JP2837725B2 - 半導体ウェーハの液体処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハの液体処理装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウェーハの
液体処理装置に関し、 処理後の乾燥時におけるウェーハ表面特に鏡面側への
処理液残滓や塵埃の付着等をなくして半導体デバイスと
しての特性劣化を防止し生産性の向上を図ることを目的
とし、 複数の半導体ウェーハを立てた状態で着脱自在に平行
配置できる案内溝が内側に形成され、且つ内部を少なく
とも上下方向に液体が自由に貫流できる半導体ウェーハ
保持具と、上記各半導体ウェーハの一部が上方に突出す
るように半導体ウェーハの装着した上記半導体ウェーハ
保持具を該半導体ウェーハと共に浸漬するに足る大きさ
を備えた液体処理槽とで構成される半導体ウェーハの液
体処理装置であって、上記液体処理槽が、底面に近い下
部には処理液を供給する第１の給液パイプを備え、液面
に近い位置には少なくとも前記半導体ウェーハの面にほ
ぼ直交する方向に該処理液を流すための第２の給液パイ
プを備えて構成する。
液体処理装置に関し、 処理後の乾燥時におけるウェーハ表面特に鏡面側への
処理液残滓や塵埃の付着等をなくして半導体デバイスと
しての特性劣化を防止し生産性の向上を図ることを目的
とし、 複数の半導体ウェーハを立てた状態で着脱自在に平行
配置できる案内溝が内側に形成され、且つ内部を少なく
とも上下方向に液体が自由に貫流できる半導体ウェーハ
保持具と、上記各半導体ウェーハの一部が上方に突出す
るように半導体ウェーハの装着した上記半導体ウェーハ
保持具を該半導体ウェーハと共に浸漬するに足る大きさ
を備えた液体処理槽とで構成される半導体ウェーハの液
体処理装置であって、上記液体処理槽が、底面に近い下
部には処理液を供給する第１の給液パイプを備え、液面
に近い位置には少なくとも前記半導体ウェーハの面にほ
ぼ直交する方向に該処理液を流すための第２の給液パイ
プを備えて構成する。
本発明は半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウ
ェーハ（以下単にウェーハとする）の液体処理液装置に
係り、特に処理後の乾燥時におけるウェーハ表面とりわ
け鏡面側への処理残滓や塵埃の付着等をなくして半導体
デバイスとしての特性劣化を防止し生産性の向上を図っ
た半導体ウェーハ洗浄装置に関する。
ェーハ（以下単にウェーハとする）の液体処理液装置に
係り、特に処理後の乾燥時におけるウェーハ表面とりわ
け鏡面側への処理残滓や塵埃の付着等をなくして半導体
デバイスとしての特性劣化を防止し生産性の向上を図っ
た半導体ウェーハ洗浄装置に関する。
一般に半導体装置のウェーハの製造プロセスでは多数
回の洗浄や被膜形成処理工程等が必要であるが、半導体
装置としての高集積度化に伴ってウェーハとしては各工
程毎にコードの清浄度が要求されるようになっている。
回の洗浄や被膜形成処理工程等が必要であるが、半導体
装置としての高集積度化に伴ってウェーハとしては各工
程毎にコードの清浄度が要求されるようになっている。
従って、液体を使用した被膜形成等の処理工程やその
後の洗浄作業では処理液の残滓を完全に除去すると共に
洗浄ムラや塵埃付着等を確実になくすことが必要である
が、処理液や洗浄液がその表面張力等によってウェーハ
から完全に除去されないまま乾燥工程に入ると、該処理
液や洗浄液の残滓が洗浄ムラや塵埃付着等を誘起し爾後
の諸工程で半導体デバイスとしても欠陥を生じ特性を損
なうことからその対策が強く望まれている。
後の洗浄作業では処理液の残滓を完全に除去すると共に
洗浄ムラや塵埃付着等を確実になくすことが必要である
が、処理液や洗浄液がその表面張力等によってウェーハ
から完全に除去されないまま乾燥工程に入ると、該処理
液や洗浄液の残滓が洗浄ムラや塵埃付着等を誘起し爾後
の諸工程で半導体デバイスとしても欠陥を生じ特性を損
なうことからその対策が強く望まれている。
第３図は従来の半導体ウェーハの液体処理方法の例を
説明する図であり、（１）は装置全体を示す構成図，
（２）は（１）を矢印ａ〜ａ′で切断した内部主要部を
示す図，（３）は（１）を矢印ｂ〜ｂ′で切断した内部
主要部の断面図である。
