JPH10247635A - ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法 - Google Patents
ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法Info
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- JPH10247635A JPH10247635A JP6397697A JP6397697A JPH10247635A JP H10247635 A JPH10247635 A JP H10247635A JP 6397697 A JP6397697 A JP 6397697A JP 6397697 A JP6397697 A JP 6397697A JP H10247635 A JPH10247635 A JP H10247635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の小型化を図ることができ、しかも、汚
染や自然酸化膜の生成などを有効に防止することのでき
るウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 多数のシリコンウェーハ２４を順次洗
浄、リンス及び乾燥させる処理槽本体１と、処理槽本体
１の開口上部に被覆可能に配備される上ふた１４とを備
える。処理槽本体１の内部下方部にパンチング板６を内
蔵してシャワー室８を区画し、シャワー室８には引き抜
きシャワーパイプ９を並べて内蔵する。また、上ふた１
４の内部にダウンフロー室１５を形成してその下部外周
縁から制御板２３を垂下し、ダウンフロー室１５の下面
には多数の流出孔２２を形成する。さらに、ダウンフロ
ー室１５にはＤＩＷ、ＤＨＦ、又はＮ2 ／ＩＰＡを天井
に拡散噴射するシャワーパイプ１６を並べて内蔵する。
染や自然酸化膜の生成などを有効に防止することのでき
るウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 多数のシリコンウェーハ２４を順次洗
浄、リンス及び乾燥させる処理槽本体１と、処理槽本体
１の開口上部に被覆可能に配備される上ふた１４とを備
える。処理槽本体１の内部下方部にパンチング板６を内
蔵してシャワー室８を区画し、シャワー室８には引き抜
きシャワーパイプ９を並べて内蔵する。また、上ふた１
４の内部にダウンフロー室１５を形成してその下部外周
縁から制御板２３を垂下し、ダウンフロー室１５の下面
には多数の流出孔２２を形成する。さらに、ダウンフロ
ー室１５にはＤＩＷ、ＤＨＦ、又はＮ2 ／ＩＰＡを天井
に拡散噴射するシャワーパイプ１６を並べて内蔵する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハやＬＣＤ
などの被洗浄物にエッチング処理（洗浄処理）、リンス
処理及び乾燥処理を順次施すウェーハ等の洗浄処理装置
及びその方法に関するものである。
などの被洗浄物にエッチング処理（洗浄処理）、リンス
処理及び乾燥処理を順次施すウェーハ等の洗浄処理装置
及びその方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェーハ等の洗浄処理装置は、ウ
ェーハやＬＣＤなどの被洗浄物にエッチング処理、リン
ス処理及び乾燥処理を施す場合には、図示しない被洗浄
物をエッチング槽、リンス槽及び乾燥槽に順次搬送し、
エッチング槽でエッチング処理を、リンス槽でリンス処
理をそれぞれ施した後、乾燥槽で乾燥処理をしていた。
ェーハやＬＣＤなどの被洗浄物にエッチング処理、リン
ス処理及び乾燥処理を施す場合には、図示しない被洗浄
物をエッチング槽、リンス槽及び乾燥槽に順次搬送し、
エッチング槽でエッチング処理を、リンス槽でリンス処
理をそれぞれ施した後、乾燥槽で乾燥処理をしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェーハ等の洗
浄処理装置は、以上のようにエッチング槽、リンス槽及
び乾燥槽を別々に必要としたので、大きなスループット
を確保できる反面、装置の大型化を招くという問題があ
った。また、槽から槽への搬送の際、カセットに収納さ
れた被洗浄物がクリーンルームの大気にさらされるの
で、クリーンルームの大気からのカーボンなどの汚染や
自然酸化膜の生成を防止することができないという問題
があった。
浄処理装置は、以上のようにエッチング槽、リンス槽及
び乾燥槽を別々に必要としたので、大きなスループット
を確保できる反面、装置の大型化を招くという問題があ
った。また、槽から槽への搬送の際、カセットに収納さ
れた被洗浄物がクリーンルームの大気にさらされるの
で、クリーンルームの大気からのカーボンなどの汚染や
自然酸化膜の生成を防止することができないという問題
があった。
【０００４】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、装置の小型化を図ることができ、しかも、汚染や自
然酸化膜の生成などを有効に防止することのできるウェ
ーハ等の洗浄処理装置及びその方法を提供することを目
的としている。
で、装置の小型化を図ることができ、しかも、汚染や自
然酸化膜の生成などを有効に防止することのできるウェ
ーハ等の洗浄処理装置及びその方法を提供することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明においては、処理槽本体の下方
