KR0125681Y1 - 웨이퍼 세정조 - Google Patents
웨이퍼 세정조Info
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Abstract
본 고안은 웨이퍼 세정조에 관한 것으로, 세정 과정에서 웨이퍼의 외부 노출을 방지하기 위하여 하나의 세정조내에서 화학용액과 순수에 의한 세정을 순차적으로 실시할 수 있도록 하므로써 소자의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 웨이퍼 세정조에 관한 것이다.
Description
제1도는 종래 화학용액 세정조의 사시도.
제2도는 종래 순수 세정조의 사시도.
제3도는 본 고안에 따른 웨이퍼 세정조의 사시도.
제4도는 제3도의 측면도.
제5a도는 제3도에 도시된 분리관의 사시도.
제5b도는 제5a도의 A부분의 상세도.
제6a도는 제3도에 도시된 분산판의 평면도.
제6b도는 제3도에 도시된 분산판의 배면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 화학용액 세정조 2,4 및 11 : 공급관
3 : 순수 세정조 5 및 10 : 배수관
6 : 외부 세정조 7 : 내부 세정조
8 : 분산판 8A : 상면
8B : 배면 9 : 공급 노즐
12 : 분리관 20,23 및 24 : 홀
21 : 배수홀
본 고안은 웨이퍼 세정조에 관한 것으로, 특히 하나의 세정조내에서 화학용액과 순수에 의한 세정을 순차적으로 실시할 수 있도록 한 웨이퍼 세정조에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼상에 형성된 실리콘 산화막 또는 자연 산화막은 세정 용액을 이용하여 제거하며, 세정 용액으로는 불산과 순수가 사용된다.
종래의 세정 공정은 제1도에 도시된 바와 같이 불산과 같은 화학용액이 공급관(2)을 통해 공급되는 화학용액 세정조(1)내에서 웨이퍼(도시않됨)를 1차 세정시킨 후 상기 웨이퍼에 묻은 불산을 제거하기 위해 제2도에 도시된 바와 같이 공급관(4) 및 배수관(5)이 형성된 순수 세정조(3)로 상기 웨이퍼를 이동하여 2차 세정을 실시한다. 그런데 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 웨이퍼의 구경이 커지기 때문에 상기 화학용액 세정조(1) 및 순수 세정조(3)의 크기도 증가되며, 웨이퍼를 1차 및 2차 세정시키기 위한 세정조가 각각으로 존재하여 웨이퍼를 이동시키는 과정에서 웨이퍼가 대기중에 노출된다. 그러므로 상기 웨이퍼 이동시 웨이퍼 표면에 미립자 등이 부착되어 소자의 수율이 저하된다. 또한 상기 순수 세정조(3)는 공급관(4)을 통해 공급되는 순수의 량이 균일하지 않기 때문에 식각의 균일도가 저하되는 단점이 있다.
따라서 본 고안은 하나의 세정조내에서 화학용액과 순수에 의한 세정을 순차적으로 실시할 수 있도록 하므로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 웨이퍼 세정조를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 고안은 외부 세정조와, 상기 외부 세정조와 소정거리 이격된 내부에 형성되며 상기 외부 세정조보다 높이가 낮고 세정액이 넘쳐흐를 수 있도록 상부에 배수홈이 형성된 내부 세정조와, 상기 내부 세정조의 상부에 위치되며 세정액을 공급하기 위한 공급관과, 상기 외부 세정조 일측면의 하부에 형성되며 상기 내부 세정조에 세정액을 공급하기 위한 공급노즐과, 상기 외부 세정조의 다른 일측면의 하부에 형성되며 세정액을 외부로 배출시키기 위한 배수관과, 상기 공급 노즐로부터 접속되며 상기 내부 세정조의 저면에 위치된 분리관과, 상기 분리관의 상부에 위치되며 세정액을 상기 내부 세정조에 균일하게 분산시키기 위한 분산판으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명하기로 한다.
제3도는 본 고안에 따른 웨이퍼 세정조의 사시도이고, 제4도는 제3도의 측면도로서, 제5a 및 제5b도와 제6a도 및 제6b도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 따른 웨이퍼 세정조는 제3도에 도시된 바와 같이 외부 세정조(6)와, 상기 외부 세정조(6)와 소정거리 이격된 내부에 상기 외부 세정조(6)보다 높이가 낮으며, 세정액이 넘쳐 흐를 수 있도록 상부에 배수홈(21)이 형성된 내부 세정조(7)가 형성된다. 상기 내부 세정조(7) 상부에는 화학용액을 공급하기 위한 공급관(11)이 위치되며, 상기 외부 세정조(6)의 일측면의 하부에는 상기 내부 세정조(7)내부로 순수를 공급하기 위한 공급노즐(9)이 형성되고, 상기 외부 세정조(6)의 다른 일측면의 하부에는 배수관(10)이 형성된다. 상기 공급 노즐(9)은 상기 내부 세정조(7)의 저면에 위치된 분리관(12)과 연결되며, 상기 분리관(12)의 상부에는 분산판(8)이 제4도와 같이 위치된다. 여기서 상기 분리관(12)은 제5a도에 도시된 바와 같이 상기 공급 노즐(9)과 연결되는 하나의 관으로부터 공급되는 순수가 상기 내부 세정조(7)에 균일하게 분리되어 공급되도록 다수의 관이 접속된다. 또한 상기 다수의 관 각각에는 제5b도에 도시된 바와 같이 공급된 순수가 상기 내부 세정조(7)의 저면을 향해 분사되도록 양측부에 다수의 홀(23)이 형성된다. 상기 분산판(8)은 상면(8A)에 제 6a도에 도시된 바와 같이 다수의 홀(20)이 규칙적으로 형성되고, 하면(8B)에 제6b도에 도시된 바와 같이 양측부로부터 길게 연장된 홀(24)이 일정간격으로 형성되는데, 상기 길게 연장된 홀(24)은 상기 공급 노즐(9)을 통해 공급되는 순수의 방향과 직각을 이루도록 형성된다.
