JPH0714817A

JPH0714817A - 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置

Info

Publication number: JPH0714817A
Application number: JP5150897A
Authority: JP
Inventors: Tadahiro Omi; 忠弘大見; Naomichi Yonekawa; 直道米川; Fumitomo Kunimoto; 文智國本; Takeo Tamaki; 竹男玉木; Yasuyuki Horiki; 泰之堀木; Toshimitsu Kachi; 利光加地
Original assignee: M T C KK; Nisso Engineering KK
Current assignee: M T C KK; Nisso Engineering KK
Priority date: 1993-06-22
Filing date: 1993-06-22
Publication date: 1995-01-17
Anticipated expiration: 2017-11-05
Also published as: US5487398A; JP3341033B2

Abstract

(57)【要約】【目的】より清浄なシリコンウエハ表面の提供による
高性能半導体の生産、半導体生産の低コスト化、また、
新しい洗浄方法及び装置によってなる、薬液使用量の減
少、洗浄時間の短縮、使用薬品数の減少、廃液回収の容
易さ及び装置に対する設備投資の減少による総合的な低
コスト化を可能とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する
こと。【構成】複数の薬液洗浄工程を有する洗浄方法におい
て、被洗浄物を洗浄槽内に水平に配置し、該洗浄槽を密
閉した後、該被洗浄物を回転させつつ、薬液流を被洗浄
物表面上方から連続的に該洗浄物の表面に供給する薬液
洗浄工程と、超純水を供給する超純水洗浄工程とをそれ
ぞれの薬液について同一洗浄槽内において順次行い、洗
浄後乾燥を行うことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体基板な
どの薬液洗浄に用いられる洗浄装置及び洗浄方法に係
り、より詳細には、洗浄槽内で被洗浄物（例えばシリコ
ンウェハ）を回転させながら洗浄を行うことにより、精
密な連続洗浄を低コストかつ短時間で安全に行うことが
可能な洗浄装置及び洗浄方法に関する。

【０００２】

【背景の技術】背景の技術を、被洗浄物としてシリコン
ウエハを例にとり説明する。半導体産業におけるシリコ
ンウエハの洗浄は、半導体の生産工程の中で最も重要な
工程の一つである。すなわち、シリコンウエハ上には多
数の不純物粒子が付着しており、微粒子の除去を行うこ
となくシリコンウエハ上に素子の形成を行うと、特性の
悪い素子しか得られない。そこで、通常は、純水による
洗浄を行い不純物の除去を行う。

【０００３】ところで、ウエハの表面状態で、半導体素
子の特性に悪影響をあたえるものには、１）パーティクル(particles) ２）有機物(organic contaminants) ３）金属不純物(metallic impurities) ４）自然酸化膜(native oxides) ５）表面ミクロ粗さ(surface micro roughness) ６）表面吸着分子(molecules adsorbed on the surfa
ce) がある。

【０００４】しかるに、純水による洗浄で除去可能なも
のはパーティクルのみであり、例えば、表面に形成され
た自然酸化膜の除去は不可能である。また、パーティク
ルのうちでも微細なパーティクルの除去は困難である。
そのため、各種の薬液を用いた洗浄が行われる。そのひ
とつとして、ＲＣＡ洗浄がある。

【０００５】しかし、現在でも初期のＲＣＡ洗浄からあ
まり進歩しておらず、多工程の洗浄を長時間にわたって
行っているのが現状である。ＲＣＡ洗浄は、基板表面に
付着している有機物を酸化して除去するものであり、そ
の処理工程は概略以下のようなものである。Ｈ₂ＳＯ₄＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄ＮＨ₄ＯＨ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄温超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄ＨＣｌ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄温超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄乾燥しかるに、これらの洗浄工程は、薬液別に独立した洗浄
装置または洗浄槽を用い、シリコンウエハを、それぞれ
の薬液・超純水が貯蔵された洗浄槽に順次浸漬すること
によって行われるために、前工程におけるウエハ上への
残存薬液の持ち込みが避けられず、洗浄槽中の薬液の相
互汚染が生じる。

【０００６】また、次の洗浄槽への移送時に大気中を搬
送するために、大気からの汚染、大気中での自然酸化膜
の生成を招いてしまう。さらに、汚染された薬液を複数
回使用することや複数のシリコンウェハを同時に洗浄す
るため、一つのシリコンウエハから離脱した不純物が他
のシリコンウエハに逆付着してしまうことも生じ易い。

【０００７】これら洗浄中の汚染要素が歩留まりの低下
を引き起こし、それに伴う高コスト化にもつながってい
る。そのほか、現在の洗浄工程は長い時間を必要とし、
このための高コスト化も問題である。一方、洗浄に用い
られる洗浄装置は、単一の槽内では一種類の洗浄に限ら
れており、同一槽内で連続した洗浄が不可能である。そ
のため、多数の洗浄装置や洗浄スペースが必要であり、
設備投資の増大にもつながっている。

【０００８】また、近年の高集積化に伴い、シリコンウ
ェハ表面は清浄化度のより一層の向上が必要になってき
ているが上記の洗浄では対応しきれていない。そこで、
より清浄化度の高い洗浄が達成可能であり、かつ、短時
間で洗浄が可能な洗浄方法及び洗浄装置が望まれてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、より清浄な
シリコンウエハ表面の提供による高性能半導体の生産、
半導体生産の低コスト化、また、新しい洗浄方法及び装
置によってなる、薬液使用量の減少、洗浄時間の短縮、
使用薬品数の減少、廃液回収の容易さ及び装置に対する
設備投資の減少による総合的な低コスト化を可能とする
洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、複
数の薬液洗浄工程を有する洗浄方法において、被洗浄物
を洗浄槽内に水平に配置し、該洗浄槽を密閉した後、該
被洗浄物を回転させつつ、薬液流を被洗浄物表面上方か
ら連続的に該洗浄物の表面に供給する薬液洗浄工程と、
超純水を供給する超純水洗浄工程とをそれぞれの薬液に
ついて同一洗浄槽内において順次行い、洗浄後乾燥を行
うことを特徴とする。