部をパンチング板で区画して引き抜きシャワー室とし、
前記処理槽本体の上方部には、ダウンフロー室の下部外
周縁から制御板を垂下し、前記ダウンフロー室の下面に
多数の流出孔を備えた上ふたを被蓋自在に配備し、前記
引き抜きシャワー室に引き抜きシャワーパイプを、前記
ダウンフロー室にはシャワーパイプをそれぞれ設けるよ
うにしている。また、請求項２記載の発明においては、
処理槽内に被洗浄物を収容し、上ふたのシャワーパイプ
に薬液を供給してダウンフロー室で前記薬液の濃度・流
速の均一化した下向流として該被洗浄物を洗浄し、前記
薬液を引き抜きシャワー室の引き抜きシャワーパイプで
処理槽外に排出し、続いて前記薬液に代えてリンス液を
用いて同様に該被洗浄物をリンスし、さらに前記リンス
液に代えて乾燥用気体を用いて該被洗浄物を乾燥させる
ようにしている。なお、前記乾燥用気体をイソプロピル
アルコールと窒素ガスとし、前記乾燥用気体で該ダウン
フロー室を乾燥させる間、前記被洗浄物を該リンス液中
に維持し、前記ダウンフロー室の乾燥後、前記リンス液
を引き抜きシャワーパイプから徐々に排出しながら該被
洗浄物を乾燥させ、さらに窒素ガスのみを用いて完全乾
燥させると良い。
め、請求項１記載の発明においては、処理槽本体の下方
部をパンチング板で区画して引き抜きシャワー室とし、
前記処理槽本体の上方部には、ダウンフロー室の下部外
周縁から制御板を垂下し、前記ダウンフロー室の下面に
多数の流出孔を備えた上ふたを被蓋自在に配備し、前記
引き抜きシャワー室に引き抜きシャワーパイプを、前記
ダウンフロー室にはシャワーパイプをそれぞれ設けるよ
うにしている。また、請求項２記載の発明においては、
処理槽内に被洗浄物を収容し、上ふたのシャワーパイプ
に薬液を供給してダウンフロー室で前記薬液の濃度・流
速の均一化した下向流として該被洗浄物を洗浄し、前記
薬液を引き抜きシャワー室の引き抜きシャワーパイプで
処理槽外に排出し、続いて前記薬液に代えてリンス液を
用いて同様に該被洗浄物をリンスし、さらに前記リンス
液に代えて乾燥用気体を用いて該被洗浄物を乾燥させる
ようにしている。なお、前記乾燥用気体をイソプロピル
アルコールと窒素ガスとし、前記乾燥用気体で該ダウン
フロー室を乾燥させる間、前記被洗浄物を該リンス液中
に維持し、前記ダウンフロー室の乾燥後、前記リンス液
を引き抜きシャワーパイプから徐々に排出しながら該被
洗浄物を乾燥させ、さらに窒素ガスのみを用いて完全乾
燥させると良い。
【０００６】請求項１記載の発明によれば、被洗浄物を
処理槽本体のパンチング板にセットし、処理槽本体の開
口部を被覆する上ふたのシャワーパイプにエッチング液
を供給する。すると、エッチング液は、シャワーパイプ
からダウンフロー室の天井に衝突し、ダウンフロー室の
多数の流出孔からほぼ均一な流れ、濃度及び流速で降り
注ぐとともに、無用な拡散を制御板に規制されつつ被洗
浄物に接触し、被洗浄物をエッチング処理（洗浄処理）
する。このようにして被洗浄物をエッチング処理したエ
ッチング液は処理槽本体から排出される。エッチング処
理が終了したら、リンス液をシャワーパイプに供給す
る。すると、リンス液は、シャワーパイプからダウンフ
ロー室の天井に衝突し、ダウンフロー室の多数の流出孔
からほぼ均一な流れ、濃度及び流速で降り注ぐととも
に、無用な拡散を制御板に規制されつつ被洗浄物に接触
し、被洗浄物をリンス処理する。
処理槽本体のパンチング板にセットし、処理槽本体の開
口部を被覆する上ふたのシャワーパイプにエッチング液
を供給する。すると、エッチング液は、シャワーパイプ
からダウンフロー室の天井に衝突し、ダウンフロー室の
多数の流出孔からほぼ均一な流れ、濃度及び流速で降り
注ぐとともに、無用な拡散を制御板に規制されつつ被洗
浄物に接触し、被洗浄物をエッチング処理（洗浄処理）
する。このようにして被洗浄物をエッチング処理したエ
ッチング液は処理槽本体から排出される。エッチング処
理が終了したら、リンス液をシャワーパイプに供給す
る。すると、リンス液は、シャワーパイプからダウンフ
ロー室の天井に衝突し、ダウンフロー室の多数の流出孔
からほぼ均一な流れ、濃度及び流速で降り注ぐととも
に、無用な拡散を制御板に規制されつつ被洗浄物に接触
し、被洗浄物をリンス処理する。
【０００７】リンス処理が終了したら、乾燥用気体をシ
ャワーパイプに供給する。すると、乾燥用気体は、シャ
ワーパイプから流出してダウンフロー室を乾燥させると
ともに、ダウンフロー室の多数の流出孔からほぼ均一な
流れ、濃度及び流速で流出する。この際、上ふたのダウ
ンフロー室が乾燥するまで、被洗浄物の上部が露出しな
いようにリンス液の排出を一時停止すると良い。上ふた
のダウンフロー室が乾燥したら、リンス液を排出する。
こうしてリンス液が排出されると、乾燥用気体は、無用
な拡散を制御板に規制されつつ被洗浄物に接触し、被洗
浄物を乾燥処理する。このように単一の処理槽本体は、
被洗浄物に対しエッチング、リンス及び乾燥処理を順次
施す。
ャワーパイプに供給する。すると、乾燥用気体は、シャ
ワーパイプから流出してダウンフロー室を乾燥させると
ともに、ダウンフロー室の多数の流出孔からほぼ均一な
流れ、濃度及び流速で流出する。この際、上ふたのダウ
ンフロー室が乾燥するまで、被洗浄物の上部が露出しな
いようにリンス液の排出を一時停止すると良い。上ふた
のダウンフロー室が乾燥したら、リンス液を排出する。
こうしてリンス液が排出されると、乾燥用気体は、無用
な拡散を制御板に規制されつつ被洗浄物に接触し、被洗
浄物を乾燥処理する。このように単一の処理槽本体は、
被洗浄物に対しエッチング、リンス及び乾燥処理を順次
