KR100480606B1 - 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조장치 - Google Patents

아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스와, 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내의 내부 공간으로 아이피에이 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인과, 챔버 내의 아이피에이 증기를 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인과, 배스 내의 탈이온수를 배스 밖으로 배출시키기 위하여 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인, 및 반도체 웨이퍼들 사이에 배치되어 건조 공정을 진행하는 과정에서 반도체 웨이퍼들 사이의 최소 간격이 유지되도록 하는 보호대를 포함한다.

Description

아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조 장치{Apparatus for drying semiconductor wafer using IPA vapor drying method}
본 발명은 반도체 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아이피에이(IPA) 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 세정 공정은 반도체 칩 형성 과정 중에 발생하는 반도체 웨이퍼상의 불순물들을 제거하는 공정을 의미한다. 세정 공정은, 화학 용액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 화학 용액 처리 단계와, 화학 용액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수(Deionized Water; 이하 DIW)로 세척하는 린스(rinse) 단계와, 그리고 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 단계를 포함할 수 있다. 기존에는 반도체 웨이퍼를 건조시키기 위하여 스핀 건조 방식이 주로 사용되었지만, 최근 반도체 소자의 고집적화가 진행되면서 반도체 웨이퍼의 표면 구조가 점점 더 복잡해짐에 따라, 아이피에이(Isopropyl Alcohol; 이하 IPA)의 증기와 DIW의 치환을 이용한 증기 건조 방식이 주로 사용되고 있다.
기존에는 건조시키고자 하는 반도체 웨이퍼들을 챔버 내에 로딩하고, 챔버 내에 IPA 용액을 공급하는 장치를 사용하여 건조 공정을 수행하였다. 이 장치에서, 챔버 내에 공급된 IPA 용액은 챔버 하부의 히터로부터 공급되는 열에 의해 증발하여 반도체 웨이퍼상에 잔존해 있는 DIW를 치환시킨다. 그런데 이와 같은 방식의 건조 장치는 IPA 용액의 증발 정도를 정확하게 조절하기 힘들다는 문제가 있다. IPA 용액이 챔버 내에서 지나치게 증발될 경우, 건조된 반도체 웨이퍼 표면에 탄소(C)가 다량으로 검출되는 문제가 발생한다.
따라서 최근에는 DIW가 오버플로우(overflow) 될 수 있는 배스(bath)와 질소 가스 및 IPA 증기가 공급될 수 있는 챔버가 일체화된 IPA 건조 장치가 제안된 바 있다. 이 건조 장치에서, 반도체 웨이퍼가 로딩된 배스 내에 DIW를 오버플로우(overflow) 시킨 후, DIW를 반도체 웨이퍼 하부 방향으로 천천히 배출시키면서 반도체 웨이퍼 상부에서 질소 가스 및 IPA 증기를 챔버 내부로 공급함으로써 건조 공정을 진행한다.
그러나 이 경우에도 반도체 웨이퍼의 사이즈가 점점 대구경화, 예컨대 200㎜ 이상의 구경을 가짐으로써, 많은 수의 반도체 웨이퍼를 배치 처리(batch processing)하기 위하여 반도체 웨이퍼와 반도체 웨이퍼 사이에 다른 반도체 웨이퍼를 투입하는 하프 피치(half pitch) 방식으로 건조 공정을 진행하고 있다. 그러나 이 과정에서 반도체 웨이퍼와 반도체 웨이퍼 사이의 간격이 필연적으로 줄어들게 되고, 이로 인하여 반도체 웨이퍼들이 고정되지 못하고 흔들리게 되어 인접한 반도체 웨이퍼들이 서로 흡착되는 문제가 발생한다. 건조 공정 중에 인접한 반도체 웨이퍼가 서로 흡착하게 되면 반도체 웨이퍼 표면에 DIW가 잔재하게 되며, 이 잔존한 DIW는 물 반점(water mark)의 원인이 되어 소자 동작에 있어서의 불량을 야기할 수 있다는 문제가 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 건조 공정 중에 인접한 반도체 웨이퍼가 서로 흡착되지 않도록 반도체 웨이퍼의 유동을 억제할 수 있는 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조 장치를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스; 상기 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내의 내부 공간으로 아이피에이 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인; 상기 챔버 내의 아이피에이 증기를 상기 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인; 상기 배스 내의 탈이온수를 상기 배스 밖으로 배출시키기 위하여 상기 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인; 및 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 배치되어 건조 공정을 진행하는 과정에서 상기 반도체 웨이퍼들 사이의 최소 간격이 유지되도록 하는 보호대를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서, 상기 보호대는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 0도 내지 45도각을 갖는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 이때 상기 보호대는 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 22.5도의 각을 갖는 위치에 배치되는 것이 가장 바람직하다.
