KR100431809B1 - 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 배치 방식과 싱글 웨이퍼 방식을 혼합하여 반도체 세정 공정의 효율을 향상시킨 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 소정의 화학 용액이 담겨져 있어 그에 따른 화학 처리가 수행되는 복수개의 배스 하단부에 웨이퍼 세정부가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는데, 상기 웨이퍼 세정부에서는 웨이퍼의 세정 단위 공정을 진행하는 역할을 수행함과 동시에 다음 세정 단위 공정을 진행할 수 있도록 다음 배스로의 이동을 가능하게 한다. 따라서, 종래의 배치형 및 싱글 웨이퍼형 세정 장치의 특징인 작업 효율 및 웨이퍼 간의 세정 균일성을 모두 담보할 수 있으며, 각 배스에서의 세정 단위 공정이 독립적으로 수행되어 작업 진행 시간을 단축할 수 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로서, 특히 배치 방식과 싱글 웨이퍼 방식을 혼합하여 반도체 세정 공정의 효율을 향상시킨 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정은 크게 구분하면 사진 공정, 확산 공정, 식각 공정, 박막 형성 공정 및 세정 공정으로 이루어져 있으며 이러한 공정들의 반복 및 적절한 배치에 의하여 반도체 소자의 제조 공정이 결정된다. 상기 공정들에서 세정 공정은 대부분 다른 공정 중에 발생하게 되는 미세 입자 및 기타 잔류물을 제거하고, 웨이퍼의 표면의 상태를 원하는 상태로 처리하는데 이용된다.
상기 세정 공정에 이용되는 세정 장치는 방식에 따라 크게 배치(Batch)형과 싱글 웨이퍼(Single wafer)형으로 나뉘어지는데, 상기 배치형은 여러 개의 배스(bath)를 갖는 세정 장치로서 각각의 배스에 케미컬(chemical)을 채우고 각각의 배스로의 이동이 로봇에 의하여 배치 단위로 진행이 이루어지기 때문에 한 배치 안에서 바깥쪽과 안쪽 웨이퍼 간의 균일성의 문제가 발생할 수 있으며 각 배스간의 이동 시간이 길어서 이동 중 잔존 케미컬이 웨이퍼에 손상을 줄 수 있으며, 또한 기계적인 에러에 의한 손상의 위험이 항상 잠재되어 있다. 한편, 상기 싱글 웨이퍼형의 경우에는 낱장의 웨이퍼를 스테이지로 가지고 가서 회전을 시키면서 노즐을 통해 케미컬이 낱장의 웨이퍼에 뿌려지는 방법으로 진행이 이루어지기 때문에 각 웨이퍼 간의 균일성은 보장되지만, 회전하는 웨이퍼 상에 뿌려지는 케미컬에 의한 물리적인 손상이 발생할 수 있으며 웨이퍼 내에서 균일성에 대한 부분이 문제가 될 수 있다. 또한 낱장 진행에 따라 웨이퍼 한 장이 끝난 다음에 다음 장이 스테이지에 올라가게 되므로 진행 시간이 많이 소요되는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 배치 방식과 싱글 웨이퍼 방식을 혼합하여 반도체 세정 공정의 효율을 향상시킨 웨이퍼 세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 구조 단면도.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 세정 방법을 설명하기 위한 흐름도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 : 배스 102 : 차단막
103 : 웨이퍼 이동대 104 : 웨이퍼
107 : 초순수 유입구 111 : 화학 용액 저장부
112 : 세정부