【００１１】本発明の洗浄装置は、開閉可能な蓋体を上
部に有し、該蓋体を閉じたとき内部を密閉可能にし得る
洗浄槽と、該洗浄槽内において被洗浄物を保持するため
の被洗浄物保持手段と、該被洗浄物保持手段を回転させ
るための回転手段と、該洗浄槽内ヘ気体を導入するため
の気体導入手段と、該被洗浄物保持手段に保持された被
洗浄物の表面に第１の薬液を供給するための第一のノズ
ルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の表面
に第２の薬液を供給するための第二のノズルと、該被洗
浄物保持手段に保持された被洗浄物の裏面に第１の薬液
を噴射することの可能な第三のノズルと、該被洗浄物保
持手段に保持された被洗浄物の裏面に第２の薬液を噴射
することの可能な第四のノズルと、該被洗浄物保持手段
に保持された被洗浄物の表面に超純水を供給する第五の
ノズルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の
裏面に超純水を噴射することの可能な第六のノズルと、
該第一のノズルないし第四のノズルのそれぞれに接続さ
れた薬液供給ラインと、それぞれの薬液供給ラインに接
続された薬液を供給可能な外部薬液供給装置と、該第五
のノズル及び第六のノズルに接続された超純水供給ライ
ンと、超純水にオゾンを選択的に添加するためのオゾン
添加手段と、洗浄後の廃液を完全に分別可能な排水系
と、を少なくとも有することを特徴とする。

【００１２】本発明のオリエンテーションフラットを有
するウエハ保持手段は、支軸と、該支軸上部から半径方
向に延びる少なくとも３本のアームと、該アームの先端
に形成された段差を有する凸部とからなり、オリエンテ
ーションフラットを有する被洗浄物を水平に載置したと
きに、少なくとも一つの凸部の内側面が該ウエハの該オ
リエンテーションフラットにおける側縁部と当接し、他
の凸部の内側面が該被洗浄物の円弧部における側縁部と
当接するように、該凸部が配置されていることを特徴と
する。

【００１３】

【作用】以下に本発明の作用を、本発明をなすに際して
得た知見とともに説明する。洗浄方法従来から、基板を回転させながら洗浄する技術は知られ
ている。しかし、その技術は、純水による洗浄技術であ
り、薬液による洗浄を回転させながら行う技術は現在知
られていない。まして、複数の薬液による洗浄を回転さ
せながら行う技術も知られていない。

【００１４】本発明者は、浸漬法による洗浄には、清浄
化度の向上に限界があると考え、回転洗浄を試みた。表
面に軽く付着しているにすぎない粒子（パーティクル）
については純水を用いた回転洗浄によっても除去可能で
あるが、その他のコンタミネーション源の除去、特に表
面に形成された自然酸化膜の除去を薬液を用いた回転洗
浄により行うことが可能かどうかは全く未知のことであ
る。

【００１５】本発明者は、図１０に示すような装置（特
開昭５２−５８４５８号公報）を用い、基板を回転させ
つつ、オゾン添加超純水、ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水、ＮＨ
₄ＯＨ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水を順次ノズルから噴射させ複数
の薬液洗浄を順次行った。上記洗浄終了後、表面の清浄
度を測定したところ、表面には自然酸化膜が残存してお
り、完全な洗浄にはほど遠いものであった。また、洗浄
後における表面は粗いものであった。

【００１６】その原因がどこにあるのかは不明であった
が、本発明者は、試みに薬液の噴射供給に代え、薬液を
数滴づつ表面に供給する滴下供給を行ってみた。その結
果、滴下供給の場合は、噴射供給の場合よりも残存コン
タミネーション源は少なくなっていた。ただ、未だ満足
すべき清浄化度は得られなかった。そこで、さらに実験
を重ねたところ、薬液あるいは超純水の供給を滴下では
なく、流体として連続して行うことが極めて重要である
ことを見いだした。薬液あるいは超純水を、断続的にで
はなく、水道の蛇口から出てくるような状態で連続的に
供給することが重要である。

【００１７】回転洗浄において、連続的に薬液流の供給
を行った場合における洗浄メカニズムは明かではない
が、次のようなものではないかと考えられる。すなわ
ち、連続的な薬液流の供給により薬液が被洗浄物の表面
に供給されると、薬液は、遠心力のため半径方向に広が
り表面を被覆し、表面のコンタミネーション源と反応し
て反応生成物を生成する。この反応生成物は遠心力によ
り薬液とともに表面から即座に除去され、新たな表面が
露出する。一方、薬液は連続的に供給されるので、新た
に露出した被洗浄物の表面と新鮮な薬液とが反応する。
このように、絶えず新たな表面と新鮮な薬液との接触が
生じているため優れた清浄度で洗浄を行うことができる
と考えられる。

【００１８】なお、薬液の供給位置は被洗浄物の回転中
心とすることがより面内均一な洗浄を行う上からは好ま
しい。上述したように、本発明方法によれば高清浄な洗
浄を行うことができる。しかし、より驚くべきことは、
かかる高清浄な洗浄を極めて短時間に行うことが可能で
あったということである。

【００１９】例えば、貴金属不純物（例えば、Ｃｕ）の
除去をＨＦ−Ｈ₂Ｏ₂洗浄液により行う場合を例にとる
と、浸漬法によれば、１０atoms/cm²のレベルにするた
めには約６０分の時間を必要とするが、本発明の回転洗
浄法によれば３０秒程度という極めて短縮された時間で
達成することが可能である。このように、短時間でかつ
高度清浄化度が達成できるということは本発明者自身予
想しなかったことであり、なぜかかる予想外の効果が達
成できたのかの真の理由は明確ではない。

【００２０】なお、噴射供給の場合には、薬液は噴霧状
で供給されるため被洗浄物の表面を均一には覆わず、そ
のため清浄化度の高い洗浄が達成できないものと推測さ
れる。本発明では、複数の薬液洗浄を同一の洗浄槽内に
おいて行う。別異の洗浄槽で行う場合には、被洗浄物の
移送時に被洗浄物は大気に晒され、自然酸化膜の形成を
招き清浄化を低める結果となるが、同一洗浄槽内で行え
ばかかる清浄化度の低下を招くことを防止できる。

【００２１】（打ち水工程）本発明では、薬液洗浄を行
う前に、該被洗浄物の回転数を１００〜４００ｒｐｍと
して打ち水を行うことが好ましい。また、超純水の供給
量は、被洗浄物の表面積によっても変化はするが、３イ
ンチ〜８インチ径のウエハの場合は、２．５〜１０ｃｃ
の超純水を該被洗浄物表面に供給することが好ましい。