施す。
【０００８】また、請求項２記載の発明によれば、被洗
浄物にエッチング処理、リンス処理及び乾燥処理を施す
場合、薬液は、処理槽本体の上方部から下方部の被洗浄
物に対してほぼ均一な流れ、濃度及び流速で降り注いで
被洗浄物に接触し、被洗浄物をエッチング処理する。こ
うして被洗浄物をエッチング処理したエッチング液は処
理槽本体から外部に排出される。エッチング処理が終了
したら、被洗浄物に対してリンス液をエッチング液と同
じように供給する。すると、リンス液は、ほぼ均一な流
れ、濃度及び流速で降り注いで被洗浄物に接触し、被洗
浄物をリンス処理する。被洗浄物をリンス処理したリン
ス液は処理槽本体から排出される。
浄物にエッチング処理、リンス処理及び乾燥処理を施す
場合、薬液は、処理槽本体の上方部から下方部の被洗浄
物に対してほぼ均一な流れ、濃度及び流速で降り注いで
被洗浄物に接触し、被洗浄物をエッチング処理する。こ
うして被洗浄物をエッチング処理したエッチング液は処
理槽本体から外部に排出される。エッチング処理が終了
したら、被洗浄物に対してリンス液をエッチング液と同
じように供給する。すると、リンス液は、ほぼ均一な流
れ、濃度及び流速で降り注いで被洗浄物に接触し、被洗
浄物をリンス処理する。被洗浄物をリンス処理したリン
ス液は処理槽本体から排出される。
【０００９】リンス処理が終了したら、被洗浄物に対し
て乾燥用気体を同じように供給する。すると、乾燥用気
体は、ほぼ均一な流れ、濃度及び流速で流出して被洗浄
物に接触し、被洗浄物を乾燥処理する。このようにエッ
チング処理、リンス処理及び乾燥処理は、外気の影響を
受けない単一の処理槽本体内で行われる。
て乾燥用気体を同じように供給する。すると、乾燥用気
体は、ほぼ均一な流れ、濃度及び流速で流出して被洗浄
物に接触し、被洗浄物を乾燥処理する。このようにエッ
チング処理、リンス処理及び乾燥処理は、外気の影響を
受けない単一の処理槽本体内で行われる。
【００１０】さらに、請求項３記載の発明によれば、洗
浄効果のあるイソプロピルアルコールを乾燥に使用する
ので、被洗浄物の表面におけるイソプロピルアルコール
の表面張力でパーティクルなどの付着を防止することが
できる。
浄効果のあるイソプロピルアルコールを乾燥に使用する
ので、被洗浄物の表面におけるイソプロピルアルコール
の表面張力でパーティクルなどの付着を防止することが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。本実施形態におけるウェーハ等の洗
浄処理装置は、図１に示すように、処理槽本体１の下方
部をパンチング板６で区画してシャワー室８とし、処理
槽本体１の上方部には、ダウンフロー室１５の下部外周
縁から制御板２３を垂下し、ダウンフロー室１５の下面
に多数の流出孔２２を備えた上ふた１４を被蓋自在に配
備し、引き抜きシャワー室８に引き抜きシャワーパイプ
９を、ダウンフロー室１５にはシャワーパイプ１６をそ
れぞれ設けるようにしている。
参照して説明する。本実施形態におけるウェーハ等の洗
浄処理装置は、図１に示すように、処理槽本体１の下方
部をパンチング板６で区画してシャワー室８とし、処理
槽本体１の上方部には、ダウンフロー室１５の下部外周
縁から制御板２３を垂下し、ダウンフロー室１５の下面
に多数の流出孔２２を備えた上ふた１４を被蓋自在に配
備し、引き抜きシャワー室８に引き抜きシャワーパイプ
９を、ダウンフロー室１５にはシャワーパイプ１６をそ
れぞれ設けるようにしている。
【００１２】処理槽本体１は、機械的強度や耐酸性など
に優れる石英ガラスやＰＴＦＥなどを用いて構成され、
外槽２にギャップを介して収容されており、エッチング
槽（洗浄槽）、リンス槽及び乾燥槽として使用される。
この処理槽本体１は、その周壁上部にオーバーフローし
た純水（以下、ＤＩＷという）用の断面ほぼＬ字形のと
い３が取り付けられ、このとい３にはＤＩＷドレンパイ
プ４が接続されている。処理槽本体１の内部下方には小
さな流通孔５を多数備えたパンチング板６が水平に取り
付けられており、このパンチング板６上に多数の被洗浄
物を整列収納するケース７が昇降可能に搭載されてい
る。
に優れる石英ガラスやＰＴＦＥなどを用いて構成され、
外槽２にギャップを介して収容されており、エッチング
槽（洗浄槽）、リンス槽及び乾燥槽として使用される。
この処理槽本体１は、その周壁上部にオーバーフローし
た純水（以下、ＤＩＷという）用の断面ほぼＬ字形のと
い３が取り付けられ、このとい３にはＤＩＷドレンパイ
プ４が接続されている。処理槽本体１の内部下方には小
さな流通孔５を多数備えたパンチング板６が水平に取り
付けられており、このパンチング板６上に多数の被洗浄
物を整列収納するケース７が昇降可能に搭載されてい
る。
【００１３】また、パンチング板６と処理槽本体１の最
下部との間には引き抜き室８が区画形成されており、こ
の引き抜き室８には複数の引き抜きシャワーパイプ９が
図１の奥方向に間隔をおいて並べて配備されている。こ
の複数の引き抜きシャワーパイプ９は、ポンプ１０に接
続され、三方切換弁１１を介してＤＩＷドレンパイプ４
に接続されるとともに、ふっ酸水溶液（以下、ＤＨＦと
いう）ドレンパイプ１２に接続されている。各引き抜き
シャワーパイプ９の軸方向の周面下部には多数の引き抜
き孔１３が所定の角度、例えば３０°〜１２０°の角度
で開けられている。
下部との間には引き抜き室８が区画形成されており、こ
の引き抜き室８には複数の引き抜きシャワーパイプ９が
図１の奥方向に間隔をおいて並べて配備されている。こ
の複数の引き抜きシャワーパイプ９は、ポンプ１０に接
