JPH07321083A - 半導体ウェーハ処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハ処理装置Info
- Publication number
- JPH07321083A JPH07321083A JP11286694A JP11286694A JPH07321083A JP H07321083 A JPH07321083 A JP H07321083A JP 11286694 A JP11286694 A JP 11286694A JP 11286694 A JP11286694 A JP 11286694A JP H07321083 A JPH07321083 A JP H07321083A
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- Japan
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- treating
- processing
- flow
- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄薬液等の処理液を溜めた処理槽（洗浄槽
等）を処理室内に配置した構成の半導体ウェーハ処理装
置について、安定した処理条件で処理を行い、処理液の
ミストの付着等の問題をも生じさせない装置を提供す
る。 【構成】 処理液（薬液Ａ，Ｂや、リンス液等）を溜め
た処理槽１ａ〜１ｃを処理室２ａ〜２ｃ内に配置し、こ
の処理槽に半導体ウェーハ３をディップすることにより
処理するとともに、該処理槽を配置した処理室の上部に
は下方の処理槽に向かってほぼ垂直の吹き出し流を与え
るクリーンユニット５を配置し、処理室には該吹き出し
流の流速及び／または圧力をモニターするセンサ６ａ〜
６ｃを備え、該センサのモニター結果に基づいてクリー
ンユニットからの吹き出し流例えば吹き出し流量や、吹
き出し方向を制御する。
等）を処理室内に配置した構成の半導体ウェーハ処理装
置について、安定した処理条件で処理を行い、処理液の
ミストの付着等の問題をも生じさせない装置を提供す
る。 【構成】 処理液（薬液Ａ，Ｂや、リンス液等）を溜め
た処理槽１ａ〜１ｃを処理室２ａ〜２ｃ内に配置し、こ
の処理槽に半導体ウェーハ３をディップすることにより
処理するとともに、該処理槽を配置した処理室の上部に
は下方の処理槽に向かってほぼ垂直の吹き出し流を与え
るクリーンユニット５を配置し、処理室には該吹き出し
流の流速及び／または圧力をモニターするセンサ６ａ〜
６ｃを備え、該センサのモニター結果に基づいてクリー
ンユニットからの吹き出し流例えば吹き出し流量や、吹
き出し方向を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ処理装
置に関する。本発明は、洗浄その他の半導体ウェーハの
処理に用いる半導体ウェーハ処理装置として利用でき
る。
置に関する。本発明は、洗浄その他の半導体ウェーハの
処理に用いる半導体ウェーハ処理装置として利用でき
る。
【０００２】
【従来及びその問題点】従来のこの種の装置、例えば半
導体ウェーハの洗浄装置において、半導体ウェーハを洗
浄する際には、図３の如く処理液（洗浄液）を溜めた溜
め置き式の処理槽（洗浄槽）１ａ，１ｂを用いて、ここ
に洗浄液として用いる薬品Ａ，Ｂを溜めて処理すべきウ
ェーハロットをディップさせて洗浄を行っていた。符号
３で被処理半導体ウェーハを示し、４でロット毎に複数
のウェーハを搬送するウェーハキャリアを示す。処理室
２ｃ内の処理槽１ｃは、純水リンス液を入れてリンスす
るために用いられる。
導体ウェーハの洗浄装置において、半導体ウェーハを洗
浄する際には、図３の如く処理液（洗浄液）を溜めた溜
め置き式の処理槽（洗浄槽）１ａ，１ｂを用いて、ここ
に洗浄液として用いる薬品Ａ，Ｂを溜めて処理すべきウ
ェーハロットをディップさせて洗浄を行っていた。符号
３で被処理半導体ウェーハを示し、４でロット毎に複数
のウェーハを搬送するウェーハキャリアを示す。処理室
２ｃ内の処理槽１ｃは、純水リンス液を入れてリンスす
るために用いられる。
【０００３】ところがこのような溜め置き式の場合、洗
浄液である薬品等の蒸発によるミストが破線の矢印Ｍで
示すように発生するが、このミストがウェーハ３に付着
してしまうおそれがあるために、上部にクリーンユニッ
ト５を配置し、これにより上部からの吹き出し垂直流
（図中、矢印Ｂで示す）を発生させ、これによりミスト
（または浮遊パーティクル等）を抑え込むようにするこ