【００２２】純水に浸漬してウエハ表面を濡らした状態
で洗浄薬液に浸漬すれば付着粒子数が減少するという技
術は特開昭３−２４０２２９号公報に開示されている。
しかし、回転洗浄の場合には、単に表面に純水を供給す
るのみでは必ずしも付着粒子の減少を達成できないこと
がわかった。そこで、コンスタントに付着粒子を減少さ
せるためには何が要因となってるかを鋭意探求したとこ
ろ、純水の供給量と被洗浄物の回転数が影響しているこ
とを見いだした。

【００２３】すなわち、２．５ｃｃ未満では表面を完全
には純水が被覆することができず、また、１０ｃｃを超
えると、ある一部の超純水のみが流れその流れた跡に一
つの流路が形成されてしまい、その後薬液供給を行う
と、その流路に優先的に薬液が流れ均一な洗浄ができな
くなってしまう。もちろんかかる現象は本発明者が初め
て見いだしたものである。

【００２４】一方、回転数が１００ｒｐｍ未満では、表
面全体を打ち水で覆うことができない場合が生じる。す
なわち、乾燥部が一部に生じることがある。一方、４０
０ｒｐｍを超えると、表面に形成された打ち水層の一部
が破壊されてしまう場合があり、その破壊された部分に
優先的に薬液が流入し面内不均一な洗浄が行われてしま
う場合がある。

【００２５】（不活性ガス雰囲気）本発明では、洗浄槽
内に不活性ガスをダウンフローで流し続けることが好ま
しい。不活性ガス雰囲気とすることにより、被洗浄物の
大気への暴露を防止し、酸化膜の形成を防止することが
できる。常識的に考えるならば、洗浄工程においては水
分（超純水）が必ず存在するため、雰囲気を不活性ガス
としても水分に起因して自然酸化膜が形成されてしまう
と考えられる。従って、洗浄工程において雰囲気を不活
性ガス雰囲気とすることは意味がないように考えられ
る。しかし、本発明者の知見によれば、自然酸化膜の形
成には、水分と酸素の両者の並存が不可欠であることが
わかった。つまり、水分単独あるいは酸素単独の存在に
よっては自然酸化膜の形成は生じないことがわかった。
従って、雰囲気を不活性ガス雰囲気とすれば自然酸化膜
の形成を防止できるのである。かかる観点からして、不
活性ガス中における酸素の含有量は１００ｐｐｂ以下と
することが好ましく１０ｐｐｂ以下とすることがより好
まし、１ｐｐｂ以下とすることが最も好ましい。

【００２６】なお、不活性ガスとしては、窒素が特に好
ましい。現段階では窒素を使用し内圧をかけるととも
に、ダウンフロー雰囲気を作り出し、洗浄槽内を完全に
密閉し、洗浄工程中のシリコンウェハの大気ヘの暴露を
なくしている。その結果、従来の洗浄装置では不可能だ
った清浄度を可能にしている。また、洗浄槽内の圧力を
外部圧力より高めになるように、気体を導入することが
好ましい。洗浄槽内の圧力を外部より高くなるようにす
ると、大気の洗浄槽内への漏れを防止することができ、
自然酸化膜の形成をより一層効果的に防止することがで
きる。

【００２７】不活性ガスの洗浄槽内への導入は、ダウン
フローとすることが好ましい。ダウンフローとした場
合、表面から離脱した生成物はガスの流れに沿って下方
に落下するため生成物の被洗浄物への再付着を防止する
ことができ、より清浄度の高い洗浄を行うことができ
る。なお、不活性ガスは、被洗浄物表面に形成され薬液
層は乱してしまわない程度の流速とすることが好まし
い。

【００２８】なお、不活性ガスの導入により洗浄槽内の
圧力を前記洗浄槽外の圧力よりも高くして、外部からの
大気の漏れを防止することが好ましい。また、不活性ガ
スは密閉された洗浄槽内において洗浄中のみならず被洗
浄物を洗浄槽内に装入する際にも流し続けることが好ま
しい。被洗浄物の搬入・搬出時には被洗浄物は大気に触
れてしまうが、その際にも不活性ガスを流し続ければ、
表面が大気に触れる機会が減少する。

【００２９】（薬液）洗浄工程は、オゾン添加超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄ＮＨ₄ＯＨ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄温超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄の工程では、表面の有機物をオゾン添加超純水で酸化
させ、同時にシリコンウェハ表面に酸化膜を形成してお
き、超純水でリンスしオゾン添加超純水及び不純物を洗
い流す。

【００３０】の工程では、表面の自然酸化膜をフッ化
水素酸と過酸化水素と超純水の混合薬液で剥離してお
き、超純水でリンスし薬液及び不純物を洗い流す。の工程では、表面の微粒子を水酸化アンモニウムと過
酸化水素と超純水の混合薬液で洗浄し、超純水でリンス
し薬液及び不純物を洗い流す。の工程では、の工程と同様にフッ化水素酸と過酸化
水素と超純水の混合薬液で、再度自然酸化膜を剥離し、
超純水で薬液及び不純物を洗い流す。

【００３１】最後に、被洗浄物を回転乾燥させて全ての
工程を終了する。ここまで、全ての工程は単一の洗浄槽
内で連続して行われる。なお、被洗浄物の回転数は、各
工程に最適の回転数に制御することが好ましい。（オゾン濃度）オゾンの濃度は２ｐｐｍ〜１０ｐｐｍと
することが好ましい。

【００３２】２ｐｐｍ未満では有機物の酸化が不十分と
なる場合があり、１０ｐｐｍを超えると、被洗浄物表面
に形成される酸化膜の厚みが厚くなりすぎ、その除去に
時間を要するとともに表面粗度の低下を招いてしまう場
合があるからである。（回転数・薬液供給量）薬液洗浄時における被洗浄物の
回転数は清浄化度の高い洗浄にとって重要なファクター
であり、回転数は、１００〜３０００ｒｐｍとすること
が好ましく、２００〜１５００ｒｐｍとすることがより
好ましい。

【００３３】１００ｒｐｍ未満では、薬液の量が少ない
と表面全体を薬液で覆うことができず、乾燥部の発生を
招いてしまい、洗浄効率の低下を招くことがある。ま
た、薬液量が多いと薬液は遠心力による広がりを起こす
前にあふれる感じで表面から流れてしまうことがある。
従って、１００ｒｐｍ未満では最適の薬液供給量に制御
することが困難となる。