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼를 세정하기 위한 화학 용액을 저장하는 복수개의 배스와, 상기 각각의 배스를 상부와 하부 공간으로 나누어 각각 세정부 및 화학 용액 저장부로 정의하며 상기 화학 용액 저장부에 저장되어 있는 화학 용액의 상기 세정부로의 유입 및 차단의 역할을 수행하는 차단막과, 상기 배스의 세정부의 하단에 설치되어 있으며 웨이퍼를 장착하여 배스 사이를 이동할 수 있는 웨이퍼 이동대와, 상기 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대가 배스 사이를 이동할 수 있도록 세정부 하부의 배스와 배스 사이에 설치되어 있는 게이트와, 상기 각각의 배스의 세정부의 일측에 형성되어 상기 화학 용액 및 초순수의 배출을 담당하는 배출구와, 상기 각각의 배스의 세정부의 일측에 형성되어 상기 세정부에 초순수를 공급하는 초순수 공급구를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 세정 장치를 이용한 세정 방법은 제 1 , 제 2 및 제 3의 배스 등의 복수개의 배스를 구비하며, 상기 각각의 배스의 상부 및 하부 공간은 차단막을 매개로 화학 용액을 저장하는 화학 용액 저장부과 웨이퍼의 세정 및 웨이퍼의 배스 사이의 이동을 가능하게 하는 이동부로 정의되는 웨이퍼 세정 장치를 이용한 세정 방법에 있어서, 상기 복수개의 배스의 화학 용액 저장부 내에 소정의 화학 용액을 저장시키는 단계와, 상기 제 1 배스의 세정부에 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대를 장입시키는 단계와, 상기 제 1 배스의 차단막을 열어 상기 제 1 배스의 화학 용액 저장부에 저장되어 있는 화학 용액을 상기 제 1 배스의 세정부에 유입시켜 제 1 배스의 세정부에 기 장입된 웨이퍼 이동대의 웨이퍼를 화학 처리하는 제 1 화학 처리 단계와, 상기 제 1 배스의 차단막을 닫아 제 1 배스의 세정부로의 화학 용액의 유입을 막고 제 1 배스의 세정부 하단의 일측에 구비된 배출구를 이용하여 상기 화학 용액을 배출하는 단계와, 상기 제 1 배스의 세정부 하단의 일측에 구비된 초순수 유입구를 이용하여 상기 제 1 배스의 세정부 내에 초순수를 공급하여 상기 웨이퍼 이동대의 웨이퍼를 린스한 다음 린스한 초순수를 상기 제 1 배스의 세정부 배출구를 통해 배출하는 제 1 린스 단계와, 상기 각각의 세정부 하부의 배스와 배스 사이에 설치되어 있는 게이트를 열어 통해 상기 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대를 제 2 배스의 세정부로 이동시키는 웨이퍼 이동 단계와, 상기 제 1 배스에서의 제 1 화학 처리 단계, 화학 용액을 배출하는 단계, 제 1 린스 단계, 웨이퍼 이동 단계에 상응하는 동일 공정을 제 2 및 제 3 배스에서 진행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구조 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 복수개의 배스(101a, 101b, 101c ; 101)를 구비하는데 상기 각각의 배스(101) 내에는 화학 용액이 담겨져 있어 웨이퍼(104)의 화학 처리를 진행하도록 되어 있다. 상기 각각의 배스(101) 내에는 상부와 하부를 나누는 차단막(102)이 설치되어 있어 화학 용액을 저장하는 화학 용액 저장부(111)와 웨이퍼의 세정 공정을 수행하는 세정부(112)가 정의된다. 또한, 상기 차단막(102)은 상기 화학 용액 저장부(111)에 저장되어 있는 화학 용액의 상기 세정부(112)로의 유입 및 차단을 막는 역할을 한다.