とが通例となってきている。
浄液である薬品等の蒸発によるミストが破線の矢印Ｍで
示すように発生するが、このミストがウェーハ３に付着
してしまうおそれがあるために、上部にクリーンユニッ
ト５を配置し、これにより上部からの吹き出し垂直流
（図中、矢印Ｂで示す）を発生させ、これによりミスト
（または浮遊パーティクル等）を抑え込むようにするこ
とが通例となってきている。
【０００４】しかしながら、従来技術にあっては、ウェ
ーハキャリア４のセットのための扉開閉（図３は、符号
１０で示すように扉開の状態を図示している）、薬品及
びリンスの入れ換え時の容積変化により、上部吹き出し
流が乱されるという問題点がある。
ーハキャリア４のセットのための扉開閉（図３は、符号
１０で示すように扉開の状態を図示している）、薬品及
びリンスの入れ換え時の容積変化により、上部吹き出し
流が乱されるという問題点がある。
【０００５】即ち従来技術では、図４（Ａ）に示すよう
に、クリーンユニットからの吹き出し流の流速は常時一
定である。このため、扉開状態にすると、図４（Ｂ）に
示すように、実効流速が落ちてしまい、乱流ともなり、
ミスト抑制効果が落ちる。
に、クリーンユニットからの吹き出し流の流速は常時一
定である。このため、扉開状態にすると、図４（Ｂ）に
示すように、実効流速が落ちてしまい、乱流ともなり、
ミスト抑制効果が落ちる。
【０００６】例えば図３に矢印Ｄで示すように気流が乱
れ、このためミストＭが上部に回り込んでしまい、ウェ
ーハ３への付着や、搬送ロボット、洗浄機内壁への付着
によるウェーハ３への再付着が懸念される。
れ、このためミストＭが上部に回り込んでしまい、ウェ
ーハ３への付着や、搬送ロボット、洗浄機内壁への付着
によるウェーハ３への再付着が懸念される。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記問題点を解決して、処理
液を溜めた処理槽を処理室内に配置した構成の半導体ウ
ェーハ処理装置について、安定した処理条件で処理を行
えるとともに、処理液のミストの付着等の問題をも生じ
させない半導体ウェーハ処理装置を提供しようとするも
のである。
液を溜めた処理槽を処理室内に配置した構成の半導体ウ
ェーハ処理装置について、安定した処理条件で処理を行
えるとともに、処理液のミストの付着等の問題をも生じ
させない半導体ウェーハ処理装置を提供しようとするも
のである。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、処理液を溜めた処理槽を処理室内に配置し、この
処理槽に半導体ウェーハをディップすることにより処理
するとともに、該処理槽を配置した処理室の上部には下
方の処理槽に向かってほぼ垂直の吹き出し流を与えるク
リーンユニットを配置した構成の半導体ウェーハ処理装
置において、処理室には該吹き出し流の流速及び／また
は圧力をモニターするセンサを備え、該センサのモニタ
ー結果に基づいて前記クリーンユニットからの吹き出し
流を制御する（例えば吹き出し流量や、吹き出し方向を
制御する）構成としたことを特徴とする半導体ウェーハ
処理装置であって、これにより上記問題点を解決するも
のである。
明は、処理液を溜めた処理槽を処理室内に配置し、この
処理槽に半導体ウェーハをディップすることにより処理
するとともに、該処理槽を配置した処理室の上部には下
方の処理槽に向かってほぼ垂直の吹き出し流を与えるク
リーンユニットを配置した構成の半導体ウェーハ処理装
置において、処理室には該吹き出し流の流速及び／また
は圧力をモニターするセンサを備え、該センサのモニタ
ー結果に基づいて前記クリーンユニットからの吹き出し
流を制御する（例えば吹き出し流量や、吹き出し方向を
制御する）構成としたことを特徴とする半導体ウェーハ
処理装置であって、これにより上記問題点を解決するも
のである。
【０００９】本出願の請求項２の発明は、処理槽を備え
た処理室が複数設けられていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、これによ
り上記問題点を解決するものである。
た処理室が複数設けられていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、これによ
り上記問題点を解決するものである。
【００１０】本出願の請求項３の発明は、処理液が洗浄
液及び／またはリンス液であることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、
これにより上記問題点を解決するものである。