【００３４】３０００ｒｐｍを超えると、薬液の一部は
ミスト状となり、このミスト状の薬液は洗浄槽の内壁に
ぶつかり被洗浄物の表面に再付着してせっかくきれいに
洗浄された表面を汚染してしまうことがある。また、被
洗浄物の重量にも依存するが、被洗浄物が洗浄中にが浮
き上がってしまう場合がある。薬液の供給量は、１００
ｍｌ／ｍｉｎ〜５００ｍｌ／ｍｉｎが好ましい。洗浄自
体は瞬時に終了するため、大流量でも使用薬液量は従来
の洗浄法と比べても大幅に減少する。

【００３５】（裏面洗浄）被洗浄物の表面に薬液を供給
するとともに、裏面に薬液を噴射して供給することが好
ましい。被洗浄物表面から薬液が回り込む場合もあり、
裏面の洗浄が不均一となる場合があるためである。（内壁面洗浄）回転洗浄の場合遠心力により表面から薬
液が飛散するが、この飛散した薬液は洗浄槽内壁に付着
することがあることを見いだした。そして、内壁に付着
した薬液が内壁から離脱して被洗浄物表面に再付着する
ことも見いだした。そこで、前記薬液洗浄工程中及び超
純水洗浄工程中に、前記洗浄槽の内壁面を超純水により
常時洗浄し、付着薬液を内壁面から洗い出すことがより
高清浄な洗浄を行う上で好ましい。

【００３６】洗浄装置図１に基づき本発明装置の操作を説明する。本発明装置
は、洗浄槽を有し、その洗浄槽は、開閉可能な蓋体を上
部に有している。（洗浄槽）図３は洗浄槽の概略図である。

【００３７】・材質本発明における洗浄槽の材質は特に限定されるものでは
ないが、導電性・耐熱性・耐薬品性を有する材質が好ま
しい。本発明者は、洗浄工程における微粒子などの不純
物の発生原因を鋭意探求する過程で、洗浄槽自体が静電
気を帯び、帯電することがあることを見いだした。そし
て、洗浄槽が帯電すると洗浄槽の内壁に微粒子などの不
純物が付着し、この付着した微粒子などの不純物が再度
ウエハに付着してしまうことを知見した。従って、洗浄
槽に導電性を有する材質を用いることにより静電気の発
生を抑制し、洗浄槽への微粒子などの不純物の付着を防
止しることができ、ウエハの汚染を防止することができ
る。

【００３８】なお、導電性、耐熱性、耐薬品性を有する
材質としては、例えば、導電性フッ素樹脂などが好まし
い。・蓋体本発明の洗浄槽は、開閉可能な蓋体を上部に有してい
る。蓋体を閉じたときは内部が密閉状態となり、被洗浄
物を大気と完全に隔絶することが可能であり、シリコン
ウェハの大気暴露を最小限に抑えることができる。その
結果、従来の技術では不可能であった洗浄工程中の酸化
膜生成の抑止が可能になった。

【００３９】なお、この蓋体は、上下動により開閉する
ようにすることが好ましい。上下動により開閉するよう
にし、また、蓋体に後述する気体導入手段の気体導入口
を設けておけば、蓋体を開いたときにも導入口から不活
性ガスを流し続けれることによってそのガスは洗浄槽内
に流れ込み、被洗浄物の表面の大気への暴露を最小限に
抑えることができる。

【００４０】この洗浄槽を有することにより全ての薬品
を単一の洗浄槽内で使用することが可能になった。（回転手段）本発明における回転手段としては、例えば
マイクロプロセッサーによる自動制御系を有し、静止状
態から高連回転まで、また高連回転から静止状態まで、
円滑かつ連続的な制御を可能にしているものが好まし
い。けだし、本発明では、オゾン水洗浄、超純水洗浄、
薬液洗浄を連続して同一洗浄槽内で行うものであり、そ
れぞれの洗浄を行う際における回転速度には、それぞれ
の洗浄独自の好ましい範囲があるためである。

【００４１】（気体導入手段）本発明では気体導入手段
を設けたことを大きな特徴の一つとしている。気体導入
口は、洗浄槽の上部に設けることが好ましい。すなわ
ち、上部に設けることにより、常に上部から下部ヘのダ
ウンフロー雰囲気を作り出すことが可能となる。ガスは
常に被洗浄物の表面に吹き付けられ、被洗浄物の表面上
にある不純物をその表面から排除することが可能とな
り、また、不純物の逆付着も防止することができ、より
清浄度の高い洗浄を実現することができる。

【００４２】（被洗浄物保持手段）被洗浄物保持手段と
しては、支軸と、該支軸上部から半径方向に延びる少な
くとも３本のアームと、該アームの先端に形成された段
差を有する凸部とからなり、オリエンテーションフラッ
トを有するウエハを水平に載置したときに、少なくとも
一つの凸部の内側面が該ウエハの該オリエンテーション
フラットにおける縁部と当接し、他の凸部の内側面が該
ウエハの円弧部における縁部と当接するように、該凸部
が配置されているものを用いることが好ましい。

【００４３】図４にかかる、被洗浄物保持手段の形状を
示す。この被洗浄物保持手段は、被洗浄物との接触面積
が可能な限り少なくなっている。すなわち、この保持手
段は、吸着保持や機械的保持とは全く異なり、回転によ
る遠心力を利用した三点保持で、なおかつうち１点はウ
ェハのオリエンテーションフラットを支えるような位置
に配置してあるのである。この被洗浄物保持手段を用い
ると吸着保持及び機械的保持によるたわみ・歪を起こす
ことなく、ただ三点だけの保持により被洗浄物を保持す
ることが可能である。その結果、たわみ・歪のない平坦
かつ清浄な被洗浄物表面が得られる。

【００４４】また、より高清浄な洗浄を達成するという
点から重要なことは、被洗浄物の周縁は３点を除き開放
されているということである。すなわち、均一な洗浄を
行うためには、被洗浄物表面には均一な薬液膜が形成さ
れることが重要である。しかるに、被洗浄物の周縁に物
が存在すると、回転による遠心力により周縁においやら
れた液がその物にぶつかり反射して周縁近傍において乱
流をまねいてしまう。すなわち、均一な液膜の形成が阻
害され均一な洗浄を行うことができなくなってしまう。
なお、被洗浄物を回転させて洗浄を行う場合において、
上述したような、均一の液膜の形成が重要であることは
本発明者が始めて見いだしたものである。