続され、三方切換弁１１を介してＤＩＷドレンパイプ４
に接続されるとともに、ふっ酸水溶液（以下、ＤＨＦと
いう）ドレンパイプ１２に接続されている。各引き抜き
シャワーパイプ９の軸方向の周面下部には多数の引き抜
き孔１３が所定の角度、例えば３０°〜１２０°の角度
で開けられている。
【００１４】また、上ふた１４は、処理槽本体１の開口
上部にＸＹＺ方向に移動可能に配備され、処理槽本体１
の開口上部に被蓋する。この上ふた１４の内部にはダウ
ンフロー室１５が区画形成されており、このダウンフロ
ー室１５には複数のシャワーパイプ１６が図２の奥方向
に間隔をおいて並べて配備されている。
上部にＸＹＺ方向に移動可能に配備され、処理槽本体１
の開口上部に被蓋する。この上ふた１４の内部にはダウ
ンフロー室１５が区画形成されており、このダウンフロ
ー室１５には複数のシャワーパイプ１６が図２の奥方向
に間隔をおいて並べて配備されている。
【００１５】各シャワーパイプ１６は、その軸方向の周
面上部に５ｍｍ以下の径の噴射孔１７が所定の角度、例
えば３０°〜１２０°の角度で多数開けられている。各
シャワーパイプ１６は、ＤＩＷ供給パイプ１８に接続さ
れるとともに、窒素ガス（以下、Ｎ2 という）／イソプ
ロピルアルコール蒸気（以下、ＩＰＡという）供給パイ
プ１９に接続され、かつＤＩＷやＤＨＦを導く循環パイ
プ２０に接続されており、この循環パイプ２０には電子
冷熱器２１が接続されている。
面上部に５ｍｍ以下の径の噴射孔１７が所定の角度、例
えば３０°〜１２０°の角度で多数開けられている。各
シャワーパイプ１６は、ＤＩＷ供給パイプ１８に接続さ
れるとともに、窒素ガス（以下、Ｎ2 という）／イソプ
ロピルアルコール蒸気（以下、ＩＰＡという）供給パイ
プ１９に接続され、かつＤＩＷやＤＨＦを導く循環パイ
プ２０に接続されており、この循環パイプ２０には電子
冷熱器２１が接続されている。
【００１６】また、流出孔２２は、透過損失を有する１
００ｍｍ以下の径の細孔からなり、ダウンフロー室１５
の下面に多数開けられている。この多数の流出孔２２
は、被洗浄物の整列ピッチと同ピッチで被洗浄物の整列
方向（図１の奥方向）に配列されるとともに、１００ｍ
ｍ以下のピッチで整列方向に直交する方向（図２の左右
方向）に配列されている。
００ｍｍ以下の径の細孔からなり、ダウンフロー室１５
の下面に多数開けられている。この多数の流出孔２２
は、被洗浄物の整列ピッチと同ピッチで被洗浄物の整列
方向（図１の奥方向）に配列されるとともに、１００ｍ
ｍ以下のピッチで整列方向に直交する方向（図２の左右
方向）に配列されている。
【００１７】さらに、制御板２３は、ダウンフロー室１
５の下面端縁の前後左右から下方に向けてそれぞれ伸長
形成されており、多数のシリコンウェーハ２４の上部を
ギャップを介して囲んでＤＩＷ、ＤＨＦ、又はＮ2 ／Ｉ
ＰＡが被洗浄物の占有領域外の広い空間に飛散して逃げ
るのを防止するよう機能する。この制御板２３の長さ
は、被洗浄物が例えば半導体ウェーハの場合、半導体ウ
ェーハの直径の１／４以上の領域に対向するよう設定さ
れる。
５の下面端縁の前後左右から下方に向けてそれぞれ伸長
形成されており、多数のシリコンウェーハ２４の上部を
ギャップを介して囲んでＤＩＷ、ＤＨＦ、又はＮ2 ／Ｉ
ＰＡが被洗浄物の占有領域外の広い空間に飛散して逃げ
るのを防止するよう機能する。この制御板２３の長さ
は、被洗浄物が例えば半導体ウェーハの場合、半導体ウ
ェーハの直径の１／４以上の領域に対向するよう設定さ
れる。
【００１８】上記構成を図３で説明すると、多数（例え
ば、２５枚又は２６枚）のシリコンウェーハ２４にエッ
チング処理（洗浄処理）、リンス処理及び乾燥処理を順
次施す場合、先ず、ＤＩＷ供給パイプ１８でＤＩＷをそ
れぞれ供給し、処理槽本体１、引き抜きシャワーパイプ
９、上ふた１４及びシャワーパイプ１６などをそれぞれ
洗浄する。また、ＨＦ秤量槽２５にフッ化水素（以下、
ＨＦという）を供給して貯える。次いで、ＤＩＷ秤量槽
２６にＤＩＷを定量になるまで貯える。こうしてＤＩＷ
を貯えたら、ＨＦ秤量槽２５のＨＦをＤＩＷ秤量槽２６
に供給し、ＤＨＦを製造貯蔵する。
ば、２５枚又は２６枚）のシリコンウェーハ２４にエッ
チング処理（洗浄処理）、リンス処理及び乾燥処理を順
次施す場合、先ず、ＤＩＷ供給パイプ１８でＤＩＷをそ
れぞれ供給し、処理槽本体１、引き抜きシャワーパイプ
９、上ふた１４及びシャワーパイプ１６などをそれぞれ
洗浄する。また、ＨＦ秤量槽２５にフッ化水素（以下、
ＨＦという）を供給して貯える。次いで、ＤＩＷ秤量槽
２６にＤＩＷを定量になるまで貯える。こうしてＤＩＷ
を貯えたら、ＨＦ秤量槽２５のＨＦをＤＩＷ秤量槽２６
に供給し、ＤＨＦを製造貯蔵する。
【００１９】次いで、製造したＤＨＦを循環ろ過させな
がらパーティクルを除去するとともに、ＤＨＦを均一な
濃度分布とし、電子冷熱器２１でＤＨＦの温度を所定の
温度に制御する。また、この際、図示しないエレベータ
装置を作動させ、多数のシリコンウェーハ２４を整列収
納したケース７を処理槽本体１のパンチング板６上に下
降させてセットし、処理槽本体１の開口上部を上ふた１
４で覆って閉蓋する。ケース７をセットしたら、処理槽
本体１にＤＨＦを供給するとともに、この処理槽本体１
の引き抜きシャワーパイプ９からポンプ１０、電子冷熱
器２１及び循環パイプ２０を順次介して上ふた１４の複
数のシャワーパイプ１６にＤＨＦを供給する。また、Ｄ
ＩＷ秤量槽２６にＤＩＷを供給してＤＨＦ調合の準備を
する。
がらパーティクルを除去するとともに、ＤＨＦを均一な