液及び／またはリンス液であることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、
これにより上記問題点を解決するものである。
【００１１】本出願の請求項４の発明は、前記吹き出し
流の制御が、吹き出し流の流速及び／または圧力の変化
に基づくものであることを特徴とする請求項１ないし３
に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、これにより
上記問題点を解決するものである。
流の制御が、吹き出し流の流速及び／または圧力の変化
に基づくものであることを特徴とする請求項１ないし３
に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、これにより
上記問題点を解決するものである。
【００１２】本出願の請求項５の発明は、前記吹き出し
流の制御が、標準状態との差を演算により得たその差分
に基づくものであることを特徴とする請求項１ないし３
に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、これにより
上記問題点を解決するものである。
流の制御が、標準状態との差を演算により得たその差分
に基づくものであることを特徴とする請求項１ないし３
に記載の半導体ウェーハ処理装置であって、これにより
上記問題点を解決するものである。
【００１３】本出願の請求項６の発明は、前記吹き出し
流の制御が、吹き出し流量の制御であることを特徴とす
る請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体ウェーハ
処理装置であって、これにより上記問題点を解決するも
のである。
流の制御が、吹き出し流量の制御であることを特徴とす
る請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体ウェーハ
処理装置であって、これにより上記問題点を解決するも
のである。
【００１４】後記詳述する本発明の一実施例を示す図１
の例示を用いて本発明の構成を説明すると、次のとおり
である。
の例示を用いて本発明の構成を説明すると、次のとおり
である。
【００１５】本発明は、処理液を溜めた処理槽１ａ〜１
ｃを処理室２ａ〜２ｃ内に配置し、この処理槽１ａ〜１
ｃに半導体ウェーハ３をディップすることにより処理す
るとともに、該処理槽１ａ〜１ｃを配置した処理室２ａ
〜２ｃの上部には下方の処理槽１ａ〜１ｃに向かってほ
ぼ垂直の吹き出し流Ｂ１〜Ｂ３を与えるクリーンユニッ
ト５を配置した構成の半導体ウェーハ処理装置におい
て、処理室２ａ〜２ｃには該吹き出し流Ｂ１〜Ｂ３の流
速及び／または圧力をモニターするセンサ６ａ〜６ｃを
備え、該センサ６ａ〜６ｃのモニター結果に基づいて前
記クリーンユニット５からの吹き出し流を制御する構成
としたものである。
ｃを処理室２ａ〜２ｃ内に配置し、この処理槽１ａ〜１
ｃに半導体ウェーハ３をディップすることにより処理す
るとともに、該処理槽１ａ〜１ｃを配置した処理室２ａ
〜２ｃの上部には下方の処理槽１ａ〜１ｃに向かってほ
ぼ垂直の吹き出し流Ｂ１〜Ｂ３を与えるクリーンユニッ
ト５を配置した構成の半導体ウェーハ処理装置におい
て、処理室２ａ〜２ｃには該吹き出し流Ｂ１〜Ｂ３の流
速及び／または圧力をモニターするセンサ６ａ〜６ｃを
備え、該センサ６ａ〜６ｃのモニター結果に基づいて前
記クリーンユニット５からの吹き出し流を制御する構成
としたものである。
【００１６】
【作用】本発明によれば、クリーンユニットからの吹き
出し流の流速及び／または圧力をセンサ６ａ〜６ｃによ
りモニターするので、扉の開閉その他の原因によって吹
き出し流の挙動が変化した場合も、これが検知される。
よってこの検知されたモニター結果に基づいて、吹き出
し状態を制御することにより、吹き出し状態を安定化さ
せる。これによって、気流の乱れを抑えるようにもでき
る。この結果、気流の乱れに起因したミストやパーティ
クルの半導体ウェーハへの付着、ないしは壁付着等に基
づく半導体ウェーハへの再付着を防止して、適正な処理
（洗浄等）を達成することができる。
出し流の流速及び／または圧力をセンサ６ａ〜６ｃによ
りモニターするので、扉の開閉その他の原因によって吹
き出し流の挙動が変化した場合も、これが検知される。
よってこの検知されたモニター結果に基づいて、吹き出
し状態を制御することにより、吹き出し状態を安定化さ
せる。これによって、気流の乱れを抑えるようにもでき
る。この結果、気流の乱れに起因したミストやパーティ