説明する図であり、（１）は装置全体を示す構成図，
（２）は（１）を矢印ａ〜ａ′で切断した内部主要部を
示す図，（３）は（１）を矢印ｂ〜ｂ′で切断した内部
主要部の断面図である。
なお図では洗浄工程の場合について説明する。
また第４図は問題点を説明する図である。
第３図で、１は例えば６インチ径で厚さが0.5mm程度
の被洗浄の半導体ウェーハを示している。
の被洗浄の半導体ウェーハを示している。
また、図の２は半導体ウェーハ保持具（以下単に保持
具とする）を表わしている。
具とする）を表わしている。
この場合の保持具２は、四隅に稜線方向に突出する脚
部2aを備えた長手方向の壁2bと該壁2bと直交する壁2cと
からなる平面視“ロ”の字形をなし、対面する上記壁2c
の間には長手方向に沿って２個の平行する梁2dを備える
と共に、該梁2dの上側端面部分と長手方向に沿う上記壁
2bの対面する内壁面2b′のぞれぞれとには複数の上記ウ
ェーハ１を壁2cと平行に立てた状態で所定間隔（例えば
数mm間隔）で平行に上方から挿入保持できる案内溝2eが
設けられている。
部2aを備えた長手方向の壁2bと該壁2bと直交する壁2cと
からなる平面視“ロ”の字形をなし、対面する上記壁2c
の間には長手方向に沿って２個の平行する梁2dを備える
と共に、該梁2dの上側端面部分と長手方向に沿う上記壁
2bの対面する内壁面2b′のぞれぞれとには複数の上記ウ
ェーハ１を壁2cと平行に立てた状態で所定間隔（例えば
数mm間隔）で平行に上方から挿入保持できる案内溝2eが
設けられている。
なお上記梁2dの固定位置は、上記ウェーハ１の着脱を
容易にするため上記壁2cの上部に該ウェーハ１の一部が
突出するように設定されている。
容易にするため上記壁2cの上部に該ウェーハ１の一部が
突出するように設定されている。
またこの場合の該案内溝2eの幅Ｄは処理工程中におけ
る該ウェーハ１の反りや曲がりにも対応できるように通
常上記ウェーハ１の厚さの３〜４倍例えば1.5〜2.0mm程
度に形成されている。
る該ウェーハ１の反りや曲がりにも対応できるように通
常上記ウェーハ１の厚さの３〜４倍例えば1.5〜2.0mm程
度に形成されている。
従って複数のウェーハ１を保持具２の上部から該各案
内溝2eに沿って挿入することで複数のウェーハ１を一定
にした間隔でほぼ平行に整列させることができる。
内溝2eに沿って挿入することで複数のウェーハ１を一定
にした間隔でほぼ平行に整列させることができる。
また図の洗浄槽３はウェーハ１を挿入した状態の上記
保持具２をウェーハ１を含めて収容するに足る大きさを
有するものであり、その底面に近い下部の所定位置には
該底面側に複数の孔4aを備えた給液パイプ４が保持具の
長手方向に沿って装着されており、また上部開口周囲に
は樋3aが該開口を取り巻いて形成されている。
保持具２をウェーハ１を含めて収容するに足る大きさを
有するものであり、その底面に近い下部の所定位置には
該底面側に複数の孔4aを備えた給液パイプ４が保持具の
長手方向に沿って装着されており、また上部開口周囲に
は樋3aが該開口を取り巻いて形成されている。
なお該樋3aに繋がる５は排液パイプである。ここで、
図に示す如く上記ウェーハ１が挿入された保持具２を、
脚部2aの間で上記給液パイプ４を跨ぐように該洗浄槽３
にセッティングした状態で、給液パイプ４から洗浄液６
をw1のように給水すると、該洗浄液６は給液パイプ４の
上記孔4aから噴出した洗浄槽３の底面にぶつかった後,w
2のように各ウェーハ１の間を上昇し、該各ウェーハ１
の表面を洗浄する。
図に示す如く上記ウェーハ１が挿入された保持具２を、
脚部2aの間で上記給液パイプ４を跨ぐように該洗浄槽３
にセッティングした状態で、給液パイプ４から洗浄液６
をw1のように給水すると、該洗浄液６は給液パイプ４の
上記孔4aから噴出した洗浄槽３の底面にぶつかった後,w
2のように各ウェーハ１の間を上昇し、該各ウェーハ１
の表面を洗浄する。
なお該洗浄槽３の上部開口周囲からw3のように溢れ出
る洗浄液６は、樋3aに流れ込んだ後排液パイプ５からw4
となって排出される。
る洗浄液６は、樋3aに流れ込んだ後排液パイプ５からw4
となって排出される。
かかる洗浄方法では、各ウェーハ１の表面に付着して
いる塵埃等は洗浄液６の流れに追従して水面に浮上した
後、開口周囲に設けた樋3aから排出されるために効率の