濃度分布とし、電子冷熱器２１でＤＨＦの温度を所定の
温度に制御する。また、この際、図示しないエレベータ
装置を作動させ、多数のシリコンウェーハ２４を整列収
納したケース７を処理槽本体１のパンチング板６上に下
降させてセットし、処理槽本体１の開口上部を上ふた１
４で覆って閉蓋する。ケース７をセットしたら、処理槽
本体１にＤＨＦを供給するとともに、この処理槽本体１
の引き抜きシャワーパイプ９からポンプ１０、電子冷熱
器２１及び循環パイプ２０を順次介して上ふた１４の複
数のシャワーパイプ１６にＤＨＦを供給する。また、Ｄ
ＩＷ秤量槽２６にＤＩＷを供給してＤＨＦ調合の準備を
する。
【００２０】シャワーパイプ１６にＤＨＦが供給される
と、ＤＨＦは、図２の矢印で示すように、各シャワーパ
イプ１６の多数の噴射孔１７からほぼ扇状に拡散して噴
き出し、ダウンフロー室１５の天井にくまなく衝突して
落下し、ダウンフロー室１５の多数の流出孔２２から均
一な流れでパラレルダウンフローするとともに、制御板
２３に誘導されつつ多数のシリコンウェーハ２４の間や
表面などに接触し、シリコンウェーハ２４を精密にエッ
チング処理する。ＤＨＦは、多数のシリコンウェーハ２
４の狭い間を通過した後にケース７に接触するので、均
一な流速を損なうことなく多数のシリコンウェーハ２４
の全面を通過する。
と、ＤＨＦは、図２の矢印で示すように、各シャワーパ
イプ１６の多数の噴射孔１７からほぼ扇状に拡散して噴
き出し、ダウンフロー室１５の天井にくまなく衝突して
落下し、ダウンフロー室１５の多数の流出孔２２から均
一な流れでパラレルダウンフローするとともに、制御板
２３に誘導されつつ多数のシリコンウェーハ２４の間や
表面などに接触し、シリコンウェーハ２４を精密にエッ
チング処理する。ＤＨＦは、多数のシリコンウェーハ２
４の狭い間を通過した後にケース７に接触するので、均
一な流速を損なうことなく多数のシリコンウェーハ２４
の全面を通過する。
【００２１】こうしてシリコンウェーハ２４をエッチン
グ処理したＤＨＦは、図１の矢印で示すように、パーテ
ィクルとともにパンチング板６の流通孔５から引き抜き
シャワーパイプ９、ポンプ１０、電子冷熱器２１及び循
環パイプ２０を順次経由して複数のシャワーパイプ１６
に再度供給され、再利用に供される。
グ処理したＤＨＦは、図１の矢印で示すように、パーテ
ィクルとともにパンチング板６の流通孔５から引き抜き
シャワーパイプ９、ポンプ１０、電子冷熱器２１及び循
環パイプ２０を順次経由して複数のシャワーパイプ１６
に再度供給され、再利用に供される。
【００２２】ＤＨＦのダウンフローが終了したら、ＤＩ
ＷをＤＩＷ供給パイプ１８を介し複数のシャワーパイプ
１６に供給し、処理槽本体１のＤＨＦ上にＤＩＷをダウ
ンフローする。すると、処理槽本体１のＤＨＦは、ＤＩ
Ｗに置換され、ＤＨＦドレンパイプ１２から外部に廃液
される。また、この際、ＨＦ秤量槽２５のＨＦをＤＩＷ
秤量槽２６に供給し、ＤＨＦを調合する。次いで、比抵
抗値が回復するまで濃縮したＤＨＦをＤＨＦドレンパイ
プ１２から外部に廃液し、調合したＤＨＦを循環ろ過さ
せながらパーティクルを除去するとともに、ＤＩＷ秤量
槽２６におけるＤＨＦの温度を電子冷熱器２１で所定の
温度に制御する。
ＷをＤＩＷ供給パイプ１８を介し複数のシャワーパイプ
１６に供給し、処理槽本体１のＤＨＦ上にＤＩＷをダウ
ンフローする。すると、処理槽本体１のＤＨＦは、ＤＩ
Ｗに置換され、ＤＨＦドレンパイプ１２から外部に廃液
される。また、この際、ＨＦ秤量槽２５のＨＦをＤＩＷ
秤量槽２６に供給し、ＤＨＦを調合する。次いで、比抵
抗値が回復するまで濃縮したＤＨＦをＤＨＦドレンパイ
プ１２から外部に廃液し、調合したＤＨＦを循環ろ過さ
せながらパーティクルを除去するとともに、ＤＩＷ秤量
槽２６におけるＤＨＦの温度を電子冷熱器２１で所定の
温度に制御する。
【００２３】比抵抗値が回復したら、ＤＨＦドレンパイ
プ１２からＤＩＷドレンパイプ４に切り替え、ＤＩＷを
ＤＩＷ供給パイプ１８を介し複数のシャワーパイプ１６
に供給する。すると、ＤＩＷは、各シャワーパイプ１６
の多数の噴射孔１７からほぼ扇状に拡散噴射されてダウ
ンフロー室１５の天井にくまなく衝突し、ダウンフロー
室１５の多数の流出孔２２から均一な流れでパラレルダ
ウンフローするとともに、制御板２３に誘導されつつ多
数のシリコンウェーハ２４の間や表面などに降り注ぎ、
シリコンウェーハ２４をリンス処理する。
プ１２からＤＩＷドレンパイプ４に切り替え、ＤＩＷを
ＤＩＷ供給パイプ１８を介し複数のシャワーパイプ１６
に供給する。すると、ＤＩＷは、各シャワーパイプ１６
の多数の噴射孔１７からほぼ扇状に拡散噴射されてダウ
ンフロー室１５の天井にくまなく衝突し、ダウンフロー
室１５の多数の流出孔２２から均一な流れでパラレルダ
ウンフローするとともに、制御板２３に誘導されつつ多
数のシリコンウェーハ２４の間や表面などに降り注ぎ、
シリコンウェーハ２４をリンス処理する。
【００２４】シリコンウェーハ２４をリンス処理したＤ
ＩＷは、パンチング板６の流通孔５から引き抜きシャワ
ーパイプ９、ポンプ１０及び循環パイプ２０を順次経由
して上ふた１４のシャワーパイプ１６に再度供給され、
再利用に供される。このようにＤＩＷを単にダウンフロ
ーするだけではなく、ろ過して再利用するので、ＤＩＷ
の流速が速くなり、リンス処理時間の大幅な短縮が期待
できる。なお、ＤＩＷ秤量槽２６のＤＨＦについては温
度制御を継続する。
ＩＷは、パンチング板６の流通孔５から引き抜きシャワ
ーパイプ９、ポンプ１０及び循環パイプ２０を順次経由
して上ふた１４のシャワーパイプ１６に再度供給され、