クルの半導体ウェーハへの付着、ないしは壁付着等に基
づく半導体ウェーハへの再付着を防止して、適正な処理
（洗浄等）を達成することができる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に述べる実施例により限定されるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に述べる実施例により限定されるものではない。
【００１８】実施例１ この実施例は、本発明を、半導体ウェーハの洗浄装置に
適用したものである。図１及び図２を参照する。
適用したものである。図１及び図２を参照する。
【００１９】この実施例の半導体ウェーハ処理装置（洗
浄装置）は、図１にその構成を示すように、処理液を溜
めた処理槽１ａ〜１ｃを処理室２ａ〜２ｃ内に配置し、
この処理槽１ａ〜１ｃに半導体ウェーハ３をディップす
ることにより処理するとともに、該処理槽１ａ〜１ｃを
配置した処理室２ａ〜２ｃの上部には下方の処理槽１ａ
〜１ｃに向かってほぼ垂直の吹き出し流Ｂ１〜Ｂ３を与
えるクリーンユニット５を配置した構成の半導体ウェー
ハ処理装置において、処理室２ａ〜２ｃには該吹き出し
流Ｂ１〜Ｂ３の流速及び／または圧力をモニターするセ
ンサ６ａ〜６ｃを備え、該センサ６ａ〜６ｃのモニター
結果に基づいて前記クリーンユニットからの吹き出し流
を制御する構成としたものである。
浄装置）は、図１にその構成を示すように、処理液を溜
めた処理槽１ａ〜１ｃを処理室２ａ〜２ｃ内に配置し、
この処理槽１ａ〜１ｃに半導体ウェーハ３をディップす
ることにより処理するとともに、該処理槽１ａ〜１ｃを
配置した処理室２ａ〜２ｃの上部には下方の処理槽１ａ
〜１ｃに向かってほぼ垂直の吹き出し流Ｂ１〜Ｂ３を与
えるクリーンユニット５を配置した構成の半導体ウェー
ハ処理装置において、処理室２ａ〜２ｃには該吹き出し
流Ｂ１〜Ｂ３の流速及び／または圧力をモニターするセ
ンサ６ａ〜６ｃを備え、該センサ６ａ〜６ｃのモニター
結果に基づいて前記クリーンユニットからの吹き出し流
を制御する構成としたものである。
【００２０】本実施例は図示の如く、処理槽１ａ〜１ｃ
を備えた処理室２ａ〜２ｃが複数（３室）設けられたも
のである。
を備えた処理室２ａ〜２ｃが複数（３室）設けられたも
のである。
【００２１】特に本実施例のウェーハ処理装置は洗浄装
置であるので、処理液は洗浄液（処理槽１ａ，１ｂの薬
品Ａ，Ｂ）であり、また、リンス液（処理槽１ｃ中の純
水リンス液）である。
置であるので、処理液は洗浄液（処理槽１ａ，１ｂの薬
品Ａ，Ｂ）であり、また、リンス液（処理槽１ｃ中の純
水リンス液）である。
【００２２】本実施例におけるクリーンユニット５から
の吹き出し流の制御は、吹き出し流量の制御であり、こ
れは吹き出し流の流量及び／または圧力の変化に基づい
て行われる。
の吹き出し流の制御は、吹き出し流量の制御であり、こ
れは吹き出し流の流量及び／または圧力の変化に基づい
て行われる。
【００２３】特にこの吹き出し流量の制御が、標準状態
との差を演算により得たその差分に基づいて行われる。
との差を演算により得たその差分に基づいて行われる。
【００２４】上記クリーンユニット５からの吹き出し流
の制御（流量、流れ方向等の制御）は、コントローラ７
によって行われる。
の制御（流量、流れ方向等の制御）は、コントローラ７
によって行われる。
【００２５】更に詳しくは、本実施例においては、図１
に示す如く、各処理室２ａ〜２ｃ（洗浄室）内に、上部
からの吹き出し垂直流Ｂ１〜Ｂ3 の流速または圧力をモ
ニターするセンサー６ａ〜６ｃを設け、本例では処理中
常時、このセンサー６ａ〜６ｃによる検知を行うように
した。本実施例では、各処理槽１ａ〜１ｃの上面近傍に
おいて、流速や圧力を検知できるようにセンサー６ａ〜
６ｃを配置した。図示センサー６ａ〜６ｃは、検知面を
上方に設けて、検知すべき垂直流の流れの流速や、検知
面に加わる圧力を適正にモニターできるようにした。
に示す如く、各処理室２ａ〜２ｃ（洗浄室）内に、上部
からの吹き出し垂直流Ｂ１〜Ｂ3 の流速または圧力をモ
ニターするセンサー６ａ〜６ｃを設け、本例では処理中
常時、このセンサー６ａ〜６ｃによる検知を行うように
した。本実施例では、各処理槽１ａ〜１ｃの上面近傍に
おいて、流速や圧力を検知できるようにセンサー６ａ〜
６ｃを配置した。図示センサー６ａ〜６ｃは、検知面を
上方に設けて、検知すべき垂直流の流れの流速や、検知
面に加わる圧力を適正にモニターできるようにした。
【００２６】このモニターによる流速（または圧力）
