KR200181482Y1 - 반도체 제조 장비 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 반도체 소자의 제조 장비중에서 웨이퍼와 웨이퍼에 형성된 막질 및 감광액 등을 크리닝, 식각, 스트립 하기 위한 습식 식각 장비에 관한 것으로, 습식 식각 장비는 내부에 유체가 수용되는 공정조 및 공정조내에서 다수의 웨이퍼들을 홀딩하는 웨이퍼 가이드를 포함한다. 공정조는 서로 대응되는 제 1 측면과 제 2 측면을 갖으며, 상기 제 1 측면에는 배출구가 형성되어 있다. 웨이퍼 가이드는 제 1 측면과 근접한 제 1 수직 플레이트를 갖는다. 이 제 1 수직 플레이트에는 배출구 방향으로의 유체의 급격한 쏠림 현상으로 인해 제 1 수직 플레이트와 가장 근접하게 로딩되어 있는 웨이퍼가 기울어지는 것을 방지하기 위한 지지돌기가 형성되어 있다.

Description

반도체 제조 장비{A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION INSTALLATION}
본 고안은 반도체 소자의 제조 장비중에서 웨이퍼와 웨이퍼에 형성된 막질 및 감광액 등을 크리닝, 식각, 스트립 하기 위한 습식 식각 장비에 관한 것이다.
일반적으로 사용되고 있는 습식 식각 장비의 습식 스테이션에는 웨이퍼와 웨이퍼에 형성된 막질 및 감광액 등을 크리닝, 식각, 스트립 하기 위하여 웨이퍼 가이드와 공정조가 사용되고 있다. Steven N. Lee의 U.S. Pat 4,256,229에는 웨이퍼를 로딩하기 위한 웨이퍼 가이드가 개시되어 있으며, Kwang-yul Lee 등의 U.S. Pat 5,904,572에는 습식 식각 스테이션이 개시되어 있다.
한편, 습식 식각 스테이션의 공정조 중에서는 초순수의 신속한 배수를 위하여 배수구가 측면에 형성되어 있는 세정조가 있다. 이러한 세정조에서는 다음과 같은 문제점이 유발되고 있다. 상기 세정조에서 상기 배수구를 통하여 신속한 배수가 진행될 때, 상기 배수구가 형성된 측면 방향으로 초순수가 급격하게 쏠리는 현상이 발생되게 된다. 이러한 초순수의 급격한 흐름에 의하여 상기 웨이퍼 가이드상에 로딩되어 있는 웨이퍼들 중 상기 배수구가 형성된 측면과 가장 근접하게 위치된 웨이퍼가 그 흐름방향으로 기울어지게 된다. 이로 인해, 그 웨이퍼는 웨이퍼 가이드의 측면 플레이트쪽으로 심하게 쏠려 깨지거나 심한 경우 상기 웨이퍼 가이드의 홈으로부터 빠져버리게 된다.
본 고안은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 공정조에서의 유체의 배수시 웨이퍼 가이드상에 로딩된 웨이퍼의 급격한 쏠림에 의한 데미지를 방지할 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조 장비를 제공하는데 있다.
도 1은 본 고안의 실시예에 따른 습식 식각 스테이션의 세정조와 웨이퍼 가이드를 개략적으로 보여주는 사시도;
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 습식 식각 스테이션의 세정조와 웨이퍼 가이드를 개략적으로 보여주는 측면도;
도 3은 도 2에 표시된 a-a선 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 세정조 112 : 전면
114 : 배수구 116 : 드레인 라인
118 : 공급라인 120 : 웨이퍼 가이드
122 : 프론트 플레이트 124 : 리어 플레이트
126a,126b : 수평 로드 127 : 수직홈
128 : 지지돌기 130 : 웨이퍼
140 : 초순수
상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징에 의하면, 반도체 제조 장비는 내부에 유체가 수용되는 공정조 및; 상기 공정조내에서 다수의 웨이퍼들을 홀딩하는 웨이퍼 가이드를 포함한다. 상기 공정조는 서로 대응되는 제 1 측면과 제 2 측면을 갖으며, 상기 제 1 측면에는 배출구가 형성되어 있다. 상기 웨이퍼 가이드는 상기 제 1 측면과 근접한 제 1 수직 플레이트와, 상기 제 1 수직 플레이트로부터 이격되어 위치되는 제 2 플레이트와, 상기 제 1, 2 수직 플레이트를 연결하고 외면에는 웨이퍼의 가장자리가 끼워지는 다수의 수직 홈들이 형성된 수평 로드들을 갖는다. 상기 제 1 수직 플레이트에는 상기 배출구 방향으로의 유체의 급격한 쏠림 현상으로 인해 상기 제 1 수직 플레이트와 가장 근접하게 로딩되어 있는 웨이퍼가 기울어지는 것을 방지하기 위한 지지돌기가 형성되는 있다.