상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 마름모형 형상을 갖는 것이 바람직하다. 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 스틱 형상을 가질 수도 있다. 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 직사각형 형상을 가질 수도 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스; 상기 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내의 내부 공간으로 아이피에이 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인; 상기 챔버 내의 아이피에이 증기를 상기 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인; 상기 배스 내의 탈이온수를 상기 배스 밖으로 배출시키기 위하여 상기 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인; 및 상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위하여 상기 배스 내에 배치되되, 상기 반도체 웨이퍼가 삽입되는 복수개의 가이드 홈들과, 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 배치되어 건조 공정이 진행되는 과정에서 상기 반도체 웨이퍼들 사이의 최소 간격이 유지되도록 하는 보호대를 구비하는 반도체 웨이퍼 지지대를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 있어서도, 본 실시예에 있어서, 상기 보호대는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 0도 내지 45도의 각을 갖는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 이때 상기 보호대는 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 22.5각의 각을 갖는 위치에 배치되는 것이 가장 바람직하다.
상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 마름모형 형상을 갖는 것이 바람직하다. 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 스틱 형상을 가질 수도 있다. 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 직사각형 형상을 가질 수도 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 1은 IPA 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조 장치를 나타내 보인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 반도체 웨이퍼(100)가 DIW(210)에 의해 완전히 잠길 수 있도록 하는 배스(bath)(200)와, 이 배스(200)의 상부 일정 높이와 중첩되면서 배스(200) 상부를 감싸도록 배치된 챔버(300)를 구비한다.
상기 배스(200)는 하부에 DIW(210)가 배출될 수 있는 DIW 배출구(220)를 갖는다. 그리고 반도체 웨이퍼(100)가 위치하는 지점 하부에는 반도체 웨이퍼(100)를 지지하기 위한 반도체 웨이퍼 지지대(230)가 배치된다. 반도체 웨이퍼 지지대(230)의 반도체 웨이퍼(100)와 접촉하는 면에는 가이드 홈들이 형성되는데, 이 구조에 대해서는 뒤에 보다 상세하게 설명하기로 한다.
상기 챔버(300)에는, 내부의 밀폐 공간 내에 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급 라인(312)과, 질소 가스 및 IPA 증기를 공급하는 질소 가스 및 IPA 증기 공급 라인(314)과, 그리고 오버플로우된 DIW를 배출하기 위한 오버플로우된 DIW 배출 라인(320)이 연결된다. 한편 일 측벽에는 챔버(300) 내의 질소 가스와 IPA 증기를 챔버(300) 밖으로 배출시키기 위한 질소 가스 및 IPA 배출구(330)가 구비된다.