は、図２（Ａ）の如く、その変化を感知し、これをクリ
ーンユニット５を制御するコントローラ７にフィードバ
ックする。
は、図２（Ａ）の如く、その変化を感知し、これをクリ
ーンユニット５を制御するコントローラ７にフィードバ
ックする。
【００２７】フィードバックされた量に比例して、クリ
ーンユニット５のファンの回転数を変化できるように構
成しておいて、図２（Ｂ）の如く、吹き出し流量を変え
られるようにする。これにより、例えば扉開の状態では
流速を少なくするようにできる。
ーンユニット５のファンの回転数を変化できるように構
成しておいて、図２（Ｂ）の如く、吹き出し流量を変え
られるようにする。これにより、例えば扉開の状態では
流速を少なくするようにできる。
【００２８】このシステムにより、図２（Ｃ）に示すと
おり、処理槽１ａ〜１ｃ（洗浄槽）上の実効流速を変化
させずに、常に安定した気流内においての作業を可能に
する。
おり、処理槽１ａ〜１ｃ（洗浄槽）上の実効流速を変化
させずに、常に安定した気流内においての作業を可能に
する。
【００２９】即ち、本実施例のシステムを組むことによ
り、図２から理解されるように、扉開閉により流速が変
化しても、その変化量に対して、吹き出し量が増やされ
ることにより、処理槽１ａ〜１ｃ（洗浄槽）への垂直気
流は維持され、ミストの巻き上げを抑え込める。
り、図２から理解されるように、扉開閉により流速が変
化しても、その変化量に対して、吹き出し量が増やされ
ることにより、処理槽１ａ〜１ｃ（洗浄槽）への垂直気
流は維持され、ミストの巻き上げを抑え込める。
【００３０】また、本システムならば、扉が開いていな
い場合には、ミストを抑え込む最低量だけの確保ですむ
ために、従来に比べクリーンユニットの吹き出し量を少
なくでき、従来は廃棄として捨てていた量を削減するこ
とができ、空調コストの低減にも結び付く。
い場合には、ミストを抑え込む最低量だけの確保ですむ
ために、従来に比べクリーンユニットの吹き出し量を少
なくでき、従来は廃棄として捨てていた量を削減するこ
とができ、空調コストの低減にも結び付く。
【００３１】本実施例では、上記構成の結果、気流の乱
れに起因するミスト等の半導体ウェーハへの付着が防止
でき、かつ安定なプロセス条件での処理が達成でき、か
つ省エネルギー効果も保たれる。
れに起因するミスト等の半導体ウェーハへの付着が防止
でき、かつ安定なプロセス条件での処理が達成でき、か
つ省エネルギー効果も保たれる。
【００３２】上述の如く、本実施例においては、半導体
ウェーハ処理装置である洗浄装置の処理室２ａ〜２ｃ内
に、圧力または流速変化を確認する手段（センサ６ａ〜
６ｃ）を具備させ、これによる測定値と標準状態との差
を演算し、その差分に比例してクリーンユニット５のフ
ァンフィルターユニットの吹き出し量をコントロールし
たので、これにより、処理室２ａ〜２ｃ内の扉開閉等に
よる気流の乱れを抑え、常に安定化させた気流中で処理
作業を行え、また処理薬品によるミスト、パーティーク
ル付着を抑え込むこともできた。
ウェーハ処理装置である洗浄装置の処理室２ａ〜２ｃ内
に、圧力または流速変化を確認する手段（センサ６ａ〜
６ｃ）を具備させ、これによる測定値と標準状態との差
を演算し、その差分に比例してクリーンユニット５のフ
ァンフィルターユニットの吹き出し量をコントロールし
たので、これにより、処理室２ａ〜２ｃ内の扉開閉等に
よる気流の乱れを抑え、常に安定化させた気流中で処理
作業を行え、また処理薬品によるミスト、パーティーク
ル付着を抑え込むこともできた。
【００３３】
【発明の効果】上記詳述したとおり、本発明によれば、
処理液を溜めた処理槽を処理室内に配置した構成の半導
体ウェーハ処理装置について、安定した処理条件で処理
を行えるとともに、処理液のミストの付着等の問題をも
生じない半導体ウェーハ処理装置を提供することができ
た。
処理液を溜めた処理槽を処理室内に配置した構成の半導
体ウェーハ処理装置について、安定した処理条件で処理
を行えるとともに、処理液のミストの付着等の問題をも
生じない半導体ウェーハ処理装置を提供することができ
た。
【図１】実施例１の半導体ウェーハ処理装置（洗浄装
置）を示す構成図である。
置）を示す構成図である。
【図２】実施例１の作用説明図である。
【図３】従来例を示す構成図である。
【図４】従来例の問題点を示す図である。
１ａ〜１ｃ 処理槽（洗浄槽） ２ａ〜２ｃ 処理室 ３ 半導体ウェーハ ４ ウェーハキャリア ５ クリーンユニット ６ａ〜６ｃ センサ（流量計、圧力計） ７ コントローラ
Claims (6)