良い洗浄作業を行うことができる。
いる塵埃等は洗浄液６の流れに追従して水面に浮上した
後、開口周囲に設けた樋3aから排出されるために効率の
良い洗浄作業を行うことができる。
そこで、所定の洗浄作業が終了した時点で保持具２を
該洗浄槽３から引き上げて取り出し乾燥して所定の洗浄
工程を終了させることができる。
該洗浄槽３から引き上げて取り出し乾燥して所定の洗浄
工程を終了させることができる。
問題点を示す第４図は洗浄槽から取り出した後の乾燥
時の状態を示したもので、図では理解し易くするために
ウェーハの部分を拡大して表わしている。
時の状態を示したもので、図では理解し易くするために
ウェーハの部分を拡大して表わしている。
図で、１が半導体ウェーハを示し、２は保持具を表わ
していることは第３図と同様である。
していることは第３図と同様である。
通常洗浄作業が終了したウェーハ１を保持具２と共に
洗浄槽から取り出すと、図に示す如く各ウェーハ１は保
持具２の内壁面2b′および梁2d設けてある案内溝2eの幅
の許容範囲内でランダムの方向に傾いた状態で安定す
る。
洗浄槽から取り出すと、図に示す如く各ウェーハ１は保
持具２の内壁面2b′および梁2d設けてある案内溝2eの幅
の許容範囲内でランダムの方向に傾いた状態で安定す
る。
この場合該保持具２を洗浄槽から取り出した時点で
は、洗浄液の一部はその表面張力によって図示のドット
領域p1〜p7のように各案内溝2eとの間の間隙の小さい部
分や近接したウェーハの間等に残留する。
は、洗浄液の一部はその表面張力によって図示のドット
領域p1〜p7のように各案内溝2eとの間の間隙の小さい部
分や近接したウェーハの間等に残留する。
この状態で乾燥作業で残留洗浄液を蒸発させると、該
各残留洗浄液中に含まれる塵埃等のみがウェーハ１の両
側表面に付着することになり、結果的に乾燥ムラや塵埃
付着等が発生する。
各残留洗浄液中に含まれる塵埃等のみがウェーハ１の両
側表面に付着することになり、結果的に乾燥ムラや塵埃
付着等が発生する。
特に図のドット領域p1部分の如くウェーハ１の上部に
残留する洗浄液はその自重によって垂れ下がる形となる
ことから残留する量が多く、乾燥ムラや塵埃付着等によ
って汚染される領域が大きくなる。
残留する洗浄液はその自重によって垂れ下がる形となる
ことから残留する量が多く、乾燥ムラや塵埃付着等によ
って汚染される領域が大きくなる。
従来のウェーハ液体処理方法では、乾燥するために保
持具を処理槽から取り出したときにウェーハと該保持具
の各案内溝との間や近接したウェーハの間等に処理液の
一部が残留するため、乾燥作業終了時にウェーハの両側
表面に乾燥ムラや塵埃付着等が発生すると云う問題があ
った。
持具を処理槽から取り出したときにウェーハと該保持具
の各案内溝との間や近接したウェーハの間等に処理液の
一部が残留するため、乾燥作業終了時にウェーハの両側
表面に乾燥ムラや塵埃付着等が発生すると云う問題があ
った。
上記問題点は、複数の半導体ウェーハを立てた状態で
着脱自在に平行配置できる案内溝が内側に形成され、且
つ内部を少なくとも上下方向に液体が自由に貫流できる
半導体ウェーハ保持具と、 上記各半導体ウェーハの一部が上方に突出するように
半導体ウェーハを装着した上記半導体ウェーハ保持具を
該半導体ウェーハと共に浸漬するに足る大きさを備えた
液体処理槽とで構成される半導体ウェーハの液体処理装
置であって、 上記液体処理槽が、底面に近い下部には処理液を供給
する第１の給液パイプを備え、液面に近い位置には少な
くとも前記半導体ウェーハの面にほぼ直交する方向に該
処理液を流すための第２の給液パイプが備えられている
半導体ウェーハの液体処理装置によって解決される。
着脱自在に平行配置できる案内溝が内側に形成され、且
つ内部を少なくとも上下方向に液体が自由に貫流できる
半導体ウェーハ保持具と、 上記各半導体ウェーハの一部が上方に突出するように
半導体ウェーハを装着した上記半導体ウェーハ保持具を
該半導体ウェーハと共に浸漬するに足る大きさを備えた
液体処理槽とで構成される半導体ウェーハの液体処理装
置であって、 上記液体処理槽が、底面に近い下部には処理液を供給
する第１の給液パイプを備え、液面に近い位置には少な
くとも前記半導体ウェーハの面にほぼ直交する方向に該
処理液を流すための第２の給液パイプが備えられている