도 2a는 도 1의 반도체 웨이퍼 건조 장치의 반도체 웨이퍼 지지대에 형성된 가이드 홈들의 구조를 나타내 보인 도면이며, 도 2b는 도 2a의 선 2B-2B'를 따라 절단한 모습을 A 방향에서 바라본 것을 나타내 보인 도면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 반도체 웨이퍼 지지대(230)의 반도체 웨이퍼(100)와 접촉하는 면에는 3개의 가이드 홈들, 즉 제1, 제2 및 제3 가이드 홈(201, 202, 203)들이 형성된다. 제1 및 제2 가이드(310, 302)는, 예컨대 V자형 홈을 갖는데, 이 홈에 반도체 웨이퍼(100)의 하부 측면이 삽입되도록 배치된다. 제3 가이드(203)는, 예컨대 Y자형 홈을 갖는데, 이 홈에 반도체 웨이퍼(100)의 바닥면이 삽입되도록 배치된다. 그런데 이와 같이 3개의 가이드 홈들(201, 202, 203)을 갖는 반도체 웨이퍼 지지대(230)에 반도체 웨이퍼(100)를 지지한 상태에서 건조 공정을 진행하면, 인접한 반도체 웨이퍼들이 서로 흡착되는 문제가 발생한다. 이하 건조 과정을 설명하면서 상기 문제점을 상세히 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3d는 3개의 가이드 홈만을 갖는 반도체 웨이퍼 지지대를 채용한 반도체 웨이퍼 건조 장치의 건조 과정과 그 문제점을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
먼저 도 3a를 참조하면, 반도체 웨이퍼(100)를 DIW(210)가 채워져 있는 배스(200) 내로 로딩시킨다. 상기 반도체 웨이퍼(100)는 반도체 웨이퍼 지지대(230)에 의해 지지된다. 반도체 웨이퍼(100)가 반도체 웨이퍼 지지대(230)에 의해 지지되는 구조는 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같다. 반도체 웨이퍼(100)가 배스(200) 내에 로딩되면, DIW(210)를 오버플로우시킨다. DIW(210)가 배스(200) 내에서 오버플로우됨에 따라, 반도체 웨이퍼(100)는 DIW(210)에 의해 완전히 잠기게 된다.
다음에 도 3b를 참조하면, DIW(210)를 DIW 배출구(220)를 통해 서서히 드레인시키면서 질소 가스와 IPA 증기를 반도체 웨이퍼(100)를 향하도록 공급한다. DIW(210)는, 화살표(212)로 나타낸 바와 같이, 아래 방향으로 서서히 드레인 되며, 이에 따라 반도체 웨이퍼(100)의 상부는 DIW(210)로부터 노출되기 시작한다. 공급된 IPA 증기는 반도체 웨이퍼(100) 표면에 남아 있는 DIW(210)를 치환한다. 그런데 이때 반도체 웨이퍼(100)의 노출 부분이 다소 움직일 수 있으며, 이때 상호 간격이 좁아진 반도체 웨이퍼(100)들 표면 사이에 발생하는 표면 장력에 의해 인접한 반도체 웨이퍼(100)가 서로 흡착하게 된다(도면에서 C로 표시한 부분).
즉 도 3c에 도시된 바와 같이, 서로 흡착한 반도체 웨이퍼(100)들 사이에는 DIW(210)가 계속 남게 되며, 이 남아 있는 DIW(210)는, 도 3d에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(100)들이 서로 분리되더라도, 중력에 의해 반도체 웨이퍼(100) 표면을 따라 흘러서, 최종적으로는 반도체 웨이퍼(100) 표면의 물 반점(210')으로서 작용하게 된다.
이와 같이, 건조 공정을 진행하는 과정에 있어서 반도체 웨이퍼들이 서로 흡착하는 현상을 억제하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치는, 3개의 가이드 홈 외에 2개의 보호대(protector)를 구비한 반도체 웨이퍼 지지대를 포함한다. 이를 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 4a는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치의 반도체 웨이퍼 지지대에 형성된 가이드 홈들 및 보호대의 구조를 나타내 보인 도면이며, 도 4b는 도 4a의 선 4B-4B'를 따라 절단한 모습을 A' 방향에서 바라본 것을 나타내 보인 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 반도체 웨이퍼 지지대(230)의 반도체 웨이퍼(100)와 접촉하는 면에는 3개의 가이드 홈들, 즉 제1, 제2 및 제3 가이드 홈(201, 202, 203)들 외에 2개의 보호대, 즉 제1 및 제2 보호대(410, 420)들이 형성된다. 제1 및 제2 가이드(310, 302)는, 예컨대 V자형 홈을 갖는데, 이 홈에 반도체 웨이퍼(100)의 하부 측면이 삽입되도록 배치된다. 제3 가이드(203)는, 예컨대 Y자형 홈을 갖는데, 이 홈에 반도체 웨이퍼(100)의 바닥면이 삽입되도록 배치된다.