【００４５】（外部薬液供給装置）図５は外部薬液供給
装置フロー図である。本発明における外部薬液供給装置
は、シリコンウェハヘの薬液供給の際にポンプを使用せ
ず、タンクを高所に設置したものが好ましい。混合済薬
液にポンプを使用しないことにより、ポンプからの汚染
及び不純物の薬液への溶出を防止し、低圧力での薬液供
給が可能である。

【００４６】また、特に薬液及び供給薬液数を限定する
ものではないが、フッ化水素酸＋過酸化水素＋超純水・
水酸化アンモニウム＋過酸化水素＋超純水の薬液別に独
立した二系統の供給ライン、及び流量制御により自動で
薬液を混合する自動薬液混合装置を有するものが好まし
い。これにより薬液相互間の相互汚染がなく、原液の補
給だけで常に同じ混合比の薬液供給を可能にしている。
その結果、被洗浄物への二次汚染のない清浄な薬液洗浄
を可能にした。

【００４７】（ノズル）図６は洗浄槽内ノズル位置概略
図である。図６に示すノズルの態様例では、複数のノズ
ルをノズルラックで一体化し、全て同時に動く可動式で
ある。ノズルラックは可動式であるため、被洗浄物直上
のどのような位置からでも薬液及び超純水の供給が可能
である。また、従来のシャワーノズルのようの噴霧式で
はないため、一定流量を平滑かつ連続的に供給可能であ
る。

【００４８】また、一つのノズルラックに全てのノズル
を装着するは、高清浄な洗浄を達成する上において重要
な意味を有している。すなわち、例えば超純水リンスの
終了直前にフッ化水素酸＋過酸化水素＋超純水を流し始
めるといったような、一つの薬液の供給中に他の薬液を
供給することも可能である。その結果、被洗浄物の大気
暴露時間を減少させ、自然酸化膜の生成を抑制すること
ができるのである。

【００４９】ノズルとしては、図７（ａ）に示すよう
な、内径が出液口まで均一な直管型を用いることが好ま
しい。そして、出液口の面を被洗浄物に対し水平になる
ように配置することが好ましい。かかるノズルを用いた
場合、出液口から流出する薬液あるいは超洗浄水は、出
液口直下にそのまま連続流体として落下し、落下点が被
洗浄物の回転中心となるようにすれば、落下した薬液は
遠心力により面内均一に広がるため面内均一な洗浄を行
うことが可能となる。つまり、図７（ｂ）に示すよう
な、出液口が絞られているような場合は、出液面から出
た薬液は霧状となり連続流体の供給ができなくなる。ま
た、図７（ｃ）に示すような出液面が水平出ない場合に
は、出液口から薬液の量が異なったり、出液口直下に薬
液が落下せず、面内均一な薬液の供給ができなくなる。

【００５０】（裏面洗浄用噴射ノズル）本発明における
裏面洗浄用噴射ノズルは、薬液及び超純水別に独立ライ
ンになっているものが好ましい。噴射ノズルは全て独立
ラインを有し、従来の洗浄装置では不可能であった裏面
の薬液洗浄及び超純水洗浄を可能にしている。また全て
のノズルが独立ラインを有しているので、例えば表面は
フッ化水素酸＋過酸化水素＋超純水で裏面は超純水とい
ったような表面と裏面で異なる薬液を使用しての同時洗
浄も可能としている。その結果、裏面の汚染物質の流出
による表面への再汚染のない清浄な表面が得られた。

【００５１】（超純水供給ライン）本発明における超純
水供給ラインは、オゾンを添加するためオゾンに対して
耐性のあるものでなくてはならないので、表面処理（例
えば、不動態化処理）を行ったステンレス配管またはフ
ッ素樹脂であることが好ましい。超純水供給ラインの末
端近傍にはオゾン発生装置からのラインが自動弁を介し
て接続されており、オゾンを添加することを可能にして
いる。その結果、超純水供給ラインとオゾン添加超純水
ラインを共用することができ、装置内配管を簡略化でき
た。

【００５２】（オゾン添加手段）図８は超純水及びオゾ
ン添加ラインフロー図である。本発明におけるオゾン添
加手段は、ユースポイント最近傍でのオゾン添加によ
り、オゾンの分解を最小限に抑えることができるため、
装置本体内に超純水を原料とする小型のオゾン発生装置
を有することが好ましい。つまり、本装置においては、
装置本体内においてオゾナイザーで発生させたオゾンを
自動弁を切り換えることにより添加を制御しているもの
である。

【００５３】また、オゾナイザーを内蔵することによ
り、洗浄装置本体の小型化、周辺機器の排除が可能とな
る。超純水供給ラインにバルブを介してバイパスライン
を設け、該バイパスライン上にオゾン発生装置を設け、
また、このバイパスラインは、前記洗浄槽の内部に設け
ることが好ましい。オゾン発生装置を洗浄槽内に設ける
ことによりオゾンの発生源と供給先との距離を短くする
ことができる。すなわち、発生したオゾンが減少する前
供給先に供給することができるため洗浄効率を高めるこ
とが可能となる。

【００５４】（洗浄槽内壁面洗浄手段）本発明における
洗浄槽内壁面洗浄手段は、洗浄中に内壁面に散乱する洗
浄後の汚染された薬液を超純水で洗い流し、洗浄槽内を
常に清浄に保つことが可能である。その結果、汚染され
た薬液によるシリコンウェハヘの二次汚染を防止し清浄
なシリコンウェハ表面が得られた。

【００５５】また、壁面に付者した薬液が次工程の薬液
と相互に混じり合うことがないため、一工程につき一種
類の廃薬液＋廃超純水となり廃液回収を容易にしてい
る。（排水系）図９に洗浄槽底部排水概略図を示す。本発明
における排水系は、薬液供給装置及び超純水系と連動し
ており、酸アルカリ系・フッ化水素酸系・一般排水系の
三系統を自動的に切換制御が可能であり、耐薬品性およ
び耐熱性を有する材質であることが好ましい。つまり、
使用する薬液の種類別に、３ヶ所の排水口とそれに連結
した自動弁により、排水ラインを切り換えて排水を分別
している。その結果、全薬液洗浄工程を単一の洗浄槽内
で行っても廃液が混同することなく排出可能な装置とな
り、廃液回収も容易な装置となった。