再利用に供される。このようにＤＩＷを単にダウンフロ
ーするだけではなく、ろ過して再利用するので、ＤＩＷ
の流速が速くなり、リンス処理時間の大幅な短縮が期待
できる。なお、ＤＩＷ秤量槽２６のＤＨＦについては温
度制御を継続する。
【００２５】ＤＩＷのダウンフローが終了したら、ＤＩ
Ｗの供給を停止し、Ｎ2 及びＩＰＡの混合ガスを複数の
シャワーパイプ１６に供給する。すると、この混合ガス
は、各シャワーパイプ１６の多数の噴射孔１７から拡散
噴射されてダウンフロー室１５を乾燥させ、ダウンフロ
ー室１５の多数の流出孔２２から均一な流れでパラレル
ダウンフローするとともに、処理槽本体１のＤＩＷとガ
ス置換する。ＤＩＷは、その水面の低下速度が５ｃｍ／
ｓｅｃ以下となるようゆっくりと廃液されるが、上ふた
１４のダウンフロー室１５が乾燥するまでの間、シリコ
ンウェーハ２４の上部が露出しない位置で廃液が一時停
止される。
Ｗの供給を停止し、Ｎ2 及びＩＰＡの混合ガスを複数の
シャワーパイプ１６に供給する。すると、この混合ガス
は、各シャワーパイプ１６の多数の噴射孔１７から拡散
噴射されてダウンフロー室１５を乾燥させ、ダウンフロ
ー室１５の多数の流出孔２２から均一な流れでパラレル
ダウンフローするとともに、処理槽本体１のＤＩＷとガ
ス置換する。ＤＩＷは、その水面の低下速度が５ｃｍ／
ｓｅｃ以下となるようゆっくりと廃液されるが、上ふた
１４のダウンフロー室１５が乾燥するまでの間、シリコ
ンウェーハ２４の上部が露出しない位置で廃液が一時停
止される。
【００２６】上ふた１４のダウンフロー室１５が乾燥し
たら、水面の低下速度が１０ｃｍ／ｓｅｃ以下となるよ
うＤＩＷをゆっくりと廃液する。こうしてＤＩＷが廃液
されるに伴い、シリコンウェーハ２４が徐々に露出し、
混合ガスが制御板２３に誘導されつつ多数のシリコンウ
ェーハ２４の間や表面などに浸入し、多数のシリコンウ
ェーハ２４を乾燥処理する。
たら、水面の低下速度が１０ｃｍ／ｓｅｃ以下となるよ
うＤＩＷをゆっくりと廃液する。こうしてＤＩＷが廃液
されるに伴い、シリコンウェーハ２４が徐々に露出し、
混合ガスが制御板２３に誘導されつつ多数のシリコンウ
ェーハ２４の間や表面などに浸入し、多数のシリコンウ
ェーハ２４を乾燥処理する。
【００２７】この際、シリコンウェーハ２４の表面はＩ
ＰＡの親水性可溶性物質の影響でＩＰＡに置換され、Ｉ
ＰＡの表面張力で置換されたＩＰＡ膜はシリコンウェー
ハ２４の表面から剥離される。また、シリコンウェーハ
２４とＩＰＡの界面におけるＩＰＡの濃度と、多数のシ
リコンウェーハ２４間の狭い空間における水面上のＩＰ
Ａ濃度とを比較した場合、狭い空間における水面上のＩ
ＰＡ濃度が相対的に薄いため、濃い方向から薄い方向に
流れが発生し、パーティクルなどの付着防止効果が期待
できる。シリコンウェーハ２４が乾燥したら、ＩＰＡの
供給を停止し、Ｎ2 中でシリコンウェーハ２４を完全に
乾燥させる。シリコンウェーハ２４の完全乾燥が終了し
たら、上ふた１４を外して作業を終了し、以下、必要に
応じて作業が繰り返されることとなる。
ＰＡの親水性可溶性物質の影響でＩＰＡに置換され、Ｉ
ＰＡの表面張力で置換されたＩＰＡ膜はシリコンウェー
ハ２４の表面から剥離される。また、シリコンウェーハ
２４とＩＰＡの界面におけるＩＰＡの濃度と、多数のシ
リコンウェーハ２４間の狭い空間における水面上のＩＰ
Ａ濃度とを比較した場合、狭い空間における水面上のＩ
ＰＡ濃度が相対的に薄いため、濃い方向から薄い方向に
流れが発生し、パーティクルなどの付着防止効果が期待
できる。シリコンウェーハ２４が乾燥したら、ＩＰＡの
供給を停止し、Ｎ2 中でシリコンウェーハ２４を完全に
乾燥させる。シリコンウェーハ２４の完全乾燥が終了し
たら、上ふた１４を外して作業を終了し、以下、必要に
応じて作業が繰り返されることとなる。
【００２８】上記構成によれば、エッチング槽、リンス
槽及び乾燥槽を別々に必要としないので、ウェーハ等の
洗浄処理装置の大幅な小型化が期待できるとともに、フ
ットプリントが著しく減少する。また、エッチング処
理、リンス処理及び乾燥処理の際、シリコンウェーハ２
４がクリーンルームの大気下で搬送されることがないの
で、シリコンウェーハ２４が大気などの影響を受けるこ
とが全くなく、汚染や自然酸化膜の生成を確実に防止す
ることができる。また、上方から下方にＤＨＦ、ＤＩ
Ｗ、又はＮ2 及びＩＰＡをダウンフローして流れを形成
するので、シリコンウェーハ２４がケース７などから悪
影響を受けることが全くない。
槽及び乾燥槽を別々に必要としないので、ウェーハ等の
洗浄処理装置の大幅な小型化が期待できるとともに、フ
ットプリントが著しく減少する。また、エッチング処
理、リンス処理及び乾燥処理の際、シリコンウェーハ２
４がクリーンルームの大気下で搬送されることがないの
で、シリコンウェーハ２４が大気などの影響を受けるこ
とが全くなく、汚染や自然酸化膜の生成を確実に防止す
ることができる。また、上方から下方にＤＨＦ、ＤＩ
Ｗ、又はＮ2 及びＩＰＡをダウンフローして流れを形成
するので、シリコンウェーハ２４がケース７などから悪
影響を受けることが全くない。
【００２９】また、シリコンウェーハ２４のバッチ処理
時に多数のシリコンウェーハ２４の狭い間にも均一な流
れを形成することが可能なので、きわめて均一性に優れ
た表面処理を実現することができる。また、シリコンウ
ェーハ２４から剥離されたパーティクルなどが拡散する
ことなく排出されるので、シリコンウェーハ２４に対す
るパーティクルなどの再付着を確実に防止することが可
能になる。さらに、ＤＨＦ、ＤＩＷ、又はＮ2 及びＩＰ