제1 및 제2 보호대(410, 420)는 인접한 반도체 웨이퍼(100)들 사이에 배치되어, 건조 공정이 진행하는 과정에서 인접한 반도체 웨이퍼(100)들이 서로 흡착되는 현상이 발생하는 것을 억제하다. 상기 제1 및 제2 보호대(410, 420)는, 반도체 웨이퍼(100)의 중심(O)으로부터의 수평선(150)과 반도체 웨이퍼(100)의 중심(O)으로부터 제1 및 제2 보호대(410, 420)까지 연결한 선(150') 사이의 각도()가 대략 0도 내지 45각도를 유지하도록 상기 수평선(150) 아래쪽에 위치한다. 특히 인접한 반도체 웨이퍼(100)들 사이의 흡착 현상을 억제하는 효과가 가장 크게 나타나는 제1 및 제2 보호대(410, 420)의 위치는 상기 각도()가 22.5도가 되도록 하는 위치이다. 통상적으로 이 위치는 반도체 웨이퍼(100)의 로딩 및 언로딩시에 이용되는 로봇(robot)의 동작과도 무관한 위치가 된다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4a의 제1 및 제2 보호대의 다양한 형상을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
먼저 도 5a를 참조하면, 상기 제1 및 제2 보호대(410, 420)는 직사각형 형상으로 이루어진다. 이 직사각형 형상의 제1 및 제2 보호대(410, 420)는 반도체 웨이퍼(100)와의 접촉 면적이 최대가 되며, 이로 인하여 인접한 반도체 웨이퍼(100)들 사이의 흡착 현상을 최대한 억제할 수 있다는 장점을 갖는다.
다음에 도 5b를 참조하면, 상기 제1 및 제2 보호대(410, 420)는 스틱(stick) 형상으로 이루어진다. 이 스틱 형상의 제1 및 제2 보호대(410, 420)는 반도체 웨이퍼(100)와의 접촉 면적이, 직사각형 형상인 경우에 비하여 상대적으로 작으며, 이로 인하여 제1 및 제2 보호대(410, 420)와 반도체 웨이퍼(100)의 접촉면에서의 물반점 발생 현상이 적게 발생한다는 장점을 갖는다.
다음에 도 5c를 참조하면, 상기 제1 및 제2 보호대(410, 420)는 마름모 형상으로 이루어진다. 이 마름모 형상의 제1 및 제2 보호대(410, 420)는, 반도체 웨이퍼(100)와의 접촉 면적이, 직사각형 형상 또는 스틱 형상보다도 상대적으로 가장 작으며, 이에 따라 제1 및 제2 보호대(410, 420)와 반도체 웨이퍼(100)의 접촉면에서의 물반점 발생 현상이 가장 적게 발생한다는 장점을 갖는다.
도 6a 및 도 6b는 도 4a의 제1 및 제2 보호대의 존재로 인하여 반도체 웨이퍼들 사이의 흡착 문제가 억제되는 원리를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다. 도 6a 및 도 6b는 모두 위에서 아래 방향으로 반도체 웨이퍼를 바라보았을 때의 형상을 나타낸다.
먼저 도 6a에 도시된 바와 같이, 도 4a의 제1 및 제2 보호대(410, 420)가 존재하지 않는 경우, 인접한 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b) 사이의 간격이 "R"인 경우, 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b)는 각각 좌우 양 방향으로 R/2 만큼의 유동 거리를 갖는다. 즉 좌측에 배치된 제1 반도체 웨이퍼(100a)가 우측 방향으로 움직일 경우 R/2의 유동 거리를 갖게 되며, 마찬가지로 우측에 배치된 제2 반도체 웨이퍼(100b)가 좌측 방향으로 움직이는 경우에도, R/2의 유동 거리를 갖게된다. 그런데 이 유동 거리가 클수록 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b)가 기울어지는 현상이 발생할 가능성이 크며, 일단 기울어지기 시작하면 기울어지려는 힘이 점점 더 커지게 된다.