【００５６】（自動制御系）本発明における自動制御系
は、全ての機構を集中制御するものが好ましい。本装置
においては、洗浄工程中の各機構作動の時間差をあらか
じめプログラムしており、次工程に移る場合の薬液変更
時に薬液と超純水を同時に流すことによる自然酸化膜の
成長の抑止・排水経路を正確に切り換えることによる廃
液の分別・超純水ヘのオゾン添加の断続による超純水ラ
インとオゾン添加超純水ラインの兼用・供給薬液の制御
・最適な供給時間の制御・非常時の対応、そのほか従来
と同様な制御全てを行っている。その結果、作業員の手
に触れるような工程がなくなり、ウェハの汚染源因を確
実になくし、清浄な洗浄工程を確保できた。また、作業
員の安全も確保できた。

【００５７】

【実施例】図１に本発明の洗浄方法の概念を示す。図１
において、現在まで有機物の除去に用いられてきた硫酸
＋過酸化水素＋超純水洗浄、及び塩酸＋過酸化水素＋超
純水洗浄を廃している。これにより熱の発生する洗浄工
程である硫酸＋過酸化水素＋超純水洗浄・塩酸＋過酸化
水素＋超純水洗浄・水酸化アンモニウム＋過酸化水素＋
超純水洗浄の三工程のうち二工程がなくなり、クリーン
ルームの空調にかかる負担を軽減できる。

【００５８】また、オゾン添加超純水洗浄を採用してい
るため、回収再生の困難な硫酸廃液がなくなり、簡単に
回収再生が可能で一般排水としても排出可能なオゾン廃
液が排出されることとなった。図２に装置外観図を、図
３に洗浄槽概略図を示す。図２において、１は操作パネ
ル、２は第１ノズル・第２ノズル・第５ノズルを装備し
たノズルラック、３は第３ノズル・第４ノズル・第６ノ
ズルを装備した裏面洗浄ノズル、４はチャック、５は排
水ライン、６は排気ライン、７は窒素（及び他の気体）
の導入口を示す。

【００５９】図３において、２はノズルラック、３は裏
面洗浄ノズル、４はチャック、７は窒素（及び他の気
体）の導入口、８は洗浄槽本体、９は外部薬液供給装置
より二系統と接続、１０は超純水及びオゾン添加超純水
ラインより一系統と接続、１１は壁面洗浄ノズル、１２
は排水切換用自動弁、１３は排水・排気ラインと接続、
１４はモーター、１５はウェハ、１６は密閉用フードを
示す。

【００６０】ここで、本実施例に係る洗浄装置の構造に
ついて説明する。本装置は、装置本体（図２）内に洗浄
槽本体８を、洗浄槽上部に窒素（及び他の気体）の導入
口７を有し、被洗浄物であるウェハ１５は、チャック４
に設置され、チャック４はモーター１４で駆動される。

【００６１】第１ノズル・第２ノズル・第５ノズルを組
み込んだノズルラック２は可動式でありウェハ上のどの
ような位置にでも薬液及び超純水を供給可能である。第
３ノズル・第４ノズル・第６ノズルは裏面洗浄ノズル３
であり洗浄工程中にウェハ裏面に薬液を供給する。続い
て、図４にチャック構造図、図５に外部薬液供給装置フ
ロー図、図６に洗浄槽内ノズル位置概略図、図７に超純
水及びオゾン添加ラインフロー図、図８に洗浄槽底部排
水概略図を示す。

【００６２】図４において、４はチャック、１８はウェ
ハを示す。図５において、１７は混合済薬液タンク、１
８は自動弁、１９はマスフローコントローラー、２０は
混合前薬液用ポンプ、２１は混合前薬液用タンク、２２
はフィルター、２３はリサイクルシステム（または廃液
タンク）へ接続、２４、第一・第二ノズルヘ接続、２５
は窒素パージ入口を示す。

【００６３】図６において、２はノズルラック、８は洗
浄槽、１８はウェハ、２６は第１ノズル、２７は第２ノ
ズル、２８は第５ノズル、２９は超純水及びオゾン添加
超純水ラインに接続、、３０は外部薬液供給装置に接続
を示す。図７において、１３は排水・排気ラインヘ接
続、２８は第５ノズル、３１はオゾナイザー、３２はオ
ゾン添加用自動弁、３３はオゾン排水用自動弁、３４は
超純水ライン、３５は装置本体内を示す。

【００６４】図８において、８は洗浄槽、３６はオゾン
超純水系排水口、３７は酸・アルカリ系排水口、３８は
フッ化水素酸系排水口、３９はオゾン超純水系排水切換
用自動弁、４０は酸・アルカリ系排水切換用自動弁、４
１はフッ化水素酸系排水切換用自動弁、４２は一般排水
または超純水回収系ラインヘ接続、４３は酸・アルカリ
系排水または回収系ラインヘ接続、４４はフッ化水素酸
系排水または回収系ラインヘ接続を示す。

【００６５】次に本発明の実施例について説明する。気
体導入口７から窒素を導入しておき、ウェハ１５をチャ
ック４にセットして、密閉用フード１６を閉める。第５
ノズル２８からウェハ表面に２．５〜１０ｃｃ超純水を
供給し、３００ｒｐｍで回転させウェハ表面を均一に濡
らしておく。これにより濡れ性が向上し、他工程がスム
ーズになる。

【００６６】続いて、第５ノズル２８よりオゾン添加超
純水を供給し表面の有機物を酸化させ、同時にウェハ表
面に自然酸化膜を形成しておき、第５ノズル２８のオゾ
ンを止めて超純水でリンスし、オゾン添加超純水及び不
純物を洗い流す。次に、第１ノズル２６からフッ化水素
酸と過酸化水素の混合薬液を供給し、表面の自然酸化膜
を剥離し、第５ノズル２８から超純水を供給し、薬液及
び不純物を洗い流す。次に、第２ノズル２７から水酸化
アンモニウムと過酸化水素の混合薬液を供給し、表面の
微粒子を除去し、第５ノズル２８からの超純水でリンス
し、薬液及び不純物を洗い流す。最後に第１ノズル２６
からフッ化水素酸と過酸化水素の混合薬液を供給し、再
度自然酸化膜を剥離し、第１ノズル２６からの薬液供給
を止める直前に第５ノズル２８から超純水を供給し始
め、第１ノズル２６の薬液供給を止め、薬液及び不純物
を洗い流し終わった後第５ノズル２８の超純水を止め、
ウェハ１８を回転乾燥させて全ての工程を終了する。