- 【請求項１】処理液を溜めた処理槽を処理室内に配置
し、この処理槽に半導体ウェーハをディップすることに
より処理するとともに、該処理槽を配置した処理室の上
部には下方の処理槽に向かってほぼ垂直の吹き出し流を
与えるクリーンユニットを配置した構成の半導体ウェー
ハ処理装置において、 処理室には該吹き出し流の流速及び／または圧力をモニ
ターするセンサを備え、該センサのモニター結果に基づ
いて前記クリーンユニットからの吹き出し流を制御する
構成としたことを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。 - 【請求項２】処理槽を備えた処理室が複数設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ処
理装置。 - 【請求項３】処理液が洗浄液及び／またはリンス液であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウ
ェーハ処理装置。 - 【請求項４】前記吹き出し流の制御が、吹き出し流の流
速及び／または圧力の変化に基づくものであることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体ウ
ェーハ処理装置。 - 【請求項５】前記吹き出し流の制御が、標準状態との差
を演算により得たその差分に基づくものであることを特
徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体ウ
ェーハ処理装置。 - 【請求項６】前記吹き出し流の制御が、吹き出し流量の
制御であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
かに記載の半導体ウェーハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11286694A JPH07321083A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体ウェーハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11286694A JPH07321083A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体ウェーハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321083A true JPH07321083A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14597496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11286694A Pending JPH07321083A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体ウェーハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321083A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359226A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | バッチ式ウェット処理装置 |
| KR100431809B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2004-05-17 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법 |
| KR100688931B1 (ko) * | 2005-08-18 | 2007-03-02 | 주식회사 위너 | 조립형 반도체 세정장치 |
| KR20230034671A (ko) * | 2021-09-03 | 2023-03-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법 |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP11286694A patent/JPH07321083A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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