Ａが均一な流速ベクトルでダウンフローするので、エッ
チング処理、リンス処理及び乾燥処理のばらつきやムラ
を防止してその効果を著しく向上させることができる。
時に多数のシリコンウェーハ２４の狭い間にも均一な流
れを形成することが可能なので、きわめて均一性に優れ
た表面処理を実現することができる。また、シリコンウ
ェーハ２４から剥離されたパーティクルなどが拡散する
ことなく排出されるので、シリコンウェーハ２４に対す
るパーティクルなどの再付着を確実に防止することが可
能になる。さらに、ＤＨＦ、ＤＩＷ、又はＮ2 及びＩＰ
Ａが均一な流速ベクトルでダウンフローするので、エッ
チング処理、リンス処理及び乾燥処理のばらつきやムラ
を防止してその効果を著しく向上させることができる。
【００３０】なお、上記実施形態ではシリコンウェーハ
２４を被洗浄物として示したが、なんらこれに限定され
るものではなく、ＬＣＤ回路基板などでも良いのはいう
までもない。また、エッチング液としてＤＨＦを示した
が、ＡＰＭ液やＨＰＭ液などを使用しても良い。また、
リンス液としてアルコール、市水、又はＤＨＦなどを使
用することもできる。また、乾燥用気体としてＮ2 及び
ＩＰＡを示したが、他の不活性ガスなどを使用しても良
い。また、上記実施形態では単一の上ふた１４を示した
が、複数の上ふた１４を使用することも可能である。さ
らに、引き抜きシャワーパイプ９やシャワーパイプ１６
の本数を適宜増減することもできる。
２４を被洗浄物として示したが、なんらこれに限定され
るものではなく、ＬＣＤ回路基板などでも良いのはいう
までもない。また、エッチング液としてＤＨＦを示した
が、ＡＰＭ液やＨＰＭ液などを使用しても良い。また、
リンス液としてアルコール、市水、又はＤＨＦなどを使
用することもできる。また、乾燥用気体としてＮ2 及び
ＩＰＡを示したが、他の不活性ガスなどを使用しても良
い。また、上記実施形態では単一の上ふた１４を示した
が、複数の上ふた１４を使用することも可能である。さ
らに、引き抜きシャワーパイプ９やシャワーパイプ１６
の本数を適宜増減することもできる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように請求項１又は２記載の発明
によれば、装置の小型化を図ることができ、しかも、汚
染や自然酸化膜の生成などの再汚染を有効に防止するこ
とができるという効果がある。さらに、請求項３記載の
発明によれば、被洗浄物を短時間で乾燥させることがで
きるとともに、装置の小型化が期待でき、しかも、他の
溶剤に比べて安価である。
によれば、装置の小型化を図ることができ、しかも、汚
染や自然酸化膜の生成などの再汚染を有効に防止するこ
とができるという効果がある。さらに、請求項３記載の
発明によれば、被洗浄物を短時間で乾燥させることがで
きるとともに、装置の小型化が期待でき、しかも、他の
溶剤に比べて安価である。
【図１】本発明に係るウェーハ等の洗浄処理装置及びそ
の方法の実施形態を示す断面図である。
の方法の実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の上ふたを示す断面拡大図である。
【図３】本発明に係るウェーハ等の洗浄処理装置及びそ
の方法の実施形態を示す全体フロー説明図である。
の方法の実施形態を示す全体フロー説明図である。
１…処理槽本体 ６…パンチング板 ８…シャワー室（引き抜きシャワー室） ９…引き抜きシャワーパイプ １４…上ふた １５…ダウンフロー室 １６…シャワーパイプ ２２…流出孔 ２３…制御板 ２４…シリコンウェーハ（被洗浄物）
Claims (3)
- 【請求項１】 処理槽本体の下方部をパンチング板で区
画して引き抜きシャワー室とし、前記処理槽本体の上方
部には、ダウンフロー室の下部外周縁から制御板を垂下
し、前記ダウンフロー室の下面に多数の流出孔を備えた
上ふたを被蓋自在に配備し、前記引き抜きシャワー室に
引き抜きシャワーパイプを、前記ダウンフロー室にはシ
ャワーパイプをそれぞれ設けたことを特徴とするウェー
ハ等の洗浄処理装置。 - 【請求項２】 処理槽内に被洗浄物を収容し、上ふたの
シャワーパイプに薬液を供給してダウンフロー室で前記
薬液の濃度・流速の均一化した下向流として該被洗浄物
を洗浄し、前記薬液を引き抜きシャワー室の引き抜きシ
ャワーパイプで処理槽外に排出し、続いて前記薬液に代
えてリンス液を用いて同様に該被洗浄物をリンスし、さ
らに前記リンス液に代えて乾燥用気体を用いて該被洗浄
物を乾燥させることを特徴とするウェーハ等の洗浄処理
方法。 - 【請求項３】 前記乾燥用気体をイソプロピルアルコー
ルと窒素ガスとし、前記乾燥用気体で該ダウンフロー室
を乾燥させる間、前記被洗浄物を該リンス液中に維持
し、前記ダウンフロー室の乾燥後、前記リンス液を引き
抜きシャワーパイプから徐々に排出しながら該被洗浄物
を乾燥させ、さらに窒素ガスのみを用いて完全乾燥させ