그리고, 상기 배스(101)의 세정부(112)의 하단에는 웨이퍼 이동대(103)가 설치되어 있어 세정 공정의 진행에 따라 어느 한 배스(101)에서의 공정이 끝나게 되면 다음 배스로 이동한다. 상기 웨이퍼 이동대(103)에는 상기 배스의 간격마다 하나의 웨이퍼(104)를 장착할 수 있다. 즉, 3개의 배스로 구성되는 세정 장치의 경우 상기 3개의 배스에 웨이퍼가 각각 위치될 수 있다. 한편, 상기 배스의 세정부(112)의 배스와 배스 사이에는 웨이퍼 이동대(103)가 이동할 수 있도록 게이트(105)가 구비되어 있어 있으며, 상기 세정부(112)의 일측에는 상기 화학 용액 및 초순수의 배출과 공급을 담당하는 배출구(도시하지 않음) 및 초순수 공급구(도시하지 않음)가 구비되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 소정의 화학 용액이 담겨져 있어 그에 따른 화학 처리가 수행되는 복수개의 배스 하단부에 웨이퍼 세정부가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는데, 상기 웨이퍼 세정부에서는 웨이퍼의 세정 단위 공정을 진행하는 역할을 수행함과 동시에 다음 세정 단위 공정을 진행할 수 있도록 다음 배스로의 이동을 가능하게 한다. 따라서, 종래의 배치형 및 싱글 웨이퍼형 세정 장치의 특징인 작업 효율 및 웨이퍼 간의 세정 균일성을 모두 담보할 수 있으며, 각 배스에서의 세정 단위 공정이 독립적으로 수행되어 작업 진행 시간을 단축할 수 있다.
도 2는 본 발명의 웨이퍼 세정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 먼저, 도 2에 도시한 바와 같이, 제 1 , 제 2 및 제 3의 배스 등의 복수개의 배스를 구비하며, 상기 각각의 배스의 상부 및 하부 공간은 차단막을 매개로 화학 용액을 저장하는 화학 용액 저장부과 웨이퍼의 세정 및 웨이퍼의 배스 사이의 이동을 가능하게 하는 이동부로 정의되는 웨이퍼 세정 장치를 이용한 세정 방법에 있어서, 상기 복수개의 배스의 화학 용액 저장부 내에 소정의 화학 용액을 저장시킨다(S201). 상기 복수개의 배스 내에 저장되는 화학 용액은 예를 들어, SC1(Standard Chemical 1, NH4OH : H2O2: 초순수 = 1 : 4 : 20 으로 혼합된 세정액) 또는 DHF(diluted HF) 등이 될 수 있다.
이어, 상기 제 1 배스의 세정부에 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대를 장입시킨다(S202). 상기 웨이퍼 이동대에는 배스마다 1개의 웨이퍼가 장착되도록 구성되어 있다. 상기 웨이퍼 이동대가 배스 내에 장입된 상태에서 상기 제 1 배스의 차단막을 열어 상기 제 1 배스의 화학 용액 저장부에 저장되어 있는 화학 용액을 상기 제 1 배스의 세정부에 유입시켜 제 1 배스의 세정부에 기 장입된 웨이퍼 이동대의 웨이퍼를 화학 처리하는 제 1 화학 처리 단계를 수행한다(S203).
상기 제 1 화학 처리 단계가 완료되면 상기 제 1 배스의 차단막을 닫아 제 1 배스의 세정부로의 화학 용액의 유입을 막고 제 1 배스의 세정부 하단의 일측에 구비된 배출구를 이용하여 상기 화학 용액을 배출한다(S204). 화학 용액이 세정부로부터 완전히 배출된 상태에서 상기 제 1 배스의 세정부 하단의 일측에 구비된 초순수 유입구를 이용하여 상기 제 1 배스의 세정부 내에 초순수를 공급하여 상기 웨이퍼 이동대의 웨이퍼를 린스(rinse)한 다음 린스한 초순수를 상기 제 1 배스의 세정부 배출구를 통해 배출하는 제 1 린스 단계를 진행한다(S205).
상기와 같은 제 1 화학 처리 단계 및 제 1 린스 단계를 마친 후에 상기 각각의 세정부 하부의 배스와 배스 사이에 설치되어 있는 게이트를 열어 상기 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대를 제 2 배스의 세정부로 이동(S206)시키면 어느 한 배스에서의 세정 단위 공정이 완료된다.