半導体ウェーハの液体処理装置によって解決される。
通常の半導体ウェーハはその片面をパターン形成面す
なわち鏡面としている。
なわち鏡面としている。
本発明では、ウェーハの上記鏡面側には少なくとも処
理液や洗浄液の残滓が滞留しないように液体処理装置を
構成している。
理液や洗浄液の残滓が滞留しないように液体処理装置を
構成している。
従って、ウェーハの必要とする鏡面側に処理ムラや塵
埃付着等が発生することがなくなって生産性のよい処理
を実現させることができる。
埃付着等が発生することがなくなって生産性のよい処理
を実現させることができる。
第１図は本発明になる半導体ウェーハの液体処理装置
を説明する構成図であり、第２図は乾燥時の状態を示す
図であるが、いずれも第３図同様に洗浄工程の場合を例
としている。
を説明する構成図であり、第２図は乾燥時の状態を示す
図であるが、いずれも第３図同様に洗浄工程の場合を例
としている。
第１図で、被洗浄のウェーハ１と保持具２は第３図で
証明したものである。
証明したものである。
また第３図の洗浄槽３と同様の大きさを有する洗浄槽
（液体処理槽）10は、その底面に近い下部には第３図同
様の孔11aを備えた第１の給液パイプ11が同じ位置に設
けられていると共に、該洗浄槽10の上部液面に近い位置
で該給液パイプ11と対応する位置の片側壁面10aには第
２の給液パイプ12がその先端部がわずかに該洗浄槽10の
内部に突出するように配設されており、更に上記壁面10
aと対面する壁面10bの上部液面近傍には排液パイプ13が
設けれている。
（液体処理槽）10は、その底面に近い下部には第３図同
様の孔11aを備えた第１の給液パイプ11が同じ位置に設
けられていると共に、該洗浄槽10の上部液面に近い位置
で該給液パイプ11と対応する位置の片側壁面10aには第
２の給液パイプ12がその先端部がわずかに該洗浄槽10の
内部に突出するように配設されており、更に上記壁面10
aと対面する壁面10bの上部液面近傍には排液パイプ13が
設けれている。
ここで、図に示す如く複数のウェーハ１が挿入された
保持具２を上記第１の給液パイプ11を跨ぐ形で該洗浄槽
10にセッティングした状態で、該第１の給液パイプ11お
よび第２の給液パイプ12から洗浄液６をW1およびW3のよ
うに給水すると、第１の給水パイプ11から供給される洗
浄液６は第３図の場合と同様に孔11aから噴出し洗浄槽1
0の底面にぶつかった後W2のように各ウェーハ１の間を
上昇して該各ウェーハ１の表面を洗浄する。
保持具２を上記第１の給液パイプ11を跨ぐ形で該洗浄槽
10にセッティングした状態で、該第１の給液パイプ11お
よび第２の給液パイプ12から洗浄液６をW1およびW3のよ
うに給水すると、第１の給水パイプ11から供給される洗
浄液６は第３図の場合と同様に孔11aから噴出し洗浄槽1
0の底面にぶつかった後W2のように各ウェーハ１の間を
上昇して該各ウェーハ１の表面を洗浄する。
一方、第２の給液パイプ12から注入される洗浄液６は
W4のようにほぼそのまま直進し上記第１の給液パイプ11
から供給される洗浄液６と一緒になって上記排液パイプ
13からW5となって排出されることになる。
W4のようにほぼそのまま直進し上記第１の給液パイプ11
から供給される洗浄液６と一緒になって上記排液パイプ
13からW5となって排出されることになる。
この場合保持具２に保持されている各ウェーハ１は、
その上部近傍領域を流れる第２の給液パイプ12からの洗
浄液６によってその流れ方向すなわちW4の方向に押圧さ
れるため、第３図で説明した案内溝2eの幅の許容範囲内
でほぼ同一方向に傾いた状態で洗浄される。
その上部近傍領域を流れる第２の給液パイプ12からの洗
浄液６によってその流れ方向すなわちW4の方向に押圧さ
れるため、第３図で説明した案内溝2eの幅の許容範囲内
でほぼ同一方向に傾いた状態で洗浄される。
次いで所定の洗浄作業が終了した時点で該保持具２を
洗浄槽10から取り出すが、この場合該保持具２を持ち上
げる途中までは上記第２の給液パイプ12からの洗浄液６
によって各ウェーハ１が同一方向に押圧されるため上記
同様に傾いた状態にある。
洗浄槽10から取り出すが、この場合該保持具２を持ち上
げる途中までは上記第２の給液パイプ12からの洗浄液６
によって各ウェーハ１が同一方向に押圧されるため上記
同様に傾いた状態にある。
