｃの突出高さＨは約１０ｍｍ
である。また、図３（ｂ）に示されるように、支持部材
４６の先細板４６ｃの高さｈは約７ｍｍであり、隣接す
る先細板４６ｃの間隔ｄは、約４．７６ｍｍである。

【００１２】次に、図４を参照して、図１に示す半導体
ウェハ用カセットに収容されたウェハが洗浄される際の
洗浄液の流れを説明する。ここでは、純水を底から上に
向けて流す純水槽に半導体ウェハ用カセットを浸漬して
ウェハを洗浄する場合について説明する。底から矢印５
０で示される方向に流れてきた純水は、半導体ウェハ用
カセット４０の支持部材４６の下端部４６ｂに衝突する
が、下端部４６ｂは先細りになっているためこの下端部
４６ｂでは純水の流れは乱されず、純水は矢印５２で示
される方向に流れる。一方、半導体ウェハ用カセット４
０の側板４４の下端部４４ｂに衝突した純水も、下端部
４４ｂが先細りになっているためこの下端部４４ｂでは
流れが乱れず、矢印５４で示される方向に流れる。ま
た、側板４４と支持部材４６それぞれの上端部４４ａ，
４６ａも先細りとなっているため、これら上端部４４
ａ，４６ａにおいても純水の流れが乱されることはな
い。また、支持部材４６の上端部４６ａに形成された先
細板４６ｃも先端部が細くなっているので、この先細板
４６ｃによって純水の流れが乱されることもない。この
結果、ウェハ６０を洗浄する純水は、ウェハ６０の表面
を一様な強さ流れ、ウェハ６０の表面に付着している薬
液等を一様に洗い流し、比較的短い時間の洗浄でウェハ
表面全体を一様に洗浄できる。半導体ウェハ用カセット
４０には２つの支持部材４６を備えたが、強度が許せば
１つの支持部材にしてもよく、また、強度をさらに向上
するために３つ以上の支持部材４６を備えてもよい。
尚、固定板４２，４２の上端部及び下端部双方も先細り
にすると、純水槽の底から流れてくる純水の流れを乱す
ものは純水槽内ではないこととなり、純水はいっそうそ
ろった流れとなり、ウェハ表面をよりいっそう一様に洗
浄できる。

【００１３】上記の例では、半導体ウェハ用カセットに
収容されたウェハを純水で洗浄する場合を説明したが、
このウェハをエッチング液でエッチングする場合は、エ
ッチング液がウェハ表面に一様に流れることとなり、ウ
ェハ表面が一様にエッチングされる。

【００１４】

【発明の効果】以上説明したように本発明のウェハ用カ
セットによれば、側板と支持部材双方の上端部及び下端
部が先細りとなっているため、純水の流れが乱されるこ
とはなく、純水がウェハの表面を一様な強さで流れ、ウ
ェハの表面に付着している薬液等を一様に洗い流す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体ウェハ用カセットの一実施例を
示す斜視図である。

【図２】半導体ウェハ用カセットを示す、（ａ）は側板
の斜視図、（ｂ）は支持部材の斜視図である。

【図３】（ａ）は側板の寸法を示す部分図、（ｂ）は支
持部材の寸法を示す部分図である。

【図４】図１に示す半導体ウェハ用カセットに収容され
たウェハが洗浄される際の洗浄液の流れを示す模式図で
ある。

【図５】従来の半導体ウェハ用カセットを示す斜視図で
ある。

【図６】図５に示す半導体ウェハ用カセットを使用して
オーバーフローリンスを行ったときの純水の流れを示す
説明図である。

【図７】薬液の一部が表面に残留したウェハを示す模式
図である。

【符号の説明】

４０ 半導体ウェハ用カセット ４４ 側板 ４４ａ 側板の上端部 ４４ｂ 側板の下端部 ４６ 支持部材 ４６ａ 支持部材の上端部 ４６ｂ 支持部材の下端部 ４４ｄ，４６ｄ 溝 ６０ ウェハ ６０ａ ウェハの両側部 ６０ｂ ウェハの下端部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のウェハを互いに対向させ所定方向
   に並べた状態に収容する半導体ウェハ用カセットにおい
   て、 所定間隔離れて互いに対向し前記所定方向に広がると共
   に収容されたウェハの両側部を支持する溝がそれぞれの
   対向面に形成された、上端部及び下端部双方が先細りの
   固定された２枚の側板と、 該２枚の側板に挟まれた空間の下方に前記所定方向に延
   在すると共に収容されたウェハの下端部を支持する溝が
   形成された、上端部及び下端部双方が先細りの少なくと
   も１つの支持部材とを備えたことを特徴とする半導体ウ
   ェハ用カセット。