이상의 제 1 배스에서의 제 1 화학 처리 단계, 세정부로부터의 화학 용액을 배출하는 단계, 제 1 린스 단계, 웨이퍼 이동 단계에 상응하는 동일 공정을 제 2 및 제 3 배스 등에서 진행하게 되면(S207) 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 공정을 완성시킬 수 있다. 한편, 상기 각각의 배스에서의 세정 단위 공정은 독립적으로 수행된다.
상술한 바와 같은 본 발명의 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
종래의 배치형 및 싱글 웨이퍼형 세정 장치의 특징인 작업 효율 및 웨이퍼 간의 세정 균일성을 모두 담보할 수 있으며, 각 배스에서의 세정 단위 공정이 독립적으로 수행되어 작업 진행 시간을 단축할 수 있다.
Claims (4)
- 웨이퍼를 세정하기 위한 화학 용액을 저장하는 복수개의 배스;상기 각각의 배스를 상부와 하부 공간으로 나누어 각각 세정부 및 화학 용액 저장부로 정의하며 상기 화학 용액 저장부에 저장되어 있는 화학 용액의 상기 세정부로의 유입 및 차단의 역할을 수행하는 차단막;상기 배스의 세정부의 하단에 설치되어 있으며 웨이퍼를 장착하여 배스 사이를 이동할 수 있는 웨이퍼 이동대;상기 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대가 배스 사이를 이동할 수 있도록 세정부 하부의 배스와 배스 사이에 설치되어 있는 게이트;상기 각각의 배스의 세정부의 일측에 형성되어 상기 화학 용액 및 초순수의 배출을 담당하는 배출구;상기 각각의 배스의 세정부의 일측에 형성되어 상기 세정부에 초순수를 공급하는 초순수 공급구를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 차단막은 두 개의 플레이트로 구성되어 상하로 개폐되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트는 상하 또는 좌우로 개폐되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
- 제 1 , 제 2 및 제 3의 배스 등의 복수개의 배스를 구비하며, 상기 각각의 배스의 상부 및 하부 공간은 차단막을 매개로 화학 용액을 저장하는 화학 용액 저장부과 웨이퍼의 세정 및 웨이퍼의 배스 사이의 이동을 가능하게 하는 이동부로 정의되는 웨이퍼 세정 장치를 이용한 세정 방법에 있어서,상기 복수개의 배스의 화학 용액 저장부 내에 소정의 화학 용액을 저장시키는 단계;상기 제 1 배스의 세정부에 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대를 장입시키는 단계;상기 제 1 배스의 차단막을 열어 상기 제 1 배스의 화학 용액 저장부에 저장되어 있는 화학 용액을 상기 제 1 배스의 세정부에 유입시켜 제 1 배스의 세정부에 기 장입된 웨이퍼 이동대의 웨이퍼를 화학 처리하는 제 1 화학 처리 단계;상기 제 1 배스의 차단막을 닫아 제 1 배스의 세정부로의 화학 용액의 유입을 막고 제 1 배스의 세정부 하단의 일측에 구비된 배출구를 이용하여 상기 화학 용액을 배출하는 단계;상기 제 1 배스의 세정부 하단의 일측에 구비된 초순수 유입구를 이용하여 상기 제 1 배스의 세정부 내에 초순수를 공급하여 상기 웨이퍼 이동대의 웨이퍼를린스한 다음 린스한 초순수를 상기 제 1 배스의 세정부 배출구를 통해 배출하는 제 1 린스 단계;상기 각각의 세정부 하부의 배스와 배스 사이에 설치되어 있는 게이트를 열어 통해 상기 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 이동대를 제 2 배스의 세정부로 이동시키는 웨이퍼 이동 단계;상기 제 1 배스에서의 제 1 화학 처리 단계, 화학 용액을 배출하는 단계, 제 1 린스 단계, 웨이퍼 이동 단계에 상응하는 동일 공정을 제 2 및 제 3 배스에서 진행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
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