該保持具２が更に持ち上げられると、上記第２の給液
パイプ12からの洗浄液６が第３図で説明した保持具２の
長手方向に直交する壁2cで左右に分割されるため直接各
ウェーハ１を押圧することがなく、該各ウェーハ１はそ
のままの状態で該洗浄槽10から取り出されることにな
る。
パイプ12からの洗浄液６が第３図で説明した保持具２の
長手方向に直交する壁2cで左右に分割されるため直接各
ウェーハ１を押圧することがなく、該各ウェーハ１はそ
のままの状態で該洗浄槽10から取り出されることにな
る。
乾燥状態を示す第２図はかかる状態を表わしたもの
で、図示の如く各ウェーハ１は保持具２の案内溝2eの幅
の許容範囲内で同じ方向に傾いた状態で安定している。
で、図示の如く各ウェーハ１は保持具２の案内溝2eの幅
の許容範囲内で同じ方向に傾いた状態で安定している。
この場合該保持具２を洗浄槽から取り出した時点で
は、各ウェーハ１が同じ方向にほぼ平行して傾いている
ため図示のドット領域P1〜P8のように各案内溝2eとの間
の間隙の小さい部分にのみ洗浄液の一部が残留する。
は、各ウェーハ１が同じ方向にほぼ平行して傾いている
ため図示のドット領域P1〜P8のように各案内溝2eとの間
の間隙の小さい部分にのみ洗浄液の一部が残留する。
特にこの場合には、洗浄液６の残留する面は片面すな
わち1aの面のみである。
わち1aの面のみである。
従って、該洗浄液６の残留する面1aが非鏡面側となる
ように，換言すれば第１図における第２の給液パイプ12
の壁面10a側が鏡面1bとなるように各ウェーハ１を該保
持具２の案内溝2eに挿入することで、少なくともウェー
ハ１の必要とする鏡面1b側には乾燥ムラや塵埃付着等が
発生することがない。
ように，換言すれば第１図における第２の給液パイプ12
の壁面10a側が鏡面1bとなるように各ウェーハ１を該保
持具２の案内溝2eに挿入することで、少なくともウェー
ハ１の必要とする鏡面1b側には乾燥ムラや塵埃付着等が
発生することがない。
上述の如く本発明により、処理後の乾燥時におけるウ
ェーハ表面とりわけ鏡面側への処理液残滓や塵埃の付着
等をなくして半導体デバイスとしての特性劣化を防止し
生産性の向上を図った半導体ウェーハの液体処理装置を
供給することができる。
ェーハ表面とりわけ鏡面側への処理液残滓や塵埃の付着
等をなくして半導体デバイスとしての特性劣化を防止し
生産性の向上を図った半導体ウェーハの液体処理装置を
供給することができる。
なお本発明の説明に当たっては処理液体を洗浄液の場
合で説明しているが、例えば露光後の現象・定着処理液
等他の液体による処理工程の場合でも同等の効果を得る
ことができる。
合で説明しているが、例えば露光後の現象・定着処理液
等他の液体による処理工程の場合でも同等の効果を得る
ことができる。
第１図は本発明になる半導体ウェーハの液体処理装置を
説明する構成図、 第２図は乾燥時の状態を示す図、 第３図は従来の半導体ウェーハの液体処理方法の例を説
明する図、 第４図は問題点を説明する図、 である。図において、 １は半導体ウェーハ、1aは面、1bは鏡面、 ２は半導体ウェーハ保持具、 2cは壁、2eは案内溝、 ６は洗浄液、 10は洗浄槽（液体処理槽）、 10a,10bは壁面、 11は第１の給液パイプ、11aは孔、 12は第２の給液パイプ、13は排液パイプ、 をそれぞれ表わしている。
説明する構成図、 第２図は乾燥時の状態を示す図、 第３図は従来の半導体ウェーハの液体処理方法の例を説
明する図、 第４図は問題点を説明する図、 である。図において、 １は半導体ウェーハ、1aは面、1bは鏡面、 ２は半導体ウェーハ保持具、 2cは壁、2eは案内溝、 ６は洗浄液、 10は洗浄槽（液体処理槽）、 10a,10bは壁面、 11は第１の給液パイプ、11aは孔、 12は第２の給液パイプ、13は排液パイプ、 をそれぞれ表わしている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中嶋 和司 愛知県春日井市高蔵寺町２丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−87832（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−158440（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/04