る請求項２記載のウェーハ等の洗浄処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6397697A JPH10247635A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6397697A JPH10247635A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247635A true JPH10247635A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13244834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6397697A Pending JPH10247635A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247635A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020054397A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 고미야 히로요시 | 반도체 기판의 건조 장치, 건조 방법 및 반도체 장치 |
| US7314054B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices |
| JP2008162877A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Chee Chan-Gyu | 下向き式ガラス薄型化方法 |
| JP2009249276A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | M M Tech Co Ltd | 下向き式基板薄型化装置及びこれを用いた薄型化システム |
| JP2013155057A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sanwa Frost Industry Co Ltd | Ｌｃｄガラス基板のエッチング方法およびその装置 |
| JP2019160957A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥装置 |
| CN110473818A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-11-19 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种晶片自动腐蚀喷淋设备 |
| CN111463153A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-07-28 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 硅片清洗装置及其控制方法 |
| WO2024002021A1 (en) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Sprayer for squaring crystal rod and crystal rod squaring device |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP6397697A patent/JPH10247635A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7314054B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices |
| KR20020054397A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 고미야 히로요시 | 반도체 기판의 건조 장치, 건조 방법 및 반도체 장치 |
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| JP2009249276A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | M M Tech Co Ltd | 下向き式基板薄型化装置及びこれを用いた薄型化システム |
| JP2013155057A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sanwa Frost Industry Co Ltd | Ｌｃｄガラス基板のエッチング方法およびその装置 |
| JP2019160957A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥装置 |
| CN110473818A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-11-19 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种晶片自动腐蚀喷淋设备 |
| CN111463153A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-07-28 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 硅片清洗装置及其控制方法 |
| WO2024002021A1 (en) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | Tcl Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | Sprayer for squaring crystal rod and crystal rod squaring device |
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