이와 같은 장비에서 상기 지지돌기는 최대한 상기 웨이퍼의 상단부분과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 반도체 제조 장비는 습식 식각 장비 또는 웨이퍼 세정 장비일 수 있다.
이하, 본 고안의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 3에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
도 1 및 도 2는 본 고안의 실시예에 따른 습식 식각 스테이션의 세정조와 웨이퍼 가이드를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2에 표시된 a-a선 단면도이다.
도 1 내지 도 3에는 습식 식각 스테이션에서 웨이퍼와 웨이퍼에 형성된 막질 및 감광액 등을 크리닝 하기 위한 세정조(rinse bath;110)와 웨이퍼 가이드(wafer guide;120)가 도시되어 있다. 상기 세정조(110)에는 웨이퍼(130)를 세정하기 위한 초순수(140)가 오버 플로워(overflow)되고 있다. 초순수(140)는 공급라인(118)을 통해 상기 세정조(110)로 공급된다. 그리고 상기 세정조(110)에 담겨진 초순수(140)는 웨이퍼 세정 후 상기 세정조(110)의 전면(112)에 형성된 배수구(114)를 통해 드레인 라인(116)으로 배수되며, 상기 세정조(110)에는 깨끗한 초순수가 채워지게 된다.
상기 웨이퍼 가이드(120)에는 다수의 웨이퍼(130)들이 수직 상태로 로딩된다. 상기 웨이퍼 가이드(120)는 프론트 플레이트(122), 리어 플레이트(124), 그리고 4개의 수평 로드들(126a,126b)로 이루어진다. 상기 프론트 플레이트(122)와 리어 플레이트(124)는 일정한 거리를 유지하고 있으며, 이들은 4개의 수평 로드들(126a,126b)에 의해 연결되어 있다. 상기 수평 로드들(126a,126b)에는 수직 홈(127)들이 일정 간격을 두고 형성되어 있다. 상기 프론트 판(122)과 리어 판(124)의 상단에는 각각 손잡이(129)가 연장되어 형성된다. 상기 수평 로드들(126a,126b)은 웨이퍼(130)의 양 사이드를 지지하는 제 1 수평 로드들(126a)과 웨이퍼의 밑면을 받쳐주는 제 2 수평 로드들(126b)로 구분된다. 상기 웨이퍼(130)들은 이송 로봇(미도시됨)에 의해서 상기 웨이퍼 가이드(120)로/로부터 로딩/언로딩된다.
도 2에서와 같이, 상기 웨이퍼 가이드(120)가 상기 세정조(110)에 수용될 때, 상기 프론트 플레이트(122)는 상기 배수구(124)가 형성된 세정조의 전면(112)과 대응되게 위치된다. 상기 세정조(110)의 전면(112;배수구가 형성되어 있는 면)과 대응되게 위치된 상기 프론트 플레이트(122)에는 지지돌기(128)가 형성되어 있다. 이 지지돌기(128)는 상기 초순수(140)의 배수시 발생되는 급격한 초순수의 쏠림 현상으로 인해 상기 프론트 플레이트(122)와 가장 근접하게 로딩되어 있는 웨이퍼(130a)(이하, '첫 번째 웨이퍼'라함)가 상기 배수구(114)가 형성된 세정조의 전면(112)방향으로 기울어지는 것을 방지하기 위한 것이다. 도 3에서와 같이, 상기 지지돌기(128)는 최대한 상기 첫 번째 웨이퍼(130a)의 상단 부분과 대응되는 프론트 플레이트(122)상에 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 프론트 플레이트(122)와 가장 근접하게 로딩되어 있는 첫 번째 웨이퍼(130a)란 상기 프론트 플레이트(122)로부터 첫 번째 수직홈에 로딩된 웨이퍼를 가리킨다.