Claims (1)
- 【請求項１】複数の半導体ウェーハ（１）を立てた状態
で着脱自在に平行配置できる案内溝（2e）が内側に形成
され、且つ内部を少なくとも上下方向に液体が自由に貫
流できる半導体ウェーハ保持具（２）と、 上記各半導体ウェーハ（１）の一部が上方に突出するよ
うに半導体ウェーハ（１）を装着した上記半導体ウェー
ハ保持具（２）を該半導体ウェーハ（１）と共に浸漬す
るに足る大きさを備えた液体処理槽（10）とで構成され
る半導体ウェーハの液体処理装置であって、 上記液体処理槽（10）が、底面に近い下部には処理液を
供給する第１の給液パイプ（11）を備え、液面に近い位
置には少なくとも前記半導体ウェーハ（１）の面にほぼ
直交する方向に該処理液を流すための第２の給液パイプ
（12）が備えられていることを特徴とした半導体ウェー
ハの液体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2882290A JP2837725B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体ウェーハの液体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2882290A JP2837725B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体ウェーハの液体処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232228A JPH03232228A (ja) | 1991-10-16 |
| JP2837725B2 true JP2837725B2 (ja) | 1998-12-16 |
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ID=12259092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2882290A Expired - Fee Related JP2837725B2 (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体ウェーハの液体処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837725B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291228A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2845309B2 (ja) * | 1993-08-23 | 1999-01-13 | 関西日本電気株式会社 | ウェット処理装置 |
| KR0179783B1 (ko) * | 1995-12-19 | 1999-04-15 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
| US6132523A (en) * | 1997-09-19 | 2000-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of cleaning a substrate in a cleaning tank using plural fluid flows |
| KR100480606B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조장치 |
| JP2014017369A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Sharp Corp | 洗浄装置および洗浄方法 |
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1990
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| JPH03232228A (ja) | 1991-10-16 |
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