이에 반하여, 제1 및 제2 보호대(410, 420)가 존재하는 경우, 도 6b에 도시된 바와 같이, 인접한 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b)의 간격이 동일하게 "R"이더라도, 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b)는 각각 좌우 양 방향으로 (R-r)/2 만큼의 유동 거리를 갖는다. 즉 좌측에 배치된 제1 반도체 웨이퍼(100a)가 우측 방향으로 움직이더라도, 제1 및 제2 보호대(410, 420)가 없을 때의 R/2보다 더 적은 (R-r)/2로 그 유동 거리가 줄어든다. 마찬가지로, 우측에 배치된 제2 반도체 웨이퍼(100b)가 좌측 방향으로 움직이는 경우에도, 제1 및 제2 보호대(410, 420)가 없을 때의 R/2보다 더 적은 (R-r)/2로 그 유동 거리가 줄어든다. 앞서 설명한 바와 같이, 유동 거리가 감소하면, 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b)가 쓰러질 가능성이 적어지며, 더욱이 제1 및 제2 보호대(410, 420)의 두께(r)에 해당하는 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b) 사이의 최소한의 간격을 유지할 수 있으므로 제1 및 제2 반도체 웨이퍼(100a, 100b)가 서로 흡착하는 현상이 발생되지 않도록 할 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조 장치에 의하면, 반도체 웨이퍼와 반도체 웨이퍼 사이의 최소 간격을 유지할 수 있는 보호대가 장착된 반도체 웨이퍼 지지대에 의해 반도체 웨이퍼를 지지하므로, 건조 공정을 수행하는 과정에서 인접한 반도체 웨이퍼 사이의 흡착 현상이 발생하지 않도록 할 수 있으며, 특히 보호대의 두께에 의해 반도체 웨이퍼의 유동 거리를 조절할 수 있다는 이점을 제공한다.
도 1은 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조 장치의 일 예를 나타내 보인 단면도이다.
도 2a는 도 1의 반도체 웨이퍼 건조 장치의 반도체 웨이퍼 지지대에 형성된 가이드 홈들의 구조를 나타내 보인 도면이다.
도 2b는 도 2a의 선 2B-2B'를 따라 절단한 모습을 A 방향에서 바라본 것을 나타내 보인 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 3개의 가이드 홈만을 갖는 반도체 웨이퍼 지지대를 채용한 반도체 웨이퍼 건조 장치의 건조 과정과 그 문제점을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 4a는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 건조 장치의 반도체 웨이퍼 지지대에 형성된 가이드 홈들 및 보호대의 구조를 나타내 보인 도면이다.
도 4b는 도 4a의 선 4B-4B'를 따라 절단한 모습을 A' 방향에서 바라본 것을 나타내 보인 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4a의 제1 및 제2 보호대의 다양한 형상을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.
도 6a 및 도 6b는 도 4a의 제1 및 제2 보호대의 존재로 인하여 반도체 웨이퍼들 사이의 흡착 문제가 억제되는 원리를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.

Claims (12)

  1. 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스;
    상기 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내의 내부 공간으로 아이피에이 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인;
    상기 챔버 내의 아이피에이 증기를 상기 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인;
    상기 배스 내의 탈이온수를 상기 배스 밖으로 배출시키기 위하여 상기 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인; 및
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에서 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 0도내지 45도의 각을 갖는 위치에 배치되어 건조 공정을 진행하는 과정에서 상기 반도체 웨이퍼들 사이의 최소 간격이 유지되도록 하는 보호대를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보호대는 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 22.5도의 각을 갖는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 마름모형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 스틱 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 직사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  7. 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼가 탈이온수에 잠길 수 있는 내부 공간을 제공하는 배스;
    상기 배스 상부에서 증기가 이동하는 내부 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내의 내부 공간으로 아이피에이 증기를 공급하기 위한 증기 공급 라인;
    상기 챔버 내의 아이피에이 증기를 상기 챔버 밖으로 배출하기 위한 배출 라인;
    상기 배스 내의 탈이온수를 상기 배스 밖으로 배출시키기 위하여 상기 배스 하부에 배치된 탈이온수 배출 라인; 및
    상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위하여 상기 배스 내에 배치되되, 상기 반도체 웨이퍼가 삽입되는 복수개의 가이드 홈들과, 상기 반도체 웨이퍼들 사이에 배치되어 건조 공정이 진행되는 과정에서 상기 반도체 웨이퍼들 사이의 최소 간격이 유지되도록 하는 보호대를 구비하는 반도체 웨이퍼 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보호대는, 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 0도내지 45도의 각을 갖는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 보호대는 상기 반도체 웨이퍼의 중심점을 지나는 수평선으로부터 22.5도의 각을 갖는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 마름모형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 스틱 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼들 사이에 삽입되는 상기 보호대는 직사각형 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 건조 장치.
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