예컨대, 상기 첫 번째 웨이퍼(130a)는 상기 프론트 플레이트(122)와 10-15mm 간격을 두고 로딩되며, 상기 지지돌기(128)는 상기 프론트 플레이트(122)로부터 7-12mm 돌출되어 형성되는 것이 바람직하다. 다시 말해, 상기 지지돌기(122)는 상기 첫 번째 웨이퍼(130a)의 로딩/언로딩시 웨이퍼 이송로봇(미도시됨)과의 간섭이 발생되지 않는 범위안에서 형성되는 것이 바람직하다.
비록 설명의 편의를 위하여 참조 도면들에서 보이지는 않았지만 상기 웨이퍼 가이드를 이송하기 위한 이송장치를 포함할 수 있다.
본 고안은 도해된 실시예의 구조에만 제한되지 않으며, 뜨거운 초순수를 사용하는 HQDR(Hot DI water Quick Dumped Rinse)조, 오버 플로우(over flow)조, 약액(chemical) 조 등의 처리조와 이 처리조에 사용되는 웨이퍼 가이드가 모두 본 고안의 범위에 속한다는 것을 이 분야에 숙련된 기술자들은 알 수 있는 것이다.
여기서, 본 고안의 구조적인 특징은 웨이퍼 가이드에 로딩된 첫 번째 웨이퍼와 대응되는 프론트 플레이트상에 지지돌기를 갖는데 있다. 이 지지돌기는 유체의 급격한 쏠림 현상으로 인해 그 첫 번째 웨이퍼가 상기 프론트 플레이트쪽으로 기울어지는 것을 방지하기 위한 것이다. 상기 첫 번째 웨이퍼는 상기 지지돌기 때문에 일정각도(데미지를 입지 않을 정도의 기울기)이상으로 기울어지는 것을 방지할 수 있는 것이다.
이상에서, 본 고안에 따른 장비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 고안에 의하면, 공정조에서의 유체의 배수시 웨이퍼 가이드상에 로딩된 첫 번째 웨이퍼의 기울어짐을 방지할 수 있어 안정된 상태에서 반도체 제조 공정을 진행하여 설비를 안정화시키고 궁극적으로는 수율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 제조 장비에 있어서:
    내부에 유체가 수용되는 공정조 및;
    상기 공정조내에서 다수의 웨이퍼들을 홀딩하는 웨이퍼 가이드를 포함하되;
    상기 공정조는 서로 대응되는 제 1 측면과 제 2 측면을 갖으며, 상기 제 1 측면에는 배출구가 형성되어 있으며,
    상기 웨이퍼 가이드는 상기 제 1 측면과 근접한 제 1 수직 플레이트와, 상기 제 1 수직 플레이트로부터 이격되어 위치되는 제 2 플레이트와, 상기 제 1, 2 수직 플레이트를 연결하고 외면에는 웨이퍼의 가장자리가 끼워지는 다수의 수직 홈들이 형성된 수평 로드들을 가지며,
    상기 제 1 수직 플레이트에는 상기 배출구 방향으로의 유체의 급격한 쏠림 현상으로 인해 상기 제 1 수직 플레이트와 가장 근접하게 로딩되어 있는 웨이퍼가 기울어지는 것을 방지하기 위한 지지돌기가 형성되는 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지돌기는 최대한 상기 웨이퍼의 상단부분과 대응되는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 제조 장비는 습식 식각 장비인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 제조장비는 웨이퍼 세정 장비인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101079453B1 (ko) * 2009-02-06 2011-11-03 주식회사 엘지실트론 세정조 내부에서 웨이퍼를 지지하기 위한 스탠드 암 및 이를 구비한 웨이퍼 세정기

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KR101079453B1 (ko) * 2009-02-06 2011-11-03 주식회사 엘지실트론 세정조 내부에서 웨이퍼를 지지하기 위한 스탠드 암 및 이를 구비한 웨이퍼 세정기

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