【００６７】これらの洗浄工程中は、表面洗浄と同じ薬
液を裏面に向かって裏面洗浄ノズル３より常時供給し裏
面をも同時に洗浄している。また、壁面洗浄ノズル１１
より常に洗浄槽内壁面を超純水で洗浄している。また、
全ての工程は単一の洗浄槽内で連続して行われるため、
洗浄工程中の搬送を行う必要がなく、薬液変更時の大気
への暴露時間が最少となり自然酸化膜の生成を極限まで
減少できる。

【００６８】また、外部薬液供給装置（図６）は、混合
前薬液用タンク２１より混合前薬液用ポンプ２０を用
い、高所に設置された混合済薬液タンク１７へ送られ
る。混合前薬液の流量は、マスフローコントローラー２
５で制御され、常に一定の混合比で混合される。混合ラ
インに流入した薬液は、フィルター２２を通り、常時窒
素パージされた混合済薬液タンク１７内の、ろうと状の
受け皿から高低差を利用してノズルヘ送られている。使
用しなかった余剰の薬液は、リサーキュレーションされ
ており、常時ろ過されている。

【００６９】オゾン添加ライン（図８）は、超純水ライ
ン３４より分岐した超純水をオゾナイザー３１に導入
し、オゾンを発生させ、オゾン添加用自動弁３２及びオ
ゾン排水用自動弁３３によって、注入を制御している。
本装置において使用しているオゾナイザーは超純水の電
気分解でオゾンを発生させ、膜モジュールを用いて超純
水に溶解し、高濃度オゾン添加超純水を生成させてい
る。洗浄装置本体内にオゾナイザーを内蔵しているの
で、ユースポイント直前でオゾンを添加することが可能
である。

【００７０】排水系（図９）は、オゾン超純水系排水切
換用自動弁３９、酸・アルカリ系排水切換用自動弁４
０、フッ化水素酸系排水切換用自動弁４１を切り換える
ことによって排水を分別し、分別された排水は回収装置
または排水ラインヘ接続している。そのため、廃液が混
同することなく排出可能である。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、半導体産業におけるシ
リコンウエハの清浄度の向上・洗浄工程の高効率化及び
洗浄用薬液の使用量減少により・生産コストの総合的な
減少により、高品質のシリコンウェハを低コストで提供
することができる。それ故、歩留まりも向上し、半導体
関連製品のコストダウンが可能である。

【００７２】また、完全な密閉系で全工程を行うため、
現場作業員の危険性も滅少できる。もちろん、根本的な
薬液使用量の減少と廃液の完全な分別により、地球の環
境を汚染せず、薬品及び水の回収再生を容易にし、資源
を有効に活用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の洗浄方法の工程原理図である。