상기와 같이 이루어진 웨이퍼 세정조를 이용하여 웨이퍼상에 형성된 실리콘산화막 또는 자연산화막을 제거하는 방법은 다음과 같다.
먼저 상기 공급관(11)을 통해 불소와 같은 화학용액이 공급되는 상기 내부 세정조(7)내에 웨이퍼를 담그어 웨이퍼상에 형성된 실리콘산화막 또는 자연산화막을 제거한 후 상기 웨이퍼의 표면에 묻은 화학용액을 제거하기 위해 상기 공급관(9)을 통해 상기 내부 세정조(7)로 순수를 공급한다. 상기 공급관(9)을 통과한 순수는 상기 분리관(12)에 형성된 다수의 홀(23)을 통해 상기 내부 세정조(7)의 저면으로 균일하게 분사되며, 상기 분리관(12)의 상부에 위치된 분산판(8)의 배면(8B)에 길게 형성된 다수의 홀(24) 및 상면(8A)에 형성된 다수의 홀(20)을 순차적으로 통과해 상기 내부 세정조(7)의 전체면으로 균일하게 분사된다. 이때 상기 화학용액은 상기 순수의 공급으로 인해 상기 내부 세정조(7)의 상부에 형성된 배수홈(21)으로 넘치게 되고, 넘쳐흐른 화학용액은 상기 외부 세정조(6)와 내부 세정조(7) 사이의 공간을 통해 상기 외부 세정조(6)에 형성된 배수구(10)로 배출된다.
상술한 바와 같이 본 고안에 의하면 하나의 웨이퍼 세정조내에서 불산 및 순수를 순차적으로 사용하여 산화막을 제거하므로써 웨이퍼가 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있고, 또한 웨이퍼 세정조 내부에 분리관 및 분산판을 구비시켜 순수의 공급이 균일하게 이루어지도록 하므로써 식각 균일도를 향상시킬 수 있다. 그러므로 웨이퍼 세정시에 발생되는 불량을 방지하여 소자의 수율을 증대시킬 수 있는 탁월한 효과가 있다.
Claims (5)
- 웨이퍼 세정조에 있어서, 외부 세정조와, 상기 외부 세정조와 소정거리 이격된 내부에 형성되며 상기 외부 세정조보다 높이가 낮고 세정액이 넘쳐흐를 수 있도록 상부에 배수홈이 형성된 내부 세정조와, 상기 내부 세정조의 상부에 위치되며 세정액을 공급하기 위한 공급관과, 상기 외부 세정조 일측면의 하부에 형성되며 상기 내부 세정조에 세정액을 공급하기 위한 공급노즐과, 상기 외부 세정조의 다른 일측면의 하부에 형성되며 세정액을 외부로 배출시키기 위한 배수관과, 상기 공급 노즐로부터 접속되며 상기 내부 세정조의 저면에 위치된 분리관과, 상기 분리관의 상부에 위치되며 세정액을 상기 내부 세정조에 균일하게 분산시키기 위한 분산판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정조.
- 제1항에 있어서, 상기 분리관은 상기 공급 노즐과 연결되는 하나의 관으로부터 공급되는 세정액이 상기 내부 세정조에 균일하게 분리되어 공급되도록 다수의 관이 접속된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정조.
- 제2항에 있어서, 상기 다수의 관 각각에는 공급된 세정액이 상기 내부 세정조의 저면을 향해 분사되도록 양측부에 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정조.
- 제1항에 있어서, 상기 분산판은 상면에 다수의 홀이 규칙적으로 형성되고, 하면에 양측부로부터 길게 연장된 홀이 일정 간격으로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정조.
- 제4항에 있어서, 상기 길게 연장된 홀은 상기 공급 노즐을 통해 공급되는 순수의 방향과 직각을 이루도록 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정조.
Priority Applications (1)
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| KR2019950021654U KR0125681Y1 (ko) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 웨이퍼 세정조 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR2019950021654U KR0125681Y1 (ko) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 웨이퍼 세정조 |
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| KR100334058B1 (ko) * | 1999-07-15 | 2002-04-26 | 김광교 | 반도체 웨이퍼 제조용 세정조의 세척수안정화 장치 |
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1995
- 1995-08-22 KR KR2019950021654U patent/KR0125681Y1/ko not_active IP Right Cessation
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