【図２】本発明の実施例に係る洗浄装置の斜視図であ
る。

【図３】本発明の実施例に係る洗浄装置における洗浄槽
の概念図である。

【図４】本発明の実施例係る被洗浄物保持手段（チャッ
ク）の断面図である。

【図５】本発明の実施例に係る洗浄装置における外部薬
液供給装置のフロー図である。

【図６】洗浄槽内ノズル位置を示す概念図である。

【図７】ノズルの断面図であり、（ａ）は実施例を示
し、（ｂ），（ｃ）は比較例を示す。

【図８】本発明の実施例に係り、超純水及びオゾン添加
ラインフロー図である。

【図９】本発明の実施例に係る洗浄装置における洗浄槽
底部排水系の概略図である。

【図１０】従来例を示す断面図である。

【符号の説明】

１操作パネル、２ノズルラック、２ａ第１ノズル、２ｂ第２ノズル、２ｃ第５ノズル、３裏面洗浄ノズル、３ａ第３ノズル、３ｂ第４ノズル、３ｃ第６ノズル、４チャック、５排水ラインヘ、６排気ラインヘ、７窒素（及び他の気体）の導入口、８洗浄槽本体、９外部薬液供給装置より二系統、１０超純水及びオゾン添加超純水ラインより一系統、１１壁面洗浄ノズル、１２排水切換用自動弁、１３排水・排気ラインヘ、１４モーター、１５ウェハ、１６密閉用フード、１７混合済薬液タンク、１８ウェハ、１８自動弁、１９マスフローコントローラー、２０混合前薬液用ポンプ、２１混合前薬液用タンク、２２フィルター、２３リサイクルシステム（または廃液夕ンク）ヘ、２４第一・第二ノズルヘ、２５窒素パージ入口、２６第１ノズル、２７第２ノズル、２８第５ノズル、２９超純水及びオゾン添加超純水ラインより、３０外部薬液供給装置より、３１オゾナイザー、３２オゾン添加用自動弁、３３オゾン排水用自動弁、３４超純水ライン、３５装置本体内、３６オゾン超純水系排水口、３７酸・アルカリ系排水口、３８フッ化水素酸系排水口、３９オゾン超純水系排水切換用自動弁、４０酸・アルカリ系排水切換用自動弁、４１フッ化水素酸系排水切換用自動弁、４２一般排水または超純水回収系ラインヘ、４３酸・アルカリ系排水または回収系ラインヘ、４４フッ化水素酸系排水または回収系ラインヘ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｂ 2119−3Ｂ (72)発明者大見忠弘宮城県仙台市青葉区米ケ袋２の１の17の 301 (72)発明者米川直道宮城仙台市青葉区荒巻字青葉（無番地）東北大学工学部電子工学科内 (72)発明者國本文智宮城仙台市青葉区荒巻字青葉（無番地）東北大学工学部電子工学科内 (72)発明者玉木竹男埼玉県浦和市別所７−14−37株式会社エムテーシー内 (72)発明者堀木泰之東京都千代田区神田神保町１−６−１日曹エンジニアリング株式会社内 (72)発明者加地利光東京都千代田区神田神保町１−６−１日曹エンジニアリング株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の薬液洗浄工程を有する洗浄方法に
おいて、被洗浄物を洗浄槽内に水平に配置し、該洗浄槽
を密閉した後、該被洗浄物を回転させつつ、薬液流を被
洗浄物表面上方から連続的に該洗浄物の表面に供給する
薬液洗浄工程と、超純水を供給する超純水洗浄工程とを
それぞれの薬液について同一洗浄槽内において順次行
い、洗浄後乾燥を行うことを特徴とする回転薬液洗浄方
法。
【請求項２】薬液洗浄時における被洗浄物の回転数を
１００〜３０００ｒｐｍとすることを特徴とする請求項
１記載の洗浄方法。
【請求項３】薬液の供給量を１００〜５００ｃｃ／ｍ
ｉｎとすることを特徴とする請求項１又２は記載の洗浄
方法。
【請求項４】前記薬液洗浄を行う前に、該被洗浄物の
回転数を１００〜４００ｒｐｍとし、２．５〜１０ｃｃ
の超純水を該被洗浄物表面に供給するこをと特徴とする
請求項１乃至３のいずれか１記載の洗浄方法。
【請求項５】密閉された該洗浄槽内に不活性ガスをダ
ウンフローで流しながら前記薬液洗浄工程と超純水洗浄
工程とを行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か１項記載の洗浄方法。
【請求項６】前記洗浄槽内の圧力を前記洗浄槽外の圧
力よりも高くすることを特徴とする請求項５記載の洗浄
方法。
【請求項７】該被洗浄物を前記洗浄槽内に装入する際
に不活性ガスを前記洗浄槽内に流し続けることを特徴と
する請求項１乃至６のいずれか１項記載の洗浄方法。
【請求項８】薬液の供給の停止を、超純水の供給を開
始した後に行うことを特徴とする請求項１乃至７のいず
れか１項記載の洗浄方法。
【請求項９】被洗浄物の表面に薬液を供給するととも
に、裏面に薬液を噴射して供給することを特徴とする請
求項１乃至８のいずれか１項記載の洗浄方法。
【請求項１０】洗浄工程は、オゾン添加超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄ＮＨ₄ＯＨ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄温超純水洗浄超純水洗浄ＨＦ＋Ｈ₂Ｏ₂＋超純水洗浄超純水洗浄であることを特徴する請求項１乃至９のいずれか１項記
載の洗浄方法。
【請求項１１】前記オゾンの濃度は２ｐｐｍ〜１０ｐ
ｐｍとすることを特徴とする請求項１０記載の洗浄方
法。
【請求項１２】前記薬液洗浄工程中及び超純水洗浄工
程中に、前記洗浄槽の内壁面を超純水により洗浄するこ
とを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載の
洗浄方法。
【請求項１３】開閉可能な蓋体を上部に有し、該蓋体
を閉じたとき内部を密閉可能にし得る洗浄槽と、該洗浄槽内において被洗浄物を保持するための被洗浄物
保持手段と、該被洗浄物保持手段を回転させるための回転手段と、該洗浄槽内ヘ気体を導入するための気体導入手段と、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の表面に第１
の薬液を供給するための第一のノズルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の表面に第２
の薬液を供給するための第二のノズルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の裏面に第１
の薬液を噴射するための第三のノズルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の裏面に第２
の薬液を噴射するための第四のノズルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の表面に超純
水を供給するための第五のノズルと、該被洗浄物保持手段に保持された被洗浄物の裏面に超純
水を噴射するための第六のノズルと、該第一のノズルないし第四のノズルのそれぞれに接続さ
れた薬液供給ラインと、それぞれの薬液供給ラインに接続された薬液を供給可能
な外部薬液供給装置と、該第五のノズル及び第六のノズルに接続された超純水供
給ラインと、超純水にオゾンを選択的に添加するためのオゾン添加手
段と、洗浄後の廃液を完全に分別可能な排水系と、を少なくとも有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項１４】超純水供給ラインにバルブを介してバ
イパスラインを設け、該バイパスライン上にオゾン発生
装置を設けたことを特徴とする請求項１３に記載の洗浄
装置。
【請求項１５】前記バイパスラインは、前記洗浄槽の
内部に設けられていることを特徴とする請求項１４に記
載の洗浄装置。
【請求項１６】前記気体導入手段の導入口を、その開
口を下方に向けて前記洗浄層の蓋体の上部に設けたこと
を特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載
の洗浄装置。
【請求項１７】前記洗浄槽は導電性及び耐薬品性を有
する材質からなることを特徴とする請求項１３乃至１６
のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項１８】前記回転手段の回転速度を制御するた
めの装置を設けたことを特徴とする請求項１３乃至１７
のいずれか１項記載の洗浄装置。
【請求項１９】該被洗浄物保持手段は、支軸と、該支
軸上部から半径方向に延びる少なくとも３本のアーム
と、該アームの先端に形成された段差を有する凸部とか
らなり、オリエンテーションフラットを有する被洗浄物
を水平に載置したときに、少なくとも一つの凸部の内側
面が該被洗浄物の該オリエンテーションフラットにおけ
る側縁部と当接し、他の凸部の内側面が該被洗浄物の円
弧部における側縁部と当接するように、該凸部が配置さ
れていることを特徴とする請求項１３乃至１８のいずれ
か１項に記載の洗浄装置。
【請求項２０】前記外部薬液供給装置は自動薬液混合
装置を有することを特徴とする請求項１３乃至１９のい
ずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項２１】前記外部薬液供給装置は薬液タンクを
高所に設置したことを特徴とする請求項１３乃至２０の
いずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項２２】前記外部薬液供給装置は、（フッ化水
素酸＋過酸化水素＋超純水）の系統と、（水酸化アンモ
ニウム＋過酸化水素＋超純水）の系統との二系統を有す
ることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に
記載の洗浄装置。
【請求項２３】前記薬液供給ラインは、（フッ化水素
酸＋過酸化水素＋超純水）及び（水酸化アンモニウム＋
過酸化水素＋超純水）の二系統を有することを特徴とす
る請求項１３乃至２２のいずれか１項に記載の洗浄装
置。
【請求項２４】前記第一のノズル及び第五のノズルは
先端が平坦であることを特徴とする請求項１３乃至２３
のいずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項２５】前記超純水供給系は洗浄槽内壁面洗浄
手段を有することを特徴とする請求項１３乃至２４のい
ずれか１項に記載の洗浄装置。
【請求項２６】前記排水系は自動制御装置及び自動弁
を有し、装置内排水口直前で酸・アルカリ系、フッ化水
素酸系、一般排水系に分別回収できるようにしたことを
特徴とする請求項１３乃至２５のいずれか１項に記載の
洗浄装置。
【請求項２７】支軸と、該支軸上部から半径方向に延
びる少なくとも３本のアームと、該アームの先端に形成
された段差を有する凸部とからなり、オリエンテーショ
ンフラットを有する被洗浄物を水平に載置したときに、
少なくとも一つの凸部の内側面が該ウエハの該オリエン
テーションフラットにおける側縁部と当接し、他の凸部
の内側面が該被洗浄物の円弧部における側縁部と当接す
るように、該凸部が配置されていることを特徴とするオ
リエンテーションフラットを有するウエハの保持手段。